JPH05341311A - Active matrix type liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix type liquid crystal display device

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Publication number
JPH05341311A
JPH05341311A JP14521192A JP14521192A JPH05341311A JP H05341311 A JPH05341311 A JP H05341311A JP 14521192 A JP14521192 A JP 14521192A JP 14521192 A JP14521192 A JP 14521192A JP H05341311 A JPH05341311 A JP H05341311A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
matrix
short
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Application number
JP14521192A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroyoshi Nakamura
弘喜 中村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH05341311A publication Critical patent/JPH05341311A/en
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Abstract

PURPOSE:To cut a short-circuit pattern without losing the orienting performance of an oriented film even after a rubbing process and to reduce a decrease in yield due to electrostatic destruction by cutting the short-circuit pattern by using a light shield part as a mask. CONSTITUTION:The short-circuit pattern 81 which connects respective scanning lines 31 and respective auxiliary capacitance lines 61 and arranged in the same layer with the scanning lines 31 and auxiliary capacitance lines 61 is installed between one end of a matrix wiring part 71 and a scanning line driving circuit 131 and at the other end of the matrix wiring part 71. A counter substrate 301 is equipped with the matrix-shaped light shield part 311 for shielding switch elements 41 of a matrix array substrate 11 from light, and the light shield part 311 has windows 83 for cutting the short-circuit pattern 81. After a liquid crystal layer is sandwiched between the couple of substrates 11 and 301, the short-circuit pattern 81 corresponding to the windows 83 is cut at a time by using the light shield part 311 as the mask.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は駆動回路が一体に形成さ
れたマトリクスアレイ基板を備えたアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an active matrix type liquid crystal display device having a matrix array substrate integrally formed with a drive circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置は、軽量、低消費電力等の
特徴を生かして各種分野で広く使用されるようになって
きた。中でも各画素電極毎に薄膜トランジスタ等のスイ
ッチ素子が設置されて成るマトリクスアレイ基板が用い
られたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、隣接画
素間でクロストークのない高品位な表示画像が得られる
ことから高精細な表示装置として、また投射型の表示装
置として注目を集めている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices have come to be widely used in various fields by taking advantage of features such as light weight and low power consumption. Above all, an active matrix type liquid crystal display device using a matrix array substrate in which a switch element such as a thin film transistor is installed for each pixel electrode is high in quality because a high quality display image without crosstalk between adjacent pixels can be obtained. It has been attracting attention as a fine display device and a projection type display device.

【0003】そして、近年では特に駆動回路をマトリク
スアレイ基板上に一体に構成することより、駆動回路と
の接続の手間を省き、生産性を向上させる試みが成され
ている。
In recent years, in particular, an attempt has been made to improve productivity by eliminating the trouble of connection with the driving circuit by integrally forming the driving circuit on the matrix array substrate.

【0004】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置を実現するためには、駆動回路を構成するスイッ
チ素子の高速動作を達成する必要から、活性層に多結晶
シリコン等が用いられた高速動作が可能な薄膜トランジ
スタが用いられている。
In order to realize such an active matrix type liquid crystal display device, it is necessary to achieve a high speed operation of the switch element which constitutes the drive circuit. Therefore, a high speed operation using polycrystalline silicon or the like for the active layer is possible. Thin film transistors are used.

【0005】ところで、このように活性層に多結晶シリ
コン等が用いられた薄膜トランジスタでは、活性層に非
晶質シリコンが用いられた薄膜トランジスタに比べてイ
オン注入あるいはドライエッチング等の製造工程が増加
する。このようなことから、液晶表示装置の製造途中に
おける静電気の発生は従来以上に増加するため、スイッ
チ素子の静電破壊に対処する構造が不可欠となってく
る。
By the way, in such a thin film transistor in which polycrystalline silicon or the like is used for the active layer, the number of manufacturing steps such as ion implantation or dry etching is increased as compared with a thin film transistor in which the active layer is formed of amorphous silicon. For this reason, the generation of static electricity during the manufacturing of the liquid crystal display device is increased more than ever before, and therefore a structure for coping with electrostatic breakdown of the switch element is indispensable.

【0006】製造途中に発生する静電気の影響によりス
イッチ素子が破壊されることを防止する方法としては、
例えば、特開昭60-251665 号に開示されるように、各走
査線間をショートリングにより電気的に接続し、薄膜プ
ロセス終了後、層間絶縁膜に設けられたコンタクトホー
ルを用い、エッチングによりショートリングを切断する
ことが知られている。
As a method of preventing the switch element from being destroyed by the influence of static electricity generated during manufacturing,
For example, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 60-251665, each scan line is electrically connected by a short ring, and after completion of the thin film process, a short circuit is formed by etching using a contact hole provided in an interlayer insulating film. It is known to cut rings.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置の製造工程において、スイッ
チ素子形成時は勿論であるが、スイッチ素子形成後の配
向膜のラビング処理時等でも静電気は発生し、スイッチ
素子の静電破壊を引き起こすことがある。
By the way, in the manufacturing process of the active matrix type liquid crystal display device, static electricity is generated not only when the switch element is formed, but also when the alignment film is rubbed after the switch element is formed. This may cause electrostatic breakdown of the switch element.

【0008】従って、スイッチ素子の静電破壊を十分に
低減すべく、配向膜のラビング処理後にエッチングによ
ってショートリングを切断し、これにより静電破壊を抑
えることが考えられる。
Therefore, in order to sufficiently reduce the electrostatic breakdown of the switch element, it is possible to suppress the electrostatic breakdown by cutting the short ring by etching after the rubbing treatment of the alignment film.

【0009】しかし、ラビング処理後の配向膜は非常に
敏感であり、ショートリングをエッチングするためのレ
ジストパターンの付着、剥離時、特にレジストパターン
の剥離液等により損傷を受け、配向性能が低下してしま
う。エッチングプロセスにドライエッチングを用いるこ
とも考えられるが、レジストパターンが硬化し、やはり
配向膜に損傷を与えることなくレジストパターンを剥離
することが困難となってしまう。
However, the alignment film after the rubbing treatment is very sensitive, and when the resist pattern for etching the short ring is attached or removed, the alignment film is damaged especially by the removing liquid of the resist pattern and the alignment performance is deteriorated. Will end up. It is possible to use dry etching for the etching process, but the resist pattern hardens, and it becomes difficult to remove the resist pattern without damaging the alignment film.

【0010】本発明は、このような技術課題に対処して
成されたもので、静電破壊による製造歩留まりの低下を
低減するマトリクスアレイ基板およびこれを用いた液晶
表示装置を提供することを目的としたものである。
The present invention has been made in view of the above technical problems, and an object of the present invention is to provide a matrix array substrate and a liquid crystal display device using the same, which can reduce the reduction in manufacturing yield due to electrostatic breakdown. It is what

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、絶縁基板上に複数の信号線お
よび走査線とがマトリクス状に配線され各交点部分にス
イッチ素子を介して画素電極が設置されたマトリクス配
線部と,各走査線または各信号線に接続されるショート
パターンと,信号線に接続される信号線駆動回路と,走
査線に接続される走査線駆動回路とを備えたマトリクス
アレイ基板と、マトリクスアレイ基板に対向する対向基
板と、マトリクスアレイ基板のショートパターンを切断
する窓を有する遮光部とを具備し、遮光部をマスクとし
てショートパターンが切断されて各走査線または各信号
線が電気的に分離されていることを特徴としている。
According to the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, a plurality of signal lines and scanning lines are wired in a matrix on an insulating substrate, and pixel electrodes are provided at respective intersections via switch elements. Matrix provided with installed matrix wiring part, short pattern connected to each scanning line or each signal line, signal line driving circuit connected to signal line, and scanning line driving circuit connected to scanning line An array substrate, a counter substrate facing the matrix array substrate, and a light blocking portion having a window for cutting the short pattern of the matrix array substrate are provided, and the short pattern is cut using the light blocking portion as a mask to scan each scanning line or each signal. The feature is that the lines are electrically separated.

【0012】そして、本発明のアクティブマトリクス型
液晶表示装置は、特に遮光部がマトリクスアレイ基板
に、また遮光部が対向基板に形成されていることを特徴
としている。
The active matrix type liquid crystal display device of the present invention is characterized in that the light shielding portion is formed on the matrix array substrate and the light shielding portion is formed on the counter substrate.

【0013】また、本発明のアクティブマトリクス型液
晶表示装置のマトリクス配線部が走査線と同一層に配置
され画素電極との間で容量を形成する補助容量線を備
え、ショートパターンによって各走査線に接続され、遮
光部をマスクとしてショートパターンが切断されて各走
査線と各補助容量線とが電気的に分離されていることを
特徴としている。そして、特に各走査線、各補助容量線
およびショートパターンとが同一部材で形成されている
ことを特徴としている。
In addition, the matrix wiring portion of the active matrix type liquid crystal display device of the present invention is provided with auxiliary capacitance lines which are arranged in the same layer as the scanning lines and form a capacitance between the pixel electrodes, and each scanning line is formed by a short pattern. Each scanning line and each auxiliary capacitance line are electrically connected to each other and the short pattern is cut using the light shielding portion as a mask. In particular, each scanning line, each auxiliary capacitance line, and the short pattern are formed by the same member.

【0014】[0014]

【作用】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置
は、上述したようにショートパターンを遮光部をマスク
として切断するものである。従って、本発明によれば配
向膜にラビング処理を施した後であっても、配向膜の配
向性能を損なうことなく、ショートパターンの切断が可
能となる。
In the active matrix type liquid crystal display device of the present invention, the short pattern is cut using the light shielding portion as a mask as described above. Therefore, according to the present invention, even after the rubbing treatment is applied to the alignment film, the short pattern can be cut without impairing the alignment performance of the alignment film.

【0015】そして、本発明によれば、特に走査線と同
一層に配置された補助容量線との間でショートパターン
を形成することにより、駆動回路が一体に形成されたア
クティブマトリクス型液晶表示装置であっても効果的に
スイッチ素子の静電破壊を防止することができる。更
に、このような構成によれば、走査線と補助容量線とを
同一材料で構成することにより、一度のパターニングで
走査線、補助容量線およびショートパターンを一括して
形成することも可能となり、製造プロセスの大幅な増加
を招くことなく効果的に静電破壊を防止することができ
る。
Further, according to the present invention, an active matrix type liquid crystal display device in which a drive circuit is integrally formed by forming a short pattern particularly between the scanning line and the auxiliary capacitance line arranged in the same layer. Even in this case, the electrostatic breakdown of the switch element can be effectively prevented. Further, according to such a configuration, by configuring the scanning line and the auxiliary capacitance line with the same material, it becomes possible to collectively form the scanning line, the auxiliary capacitance line, and the short pattern by one patterning, It is possible to effectively prevent electrostatic breakdown without significantly increasing the manufacturing process.

【0016】ところで、このようなショートパターン
は、マトリクスアレイ基板に配向膜を形成し配向処理を
施した後であっても、またマトリクスアレイ基板と対向
基板との間に液晶層を挾持させて液晶表示装置としたた
後であっても良いが、液晶表示装置とした後にショート
パターンを切断する方が製造歩留まりが向上するため、
本発明においては特に好ましい。このショートパターン
の切断方法としては、特にレーザ光を用いた一括切断が
生産性あるいは配向膜に与える影響等を考慮すると好ま
しい方法である。
By the way, such a short pattern causes the liquid crystal layer to be sandwiched between the matrix array substrate and the counter substrate even after the alignment film is formed on the matrix array substrate and subjected to the alignment treatment. Although it may be after forming the display device, the manufacturing yield is improved by cutting the short pattern after forming the liquid crystal display device.
Particularly preferred in the present invention. As a method of cutting the short pattern, it is a preferable method in consideration of productivity, the influence on the alignment film, and the like of collective cutting using a laser beam.

【0017】[0017]

【実施例】以下に、本発明の一実施例のアクティブマト
リクス型液晶表示装置を図面を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0018】この液晶表示装置(201) は、図1に示すよ
うなマトリクスアレイ基板(11)と対向基板(301) との間
に、夫々のラビング方向が直交するようにラビング処理
が施された図3に示すような配向膜(91),(331)を介して
液晶層(401) が挟持されて成っている。
In this liquid crystal display device (201), a rubbing process was performed between the matrix array substrate (11) and the counter substrate (301) as shown in FIG. 1 so that the rubbing directions were orthogonal to each other. The liquid crystal layer (401) is sandwiched by the alignment films (91) and (331) as shown in FIG.

【0019】マトリクスアレイ基板(11)は、絶縁基板(1
0)上に複数の信号線(21)および走査線(31)がマトリクス
状に配線され、各交点部分にスイッチ素子(41)を介して
I.T.O.(Indium-Tin-Oxide)から成る画素電極(5
1)が設置されている。また、走査線(31)と同一部材から
なり、走査線(31)と同一層に配置されて各画素電極(51)
との間で容量(Cs)を形成する補助容量線(61)を備え
てマトリクスアレイ基板(11)のマトリクス配線部(71)は
構成されている。
The matrix array substrate (11) is an insulating substrate (1
A plurality of signal lines (21) and scanning lines (31) are arranged in a matrix on the above (0), and the I.D. T. O. (Indium-Tin-Oxide) pixel electrode (5
1) is installed. Further, the pixel electrode (51) is made of the same member as the scanning line (31) and is arranged in the same layer as the scanning line (31).
The matrix wiring portion (71) of the matrix array substrate (11) is configured to include the auxiliary capacitance line (61) that forms a capacitance (Cs) between and.

【0020】そして、各信号線(21)は同一絶縁基板(10)
上に一体に形成された信号線駆動回路(121) に、各走査
線(31)も同一絶縁基板(10)上に一体に形成された走査線
駆動回路(131) に夫々接続されている。
Each signal line (21) has the same insulating substrate (10).
Each scanning line (31) is also connected to the signal line driving circuit (121) integrally formed on the same, and to the scanning line driving circuit (131) integrally formed on the same insulating substrate (10).

【0021】更に、マトリクス配線部(71)の一端と走査
線駆動回路(131) との間、およびマトリクス配線部(71)
の他端には、各走査線(31)と各補助容量線(61)とを接続
するための、走査線(31)および補助容量線(61)と同一部
材からなり、走査線(31)および補助容量線(61)と同一層
に配置されるショートパターン(81)が設置されてマトリ
クスアレイ基板(11)は構成されている。
Further, between one end of the matrix wiring part (71) and the scanning line driving circuit (131), and the matrix wiring part (71).
The other end of the scanning line (31) and the auxiliary capacitance line (61), for connecting the scanning line (31) and the auxiliary capacitance line (61) and the same member, the scanning line (31) Further, the matrix array substrate (11) is configured by installing the short pattern (81) arranged in the same layer as the auxiliary capacitance line (61).

【0022】このマトリクスアレイ基板(11)を構成する
マトリクス配線部(71)について、図2および図3を参照
して詳細に説明する。マトリクス配線部(71)に設けられ
るスイッチ素子(41)は、活性層(43a) が多結晶シリコン
膜で構成された薄膜トランジスタであって、活性層(43
a) に隣接し多結晶シリコン膜に不純物が添加されて成
るソース領域(43c) 、ドレイン領域(43b) を備え、活性
層(43a) 上にはゲート絶縁膜(45)を介して不純物が添加
された多結晶シリコンから成る走査線(31)と一体構成さ
れたゲート電極(41a) を備えている。
The matrix wiring portion (71) forming the matrix array substrate (11) will be described in detail with reference to FIGS. 2 and 3. The switch element (41) provided in the matrix wiring part (71) is a thin film transistor in which the active layer (43a) is composed of a polycrystalline silicon film, and the active layer (43
Adjacent to (a), a source region (43c) and a drain region (43b) are formed by adding impurities to the polycrystalline silicon film, and impurities are added on the active layer (43a) through the gate insulating film (45). And a gate electrode (41a) integrally formed with the scanning line (31) made of polycrystalline silicon.

【0023】また、マトリクス配線部(71)に設けられる
補助容量線(61)は、多結晶シリコン膜(43c) 上にゲート
絶縁膜(45)と同一工程で設置された絶縁膜(65)を介して
設置されており、ゲート電極(41a) と同一工程で形成さ
れた不純物が添加されて成る多結晶シリコンから成って
いる。そして、補助容量線(61)上には層間絶縁膜(67)を
介して画素電極(51)が設置されており、補助容量線(61)
と活性層(43a) の延長パターン間および画素電極(51)と
の間で補助容量(Cs)が形成されている。
Further, the auxiliary capacitance line (61) provided in the matrix wiring part (71) has an insulating film (65) provided on the polycrystalline silicon film (43c) in the same step as the gate insulating film (45). The gate electrode (41a) is made of polycrystalline silicon formed in the same step as the gate electrode (41a). Then, the pixel electrode (51) is installed on the auxiliary capacitance line (61) through the interlayer insulating film (67), and the auxiliary capacitance line (61)
An auxiliary capacitance (Cs) is formed between the extended pattern of the active layer (43a) and the pixel electrode (51).

【0024】また、この液晶表示装置(201) を構成する
対向基板(301) は、マトリクスアレイ基板(11)のスイッ
チ素子(41)を遮光するためのクロム(Cr)から成るマ
トリクス状の遮光部(311) と、この遮光部(311) 上に画
素電極(51)に対向する対向電極(321) を備えている。
The counter substrate (301) constituting the liquid crystal display device (201) is a matrix light-shielding portion made of chromium (Cr) for shielding the switch element (41) of the matrix array substrate (11). (311) and a counter electrode (321) facing the pixel electrode (51) are provided on the light shielding part (311).

【0025】特に、本実施例の遮光部(311) は、図1に
示すようにマトリクス配線部(71)上のみならずマトリク
スアレイ基板(11)を構成する駆動回路(121),(131) 上に
も一体的に設置されており、走査線(31)と補助容量線(6
1)とを接続するショートパターン(81)を切断するための
窓(83)を有して構成されている。
In particular, the light-shielding portion (311) of this embodiment is not only on the matrix wiring portion (71) as shown in FIG. 1, but also on the drive circuits (121), (131) constituting the matrix array substrate (11). It is also installed integrally on the top, and scan line (31) and auxiliary capacitance line (6
It has a window (83) for disconnecting the short pattern (81) connecting with (1).

【0026】そして、本実施例の液晶表示装置(201)
は、一対の基板(11),(301)間に液晶層( 401)が挟持され
た後に、遮光部(311) をマスクとして窓(83)に対応する
ショートパターン(81)がレーザにより一括して切断され
て成っている。
The liquid crystal display device (201) of this embodiment
After the liquid crystal layer (401) is sandwiched between the pair of substrates (11) and (301), the short pattern (81) corresponding to the window (83) is collectively formed by the laser using the light shielding part (311) as a mask. Made by cutting.

【0027】上述したように、本実施例の液晶表示装置
(201) によれば、製造途中においては各走査線(31)およ
び補助容量線(61)がショートパターン(81)によって接続
されているため、静電破壊による製造歩留まりの低下を
十分に抑えることができる。特に、本実施例では補助容
量線(61)と走査線(31)とが同一層に配置されているた
め、走査線(31)と補助容量線(61)とを接続するショート
パターン(81)を走査線(31)および補助容量線(61)と同一
層に形成することができる。従って、走査線(31)、補助
容量線(61)およびショートパターン(81)を一括して形成
することができるため、駆動回路(121),(131) が一体に
形成された液晶表示装置(201) であっても、コンタクト
ホール等を設けて走査線(31)および補助容量線(61)を接
続する等の煩わしさがなく、生産性、製造歩留まりを高
めることができる。
As described above, the liquid crystal display device of this embodiment
According to (201), since each scanning line (31) and auxiliary capacitance line (61) are connected by the short pattern (81) during manufacturing, it is possible to sufficiently suppress the decrease in manufacturing yield due to electrostatic breakdown. You can In particular, in this embodiment, since the auxiliary capacitance line (61) and the scanning line (31) are arranged in the same layer, a short pattern (81) connecting the scanning line (31) and the auxiliary capacitance line (61). Can be formed in the same layer as the scanning line (31) and the auxiliary capacitance line (61). Therefore, since the scanning line (31), the auxiliary capacitance line (61) and the short pattern (81) can be collectively formed, the liquid crystal display device in which the drive circuits (121) and (131) are integrally formed ( Even 201) does not have the trouble of providing a contact hole or the like to connect the scanning line (31) and the auxiliary capacitance line (61), and the productivity and the manufacturing yield can be improved.

【0028】また、本実施例の液晶表示装置(201) によ
れば、窓(83)を有する遮光部(311)を設けることによ
り、配向膜(91),(331)等に損傷を与えることなく液晶表
示装置(201) を製造する最終工程でショートパターン(8
1)を切断することができるため、配向膜(91),(331)のラ
ビング処理時等の製造途中に発生する静電気によっても
スイッチ素子(41)が破壊されることがなく、製造歩留ま
りを一層向上させることができる。
Further, according to the liquid crystal display device (201) of this embodiment, the alignment films (91), (331) and the like are damaged by providing the light shielding portion (311) having the window (83). Without the short pattern (8
Since 1) can be cut, the switch element (41) is not destroyed even by static electricity generated during manufacturing such as rubbing treatment of the alignment films (91) and (331), and the manufacturing yield is further improved. Can be improved.

【0029】実施例によれば、対向基板(301) 側に窓(8
3)を有する遮光部(311) を設けたが、例えばマトリクス
アレイ基板(11)のマトリクス配線部(71)と相対する基板
(10)表面に窓を有する遮光部を形成し、これにより窓に
対応するショートパターン(81)を切断しても良い。ま
た、遮光部の窓部に対応するショートパターン(81)上の
保護膜を除去しておくことにより、ショートパターン(8
1)の切断を一層容易に行うことができる。
According to the embodiment, the window (8
A light shielding part (311) having 3) is provided, but, for example, a substrate facing the matrix wiring part (71) of the matrix array substrate (11).
(10) A light-shielding portion having a window may be formed on the surface and the short pattern (81) corresponding to the window may be cut by this. Further, by removing the protective film on the short pattern (81) corresponding to the window portion of the light shielding part, the short pattern (8
The cutting of 1) can be performed more easily.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の液晶表示
装置によれば、少なくとも一方の基板に遮光部を設け、
この遮光部をマスクとしてショートパターンを除去する
ことにより、配向膜設置後であっても配向膜に損傷を与
えることなくショートパターンを除去することができ
る。従って、本発明によれば、アクティブマトリクス型
液晶表示装置のスイッチ素子の静電破壊を十分に低減さ
せることができ、製造歩留りを大幅に向上させることが
できる。
As described above in detail, according to the liquid crystal display device of the present invention, the light shielding portion is provided on at least one substrate,
By removing the short pattern using the light shielding portion as a mask, the short pattern can be removed even after the alignment film is installed without damaging the alignment film. Therefore, according to the present invention, the electrostatic breakdown of the switch element of the active matrix type liquid crystal display device can be sufficiently reduced, and the manufacturing yield can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】図1は本発明の一実施例のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an active matrix type liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図2は図1におけるマトリクス配線部の一部拡
大図である。
2 is a partially enlarged view of a matrix wiring portion in FIG.

【図3】図3は図2におけるA−A’線に沿って切断し
た液晶表示装置の概略断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of the liquid crystal display device taken along the line AA ′ in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

(11)…マトリクスアレイ基板 (21)…信号線 (31)…走査線 (41)…スイッチ素子 (61)…補助容量線 (81)…ショートパターン (201) …液晶表示装置 (11) Matrix array substrate (21) Signal line (31) Scan line (41) Switch element (61) Storage capacitance line (81) Short pattern (201) Liquid crystal display

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板上に複数の信号線および走査線
とがマトリクス状に配線され各交点部分にスイッチ素子
を介して画素電極が設置されたマトリクス配線部と,前
記各走査線または前記各信号線に接続されるショートパ
ターンと,前記信号線に接続される信号線駆動回路と,
前記走査線に接続される走査線駆動回路とを備えたマト
リクスアレイ基板と、前記マトリクスアレイ基板に対向
する対向基板と、前記マトリクスアレイ基板の前記ショ
ートパターンを切断する窓を有する遮光部とを具備し、
前記遮光部をマスクとして前記ショートパターンが切断
されて前記各走査線または前記各信号線が電気的に分離
されていることを特徴としたアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
1. A matrix wiring part in which a plurality of signal lines and scanning lines are wired in a matrix on an insulating substrate and pixel electrodes are provided at respective intersections via switch elements, and the scanning lines or the scanning lines. A short pattern connected to the signal line, a signal line drive circuit connected to the signal line,
A matrix array substrate including a scanning line driving circuit connected to the scanning lines, an opposite substrate facing the matrix array substrate, and a light shielding portion having a window for cutting the short pattern of the matrix array substrate. Then
An active matrix type liquid crystal display device, characterized in that the scanning pattern or the signal line is electrically separated by cutting the short pattern using the light shielding portion as a mask.
【請求項2】 請求項1記載の遮光部がマトリクスアレ
イ基板に形成されていることを特徴としたアクティブマ
トリクス型液晶表示装置。
2. An active matrix type liquid crystal display device, wherein the light-shielding portion according to claim 1 is formed on a matrix array substrate.
【請求項3】 請求項1記載の遮光部が対向基板に形成
されていることを特徴としたアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
3. An active matrix type liquid crystal display device, wherein the light-shielding portion according to claim 1 is formed on a counter substrate.
【請求項4】 請求項1記載のマトリクス配線部が前記
走査線と同一層に配置され前記画素電極との間で容量を
形成する補助容量線を備え、前記ショートパターンによ
って前記各走査線に接続され、前記遮光部をマスクとし
て前記ショートパターンが切断されて前記各走査線と前
記各補助容量線とが電気的に分離されていることを特徴
としたアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. The matrix wiring portion according to claim 1, further comprising an auxiliary capacitance line arranged in the same layer as the scanning line to form a capacitance with the pixel electrode, and connected to each scanning line by the short pattern. The active matrix liquid crystal display device is characterized in that the short pattern is cut by using the light shielding portion as a mask to electrically separate the scanning lines and the auxiliary capacitance lines.
【請求項5】 請求項4記載の前記各走査線、前記各補
助容量線および前記ショートパターンとが同一部材で形
成されていることを特徴としたアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
5. The active matrix liquid crystal display device according to claim 4, wherein each of the scanning lines, each of the auxiliary capacitance lines and the short pattern are formed of the same member.
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Cited By (7)

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