JPH02137224A - Formation of fine pattern - Google Patents
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- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 17
- 230000005865 ionizing radiation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 abstract description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、セラミックス基板、金属基板あるいは有機物
基板上に、リフトオフ法により高温で金属、無機化合物
または有機化合物パターンを形成する場合の微細パター
ン形成方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to the formation of fine patterns in the case of forming metal, inorganic compound, or organic compound patterns on ceramic substrates, metal substrates, or organic substrates at high temperatures by a lift-off method. Regarding the method.
従来、リフトオフ法によって、セラミックス基板、金属
基板あるいは有機物基ｖｉ（以下単に基板という）上に
パターンを形成する場合、基板上にフォトレジストまた
は電離放射線レジスト（以下単にレジストという）を塗
布し、ブリヘーク後これを露光し、その後現像により基
板上に逆テーパー型のレジストパターンを形成し、さら
にポストベークを行ってパターンに耐熱性と密着性を持
たせ、次にこの基板に金属、無機化合物あるいは有機化
合物をスバシタ法、蒸着法あるいはＣＶＤ法によって成
膜し、最終的にレジストパターン部分を剥離することに
よって金属、無機化合物あるいは有機化合物のパターン
を形成している。Conventionally, when forming a pattern on a ceramic substrate, a metal substrate, or an organic substrate vi (hereinafter simply referred to as a substrate) by the lift-off method, a photoresist or an ionizing radiation resist (hereinafter simply referred to as a resist) is coated on the substrate, and then a photoresist or an ionizing radiation resist (hereinafter simply referred to as a resist) is applied to the substrate, and then a photoresist or ionizing radiation resist (hereinafter simply referred to as a resist) is applied to the substrate. This is exposed, then developed to form a reverse tapered resist pattern on the substrate, and post-baked to give the pattern heat resistance and adhesion. A pattern of metal, inorganic compound, or organic compound is formed by forming a film by the Subashita method, vapor deposition method, or CVD method, and finally peeling off the resist pattern portion.
リフトオフ法に用いられるレジストは逆テーパーを形成
する必要があるため、通常は逆テーパーを形成しやすい
ノボラック系ポジ型レジスト、メタクリレート系ポジ型
レジストなとのポジ型レジストを使用している。Since the resist used in the lift-off method needs to form a reverse taper, a positive resist such as a novolak positive resist or a methacrylate positive resist, which easily forms a reverse taper, is usually used.
前述したように、リフトオフ法においてはレジストパタ
ーンを逆テーパーに形成しなければならないことから使
用できるレジストが限定され、その中で一般的に多く用
いられるレジストはポジ型のノボラック系、或いはメタ
クリレート系などであるが、これらのレジストは耐熱性
が百数十度であり、２００°Ｃ程度以上でのリフトオフ
バクーン形成には使用できない。また、逆テーパーを形
成するためには、それなりの露光条件や現像条件等の工
程を検討する必要があり、逆テーパー形状を形成するこ
とは容易ではない。例えば、電子線レジストを逆テーパ
ーに形成するためには、通常の適正露光量よりも多い露
光量が必要なため、設計線幅どうりにパターンを形成す
ることは困難である。As mentioned above, in the lift-off method, the resist pattern must be formed in a reverse taper, so the resists that can be used are limited, and the most commonly used resists are positive-type novolac-based resists, methacrylate-based resists, etc. However, these resists have a heat resistance of over 100 degrees Celsius and cannot be used for lift-off vacuum formation at temperatures above about 200 degrees Celsius. Furthermore, in order to form a reverse taper, it is necessary to consider processes such as appropriate exposure conditions and development conditions, and it is not easy to form a reverse taper shape. For example, in order to form an electron beam resist into a reverse taper, an exposure amount larger than the normal appropriate exposure amount is required, making it difficult to form a pattern with a designed line width.
また、従来のリフトオフ法により２００°Ｃ程度以上の
高温でスパッタ、蒸着またはＣＶＤで成膜する場合、通
常のレジストでは耐熱性が百数十度程度であるため、逆
テーパー形状をしたレジストパターンは成膜時に変形し
てしまい、レジストパターンの剥離が不可能になるか、
あるいは剥離ができたとしても設計した線幅どうりのパ
ターンを得ることは不可能であるという問題点がある。In addition, when forming a film by sputtering, vapor deposition, or CVD at a high temperature of about 200°C or higher using the conventional lift-off method, a normal resist has a heat resistance of about 100 degrees, so a resist pattern with an inverted tapered shape is The film may be deformed during film formation, making it impossible to remove the resist pattern.
Alternatively, even if peeling is possible, there is a problem in that it is impossible to obtain a pattern with the designed line width.
また従来の現像によってレジストパターンを形成する場
合には、セラミックスのようなピットの多い基板では現
像液の基板へのしみ込みにより、現像時にレジストパタ
ーンが剥げてしまってパターン形成できないことや、基
板にピットが存在しない場合にも基板とレジストとの密
着性が悪い場合には同様に現像時にレジストパターンが
剥げて形成できないという問題点がある。In addition, when forming a resist pattern by conventional development, if the resist pattern is formed on a substrate with many pits such as ceramics, the resist pattern may peel off during development due to the developer seeping into the substrate, making it impossible to form a pattern. Even when there are no pits, there is a similar problem that if the adhesion between the substrate and the resist is poor, the resist pattern will peel off during development and cannot be formed.
本発明は上記課題を解決するためのもので、リフトオフ
法により高温でのパターン形成が可能な微細パターン形
成方法を提供することを目的とする。The present invention is intended to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a fine pattern forming method that allows pattern formation at high temperatures by a lift-off method.
そのために本発明は、リフトオフ法によるパターン形成
方法において、基板上に耐熱性のある有機層を形成する
工程と、その有機層の上に耐ドライエツチング性と耐熱
性のあるフォトレジストまたは電離放射線レジストの有
機層を形成する工程と、前記レジスト層をフォトエツチ
ングまたは電離放射線によりパターニングした後、それ
をマスクにしてドライエツチングで露出部の有機層を除
去する工程と、蒸着あるいはスバνりあるいは気相成長
による成膜後に有機層を剥離する工程とからなり、ドラ
イエッチング後の有機層パターンが上層のレジストパタ
ーンの線幅よりも細くなるようにしたことを特徴とし、
また基板上に形成する有機層を２層構造とし、ＩＮ目に
剥離性を良くする有機層を形成したことを特徴とする。To this end, the present invention includes a step of forming a heat-resistant organic layer on a substrate in a pattern forming method using a lift-off method, and a step of forming a heat-resistant photoresist or ionizing radiation resist on the organic layer. After patterning the resist layer by photoetching or ionizing radiation, using the resist layer as a mask, removing the exposed organic layer by dry etching, and vapor deposition, stripping, or vapor deposition. It consists of a step of peeling off the organic layer after film formation by growth, and is characterized in that the organic layer pattern after dry etching is made thinner than the line width of the upper resist pattern,
Further, the organic layer formed on the substrate has a two-layer structure, and an organic layer that improves releasability is formed on the IN side.
次に図面を参照して本発明を説明する。Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明によるリフトオフパターン形成方法の工
程の一例を示す断面模式図である。図中、１は基板、２
．３は有機層、２゛、３′は有機層のパターン、４はレ
ジスト層、４′はレジストパターン、５は電離放射線、
６は酸素プラズマ、７は蒸着膜である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the steps of the lift-off pattern forming method according to the present invention. In the figure, 1 is the substrate, 2
．． 3 is an organic layer, 2', 3' is a pattern of the organic layer, 4 is a resist layer, 4' is a resist pattern, 5 is ionizing radiation,
6 is oxygen plasma, and 7 is a deposited film.
第１図（ａ）、（ｂ）に示すように基板ｌ上に耐熱性の
ある有機層２を形成する。この有１ｉ２は剥離性を良く
するためのものである。有機Ｎ２をスピンコーティング
法などで塗布しベーキングした後、有機層３を同様にし
て形成し２層構造にする。次に第１図（ｃ）に示すよう
に有機層の上に耐ドライエツチング性と耐熱性のあるフ
ォトレジストまたは電離放射線レジストの有機層４を形
成し、その後露光、現像により第１図（ｄ）に示すよう
に有機層上にレジストパターン４′を形成する。次にレ
ジストパターン４′をマスクにし、高温状態で酸素プラ
ズマにより下層の有機層２．３をドライエツチングし、
第１図（ｅ）に示すようなパターンを形成する。有機Ｎ
４は耐ドライエツチング性と耐熱性を有しているのでレ
ジストバターン４′の線幅はドライエツチング後でも初
期の設計線幅の状態で保持されるのに対し、下層の有機
層のパターン２′、３′の線幅は上層よりも細くなる。As shown in FIGS. 1(a) and 1(b), a heat-resistant organic layer 2 is formed on a substrate l. This layer 1i2 is for improving releasability. After applying organic N2 by spin coating or the like and baking, an organic layer 3 is formed in the same manner to form a two-layer structure. Next, as shown in FIG. 1(c), an organic layer 4 of a photoresist or ionizing radiation resist having dry etching resistance and heat resistance is formed on the organic layer, and then exposed and developed as shown in FIG. 1(d). ), a resist pattern 4' is formed on the organic layer. Next, using the resist pattern 4' as a mask, the underlying organic layer 2.3 is dry-etched using oxygen plasma at high temperature.
A pattern as shown in FIG. 1(e) is formed. organic N
Since resist pattern 4 has dry etching resistance and heat resistance, the line width of resist pattern 4' is maintained at the initial designed line width even after dry etching, whereas pattern 2' of the underlying organic layer is , 3' have a narrower line width than the upper layer.
このような形状をしたパターンに蒸着法、スパッタ法あ
るいはＣＶＤ法により金属、無機化合物または有機化合
物を成膜すると第１図（ｆ）に示すようになり、最終的
に有機層２′を剥離できるような溶液などで有機層パタ
ーン部分を除去することによって第１図（ｇ）に示すよ
うな断面逆テーパー形状のリフトオフパターンを形成す
ることができる。When a metal, inorganic compound, or organic compound is deposited on a pattern with such a shape by vapor deposition, sputtering, or CVD, the result is as shown in Figure 1(f), and the organic layer 2' can finally be peeled off. By removing the organic layer pattern portion with a solution such as the above, a lift-off pattern having an inverted tapered cross section as shown in FIG. 1(g) can be formed.
［作用］
本発明のリフトオフ法によるパターン形成方法は、ドラ
イエツチングにより有機層パターンを形成していること
から、従来の現像によるパターン形成のときに発生した
ような、レジストパターンが剥げて基板上に形成できな
いという問題点を解決することができる。これはドライ
エツチングによりを機層パターンを形成する場合には、
現像液のしみ込みや現像液のレジストパターンに及ぼす
力学的な影響がないため、基板とレジストの密着性が悪
くても、レジストパターンが形成できる。[Function] Since the pattern forming method using the lift-off method of the present invention forms an organic layer pattern by dry etching, the resist pattern does not peel off and appear on the substrate, which occurs when forming a pattern by conventional development. This can solve the problem of not being able to form. When forming a machine layer pattern by dry etching,
Since there is no penetration of the developer and no mechanical influence of the developer on the resist pattern, a resist pattern can be formed even if the adhesion between the substrate and the resist is poor.
また本発明の有機層パターンは、耐熱性があるため２０
０°Ｃ以上の高温雰囲気で金属等を成膜しても有機層の
パターンは変形せずに初期の状態を保つことができる。In addition, the organic layer pattern of the present invention has heat resistance, so
Even if a film of metal or the like is formed in a high temperature atmosphere of 0° C. or higher, the pattern of the organic layer is not deformed and can maintain its initial state.
これにより従来では形成が不可能であった高温の成膜も
可能となり、有機層パターンの剥離が容易で設計した線
幅どうりのリフトオフパターンを形成することができる
。This makes it possible to form a film at a high temperature, which was previously impossible, and allows easy peeling of the organic layer pattern to form a lift-off pattern with a designed line width.
以下、実施例について説明する。 Examples will be described below.
直径が５ｃｍで厚みが０．６ｉｍの円形をしたピットの
多く存在するアルミナ基板上に、第１図（ａ）に示すよ
うに第１層目の有機層であるポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）をスピンコーティング法により塗布し、そ
の１２００′ｃ、３０分間ベーキングして膜厚が０．５
μｍのＰＭＭＡＩｉを形成した０次に第１図（ｂ）に示
すように第２層有機層であるポリイミドをスピンコーテ
ィング法により塗布し、３００ ’Ｃ２６０分間ベーキ
ングして膜厚が６μｍのポリイミド層を形成しＰＭＭＡ
層とポリイミド層を合わせた有機層の厚さが６゜５μｍ
となった。次に第１図（Ｃ）に示すように、上層のシリ
コン含有ネガ型フォトレジストを同様にスピンコーティ
ング法により塗布し、その後７０°Ｃ１３０分間ブリベ
ータを行い、３．０μｍ厚のフォトレジスト層を形成し
た０次に波長４０５順において５ ｍ ｗ ／ ｃｄの
照度を持つ紫外線で３０秒間露光し、その後有機溶剤で
現像することによって、有機層の上に最小線幅が１０μ
ｍのシリコン含有ネガ型レジストパターンを形成した。As shown in Figure 1(a), polymethyl methacrylate (PMMA), which is the first organic layer, is spun on an alumina substrate containing many circular pits with a diameter of 5 cm and a thickness of 0.6 mm. Apply by coating method and bake at 1200'C for 30 minutes to obtain a film thickness of 0.5
After forming PMMAIi with a thickness of 6 μm, a second organic layer of polyimide was applied by spin coating as shown in FIG. Formed PMMA
The thickness of the organic layer including the polyimide layer and the polyimide layer is 6°5 μm.
It became. Next, as shown in FIG. 1(C), the upper layer of silicon-containing negative photoresist is applied in the same manner by spin coating, followed by blistering at 70°C for 130 minutes to form a 3.0 μm thick photoresist layer. A minimum linewidth of 10 μm was formed on the organic layer by exposing for 30 seconds to ultraviolet light with an illuminance of 5 mw/cd in the 405th wavelength order, followed by development with an organic solvent.
A silicon-containing negative resist pattern of m was formed.
このシリコン含有ネガ型レジストパターンをマスクにし
て第１図（ｄ）に示すように、酸素プラズマを用いた等
方性ドライエツチングで下層の有機層をエツチングする
ことにより第１図（ｅ）のようなパターンを形成した。Using this silicon-containing negative resist pattern as a mask, as shown in FIG. 1(d), the underlying organic layer is etched by isotropic dry etching using oxygen plasma, as shown in FIG. 1(e). formed a pattern.
このときのドライエツチング条件は、出力２００Ｗ、ガ
ス圧力１． ０ｔｏｒｒでエツチング時間は６０分間で
あった。The dry etching conditions at this time were: output 200W, gas pressure 1. The etching time was 60 minutes at 0 torr.
次に蒸着法により、成膜時の基板温度が３５０°Ｃにな
るような加熱した状態で、モリブデン３μｍ厚を蒸着し
た後、基板をアセＩ・ンに入れ、超音波を加えることに
より５分間程度で有機層パターン部分が完全に剥離でき
、最終的に厚さ３μｍ、最小線幅１０μｍのモリブデン
バクーンがアルミナ基板上に形成できた。蒸着時の有機
層パターンは、３５０°Ｃの熱を加えてもまったく変形
しないため、従来では形成が不可能であった高温でのリ
フトオフパターン形成ができた。Next, a layer of molybdenum with a thickness of 3 μm was deposited using the vapor deposition method in a heated state such that the substrate temperature at the time of film formation was 350°C, and then the substrate was placed in an acetic acid bath for 5 minutes by applying ultrasonic waves. The organic layer pattern part could be completely peeled off within a few steps, and finally a molybdenum barcoon with a thickness of 3 μm and a minimum line width of 10 μm was formed on the alumina substrate. The organic layer pattern during vapor deposition does not deform at all even when heated to 350°C, making it possible to form a lift-off pattern at high temperatures, which was previously impossible.
〔発明の効果］
本発明のリフトオフ法によるパターン形成方法は、従来
よりも非常に耐熱性のある有機層パターンからなるため
、高温でのリフトオフパターン形成が可能になり、また
ドライエツチングによりパターンを形成するため基板と
有機層との密着性が悪い場合でもパターンが剥げること
なく、容易に基板上に有機パターンを形成することがで
きる。[Effects of the Invention] The pattern forming method using the lift-off method of the present invention consists of an organic layer pattern that is much more heat resistant than conventional patterns, so it is possible to form a lift-off pattern at high temperatures, and the pattern can be formed by dry etching. Therefore, even if the adhesion between the substrate and the organic layer is poor, the pattern does not peel off, and an organic pattern can be easily formed on the substrate.
特に、有機層のドライエツチング後のパターンが、上層
の耐ドライエツチング性レジストパターンにより設計し
た線幅に保持され、下層の耐熱性有機層のバクーン線幅
がその上層パターンより細いパターン形状となり、蒸着
、スパッタあるいは気相成長法により成膜したパターン
の線幅は、上層の耐ドライエツチング性レジストパター
ンの線幅により決定され、精度良い線幅のパターンが形
成できる。In particular, the pattern after dry etching of the organic layer is maintained at the designed line width by the dry etching-resistant resist pattern of the upper layer, and the line width of the lower heat-resistant organic layer becomes narrower than that of the upper layer pattern, and the vapor deposition The line width of the pattern formed by sputtering or vapor phase growth is determined by the line width of the dry etching resistant resist pattern in the upper layer, and a pattern with a highly accurate line width can be formed.
第１図（ａ）〜（ｇ）は本発明によるリフトオフパター
ン形成方法の工程の一例を示す断面図である。
１・・・基板、２．３・・・有機層、２′、３′・・・
有機層のパターン、４・・・レジスト層、４′・・・レ
ジストパターン、５・・・電離放射線、６・・・酸素プ
ラズマ、７・・・蒸着膜。FIGS. 1(a) to 1(g) are cross-sectional views showing an example of the steps of the lift-off pattern forming method according to the present invention. 1...Substrate, 2.3...Organic layer, 2', 3'...
Pattern of organic layer, 4... Resist layer, 4'... Resist pattern, 5... Ionizing radiation, 6... Oxygen plasma, 7... Vapor deposited film.
Claims (2)
基板上に耐熱性のある有機層を形成する工程と、該有機
層上に耐ドライエッチング性と耐熱性のあるフォトレジ
ストまたは電離放射線レジストの有機層を形成する工程
と、レジスト層をフォトエッチングまたは電離放射線に
よりパターニングした後、レジストパターンをマスクに
してドライエッチングで露出部の有機層を除去する工程
と、蒸着、スパッタあるいは気相成長法によるリフトオ
フパターン成膜後に有機層パターンを剥離する工程とか
らなり、ドライエッチング後の有機層パターンが上層の
レジストパターンの線幅よりも細くなるようにしたこと
を特徴とする微細パターン形成方法。(1) In a pattern forming method using a lift-off method,
a process of forming a heat-resistant organic layer on a substrate; a process of forming an organic layer of a photoresist or an ionizing radiation resist having dry etching resistance and heat resistance on the organic layer; and a process of photoetching or photoetching the resist layer. After patterning with ionizing radiation, the exposed organic layer is removed by dry etching using the resist pattern as a mask, and the organic layer pattern is peeled off after the lift-off pattern is formed by vapor deposition, sputtering, or vapor phase growth. A fine pattern forming method characterized in that the organic layer pattern after dry etching is made thinner than the line width of the upper resist pattern.
に剥離性を良くする有機層を形成した請求項１記載の微
細パターン形成方法。(2) The method for forming a fine pattern according to claim 1, wherein the organic layer formed on the substrate has a two-layer structure, and an organic layer for improving releasability is formed as the first layer.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290867A JP2732868B2 (en) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | Fine pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63290867A JP2732868B2 (en) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | Fine pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02137224A true JPH02137224A (en) | 1990-05-25 |
| JP2732868B2 JP2732868B2 (en) | 1998-03-30 |
Family
ID=17761525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63290867A Expired - Fee Related JP2732868B2 (en) | 1988-11-17 | 1988-11-17 | Fine pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2732868B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605412B2 (en) | 2000-02-18 | 2003-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resist pattern and method for forming wiring pattern |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066432A (en) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of fine pattern |
-
1988
- 1988-11-17 JP JP63290867A patent/JP2732868B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6066432A (en) * | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of fine pattern |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6605412B2 (en) | 2000-02-18 | 2003-08-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Resist pattern and method for forming wiring pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2732868B2 (en) | 1998-03-30 |
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