JPH05347443A - 閉ループガス浄化システムの性能評価 - Google Patents

閉ループガス浄化システムの性能評価

Info

Publication number
JPH05347443A
JPH05347443A JP3266497A JP26649791A JPH05347443A JP H05347443 A JPH05347443 A JP H05347443A JP 3266497 A JP3266497 A JP 3266497A JP 26649791 A JP26649791 A JP 26649791A JP H05347443 A JPH05347443 A JP H05347443A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
impurity concentration
impurities
inlet
concentration
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3266497A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuki Mitsui
靱 三井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Heavy Industries Ltd filed Critical Sumitomo Heavy Industries Ltd
Priority to JP3266497A priority Critical patent/JPH05347443A/ja
Publication of JPH05347443A publication Critical patent/JPH05347443A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Emergency Alarm Devices (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Separation Of Gases By Adsorption (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザ用ガス媒体等、微量不純物に敏感なガ
スを浄化しつつ、循環させて使用する閉ループガス浄化
システムの性能評価に関し、ガス利用装置で使用し、不
純物が発生したガスをガス浄化装置で不純物を除去して
浄化し、再びガス利用装置に供給して使用する閉ループ
ガス浄化システムの性能評価方法であって、比較的安価
で簡便な測定装置を用いて適切にガス浄化装置の性能評
価を行うことのできる閉ループガス浄化システムの性能
評価方法を提供することを目的とする。 【構成】 ガス利用装置で使用し、不純物が発生したガ
スをガス浄化装置で不純物を除去し、再びガス利用装置
に供給して使用する閉ループガス浄化システムの性能評
価方法であって、ガス浄化装置の入口不純物濃度の時間
変化をモニタすることにより、ガス浄化装置の出口不純
物濃度を堆定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、閉ループガス浄化シス
テムの性能評価に関し、特にレーザ用ガス媒体等、微量
不純物に敏感なガスを浄化しつつ、循環させて使用する
閉ループガス浄化システムの性能評価に関する。
【0002】
【従来の技術】以下、微量不純物に敏感なガス利用装置
としてKrFエキシマレーザを例にとって説明するが、
本発明はKrFエキシマレーザに限るものではない。
【0003】KrFエキシマレーザは、ガラス等で形成
されたレーザ管にレーザガス媒体として約99%のN
e、約1%のKr、約0.1%のF2 の混合ガスを収容
し、両端にミラーを配置し、レーザ用ガス媒体を放電発
光させ、共振を生じさせることによって動作させる。
【0004】ところで、フッ素ガスは反応性が強く、特
に放電によって励起されたフッ素ガスは反応性が強いた
め、放電によってフッ素ガスとガス媒体中の不純物や他
の構成材料との反応が生じる。このため、KrFエキシ
マレーザのレーザ出力は放電回数と共に減少する。
【0005】図2にこのような従来の技術による、Kr
Fエキシマレーザの特性を示す。図2(A)図中に示す
ように、レーザ管51は、その一端にミラー52、他端
に所望の反射率と透過率を有するハーフミラー53を有
し、ガス源54から原料ガスを供給する。
【0006】レーザ管51内を排気弁55を介して排気
し、ガス源54から新鮮な原料ガスを供給し、レーザ発
振を生じさせた時の時間経過に伴う特性の変化を以下に
説明する。図2(A)はレーザ出力を示し、図2
(B)、(C)は、レーザ管51内のガス成分の濃度を
示す。横軸は各図とも時間を分で示す。
【0007】図2(A)に示すように、未だ発振を生じ
ない間はレーザ出力はほぼ0であり、発振を開始すると
レーザ出力は急激に大きな値に達する。ところが、発振
時間の経過と共にレーザ出力は次第に減少する。
【0008】図2(B)、(C)に示すように、レーザ
発振が生じる前の状態においては、レーザ管51内のガ
ス成分はほぼ一定であり、不純物であるN2 、O2 、H
F、SiF4 等がわずかに存在する。
【0009】なお、主成分であるNeとKrは図示して
いないが、濃度はほぼ一定に保たれる。レーザ発振が開
始すると、図2(C)に示すCF4 、HF、SiF4
の不純物濃度は徐々に増大する。
【0010】一方、レーザ用ガス媒体の成分であるF2
は徐々にその濃度が低下する。レーザ出力の低下は、こ
れらの不純物成分の増加とレーザ用ガス媒体であるF2
の減少に起因するものと考えられる。
【0011】一定のレーザ出力を得るためには、図2
(A)に示す構成において、ガス源54から常に新鮮ガ
スを供給し、排気弁55から排気を行なってレーザ管5
1内を一定の圧力に保つことが必要となろう。しかし、
この方法によれば、高価な希ガスであるKrを浪費する
のみでなく、原料ガス供給、排気の制御が複雑となる。
【0012】そこで、レーザ管内のガスを液体窒素トラ
ップ等のガス浄化装置を介して循環させ、生成したハロ
ゲン化物を除去する方法が提案されている。
【0013】液体窒素温度のトラップにおいては、Si
4 、HFは凝固し、CF4 は吸着する。したがって、
CF4 の吸着効率が高いあいだは液体窒素トラップは有
効なガス浄化装置として機能する。吸着面がCF4 で占
有されると、CF4 が吸着されずに出口に表れるように
なる。
【0014】このように不純物吸着型浄化装置を用いた
場合は、不純物の出口不純物濃度がある値まで立ち上が
ったときが浄化装置再生の時期である。再生せずに浄化
装置を使用すると、少なくともある種の不純物は浄化装
置を通過するようになり、エキシマレーザ等のガス利用
装置の効率を低下させることになる。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】ガス浄化装置の浄化能
力は、除去したい成分についての入口不純物濃度に対す
る出口不純物濃度の比で表すことができる。エキシマレ
ーザ等のガス利用装置はCF4 等のガス中不純物に極め
て敏感であり、不純物濃度が増加するとともにレーザ出
力は低下する。
【0016】不純物濃度に敏感なガスを用いて、ガスを
浄化しつつ繰り返し使用しようとする場合、図3に示す
ようなシステムが考えられる。
【0017】図3(A)に示すように、ガス利用装置2
とガス浄化装置4とをループ状に接続し、ガス利用装置
2で使用したガスをガス浄化装置4で浄化し、不純物を
除去して再びガス利用装置2に供給する。
【0018】ガス浄化装置が浄化能力を維持しているか
否かを評価するために、ガス浄化装置の入口および出口
にモニタ5a,5bを接続する。ガス利用装置2は運転
することによって一定濃度の不純物を発生させる。ガス
浄化装置4が不純物吸着型である場合、ガス浄化装置4
の入口不純物濃度、出口不純物濃度は図3(B)に示す
ようになる。
【0019】すなわち、ガス利用装置2が運転を開始す
ると、一定濃度の不純物が生成され、ガス浄化装置4の
入口不純物濃度はガス利用装置2の発生する不純物濃度
によって定められる。これらの不純物は、ガス浄化装置
4によってほとんど除去され、ガス浄化装置4の出口不
純物濃度は当初所定期間内はほとんど0となる。
【0020】吸着型ガス浄化装置4の吸着面が不純物に
よって占有されると、ガス浄化装置に除去されず、出口
から不純物が表れるようになる。ガス浄化装置4の出口
に不純物が表れる時間を図3(B)のT1で示す。
【0021】すると、ガス利用装置2に供給されるガス
は、既に不純物を含んだものとなり、ガス利用装置2の
運転に伴ってさらに不純物が生成されるため、ガス浄化
装置4の入口不純物濃度はほぼ一定の値から次第に増加
するようになる。ガス浄化装置4はその浄化能力が低下
しているため、出口不純物濃度も次第に増加するように
なる。
【0022】ガス利用装置2に不純物濃度が十分低いガ
スを供給するためには、ガス浄化装置4の出口不純物濃
度を一定の濃度(たとえばC2 )以下にすることが必要
である。すなわち、ガス浄化装置4の出口不純物濃度を
モニタし、出口不純物濃度が次第に増加して濃度C2
達したとき(T2)には、ガス浄化装置4を再生するこ
とが必要である。
【0023】ところで、図2に示すエキシマレーザの場
合のように、ガス利用装置の性能が不純物濃度に極めて
敏感な場合、ppmオーダの不純物濃度を検出する事が
必要となる。
【0024】不純物ガスの検出に、たとえば熱伝導度検
出型(TCD)ガスクロマトグラフィのような安価で簡
便な装置を用いると、分析精度は、定量評価が可能な場
合一般的に10ppmと言われている。この値は分析対
象ガスによってさらに悪くなり、Ne中のCF4 の分析
精度は約100ppmと言われている。
【0025】また、He中のH2 の分析精度はさらに悪
く、約1000ppmと言われている。たとえば、エキ
シマレーザの場合、図2に示すように、CF4 の出口不
純物濃度が100ppmに達すると、レーザ出力は既に
大幅に低減してしまっている。
【0026】すなわち、高純度ガスが要求される場合、
TCDガスクロマトグラフィのような比較的安価で簡便
な測定装置を用いたのでは、ガス浄化装置の出口不純物
濃度の所望の高精度測定を実現することができない。ガ
ス浄化装置の出口不純物濃度の高精度測定を行うために
は、ヘリウムイオン検出器型ガスクロマトグラフィ、磁
場型質量分析計、赤外線分光光度計、ラマン散乱分光光
度計のような、より高価で操作が複雑な分析装置が必要
となる。
【0027】本発明の目的は、ガス利用装置で使用し、
不純物が発生したガスをガス浄化装置で不純物を除去し
て浄化し、再びガス利用装置に供給して使用する閉ルー
プガス浄化システムの性能評価方法であって、比較的安
価で簡便な測定装置を用いて適切にガス浄化装置の性能
評価を行うことのできる閉ループガス浄化システムの性
能評価方法を提供することである。
【0028】また、本発明の他の目的は、比較的安価で
簡便な測定装置を用い、ガス浄化装置の出口不純物濃度
を所望の高精度で評価することのできる閉ループガス浄
化システムの性能評価装置を提供することである。
【0029】
【課題を解決するための手段】本発明の閉ループガス浄
化システムの性能評価方法は、ガス利用装置で使用し、
不純物が発生したガスをガス浄化装置で不純物を除去し
て浄化し、再びガス利用装置に供給して使用する閉ルー
プガス浄化システムの性能評価方法であって、ガス浄化
装置の入口不純物濃度の時間変化をモニタすることによ
り、ガス浄化装置の出口不純物濃度を堆定する。
【0030】また、本発明の閉ループガス浄化システム
の性能評価装置は、ガス利用装置に接続され、ガス利用
装置で使用し、不純物が発生したガスを受け、不純物を
除去して浄化し再びガス利用装置に供給するための閉ル
ープガス浄化装置と、ガス浄化装置の入口不純物濃度を
モニタする手段と、モニタした入口不純物濃度の時間変
化を記憶する手段とを有する。
【0031】
【作用】TCDガスクロマトグラフィのような比較的安
価で簡便な測定装置は、検出できる最低濃度は高いが、
測定可能濃度領域内での検出濃度の精度は比較的高い。
【0032】ガス浄化装置の出口不純物濃度はガス浄化
装置の性能が良好な間は極めて低いが、ガス浄化装置の
入口不純物濃度はある程度の値を有する。すなわち、ガ
ス浄化装置の入口不純物濃度を測定することは、比較的
安価で簡便な測定装置によっても可能である。
【0033】閉ループでガスを利用する場合、ガス浄化
装置から供給されるガスはガス利用装置で使用され、再
びガス浄化装置の入口に戻る。ガス利用装置が一定量の
不純物を付加すると、ガス浄化装置が入口に受けるガス
の不純物濃度は、ガス浄化装置自身が許容した出口不純
物濃度にガス利用装置が付加した不純物濃度を加算した
ものとなる。
【0034】したがって、ガス浄化装置の浄化能力が高
いときにガス浄化装置が入口で受ける不純物濃度と、ガ
ス浄化装置の能力が低下したときにガス浄化装置が入口
で受ける不純物濃度とは異なるものとなる。
【0035】ガス浄化装置の出口不純物濃度は濃度自身
が低い値のため比較的安価で簡便な測定装置では測定で
きなくても、ガス浄化装置の入口不純物濃度はかなり高
い値となるため、比較的安価で簡便な測定装置によりか
なり高精度に測定することができる。
【0036】ガス利用装置が一定量の不純物を生成する
場合、ガス浄化装置の入口不純物濃度をモニタしておけ
ば、ガス浄化装置の浄化能力が低下したときにはガス浄
化装置の入口不純物濃度が増加するこことなり、ガス浄
化装置の性能を評価することが可能である。
【0037】
【実施例】図1に本発明の実施例を示す。図1(A)
は、ガス浄化装置を備えた閉ループガス利用装置を示す
ブロック図である。ガス利用装置2はガス浄化装置4と
閉ループで接続され、ガス浄化装置の入口には不純物ガ
スをモニタするためのモニタ装置6が接続されている。
また、モニタ装置6の測定した不純物濃度は記憶装置8
に記憶される。記憶装置8にはさらに演算装置等を設け
ることができる。
【0038】図1(B)は、図1(A)に示すシステム
を運転したときの不純物濃度の振る舞いを示すグラフで
ある。ガス利用装置2が運転されると、一定量の不純物
が発生し、ガス浄化装置4の入口不純物濃度Cinは図
示のように当初一定の値を示す。
【0039】ガス浄化装置4は、当初十分高い浄化能力
を有するため、ガス浄化装置4の出口不純物濃度はほぼ
0である。ガス利用装置2の運転が続くと、ガス浄化装
置4の浄化能力は次第に低下し、時間T1でガス浄化装
置出口に不純物が現れはじめる。
【0040】しかしながら、この時点においてガス浄化
装置4の出口不純物濃度をモニタ装置6でモニタしても
測定可能濃度C3 以下のため不純物の測定はできない。
ガス浄化装置4の出口に不純物が表れはじめると、この
不純物は再びガス利用装置に戻され、新たに不純物が付
加されてガス浄化装置4に入力する。
【0041】このため、入口不純物濃度Cinは次第に
増加しはじめる。ガス浄化装置4の出口で不純物ガス濃
度をモニタした場合、不純物濃度がモニタ装置6の検出
可能濃度C3 となる。時間T3に達するまでは出口不純
物濃度の検出はできない。
【0042】検出したいガス浄化装置の出口不純物濃度
の臨界値が濃度C3 よりも低い濃度C2 である場合、出
口不純物濃度がC2 となる時間T2で不純物ガスを検出
し、ガス浄化装置の再生をしなければならない。
【0043】安価で簡便な測定装置で出口不純物濃度を
モニタした場合は、このような測定はできないため、高
価で操作の複雑な精度の高い測定装置を使わざるを得な
くなる。
【0044】ところで、ガス浄化装置4の入口不純物濃
度は時間T1 から次第に増加しはじめる。この増加分自
体は検出可能濃度C3 よりも小さい値であっても検出す
ることができる。
【0045】したがって、ガス浄化装置4の入口におけ
る不純物濃度をモニタ装置6でモニタし、記憶装置8に
記憶し、新たに測定された入口不純物濃度をそれまでの
入口不純物濃度と比較することにより、ガス浄化装置4
の入口不純物濃度の立ち上がりを検出することができ
る。ガス浄化装置4の入口不純物濃度Cinが所定濃度
ΔC増加したときには、ガス浄化装置4の浄化能力が低
下したと推定し、ガス浄化装置を再生する。
【0046】このように、ガス浄化装置4の入口不純物
濃度をモニタし、その時間変化を検出することにより、
ガス浄化装置4の出口における不純物濃度の微小な立ち
上がりを間接的に検出することができる。
【0047】たとえばガス利用装置2はKrFエキシマ
レーザであり、ガス浄化装置4は液体窒素冷却トラップ
であり、モニタ装置6は熱伝導度検出型ガスクロマトグ
ラフィであり、検出する不純物はCF4 である。このよ
うな閉ループ式ガス利用システムを構成することによ
り、エキシマレーザ等の不純物に敏感なガス利用装置を
安定に運転することが可能となる。
【0048】なお、図1に示した閉ループガス浄化シス
テムは、エキシマレーザの他、種々の不純物に敏感なガ
ス利用装置に適用することができる。たとえば、深冷凝
縮法や深冷吸着法を用いたガス浄化システムに広く用い
ることができる。
【0049】TCDガスクロマトグラフィにおいて、低
濃度ガスの分析精度を向上するには、分析対象ガスとキ
ャリアガスとの熱伝導率の差が大きいほど望ましい。H
2 の検出にはキャリアガスとしてNeガスを用い、K
r、F2 、CF4 等の分析にはキャリアガスにHeガス
を用いることが望ましい。
【0050】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【0051】
【発明の効果】ガス利用装置とガス浄化装置とを閉ルー
プに接続し、ガスを浄化しつつ繰り返し使用するシステ
ムにおいて、ガス浄化装置の入口不純物濃度をモニタ
し、その時間変化を判別することによって比較的安価で
簡便な測定装置を用い、ガス浄化装置4の浄化能力を高
精度に判断することができる。
【0052】このため、不純物ガス濃度に敏感なガス利
用装置を安定に長時間使用することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す。図1(A)はシステム
構成を示すブロック図、図1(B)は運転の原理を説明
するためのグラフである。
【図2】従来の技術を示すグラフである。図2(A)
は、単独に使用した場合のエキシマレーザ装置のレーザ
出力の変化を示すグラフ、図2(B)、(C)は運転に
伴ってエキシマレーザ装置内に発生する不純物ガスの濃
度変化を示すグラフである。
【図3】本発明の理解を助けるための参考技術を示す。
図3(A)はシステム構成を示すブロック図、図3
(B)は図3(A)のシステムの運転を説明するための
グラフである。
【符号の説明】
2 ガス利用装置 4 ガス浄化装置 5 モニタ装置 6 モニタ装置 8 記憶装置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ガス利用装置で使用し、不純物が発生し
    たガスをガス浄化装置で不純物を除去して浄化し、再び
    ガス利用装置に供給して使用する閉ループガス浄化シス
    テムの性能評価方法であって、 ガス浄化装置の入口不純物濃度の時間変化をモニタする
    ことにより、ガス浄化装置の出口不純物濃度を堆定する
    閉ループガス浄化システムの性能評価方法。
  2. 【請求項2】 前記ガス利用装置がエキシマレーザ装置
    であり、前記不純物がCF4 を含み、前記ガス浄化装置
    が不純物吸着型浄化装置であり、前記ガス浄化装置の入
    口不純物濃度のモニタをガスクロマトグラフィで行う請
    求項1記載の閉ループガス浄化システムの性能評価方
    法。
  3. 【請求項3】 ガス利用装置に接続され、ガス利用装置
    で使用し、不純物が発生したガスを受け、不純物を除去
    して浄化し再びガス利用装置に供給するための閉ループ
    ガス浄化装置と、 前記ガス浄化装置の入口不純物濃度をモニタする手段
    と、 モニタした入口不純物濃度の時間変化を記憶する手段と
    を有する閉ループガス浄化システムの性能評価装置。
JP3266497A 1991-10-15 1991-10-15 閉ループガス浄化システムの性能評価 Withdrawn JPH05347443A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3266497A JPH05347443A (ja) 1991-10-15 1991-10-15 閉ループガス浄化システムの性能評価

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3266497A JPH05347443A (ja) 1991-10-15 1991-10-15 閉ループガス浄化システムの性能評価

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05347443A true JPH05347443A (ja) 1993-12-27

Family

ID=17431748

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3266497A Withdrawn JPH05347443A (ja) 1991-10-15 1991-10-15 閉ループガス浄化システムの性能評価

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05347443A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002516741A (ja) * 1998-05-29 2002-06-11 セントローテルム・エレクトリツシエ・アンラーゲン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー プロセス廃ガスを精製する方法
WO2019186651A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 ギガフォトン株式会社 レーザガス管理システム、電子デバイスの製造方法及びエキシマレーザシステムの制御方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002516741A (ja) * 1998-05-29 2002-06-11 セントローテルム・エレクトリツシエ・アンラーゲン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー プロセス廃ガスを精製する方法
JP4776073B2 (ja) * 1998-05-29 2011-09-21 セントローテルム・エレクトリツシエ・アンラーゲン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシユレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー プロセス廃ガスを精製する方法
WO2019186651A1 (ja) * 2018-03-26 2019-10-03 ギガフォトン株式会社 レーザガス管理システム、電子デバイスの製造方法及びエキシマレーザシステムの制御方法
JPWO2019186651A1 (ja) * 2018-03-26 2021-03-25 ギガフォトン株式会社 レーザガス管理システム、電子デバイスの製造方法及びエキシマレーザシステムの制御方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000286494A (ja) ガス放電レーザシステム及び混合ガス状態安定化方法
JP2680856B2 (ja) 圧縮ガスから痕跡量の凝縮性ガスを検出する方法
Fleurier et al. Stark profiles of some ion lines of alkaline earth elements
Hawkins et al. 193 nm photodissociation of H2S: The SH internal energy distribution
US9825417B2 (en) Laser unit and non-transitory computer-readable storage medium
US20180191122A1 (en) Laser gas purifying system
JP6679714B2 (ja) エキシマレーザーシステム、使用済みのレーザーガス混合物を再利用する方法、レーザーチャンバー内のレーザー増強ガスの濃度を計測する方法、および4種混合ガス
Maruyama et al. CF3, CF2 and CF radical measurements in RF CHF3 etching plasma using infrared diode laser absorption spectroscopy
US6721345B2 (en) Electrostatic precipitator corona discharge ignition voltage probe for gas status detection and control system for gas discharge lasers
JP4620524B2 (ja) プラズマ処理装置
JPH05347443A (ja) 閉ループガス浄化システムの性能評価
KR102373962B1 (ko) 가스 관리 시스템
áB Tzeng Structures and vibrations of ortho-, meta-, and para-fluoroanilines in the S 0 and S 1 states by ab initio calculations and resonant two-photon ionization spectroscopy
Kimura et al. Electron density measurements of electron beam pumped XeCl laser mixtures
Sakurai et al. Density of Ar metastable atoms on the discharge tube wall measured by evanescent laser spectroscopy
Sumitani et al. Output stabilization technology with chemical impurity control on ArF excimer laser
JP2007192761A (ja) 吸光式ガス分析装置
JP3434315B2 (ja) フッ素系エキシマレーザ装置における不純物除去装置の再生方法
JPH07299321A (ja) ガス回収循環装置
JP7231614B2 (ja) レーザガス管理システム、電子デバイスの製造方法及びエキシマレーザシステムの制御方法
Gay et al. Study of Hg*(63 p1)-noble gas collisions in a 200 kG field range
Gray et al. On the spline interpolation of potential energy data
JP2004184318A (ja) ホルムアルデヒドの検知装置
Daiber et al. The efficiency of CO vibrational excitation in a self-sustained CW glow discharge
Hori et al. State-specific mobility of excited cadmium and calcium ions in a discharge plasma measured by a tunable diode laser

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990107