JPH05347430A

JPH05347430A - 半導体発光装置

Info

Publication number: JPH05347430A
Application number: JP17685591A
Authority: JP
Inventors: Shunichi Sato; 俊一佐藤
Original assignee: Ricoh Research Institute of General Electronics Co Ltd; Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Research Institute of General Electronics Co Ltd; Ricoh Co Ltd
Priority date: 1991-07-17
Filing date: 1991-07-17
Publication date: 1993-12-27

Abstract

(57)【要約】【目的】６００ｄｐｉ以上のような高密度に発光部を形
成でき、ワイヤーボンディングによる発光素子へのダメ
ージを生じなくする。【構成】モノリシックに複数個、少なくとも一列配置
して、発光部２が半導体基板１上に形成されている。発
光部２の発光層に対して半導体基板１と反対側に形成さ
れた個別電極１６と、外部の駆動回路に対して電気的な
接続をとるために、半導体基板１側の面上に形成された
ボンディングパット４の間を、配線３で電気的に接続さ
れている。その配線３は、発光部２の端面のうち、光出
射方向とは反対側の絶縁性誘電体膜１８をはさんでボン
ディングパット４に近い側の一方の後端面上を含んでお
り、金属材料を用いて構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、モノリシックに集積さ
れた半導体発光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子写真方式による画像形成装置
や光プリンター等の光源等に利用するための発光ダイオ
ードアレイや、光ディスクの高速記録光源等に利用する
ための半導体レーザーアレイ等の個別動作可能な端面発
光型半導体発光素子アレイの研究が進められている。

【０００３】これらの端面発光型半導体発光素子アレイ
は高性能化のために、発光素子を高密度に並列的に配置
することが望まれている。そのために端面発光型半導体
発光素子アレイは一般に、例えば発光ダイオードアレイ
で説明すると、図９に示すようにＰＮ接合が形成された
ウエハに主表面からＰＮ接合を越える細薄３１を多数平
行に刻設することによって得られている（特開昭６０−
２３３７３号公報参照）。

【０００４】すなわち上記の細薄３１を多数、できるだ
け短かい間隔で設けることにより共通の第１導電型層３
２（Ｎ型、又はＰ型）上に、第２導電型層３３（Ｐ型、
又はＮ型）が多数に分割され、多数の端面発光型半導体
発光素子が高密度に形成されるものである。そして、Ｐ
Ｎ接合面を含み上記細薄３１に対して垂直にウエハを切
断し、実装用基板３４上にマウントされ、上記第２導電
型層上に設けられた個別電極３５から実装用基板３４上
に設けられたボンディングパット３６へワイヤーボンデ
ィングにより配線がなされている。

【０００５】また、半導体レーザの高出力化の研究もさ
かんに行われている。高出力化の方法の１つとして図１
０に示すように、端面発光型半導体レーザ素子４１の光
取り出し方向４２に対して反対方向４３の端面にレーザ
の発振波長に対して高反射率を有する膜を形成し、反射
鏡とすることが行われている。反射鏡としては屈折率の
違う２種類の誘電体４４及び４５を発振波長の１／４波
長の光学的厚さで交互に積み重ねて形成する誘電体多層
膜や、金属反射鏡等が用いられている。形成方法として
はウエハから半導体レーザ素子をへき開等により切り出
してから行っている。

【０００６】また、半導体レーザーのハイブリット化の
例として、図９に示すような素子上部の個別電極３５に
直接ワイヤーボンディングをし、個別動作させる方法以
外の例を図１１に示す（JAPANESE JOURNAL OF APPLIED
PHYSICS vol.28,No.3,MARCH,1989,pp.L468-L469、参
照）。この半導体レーザーアレイは共振器長３００μｍ
にへき開され、端面の反射率をＳｉＯ₂とＡｕを用い１
０％〜９０％にコーティングすることにより構成されて
いる。また、この半導体レーザーアレイは、パターン化
された配線を有したシリコンカーバイトサブマウント５
０上に、ジャンクションダウンでパターン化された配線
上に個別電極をそれぞれ対応させてマウントされてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示す従来の端面発光型半導体発光素子アレイは、各素子
上部の個別電極３５から外部の駆動回路に対して電気的
な接続をとるために設けられたボンディングパット３６
への電気的配線がワイヤーボンディング３７により形成
されている。従って、高密度化はワイヤーの幅等で決ま
るワイヤーボンディング密度により制限されてしまい、
６００ｄｐｉ等の高密度化は困難である。また、ワイヤ
ーボンディング３７による発光素子へのダメージ、例え
ばボンディングの際の熱、振動等により、発光効率の劣
化及び寿命の低減等が生じてしまうという問題点があ
る。

【０００８】また、端面発光型半導体発光素子アレイの
発光素子が半導体レーザーであり、ワイヤーボンディン
グを用いない図１１のような従来例の場合においては、
パターン化された配線を有したサブマウント上に半導体
レーザーアレイチップを精度良くダイボンディングしな
ければならないが、この場合半導体レーザーアレイチッ
プはジャンクションダウンにする必要があり、直接個別
電極を観察できない等の理由により、高密度に集積され
た半導体レーザーアレイチップを精度良くダイボンディ
ングするのは非常に困難である。さらに、この場合、レ
ーザ素子の高出力化等のために端面コーディングを行う
場合には、半導体レーザアレイチップをへき開により切
断した後で別途素子端面上に形成されており、作製工程
は多く非常に複雑で作製は困難である。

【０００９】また、一般に絶縁性誘電体膜上の金属にワ
イヤーボンディングする場合、それぞれの材料の密着性
の悪さや、反応による材料の物性値の変化により、例え
ばＳｉＯ₂上のＡｕのようにワイヤーボンディングによ
るはがれが生じやすい等の問題があり、それぞれの材料
の選び方によっては歩留まりを上げるのは非常に困難で
ある。

【００１０】本発明の目的は、上述した従来の問題点を
解消することを目的とし、例えば６００ｄｐｉ以上のよ
うな高密度に発光部を形成でき、ワイヤーボンディング
による発光素子へのダメージを生じなくすることができ
る半導体発光装置を提供することにある。また、本発明
の他の目的は、主光出射端面からの光取り出し効率を増
加させ、さらに、外部の駆動回路に対して電気的な接続
をとるためにモノリシックアレイ基板上に設けられた各
発光素子に対応するボンディングパットの密着性を良く
し、しかも作製の容易な端面発光型半導体発光素子アレ
イ構造を有する半導体発光装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の特
徴は、半導体基板上にモノリシックに複数個少なくとも
一列配置してなる端面発光型半導体発光素子アレイ構造
を有する半導体発光装置において、端面発光型半導体発
光素子内に基板と平行に形成された発光層に対して半導
体基板と反対側の上記発光素子上に形成された個別電極
と、外部の駆動回路に対して電気的な接続をとるために
端面発光型発光素子の光出射方向（前端面）以外の方向
の発光素子の形成されていない基板面上に絶縁性誘電体
膜をはさんで形成されたボンディングパットとの間を、
端面発光型半導体発光素子の２つの光出射端面のうち上
記ボンディングパットに近い側の一方の光出射端面（後
端面）上を絶縁性誘電体膜を介して通り、更に上記基板
上の絶縁性誘電体膜上を金属材料を用いて電気的に配線
接続したことにある。なお、上記配線、ボンディングパ
ット用金属は、単層、多層のいずれでも良く、配線材料
とボンディングパット材料は各々別々の材料を用いても
良い。

【００１２】請求項２に係る発明の特徴は、上記端面発
光型半導体発光素子として半導体レーザーを用いた場合
には、更にその後端面上の配線用金属材料を後端面の反
射鏡として利用したことにある。請求項３に係る発明の
特徴は、好ましくは上記金属材料のうち、少なくともボ
ンディングパットはＣｒ／Ａｕからなる２層構造とし、
また上記絶縁性誘電体膜をＳｉＯ₂で構成していること
にある。つまり、ＳｉＯ₂とＡｕの間にＣｒを挾んでい
るのである。

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明によれば、個別電極とボン
ディングパットの間を配線すると、ボンディングパット
の形状、配列、密度、寸法と独立に、端面発光型半導体
発光素子の形状、配列、密度、寸法を選ぶことができ
る。また、半導体発光素子の製造と共にボンディングパ
ットへの配線が行なえるので、ワイヤーボンディングに
よる端面発光型半導体発光素子へのダメージがなくな
る。

【００１４】また、請求項２記載の発明によれば、端面
発光型半導体レーザーに対して、上記のような配線接続
構造を用いたことにより、端面発光型半導体レーザーの
後端面は、発振波長に対して絶縁性誘導体膜と金属膜の
多層膜が高反射ミラーとなり得る。また、請求項３記載
の発明によれば、個別電極とボンディングパットの間の
配線やボンディングパットの金属材料としてＣｒ／Ａｕ
の２層構造を用い、絶縁性誘電体膜としてＳｉＯ₂を用
いた場合には、絶縁性誘電体膜と金属材料との密着性が
向上する。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１に示
す実施例は、端面発光型半導体発光素子として発光ダイ
オードを用いた発光ダイオードアレイチップの平面図で
あり、図２は、その詳細斜視図である。端面発光型発
光ダイオードアレイ２（２−１〜２−２５６）はドット
密度が６００ｄｐｉ相当であり、ｎ型ＧａＡｓ基板１上
に２５６素子形成されている。この発光ダイオードアレ
イ２の積層構造は図３（図２の発光ダイオードの光出射
方向Ａ−Ａ′断面）に示すように、基板１の上にＭＯＶ
ＰＥ法（Metal OrganicVapor Phase Epitaxy）により、
ｎ型ＧａＡｓバッファー層１１、ｎ型Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａ
ｓクラッド層１２、発光層であるＡｌ_0.2Ｇａ_0.6Ａｓ活
性層１３、ｐ型Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓクラッド層１４、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層１５の複数の層より形成されてい
る。この積層構造は所謂ダブルヘテロ構造を含んでい
る。

【００１６】この積層構造の表面、即ちキャップ層１５
上面から基板１の表面までアレー方向に対して直角に幅
１０μｍで該基板１に達する分離溝５（図２参照）が塩
素系ガスを用いたドライエッチング法によって形成され
ており、この分離溝５によって発光ダイオードアレイ２
内の各発光ダイオード（２−１〜２−２５６）が電気的
に分離されている。また各発光ダイオードの光出射端面
２ａは基板１面に対して垂直に、且つアレイ方向に平行
に形成されていて、基板１のアレイ方行に平行な辺１ａ
（図１参照）に近接した位置、すなわち１０μｍ離れて
配置されている。

【００１７】さらに、これらの各発光ダイオードのキャ
ップ層１５上にはそれぞれＡｕ−Ｚｎ／ＡｕからなるＰ
側電極１６が形成され、又基板１の裏面にはＡｕ−Ｇｅ
／Ｎｉ／ＡｕからなるＮ側電極１７が形成されている。
このＰ側電極１６は図１に示すように端面発光型発光ダ
イオードアレイ２の光出射端面２ａと該端面発光型発光
ダイオードアレイ２の後方に配置されたボンディングパ
ット４（４−１〜４−２５６）へ、Ｐ側電極１６上から
端面発光型発光ダイオードアレイの後端面２ｂ上を絶縁
性誘導体膜１８であるＳｉＯ₂をはさんでボンディング
パット４へ配線３がなされており、電気的に接続されて
いる。その配線３は金属材料であるＣｒ／Ａｕの２層構
造からなっている。なおボンディングパット４と配線３
は同じ材料であり同時に形成されるものである。この配
線用ボンディングパット４は光出射方向に４−１〜４−
４のようにそれぞれ４段に配列されており、高密度実装
が可能になっている。

【００１８】なお配線３とボンディングパット４は、真
空蒸着法により同時に形成され、蒸着時にアレイチップ
は蒸着源に対し、主裏面からおよそ４５°ボンディング
パット側に傾けてホールドされており、後端面２ｂにお
ける断切れを防いでいる。またこの配線３とボンディン
グパット４の形成にはレジストを用いたいわゆるリフト
オフ法を用いている。これにより、ボンディングによる
ダメージから素子を保護し、発光効率の劣化、及び寿命
の低減を防いでいる。また、端面発光型発光ダイオード
上に直接、ワイヤーボンディング７をしていないのでボ
ンディングパット４と端面発光型発光ダイオードの形
状、配列、密度、寸法は独立に制御でき、６００ｄｐｉ
と高密度のアレー化が達成できるのである。なお、発光
ダイオードアレイチップは配線用ボンディングパット４
から図示しないドライバー回路チップとワイヤーボンデ
ィング７により接続される。また、発光ダイオードアレ
イチップは、ブレーを用いたダイシングにより、切断さ
れている。

【００１９】さらに、端面発光型発光ダイオードの発光
層である活性層の面に垂直に形成された後端面２ｂ上に
絶縁性誘導体膜１８であるＳｉＯ₂（４５００オングス
トローム），Ｃｒ（１５０オングストローム），Ａｕ
（４０００オングストローム）が形成されていることに
より、ＳｉＯ₂，Ｃｒ，Ａｕが無ければ後端面２ｂから
出射されていた光が、高反射率を有するＳｉＯ₂／Ｃｒ
／Ａｕ膜により反射され、この光の一部が、光出射端面
２ａから出射し、光出力の増加に寄与する。そこで、こ
の効果を有効に利用するためには、素子長Ｌ（光出射端
面２ａと後端面２ｂの距離）を短くし、反射光の吸収量
を少なくすると良く、また発光ダイオードアレイチップ
の作りやすさをも考慮して、本実施例では上記素子長Ｌ
を５０μｍとしている。このようにして構成された端面
発光型発光ダイオードアレイ２は、膜特性の均一性に優
れたＭＯＶＰＥ法により作製されているため、同一の発
光ダイオードアレイチップ内においては、光出力のばら
つきが５％以下になっている。

【００２０】尚、この発光ダイオードアレイチップの形
成に用いられる材料としては、III−Ｖ族化合物半導体
であるＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓ，ＡｌＧａＩｎＰ，Ｉｎ
Ｐ，ＩｎＧａＡｓＰ，ＩｎＧａＰ，ＩｎＡｌＰ，ＧａＡ
ｓＰ，ＧａＮ，ＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＰ，ＩｎＡｓＳｄ
等、あるいは、II−VI族化合物半導体であるＺｎＳｅ，
ＺｎＳ，ＺｎＳＳｅ，ＣｄＳｅ，ＣｄＳＳｅ，ＣｄＴ
ｅ，ＨｇＣｄＴｅ等、さらには、IV− VI 族化合物半導
体であるＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＰｂＳｎ
Ｔｅ等であり、それぞれの材料の長所を生かして積層構
造に適用することが可能である。また、活性層としＡｌ
ＧａＡｓ系の材料を用いた場合、ＧａＡｓまたはＡｌ組
成が０より大きく０．４５より小さい値をもつＡｌＧａ
Ａｓが用いられ、その場合クラッド層２４は活性層２３
より禁制帯幅の広いＡｌＧａＡｓを用いれば良い。

【００２１】尚、発光ダイオードアレイチップ上の端面
発光型発光ダイオードアレイ２においてはＮ型をＰ型，
Ｐ型をＮ型として構成しても良い。また、分離溝５は積
層構造表面より基板１に達するように形成されている
が、本質的には、隣接する端面発光型発光ダイオードの
活性層１３間を電気的に分離すれば良いことから、分離
溝５の底部が必ずしも基板１まで達している必要はな
く、活性層１３を通りクラッド層１２に達していれば充
分機能するものである。また、このような分離溝５は通
常エッチング等の方法により形成されるが、基板１面に
垂直な側面を有する幅の狭い分離溝５を高精度に形成さ
れることが望ましく、このような観点から、異方性の高
いドライエッチング法等を用いることが望ましい。

【００２２】また、上記絶縁性誘電体膜１８としてＳｉ
Ｏ₂で説明したが、Ｓｉ₃Ｎ₄，Ａｌ₂Ｏ₃など他の材料で
も良く、単層のみならず多層でも良い。また、上記配線
用金属材料３としてＣｒ／Ａｕ２層構造で説明したが、
Ａｕ単層でも良く、Ａｌ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ，Ｃｕ等の他の材料でも良い。ただし、少なくともボ
ンディングパット４は、両者の密着性が良いことが望ま
しく、そのような観点から、両者の材料としては、Ｓｉ
Ｏ₂，Ｃｒ／Ａｕ，ＳｉＯ₂とＡｌ等の組み合わせが好ま
しい。

【００２３】次に、端面発光型半導体発光素子として半
導体レーザーを用いた第２の実施例について説明する。
半導体レーザーは活性層Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（Ｘ＝０，発
振波長λとして０．８８μｍ）の２回の結晶成長を用い
た、いわゆるＳＡＳ（Self-Aligned Structure）型レー
ザー素子の例について説明する。図４は半導体レーザー
アレイの平面図であり、図５は図４の発光部を含んだＢ
−Ｂ′断面図である。

【００２４】半導体レーザーアレイ２２（２２−１〜２
２−４）はドット密度が６００ｄｐｉ相当であり、Ｎ型
ＧａＡｓ基板１上に４素子形成されている。この半導体
レーザーアレイ２２の発光部の積層構造は図５に示すよ
うに、Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（Ｘ＝０）１３を活性層とした
ダブルヘテロ構造を含んでいる。なお、図５において、
図３と同一の層には同一の符号が付けてある。また、半
導体レーザーアレイの後端面２２ｂ上には、絶縁性誘電
体膜であるＳｉＯ₂１８がおよそ１５００オングストロ
ーム、その上に金属材料であるＡｕ３がおよそ４０００
オングストローム形成されており、基板１側との絶縁及
び、個別電極（Ｐ側電極１６）とボンディングパット４
との配線接続を行っている。また、ボンディングパット
はＣｒ／Ａｕ（１５０オングストローム）の２層構造と
なっている。

【００２５】このようにして得られた半導体レーザーア
レイは、第１の実施例に示した発光ダイオードアレイと
同様に高密度化に有利であるなどの利点を有するが、特
に特徴的なのが、半導体レーザーアレイの後端面２２ｂ
が、レーザー共振器の高反射ミラーとなることである。
図６にＧａＡｓ上のＡｕの反射率の膜厚依存性の計算結
果を示す。波長λを０．８８μｍとし、金の屈折率ηの
実数部ｎの実部を０．１６６、虚部を５．３５５として
いる。この図より、膜厚１０００オングストローム程度
は反射率がおよそ９２％となることがわかる。

【００２６】また、図７にＧａＡｓ上のＡｕとＳｉＯ₂
の膜厚を変化させたときの反射依存性の計算結果を示
す。ＳｉＯ₂の屈折率をη＝１．４６とし、吸収はない
ものとしている。この図より、ＳｉＯ₂の膜厚をλ／４
ηに制御すれば、金単体の反射率よりもさらに向上する
ことがわかる。なおピーク反射率が得られるＳｉＯ₂の
厚さは、λ／４ｎの奇数倍であり、１５０７オングスト
ローム，４５２１オングストローム，…，となってい
る。以上のように、この絶縁性誘電体膜であるＳｉＯ₂
１８と金属材料であるＡｕ３を用い、膜厚を制御するこ
とで、半導体レーザーの後端面２２ｂの反射率を任意の
値にすることが可能であり、個別電極（Ｐ側電極１６）
とボンディングパット４の電気的接続をとること以外
に、高反射ミラーとして用いることができるのである。

【００２７】なお、本実施例では、半導体レーザーとし
て、活性層Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓ（Ｘ＝０，λ＝０．８８μ
ｍ）のＳＡＳ型レーザー素子について説明したが、光共
振器として反射面を有するものであれば、ＳＡＳ型レー
ザー以外のＢＨ型レーザーその他の諸々の構造の半導体
レーザー素子に本方法が適用可能であることは明らかで
ある。

【００２８】ここで、半導体レーザーアレイの後端面２
２ｂ上の配線材料として、Ａｕを用いているが、密着性
と作り易さを考慮しボンディングパットと同じくＣｒ／
Ａｕ（１５０オングストローム）の２層を用い同時に形
成しても良い。また、Ａｌ，Ｃｕ等他の材料でも良いが
望ましくは、レーザーの発振波長に対して高反射率を有
する材料であると良く、例えば、λ＝８８０ｎｍに対し
ては、Ａｕ，Ｃｕ等が考えられる。

【００２９】次に、端面発光型半導体発光素子として半
導体レーザーを用いた図８に示す第３の実施例について
説明する。この断面図においても図３と同一の層には同
一の符号が付けてある。この実施例が、半導体レーザー
を用いた第２の実施例と異なっている点は、半導体レー
ザーアレイの光出射端面２２ａ上に、上記絶縁性誘電体
膜であるＳｉＯ₂１９がおよそ１５００オングストロー
ム形成されていることである。

【００３０】このような構造の半導体レーザーは、光出
射端面２２ａの反射率をも制御が可能であり、発振波長
λに対してＳｉＯ₂１９の膜厚をλ／４に近くすれば、
反射率が数％のいわゆる無反射コーティングとなる。Ｓ
ｉＯ₂１９の膜厚を制御することにより半導体レーザー
アレイの後端面２２ｂのみならず光出射端面２２ａの反
射率をも制御できるので、高出力化など種々の用途に合
わせた反射率をもった半導体レーザーアレイの作製がで
きる。また、ＳｉＯ₂１９の形成法としてステップカバ
レージの良いプラズマＣＶＤ法を用いれば、光出射端面
２２ａ上と後端面２２ｂ上に同時に同一膜厚のＳｉＯ₂
を形成でき作製工程が簡略化できるという利点を有す
る。

【００３１】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、端面発光
型半導体発光素子の個別電極とボンディングパットの間
を、光出射方向とは反対側の後端面上を、絶縁性誘導体
膜をはさんで配線したことにより、ボンディングパット
の形状、配列、密度、寸法と独立に端面発光型半導体発
光素子の形状、配列、密度、寸法を選ぶことができるの
で、例えば、６００ｄｐｉ以上の高密度のアレイが形成
でき、プリンター光源として用いた場合には、解像度の
すぐれた印字を行うことができる。また、ワイヤーボン
ディングによる端面発光型半導体発光素子へのダメージ
がなくなり、発光効率の劣化、寿命の低減を防ぐことが
できる。

【００３２】また、請求項２記載の発明によれば、半導
体レーザーに対して、上記配線構造が設けられているこ
とにより、半導体レーザーの発振波長に対して、絶縁
性、誘電体膜と金属膜が、９０％の高反射ミラーとなり
得るので、半導体レーザーチップを切断してから高反射
ミラーを形成する必要がなく、容易に、高反射ミラーが
形成でき、半導体レーザーの高出力化などの高性能化に
有利である。また、請求項３記載の発明によれば、上記
個別電極とボンディングパットの間の配線を金属材料の
Ｃｒ／Ａｕの２層構造を用い、絶縁性誘電体膜としてＳ
ｉＯ₂を用いると、ＣｒとＳｉＯ₂の密着性は良好であ
り、ワイヤーボンディングによる。金属材料のはがれ
は、生じにくくなり、ボンディングの歩留まりが向上す
る利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の平面図である。

【図２】本発明の第１の実施例の詳細斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施例のＡ−Ａ′断面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施例の平面図である。

【図５】本発明の第２の実施例のＢ−Ｂ′断面図であ
る。

【図６】Ａｕの膜厚と反射率の関係を示すグラフであ
る。

【図７】ＳｉＯ₂の膜厚と反射率の関係を示すグラフで
ある。

【図８】本発明の第３の実施例の断面図である。

【図９】従来の端面発光型半導体発光素子アレイの斜視
図である。

【図１０】従来の半導体レーザの高出力化を図った半導
体レーザ装置の構成図である。

【図１１】ワイヤーボンディングを用いず、半導体レー
ザーのハイブリット化を達成した従来の半導体発光素子
アレイの構成図である。

【符号の説明】

１半導体基板２，２−１，……，２−２５６端面発光型発光ダ
イオードアレイ２ａ前端面２ｂ後端面３，３−１，……，３−２５６配線４４−１，……，４−２５６ボンディングパッ
ト５分離溝１６個別電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】モノリシックに複数個、少なくとも一列配
置してなる端面発光型半導体発光素子アレイ構造を有す
る半導体発光装置において、前記端面発光型半導体発光
素子の発光層に対して半導体基板と反対側に形成された
個別電極と、外部の駆動回路に対して電気的な接続をと
るために、前記端面発光型半導体発光素子の前記発光層
に対して前記半導体基板側の面上に形成されたボンディ
ングパットの間を、前記端面発光型半導体発光素子の端
面のうち、光出射方向とは反対側の絶縁性誘電体膜をは
さんで上記ボンディングパットに近い側の一方の後端面
上を含んで、金属材料を用いて電気的に配線接続した構
造を持つことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】モノリシックに複数個、少なくとも一列配
置してなる端面発光型半導体レーザアレイ構造を有する
半導体発光装置において、端面発光型半導体レーザの発
光層に対して半導体基板と反対側に形成された個別電極
と、外部の駆動回路に対して電気的な接続をとるために
前記端面発光型半導体レーザの発光層に対して前記半導
体基板側の面上に形成されたボンディングパットの間
を、前記端面発光型半導体レーザの端面のうち、取り出
し光出射方向とは反対側の絶縁性誘電体膜をはさんで前
記ボンディングパットに近い側の一方の後端面上を含ん
で、金属材料を用いて電気的に配線接続し、その後端面
上の配線用金属材料を後端面の反射鏡として利用した構
造を持つことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２記載の半導体発光装
置において、前記配線と前記ボンディングパットのため
の前記金属材料のうち、少なくとも前記ボンディングパ
ットの材料はＣｒ／Ａｕからなる２層構造であり、ま
た、前記絶縁性誘電体膜がＳｉＯ₂で構成されることを
特徴とする半導体発光装置。