JPH05343272A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサInfo
- Publication number
- JPH05343272A JPH05343272A JP14966292A JP14966292A JPH05343272A JP H05343272 A JPH05343272 A JP H05343272A JP 14966292 A JP14966292 A JP 14966292A JP 14966292 A JP14966292 A JP 14966292A JP H05343272 A JPH05343272 A JP H05343272A
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- Japan
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- anode
- sintered substance
- electrolytic capacitor
- solid electrolytic
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- Pending
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 漏れ電流特性の良好な固体電解コンデンサを
提供する。 【構成】 タンタル焼結体の端部に直方状の陽極部を設
け、残りの部分に半導体層および導電体層が順次形成さ
れている固体電解コンデンサである。
提供する。 【構成】 タンタル焼結体の端部に直方状の陽極部を設
け、残りの部分に半導体層および導電体層が順次形成さ
れている固体電解コンデンサである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体電解コンデンサに関
し、とりわけ漏れ電流特性の良好な固体電解コンデンサ
に関する。
し、とりわけ漏れ電流特性の良好な固体電解コンデンサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の弁作用金属の焼結体を使用した固
体電解コンデンサ、例えばタンタル固体電解コンデンサ
においては、図２に示したように、タンタルの陽極埋設
線１が埋設しているタンタルの焼結体２上に誘電体酸化
皮膜３、その上に二酸化マンガンからなる半導体層４、
さらにその上にカーボンペーストおよび銀ペーストから
なる導電体層５を順次形成して固体電解コンデンサ素子
７が形成されている。そしてこのタンタル固体電解コン
デンサの陽極埋設線１は、外部のリード部（図示せず）
に熔接等によって接続される。
体電解コンデンサ、例えばタンタル固体電解コンデンサ
においては、図２に示したように、タンタルの陽極埋設
線１が埋設しているタンタルの焼結体２上に誘電体酸化
皮膜３、その上に二酸化マンガンからなる半導体層４、
さらにその上にカーボンペーストおよび銀ペーストから
なる導電体層５を順次形成して固体電解コンデンサ素子
７が形成されている。そしてこのタンタル固体電解コン
デンサの陽極埋設線１は、外部のリード部（図示せず）
に熔接等によって接続される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述した固体電解コン
デンサにおいては、陽極埋設線と焼結体とが接触してい
る部分、とりわけ、埋設線が外部に出る位置で焼結体に
応力が生じているため、作製した固体電解コンデンサの
漏れ電流値が大きくなり、不良品が生じる恐れが多々あ
った。
デンサにおいては、陽極埋設線と焼結体とが接触してい
る部分、とりわけ、埋設線が外部に出る位置で焼結体に
応力が生じているため、作製した固体電解コンデンサの
漏れ電流値が大きくなり、不良品が生じる恐れが多々あ
った。
【０００４】また、固体電解コンデンサ素子の形状が最
近の電子部品の軽小短薄化に伴って小さくなるにつれ、
使用する焼結体の形状も小さくせねばならないが、陽極
埋設線は、ある程度の強度が必要なため線径を細くする
ことが不可能なため、結果としてコンデンサ素子中の大
部分を高価なタンタルの陽極埋設線が占めており、コス
ト的にも問題があった。
近の電子部品の軽小短薄化に伴って小さくなるにつれ、
使用する焼結体の形状も小さくせねばならないが、陽極
埋設線は、ある程度の強度が必要なため線径を細くする
ことが不可能なため、結果としてコンデンサ素子中の大
部分を高価なタンタルの陽極埋設線が占めており、コス
ト的にも問題があった。
【０００５】また特開昭５２−９２３５９号公報では、
第２の例として陽極線を埋設せずに、タンタルの焼結体
にタンタル線を熔接して、誘電体酸化皮膜および半導体
層を順次形成した後、このタンタル線を取り除いて固体
電解コンデンサを製造する方法が提案されている。
第２の例として陽極線を埋設せずに、タンタルの焼結体
にタンタル線を熔接して、誘電体酸化皮膜および半導体
層を順次形成した後、このタンタル線を取り除いて固体
電解コンデンサを製造する方法が提案されている。
【０００６】しかし本方法でもタンタル線とタンタル焼
結体との熔接部分に応力が生じ、この部分に形成された
半導体層のために漏れ電流特性が悪くなるばかりでな
く、タンタル線を半導体層が形成されたタンタル焼結体
から取り除く時に、素子にダメージをもたらし、極端な
場合には短絡を起こす恐れもあった。
結体との熔接部分に応力が生じ、この部分に形成された
半導体層のために漏れ電流特性が悪くなるばかりでな
く、タンタル線を半導体層が形成されたタンタル焼結体
から取り除く時に、素子にダメージをもたらし、極端な
場合には短絡を起こす恐れもあった。
【０００７】また、特開平４−９９３０８号公報では、
タンタルの陽極線の代わりに、タンタルの陽極板を使用
して、誘電体酸化皮膜、半導体層および導電体層を順次
形成しているが、半導体層および導電体層を形成する手
法上、同公報の第３図に例示されているようにタンタル
の陽極板に、半導体層および導電体層の一部が付着する
ため、タンタル焼結体とタンタルの陽極板との接合部分
に加わった応力により、漏れ電流が上昇することは避け
られなかった。
タンタルの陽極線の代わりに、タンタルの陽極板を使用
して、誘電体酸化皮膜、半導体層および導電体層を順次
形成しているが、半導体層および導電体層を形成する手
法上、同公報の第３図に例示されているようにタンタル
の陽極板に、半導体層および導電体層の一部が付着する
ため、タンタル焼結体とタンタルの陽極板との接合部分
に加わった応力により、漏れ電流が上昇することは避け
られなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は前述した問
題点を解決するために鋭意研究した結果、焼結体の一端
に直方体状の陽極部を設けることにより、上述した問題
点が解決されることを見い出し本発明を完成させるに至
った。
題点を解決するために鋭意研究した結果、焼結体の一端
に直方体状の陽極部を設けることにより、上述した問題
点が解決されることを見い出し本発明を完成させるに至
った。
【０００９】即ち、本発明は、表面に誘電体酸化皮膜を
有する弁作用金属からなる直方体状焼結体の端部に直方
状の陽極部を設け、この陽極部を除いて前記誘電体酸化
皮膜の表面に半導体層、その上に導電体層が形成されて
いる固体電解コンデンサにあり、また前記陽極部の表面
に誘電体酸化皮膜が形成されていない固体電解コンデン
サにある。
有する弁作用金属からなる直方体状焼結体の端部に直方
状の陽極部を設け、この陽極部を除いて前記誘電体酸化
皮膜の表面に半導体層、その上に導電体層が形成されて
いる固体電解コンデンサにあり、また前記陽極部の表面
に誘電体酸化皮膜が形成されていない固体電解コンデン
サにある。
【００１０】以下、本発明について詳細に説明する。図
１は、本発明の一例を説明するための固体電解コンデン
サ素子の斜視図である。図において焼結体２の表面に誘
電体酸化皮膜３が形成され、陽極部６となる直方状の端
部を除いた所定部分に半導体層４、その上に導電体層５
が順次積層されている。そして陽極部６は外部のリード
部（図示せず）に直接、熔接するか、または一度非弁金
属箔を陽極部下面に熔接等で接続した後、この非弁金属
箔を通して銀ペースト、半田等の導電材で外部のリード
部に接続される。
１は、本発明の一例を説明するための固体電解コンデン
サ素子の斜視図である。図において焼結体２の表面に誘
電体酸化皮膜３が形成され、陽極部６となる直方状の端
部を除いた所定部分に半導体層４、その上に導電体層５
が順次積層されている。そして陽極部６は外部のリード
部（図示せず）に直接、熔接するか、または一度非弁金
属箔を陽極部下面に熔接等で接続した後、この非弁金属
箔を通して銀ペースト、半田等の導電材で外部のリード
部に接続される。
【００１１】本発明において用いられる弁作用金属の焼
結体としては、例えばアルミニウム、タンタル、チタン
およびこれらを基質とする合金等、弁作用を有する金属
がいずれも使用できる。そして、焼結体の形状として
は、直方体状のタンタルの焼結体があげられる。
結体としては、例えばアルミニウム、タンタル、チタン
およびこれらを基質とする合金等、弁作用を有する金属
がいずれも使用できる。そして、焼結体の形状として
は、直方体状のタンタルの焼結体があげられる。
【００１２】焼結体の表面に設ける誘電体酸化皮膜は、
焼結体の表面部分に設けられた焼結体自体の酸化物層で
あってもよく、また焼結体の表面上に設けられた他の誘
電体酸化物の層であってもよいが、特に焼結体自体の酸
化物からなる層であることが望ましい。
焼結体の表面部分に設けられた焼結体自体の酸化物層で
あってもよく、また焼結体の表面上に設けられた他の誘
電体酸化物の層であってもよいが、特に焼結体自体の酸
化物からなる層であることが望ましい。
【００１３】本発明では焼結体の表面の一部に誘電体酸
化皮膜が形成されていない部分があってもよく、この部
分を後述する焼結体の陽極部の一部として使用してもよ
い。また、陽極部と後述する半導体層を形成する部分と
の界面に絶縁性樹脂によってはち巻き状に樹脂層部を形
成しておいてもよい。
化皮膜が形成されていない部分があってもよく、この部
分を後述する焼結体の陽極部の一部として使用してもよ
い。また、陽極部と後述する半導体層を形成する部分と
の界面に絶縁性樹脂によってはち巻き状に樹脂層部を形
成しておいてもよい。
【００１４】本発明では、直方体状で、全表面に誘電体
酸化皮膜が形成された焼結体の場合には一端から約２mm
以内の直方体部を陽極部として残しておくとよい。陽極
部の大きさが一端から約２mmをこえると、目的とする容
量をとるために、コンデンサの形状が大きくなるため不
利となる。
酸化皮膜が形成された焼結体の場合には一端から約２mm
以内の直方体部を陽極部として残しておくとよい。陽極
部の大きさが一端から約２mmをこえると、目的とする容
量をとるために、コンデンサの形状が大きくなるため不
利となる。
【００１５】そして陽極部とした以外の残りの部分の誘
電体酸化皮膜上に半導体層を形成しているが、半導体層
の種類には特に制限は無く、従来公知の半導体層が使用
できるが、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛ま
たは、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層（特開昭６２
−２５６４２３号公報、特開昭６３−５１６２１号公
報）が、作製した固体電解コンデンサの高周波性能が良
好なために好ましい。
電体酸化皮膜上に半導体層を形成しているが、半導体層
の種類には特に制限は無く、従来公知の半導体層が使用
できるが、とりわけ本願出願人の出願による二酸化鉛ま
たは、二酸化鉛と硫酸鉛からなる半導体層（特開昭６２
−２５６４２３号公報、特開昭６３−５１６２１号公
報）が、作製した固体電解コンデンサの高周波性能が良
好なために好ましい。
【００１６】またテトラチオテトラセンとクロラニルの
錯体を半導体として形成させる方法（特開昭６２−２９
１２３号公報）やタリウムイオンおよび過硫酸イオンを
含んだ反応母液から化学的に酸化第２タリウムを半導体
層として析出させる方法（特開昭６２−３８７１５号公
報）もその一例である。
錯体を半導体として形成させる方法（特開昭６２−２９
１２３号公報）やタリウムイオンおよび過硫酸イオンを
含んだ反応母液から化学的に酸化第２タリウムを半導体
層として析出させる方法（特開昭６２−３８７１５号公
報）もその一例である。
【００１７】そしてこのような半導体層上には、例えば
カーボンペーストおよび／または銀ペースト等の従来公
知の導電ペーストを積層して導電体層を形成している。
カーボンペーストおよび／または銀ペースト等の従来公
知の導電ペーストを積層して導電体層を形成している。
【００１８】このようにして作製された固体電解コンデ
ンサ素子は、素子の陽極部と導電体層の一部に外部のリ
ードを接続し、エポキシ樹脂等の外装樹脂により封口さ
れ固体電解コンデンサとなる。
ンサ素子は、素子の陽極部と導電体層の一部に外部のリ
ードを接続し、エポキシ樹脂等の外装樹脂により封口さ
れ固体電解コンデンサとなる。
【００１９】
【実施例】以下実施例および比較例を示して本発明をさ
らに詳しく説明する。
らに詳しく説明する。
【００２０】実施例１ 表面に酸化タンタルの誘電体酸化皮膜を有する、長さ
１．６mm、幅１mm、厚さ０.８mmのタンタル焼結体(陽極
埋設線は無い。)の端部から長手方向に長さ０.６mm、幅
１mm、厚さ０.８mmの部分を陽極部とし、残りの長手方
向の１.０mmの部分を、別に用意した酢酸鉛三水和物
２．４モル／ｌの水溶液と過硫酸アンモニウム４.０モ
ル／lの水溶液の混合液に浸漬し、室温で６０分放置
後、引き出した。このような操作を５回行って、二酸化
鉛と硫酸鉛からなる半導体層を形成した。
１．６mm、幅１mm、厚さ０.８mmのタンタル焼結体(陽極
埋設線は無い。)の端部から長手方向に長さ０.６mm、幅
１mm、厚さ０.８mmの部分を陽極部とし、残りの長手方
向の１.０mmの部分を、別に用意した酢酸鉛三水和物
２．４モル／ｌの水溶液と過硫酸アンモニウム４.０モ
ル／lの水溶液の混合液に浸漬し、室温で６０分放置
後、引き出した。このような操作を５回行って、二酸化
鉛と硫酸鉛からなる半導体層を形成した。
【００２１】さらに半導体層上にカーボンペーストおよ
び銀ペーストを順に積層して導電体層を形成し、コンデ
ンサ素子を作製した。一方別に用意した一対の凸部を有
するリードフレーム(幅１mm、厚さ０.１mm、両凸部間隔
０.３mm)の両凸部を渡すようにコンデンサ素子を配置
し、半導体層が形成されていない端部から０．４mmの部
分を１方の凸部に、導電体層が形成されている部分を他
方の凸部に載置し、前者は熔接で、後者は銀ペーストで
接続した。そしてエポキシ樹脂を用いてトランスファー
成形して固体電解コンデンサを作製した。
び銀ペーストを順に積層して導電体層を形成し、コンデ
ンサ素子を作製した。一方別に用意した一対の凸部を有
するリードフレーム(幅１mm、厚さ０.１mm、両凸部間隔
０.３mm)の両凸部を渡すようにコンデンサ素子を配置
し、半導体層が形成されていない端部から０．４mmの部
分を１方の凸部に、導電体層が形成されている部分を他
方の凸部に載置し、前者は熔接で、後者は銀ペーストで
接続した。そしてエポキシ樹脂を用いてトランスファー
成形して固体電解コンデンサを作製した。
【００２２】実施例２ 実施例１で、誘電体酸化皮膜を端部から長手方向の１．
２mmの部分に形成し、同じく端部から１.０mmの所を界
面として幅０.３mmの樹脂層をアクリル樹脂ではち巻き
状に形成した。そして酢酸鉛三水和物２.０モル／l水溶
液に焼結体の端部から長手方向に１mmの所まで浸漬し
て、別に用意した白金陰極との間で電気化学的に二酸化
鉛の半導体層を形成した以外は、実施例１と同様にして
固体電解コンデンサを作製した。
２mmの部分に形成し、同じく端部から１.０mmの所を界
面として幅０.３mmの樹脂層をアクリル樹脂ではち巻き
状に形成した。そして酢酸鉛三水和物２.０モル／l水溶
液に焼結体の端部から長手方向に１mmの所まで浸漬し
て、別に用意した白金陰極との間で電気化学的に二酸化
鉛の半導体層を形成した以外は、実施例１と同様にして
固体電解コンデンサを作製した。
【００２３】比較例１ 実施例１で焼結体の大きさを長さ１mm、幅１mm、厚さ
０．８mmとして、直径が０．２４mmで外部への飛び出し
寸法が０．６mmのタンタルの陽極埋設線を有する以外
は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。
０．８mmとして、直径が０．２４mmで外部への飛び出し
寸法が０．６mmのタンタルの陽極埋設線を有する以外
は、実施例１と同様にして固体電解コンデンサを作製し
た。
【００２４】以上のようにして作製した直後の固体電解
コンデンサの性能を表１に示した。なお、各実施例また
は、比較例は全数値ｎ＝１００点の平均値である。
コンデンサの性能を表１に示した。なお、各実施例また
は、比較例は全数値ｎ＝１００点の平均値である。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】本発明の固体電解コンデンサは、弁作用
金属の焼結体の一部に直方体状の陽極部を設けているた
め漏れ電流値が良好である。
金属の焼結体の一部に直方体状の陽極部を設けているた
め漏れ電流値が良好である。
【００２７】
【図１】本発明の固体電解コンデンサの素子の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図２】従来の固体電解コンデンサ素子を示す断面図で
ある。
ある。
１ 陽極埋設線 ２ 焼結体 ３ 誘電体酸化皮膜 ４ 半導体層 ５ 導電体層 ６ 陽極部 ７ 固体電解コンデンサ素子
Claims (2)
- 【請求項１】 表面に誘電体酸化皮膜を有する弁作用金
属からなる直方体状焼結体の端部に直方状の陽極部を設
け、この陽極部を除いて前記誘電体酸化皮膜の表面に半
導体層、その上に導電体層が形成されていることを特徴
とする固体電解コンデンサ。 - 【請求項２】 前記陽極部の表面に誘電体酸化皮膜が形
成されていないことを特徴とする請求項１記載の固体電
解コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14966292A JPH05343272A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14966292A JPH05343272A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343272A true JPH05343272A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15480111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14966292A Pending JPH05343272A (ja) | 1992-06-09 | 1992-06-09 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343272A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005017929A1 (en) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Showa Denko K.K. | Chip solid electrolyte capcitor and production method of the same |
| WO2005020258A1 (en) * | 2003-08-20 | 2005-03-03 | Showa Denko K.K. | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same |
-
1992
- 1992-06-09 JP JP14966292A patent/JPH05343272A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005017929A1 (en) * | 2003-08-13 | 2005-02-24 | Showa Denko K.K. | Chip solid electrolyte capcitor and production method of the same |
| US7609505B2 (en) | 2003-08-13 | 2009-10-27 | Showa Denko K.K. | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same |
| WO2005020258A1 (en) * | 2003-08-20 | 2005-03-03 | Showa Denko K.K. | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same |
| US7355842B2 (en) | 2003-08-20 | 2008-04-08 | Showa Denko K.K. | Chip solid electrolyte capacitor and production method of the same |
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