JPH05342847A - シーケンシャルアクセスメモリのアドレスポインタ - Google Patents

シーケンシャルアクセスメモリのアドレスポインタ

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JPH05342847A
JPH05342847A JP4174837A JP17483792A JPH05342847A JP H05342847 A JPH05342847 A JP H05342847A JP 4174837 A JP4174837 A JP 4174837A JP 17483792 A JP17483792 A JP 17483792A JP H05342847 A JPH05342847 A JP H05342847A
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JP
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address pointer
shift register
signal
register
path
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JP4174837A
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Kazuya Yamanaka
一也 山中
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アドレスポインタの安定な動作を確保し、高
精度なシーケンシャルアクセスメモリを得る。 【構成】 メモリセルアレイ1の行または列選択線を選
択するための行アドレスポインタ2または列アドレスポ
インタ3を、直列に接続され選択信号を出力する複数の
レジスタ20と、その出力信号を初段のレジスタ20に
帰還させる、最終段より数段手前より分岐させた、選択
信号を出力しない複数個のレジスタ20aよりなる帰還
路とから構成する。 【効果】 レジスタ20の出力信号を初段のレジスタ2
0に帰還させる帰還路において1周期T以上の信号の遅
延が生じず、メモリセルを選択するタイミングがずれな
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はシーケンシャルアクセ
スメモリ(以下、SAMと称す)に関し、メモリアレイ
の行または列を選択するアドレスポインタの構成に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年、信号処理技術、特に画像信号処理
または映像信号処理の技術は重要さを増している。これ
らの信号処理は、半導体技術の進歩に伴って、従来のア
ナログ技術から精度および信頼性の面で優るディジタル
技術を用いて行われるようになり、急激に発展してき
た。
【0003】ディジタル技術を用いて信号処理を行う場
合には、信号を遅延させるためにその信号を一時的に記
憶する半導体メモリが必要になる。特に、一枚の画像や
映像を表すデータに関しては、その絵を構成する各画素
に対応するデータが画面の隅から順次伝送され処理され
る。そのため、それらのデータを遅延させるためにSA
Mが用いられることが多い。
【0004】図10は、従来のSAMの主要部の構成を
概念的に示す図である。メモリセルアレイ1は、n行お
よびm列に配置された複数のメモリ回路10を含む。各
メモリ回路10は、kビットのデータを保持する。メモ
リセルアレイ1の複数行に対応して複数の行選択線4が
設けられ、メモリセルアレイ1の複数列に対応して複数
の列選択線5が設けられる。
【0005】行アドレスポインタ2Aは、メモリセルア
レイ1の1行を順次選択するために複数の行選択線4に
順次行選択信号Qr1〜Qrnを与える。行アドレスポ
インタ2Aは、入力クロック信号に同期してデータ(行
選択信号)を順次シフトさせるための複数のレジスタ3
0、および最終段のレジスタ30の出力信号を初段のレ
ジスタ30に帰還させる偶数個の否定論理回路31を含
む。否定論理回路31は、配線容量を駆動するためのバ
ッファの役割を行う。
【0006】列アドレスポインタ3Aは、メモリセルア
レイ1の1列を順次選択するために複数の列選択線5に
順次列選択信号Qc1〜Qcmを与える。列アドレスポ
インタ3Aは、行アドレスポインタ2Aと同様に、入力
クロック信号に同期してデータ(列選択信号)を順次シ
フトさせるための複数のレジスタ30、および最終段の
レジスタ30の出力信号を初段のレジスタ30に帰還さ
せる偶数個の否定論理回路31を含む。この否定論理回
路31も、配線容量を駆動するためのバッファの役割を
行う。
【0007】図11はアドレスポインタ2A,3Aが出
力する行選択信号および列選択信号のタイミングを示す
タイミングチャートである。
【0008】第1サイクルでは、行アドレスポインタ2
Aに含まれる複数のレジスタ30が“H”のデータをク
ロック信号に応答して順にシフトする。それにより、行
選択信号Qr1〜Qrnが順に“H”になり、メモリセ
ルアレイ1のm(1〜n)行が順に選択される。第1サ
イクルでは、列アドレスポインタ3Aにより列選択信号
Qc1が“H”に保持される。その結果、第1列の第1
行のメモリ回路10、第1列の第2行のメモリ回路1
0、…、第1列の第n行のメモリ回路10が順に選択さ
れる。選択されたメモリ回路にデータが書き込まれ、ま
たは選択されたメモリ回路からデータが読み出される。
【0009】行アドレスポインタ2A内の最終段のレジ
スタ30に保持された“H”のデータは否定論理回路3
1を介して初段のレジスタ30にシフトされる。そのた
め、第2サイクルでは、行アドレスポインタ2Aに含ま
れる複数のレジスタ30が“H”のデータをクロック信
号に応答して順にシフトし、行選択信号Qr1〜Qrn
が順に“H”になる。第2サイクルでは、列アドレスポ
インタ3Aにより列選択信号Qc1が“H”に保持され
る。それにより、メモリセルアレイ1の第2列が選択さ
れる。その結果、第2列の第1行のメモリ回路10、第
2列の第2行のメモリ回路10、…、第2列の第n行の
メモリ回路10が順に選択される。
【0010】同様にして、第mサイクルでは、第m列の
第1行のメモリ回路10、第m列の第2行のメモリ回路
10、…、第m列の第n行のメモリ回路10が順に選択
される。列アドレスポインタ3Aの最終段のレジスタ3
0に保持された“H”のデータは否定論理回路31を介
して初段のレジスタ30にシフトされる。その結果、メ
モリセルアレイ1の第m列の第n行のメモリ回路10が
選択された後、第1列の第1行のメモリ回路10が選択
される。その後、第1サイクル〜第mサイクルが繰り返
される。
【0011】図12は、行アドレスポインタ2Aおよび
列アドレスポインタ3Aに含まれるレジスタ30の構成
の一例を示す回路図である。
【0012】このレジスタ30は、PチャネルMOSト
ランジスタP1〜P4、NチャネルMOSトランジスタ
N1〜N4および否定論理回路G1〜G4を含む。トラ
ンジスタP1,N1がCMOSトランスミッションゲー
トT1を構成し、トランジスタP2,N2がCMOSト
ランスミッションゲートT2を構成し、トランジスタP
3,N3がCMOSトランスミッションゲートT3を構
成し、トランジスタP4,N4がCMOSトランスミッ
ションゲートT4を構成する。トランジスタN1,P
2,P3,N4にクロック信号c1kAが与えられ、ト
ランジスタP1,N2,N3,P4にクロック信号c1
kBが与えられる。クロック信号c1kA、c1kBは
図13に示されるように、“H”の期間が互いに重なり
合わない二相クロックを構成する。
【0013】ノードn1には前段のレジスタから出力さ
れる信号Xjが与えられ、ノードn3からは次段のレジ
スタに信号Xj+1が出力される。信号Xj+1は行ま
たは列選択信号Qc としてメモリセルアレイ1に与えら
れる。
【0014】クロック信号c1kAが“L”でありかつ
クロック信号c1kBが“H”であるとき、トランスミ
ッションゲートT2、T3がオンし、トランスミッショ
ンゲートT1、T4がオフする。それにより、ノードn
2に与えられた信号が否定論理回路G1,G2およびト
ランスミッションゲートT3により構成されるラッチ回
路にラッチされるとともに、トランスミッションゲート
T2および否定論理回路G3,G4を介してノードn3
に信号Xj+1として出力される。
【0015】クロック信号c1kAが“H”でありかつ
クロック信号c1kBが“L”であるとき、トランスミ
ッションゲートT1,T4がオンし、トランスミッショ
ンゲートT2,T3がオフする。それにより、ノードn
1に与えられた信号XjがトランスミッションゲートT
1および否定論理回路G1,G2を介してノードn2に
入力される。また、ノードn3の信号Xj+1が否定論
理回路G3,G4およびトランスミッションゲートT4
により構成されるラッチ回路にラッチされる。このよう
にして、クロック信号c1kA、c1kBに応答してノ
ードn1に与えられた信号Xjがノードn3にシフトさ
れる。
【0016】図13においてクロック信号c1kAが1
度だけ“L”および“H”になる時間を1周期Tとす
る。行アドレスポインタ2Aを構成するレジスタ30に
与えられるクロック信号に関しては行選択信号Qr1〜
Qrnの各々が“H”となっている時間が1周期Tに相
当する。また、列アドレスポインタ3Aを構成するレジ
スタ30に与えられるクロック信号に関しては列選択信
号Qc1〜Qcmの各々が“H”となっている時間が1
周期に相当する。
【0017】なお、行アドレスポインタ2Aおよび列ア
ドレスポインタ3Aの動作タイミングを互いに入れ替え
ても上記と同様の動作が行われる。
【0018】次に、従来のアドレスポインタの構成,動
作を図4を用いて説明する。図4に示す従来におけるア
ドレスポインタ2Aは、直列に接続された複数のレジス
タ20およびその出力信号を初段のレジスタ20に帰還
させる偶数個の否定論理回路21を含み、クロック信号
に同期してデータを順次シフトさせる。それにより、複
数の選択線6に選択信号Q1〜Qkが順次与えられる。
このとき、複数のレジスタ20の出力信号を初段のレジ
スタ20に帰還させる,偶数個の否定論理回路21およ
びその伝送路からなる帰還路中で1周期T以上の信号の
遅延があった場合、上記選択信号Q1〜Qkの出力タイ
ミングがずれてしまう。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
SAMではメモリセル1のアドレスを順次選択するため
に行アドレスポインタ2Aおよび列アドレスポインタ3
Aが用いられており、これらのアドレスポインタにおい
て、最終段のレジスタ30に保持された“H”のデータ
は否定論理回路31を介して初段のレジスタ30にシフ
トされるが、このとき伝送路で生じる信号の遅延が、1
周期Tを超える場合にはメモリセルのアドレスを選択す
るタイミングがずれてしまうという欠点があった。
【0020】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、アドレスポインタの安定な動
作を確保し、高精度なシーケンシャルアクセスメモリの
アドレスポインタを得ることを目的としている。
【0021】
【課題を解決するための手段】この発明に係るシーケン
シャルアクセスメモリのアドレスポインタは、複数行お
よび複数列に配列された複数のメモリ手段を含むメモリ
セルアレイと、クロック信号に同期してメモリセルアレ
イの行または列を順次選択する選択動作を所定の周期で
繰り返す直列に接続されたシフトレジスタを備え、その
終段側から初段側への帰還路が、最終段の数段手前から
分岐され、その帰還路に分岐点から最終段までと同じ段
数のラッチ回路、即ち選択信号を出力しないシフトレジ
スタを設けたものである。
【0022】この発明に係るシーケンシャルアクセスメ
モリのアドレスポインタは、上記直列に接続されたシフ
トレジスタは2分割され、該2分割された第1,第2の
シフトレジスタ群間に全体でループを構成するようそれ
ぞれ複数個のインバータ回路からなる第1,第2のイン
バータ回路群を挿入したものである。
【0023】また、上記直列に接続されたシフトレジス
タに対し、最終段の数段手前から分岐させて帰還ループ
を構成し、該数段のシフトレジスタのシフトに要する時
間と等しい遅延量を持つ複数個のインバータ回路を該帰
還ループに挿入したものである。
【0024】また、上記直列に接続されたシフトレジス
タに対しその最終段からの帰還ループに、往路と異なる
段数の選択信号を出力するシフトレジスタを挿入して構
成したものである。
【0025】また、上記直列に接続されたシフトレジス
タを、4列以上の偶数列に並べ、そのそれぞれを接続す
ることにより1つの環状のループを構成するようにした
ものである。
【0026】また、上記直列に接続されたシフトレジス
タと等しい段数を有するシフトレジスタを復路にも並
べ、往路と復路のシフトレジスタを接続することにより
1つの環状のシフトレジスタになるように構成し、往路
のシフトレジスタのみが読み出しまたは書き込みのワー
ド線を選択する信号線を有するものとし、往路と復路の
それぞれの初段に同時にクロックを与えるように構成し
たものである。
【0027】
【作用】この発明におけるシーケンシャルアクセスメモ
リでは、その終段側から初段側への帰還路を、最終段の
k段手前から分岐し、その帰還路に分岐点から最終段ま
でと同じ段数のラッチ回路、即ち選択信号を出力しない
シフトレジスタを設けた等の構成により、上記いずれの
構成においても、終段側のシフトレジスタから初段のシ
フトレジスタに帰還する帰還ループにおいて、データの
遅延が生じない。したがって、安定な動作を確保できる
高精度なSAMを得ることができる。
【0028】
【実施例】以下、この発明の実施例を図面を参照しなが
ら詳細に説明する。 実施例1 図1は、この発明の一実施例によるSAMの主要部の構
成を概念的に示す図である。図1において、メモリセル
アレイ1の構成は図10に示される従来のSAMのメモ
リセルアレイ1の構成と同様である。この実施例では、
従来のSAMにおけるアドレスポインタに代わり、帰還
ループにおいてデータの遅延が生じないように構成した
アドレスポインタが設けられる。
【0029】行アドレスポインタ2は、直列に接続され
た複数のレジスタ20、およびその出力信号を初段のレ
ジスタ20に帰還させる複数個のレジスタ20aを含
み、クロック信号に同期してデータを順次シフトさせ
る。それにより、複数のc1kB行選択線4に行選択信
号Qr1〜Qrnが順次与えられる。
【0030】列アドレスポインタ3は、直列に接続され
た複数のレジスタ20、およびその出力信号を初段のレ
ジスタ20に帰還させる複数個のレジスタ20aを含
み、クロック信号に同期してデータを順次シフトさせ
る。それにより、複数の列選択線5に列選択信号Qc1
〜Qcmが順次与えられる。
【0031】図2に、この実施例によるSAMの全体の
構成を示す。SAMは半導体チップ100上に形成され
る。メモリセルアレイ1には、1つのメモリ回路10の
みが示される。メモリ回路10はk個のメモリセルを含
み、kビットのデータを記憶する。AND回路11の一
方の入力端子には複数の行選択線4のうちの1つが接続
され、他方の入力端子には複数の列選択線5のうちの1
つが接続される。AND回路11の出力端子はワード線
WLを介してメモリ回路10に接続される。メモリ回路
10は、k本の書き込みビット線WBおよびk本の読み
出しビット線RBに接続される。
【0032】クロック入力端子6にはクロック信号c1
kAが与えられる。クロック入力端子6に与えられたク
ロック信号c1kAは行アドレスポインタ2に与えら
れ、かつ否定論理回路7に与えられる。否定論理回路7
の出力信号はクロック信号c1kBとして行アドレスポ
インタ2に与えられる。AND回路8の一方の入力端子
には行アドレスポインタ2から出力される行選択信号Q
rnが与えられ、他方の入力端子にはクロック信号c1
kAが与えられる。AND回路8の出力信号はクロック
信号c1kA′として列アドレスポインタ3および否定
論理回路9に与えられる。否定論理回路9の出力信号は
クロック信号c1kB′として列アドレスポインタ3に
与えられる。
【0033】図3にクロック信号c1kA、c1kB、
行選択信号Qr1、Qrnおよびクロック信号c1k
A′、c1kB′の波形図を示す。
【0034】クロック信号c1kA、c1kBは周期T
1で変化する。クロック信号c1kA、c1kBに応答
して行選択信号Qr1〜Qrnは順次“H”に立ち上が
る。クロック信号c1kA′、c1kB′は周期T2で
変化する。クロック信号c1kA′、c1kB′に応答
して列選択信号Qc1〜Qcmは順次“H”に立ち上が
る。
【0035】次に図2の動作を図3を用いて説明する。
図2において、行選択信号Qriおよび列選択信号Qc
jの両方が“H”になるとワード線WLの電位が“H”
になり、メモリ回路10が選択される。この時、セレク
タ12により書き込みビット線WBがデータ入力線IL
に接続され、読み出しビット線RBがデータ出力線OL
に接続される。
【0036】外部から与えられる読み出し書き込み信号
RWが書き込み動作を示しているときに、入力ドライバ
14が活性状態になる。それにより、データ入力端子1
3に外部から与えられるデータが入力ドライバ14、デ
ータ入力線ILおよびセレクタ12を介して書き込みビ
ット線WBに与えられる。その結果、メモリ回路10に
データが書き込まれる。
【0037】外部から与えられる読み出し書き込み信号
RWが書き込み動作を示しているときに、センスアンプ
15および出力ドライバ17が活性状態になる。それに
より、メモリ回路10から読み出しビット線RBに読み
出されたデータがセレクタ12、データ出力線OL、セ
ンスアンプ15、センスアンプ出力線16および出力ド
ライバ17を介してデータ出力線19に出力される。
【0038】次に、本発明の一実施例によるアドレスポ
インタについて説明する。図5は本発明の一実施例によ
るアドレスポインタの構成を示し、この図5に示すアド
レスポインタ2Bは、直列に接続された複数のレジスタ
20、およびその最終段の数段手前のレジスタ20から
の出力信号を初段のレジスタ20に帰還させる、選択信
号を出力しない複数個(図では2個)のレジスタ20a
を含み、各レジスタ20,20aはクロック信号に同期
してデータを順次シフトさせる。これにより、複数のレ
ジスタ20により複数の選択線6に対し選択信号Q1〜
Qkが順次与えられる。このように複数のシフトレジス
タの最終段の数段手前から帰還を行うことにより、複数
個のレジスタ20の出力信号を初段のレジスタ20に帰
還させる伝送路の長さが、図4の従来例に比し少なくと
も上記数段分だけ短くなり、該伝送路中において1周期
T以上の信号の遅延を生じることはない。従って、メモ
リセルのアドレスを選択するタイミングがずれてしまう
ということがなくなり、安定な動作が可能となる。
【0039】なお、本実施例のアドレスポインタの構成
においては、2つのシフトレジスタ20a,20aで構
成される帰還路に、信号の減衰を防ぐための2つのイン
バータ回路(図示せず)を各シフトレジスタ20aの後
段にそれぞれ挿入するようにしてもよい。
【0040】実施例2 図6は本発明の第2の実施例によるアドレスポインタを
示し、このアドレスポインタ2Cは、直列に接続された
複数のシフトレジスタは2分割されて、即ち図示上側の
複数のレジスタ20からなる第1のシフトレジスタ群
と、図示下側の複数のレジスタ20からなる第2のシフ
トレジスタ群が設けられ、これらと上記第1のシフトレ
ジスタ群の出力を受け、第2のシフトレジスタ群に帰還
する偶数,この場合2個の否定論理回路21aからなる
第1のインバータ群と、第2のシフトレジスタ群の出力
を受け、第1のシフトレジスタ群に帰還する偶数,この
場合2個の否定論理回路21bからなる第2のインバー
タ群により1つの環状のループを構成し、クロック信号
に同期してデータを順次シフトさせる。それにより、複
数の選択線6に選択信号Q1〜Qkが順次与えられる。
このように構成することにより、一方のシフトレジスタ
群の出力信号を他方のシフトレジスタ群の初段のレジス
タに帰還させる伝送路の長さが、図4の従来例に比しほ
ぼ半分となり、該伝送路中において1周期T以上の信号
の遅延を生じることはない。
【0041】実施例3 図7は本発明の第3の実施例によるアドレスポインタを
示し、このアドレスポインタ2Dは、直列に接続された
複数のレジスタ20、および最終段の1段前の出力信号
を初段のレジスタ20に帰還させる偶数個の否定論理回
路21を含み、クロック信号に同期してデータを順次シ
フトさせる。このとき帰還路で生じる信号の遅延は、最
終段のシフトレジスタのシフトに要する1周期Tに等し
いように設定する。これにより、複数のレジスタ20よ
り複数の選択線6に選択信号Q1〜Qkが順次与えられ
る。このように構成することにより、上記帰還路で生じ
る信号の遅延は丁度1周期Tに等しいため、選択信号Q
1〜Qkの出力タイミングにずれを生じることはない。
なお、図7では、最終段の1段前の出力信号を初段のレ
ジスタ20に帰還させるようにしたが、これはk段前か
ら帰還させるようにしてもよく、その場合は帰還路に挿
入する偶数個の否定論理回路で生ずる信号の遅延は、該
数段分のシフトレジスタのシフトに要する周期kTに等
しいように設定する。
【0042】実施例4 図8は本発明の実施例4によるアドレスポインタを示
し、このアドレスポインタ2Eは、直列に接続された複
数のレジスタ20、および出力信号を初段のレジスタ2
0に帰還させ、かつ各々選択信号を出力する帰還路側の
複数個のレジスタ20を含み、クロック信号に同期して
データを順次シフトさせる。ただし、往路と復路ではレ
ジスタ20の接続個数は異なり、この図8の場合は復路
の方が往路に比し、少ない。これにより、複数の選択線
6に選択信号Q1〜Qkが順次与えられる。このように
構成することにより、復路の最終段のシフトレジスタか
ら往路の初段のシフトレジスタまでの伝送路の距離は非
常に短くなり、該帰還伝送路中において1周期T以上の
信号の遅延を生じることはない。なお、本実施例ではこ
のアドレスポインタ2Eより出力される選択信号の順序
は図示の上方から下方に向けてQ1,Qk,Q2,Q3,Qk-
1,... といった順序になるが、これはメモリセルの順序
を並べかえることによりこれに対応すればよいものであ
る。
【0043】実施例5 図9は本発明の第5の実施例によるアドレスポインタを
示し、このアドレスポインタ2Fは、直列に接続された
複数のレジスタ20を4列以上の複数列に並べ、これら
を1つのループを形成するように接続し、クロック信号
に同期してデータを順次シフトさせる。これにより、複
数の選択線6に選択信号Q1〜Qkが順次与えられる。
このように構成することにより、複数のレジスタ20の
各列の最終段の出力信号を他の列の初段のレジスタ20
に帰還させる伝送路は図示横方向に配置されることにな
って明らかに短くなり、該帰還伝送路中で1周期T以上
の信号の遅延を生じることはない。なお、本実施例にお
いては、選択信号として多ビット構成を用いる場合にお
いて非常に有効となるものである。
【0044】実施例6 図14は本発明の第6の実施例によるアドレスポインタ
を示し、このアドレスポインタ2Gは、直列に接続され
た複数のレジスタ20を往路と復路の2列に並べ、両者
により1つのループを形成するように接続し、クロック
信号に同期してデータを順次シフトさせる。ただし、往
路と復路ではレジスタ20の接続個数を同数にして、復
路のレジスタ20からは選択信号を出力しない。さら
に、アドレスポインタの動作開始時にStart1およびStar
t2へ同時に同じ信号を入力する。これにより、複数の選
択線6に対しては往路のレジスタ群により選択信号Q1
〜Qkが順次与えられる。また、かかる構成において
は、往路と復路のいずれにおいても各シフトレジスタの
いずれか1つの出力は立ち上がっていることとなり、St
art1から往路の初段のレジスタ20に信号が供給され、
該信号が時間kT(kは往路のシフトレジスタの段数、
Tは1段の遅延時間)が経過して往路の初段のレジスタ
20の出力に現れた時点では、Start2からの信号が復路
のレジスタ群を介して丁度往路の初段のレジスタ20に
供給されることとなり、このように構成することによ
り、往路の最終段のレジスタ20の出力信号を往路の初
段のレジスタ20に帰還させる伝送路における信号の遅
延の問題を考慮する必要はないこととなる。
【0045】なお、この発明においては、メモリセルア
レイに使用されるメモリセルの形状は特に限定されるも
のではない。
【0046】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、シーケ
ンシャルアクセスメモリ中のメモリセルアレイの行また
は列を選択するアドレスポインタを構成する環状に接続
されたシフトレジスタの、終段から初段への信号の帰還
路を、該シフトレジスタの、最終段の数段手前から分岐
させ、その帰還路に分岐点から最終段までと同じ段数の
ラッチ回路を設け、かつ信号の減衰を防ぐための複数個
のインバータ回路をラッチ回路間に挿入する等の構成に
より、最終段あるいはその数段前等のレジスタに保持さ
れた“H”のデータを帰還路を介して初段のレジスタに
帰還する際、伝送路で生じる信号の遅延が、1周期Tを
超えることがないようにしたので、メモリセルのアドレ
スを選択するタイミングがずれてしまうことがなく、安
定した動作タイミングを得ることができ、したがって、
高精度なシーケンシャルアクセスメモリが得られる効果
がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例によるSAMの主要部の構
成を示す図である。
【図2】上記実施例の全体の構成を示す図である。
【図3】上記実施例の動作を説明するためのタイミング
チャートを示す図である。
【図4】従来のアドレスポインタの構成を示す図であ
る。
【図5】この発明の一実施例によるアドレスポインタの
構成を示す図である。
【図6】この発明の一実施例(実施例2)によるアドレ
スポインタの構成を示す図である。
【図7】この発明の一実施例(実施例3)のアドレスポ
インタの構成を示す図である。
【図8】この発明の一実施例(実施例4)のアドレスポ
インタの構成を示す図である。
【図9】この発明の一実施例(実施例5)のアドレスポ
インタの構成を示す図である。
【図10】従来のSAMの主要部の構成を示す図であ
る。
【図11】SAMの動作を説明するためのタイミングチ
ャートを示す図である。
【図12】レジスタの構成の一例を示す回路図である。
【図13】アドレスポインタに与えられるクロック信号
を示すタイミングチャートを示す図である。
【図14】この発明の一実施例(実施例6)のアドレス
ポインタの構成を示す図である。
【符号の説明】
1 メモリセルアレイ 2 行アドレスポインタ 2A 行アドレスポインタ 2B 行アドレスポインタ 2C 行アドレスポインタ 2D 行アドレスポインタ 2E 行アドレスポインタ 2F 行アドレスポインタ 2G 行アドレスポインタ 3 列アドレスポインタ 4 行選択線 5 列選択線 6 行または列選択線 10 メモリセル 20 レジスタ 21 否定論理回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シーケンシャルアクセスメモリ中のメモ
    リセルアレイの行または列を選択するアドレスポインタ
    において、 上記メモリセルアレイの行または列を選択する選択信号
    をそれぞれ出力する直列に接続された複数のシフトレジ
    スタを備え、 その終段側から初段への信号の帰還路は、該シフトレジ
    スタの最終段の数段手前から分岐され、 その帰還路に分岐点から最終段までと同じ段数の選択信
    号を出力しないシフトレジスタであるラッチ回路が設け
    られていることを特徴とするアドレスポインタ。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の直列に接続され選択信
    号をそれぞれ出力するシフトレジスタは2分割され、該
    2分割された第1,第2のシフトレジスタ群間に全体で
    ループを構成するようそれぞれ複数個のインバータ回路
    からなる第1,第2のインバータ回路群が挿入されてい
    ることを特徴とするアドレスポインタ。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の直列に接続され選択信
    号をそれぞれ出力するシフトレジスタの最終段の数段手
    前から帰還路が分岐され、該帰還路に、最終段側の該数
    段のシフトレジスタのシフトに要する時間と等しい遅延
    量を持つ2個以上のインバータ回路が挿入されているこ
    とを特徴とするアドレスポインタ。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の直列に接続され選択信
    号をそれぞれ出力するシフトレジスタの帰還路に、往路
    と異なる段数のシフトレジスタが挿入され、該復路のシ
    フトレジスタも選択信号を出力するものであることを特
    徴とするアドレスポインタ。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の直列に接続され選択信
    号をそれぞれ出力するシフトレジスタが4列以上の偶数
    列に並列に並べられ、そのそれぞれがすべて接続されて
    1つの環状のシフトレジスタが構成されていることを特
    徴とするアドレスポインタ。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の直列に接続され選択信
    号をそれぞれ出力するシフトレジスタが往路に設けら
    れ、該往路のシフトレジスタと等しい段数を有するシフ
    トレジスタが復路に設けられて両者が接続されて1つの
    環状のシフトレジスタになるように構成され、該復路の
    シフトレジスタは上記選択信号を出力しないものであ
    り、該往路と復路のそれぞれの初段に同時にクロックが
    与えられることを特徴とするアドレスポインタ。
JP4174837A 1992-06-08 1992-06-08 シーケンシャルアクセスメモリのアドレスポインタ Pending JPH05342847A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004095466A1 (ja) * 2003-04-23 2004-11-04 Fujitsu Limited 半導体記憶装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004095466A1 (ja) * 2003-04-23 2004-11-04 Fujitsu Limited 半導体記憶装置
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