JPH0533816B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0533816B2 JPH0533816B2 JP61219475A JP21947586A JPH0533816B2 JP H0533816 B2 JPH0533816 B2 JP H0533816B2 JP 61219475 A JP61219475 A JP 61219475A JP 21947586 A JP21947586 A JP 21947586A JP H0533816 B2 JPH0533816 B2 JP H0533816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- frequency power
- processing chamber
- power source
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21947586A JPS6376434A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21947586A JPS6376434A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6376434A JPS6376434A (ja) | 1988-04-06 |
JPH0533816B2 true JPH0533816B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-05-20 |
Family
ID=16736016
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21947586A Granted JPS6376434A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | プラズマ処理装置及びプラズマクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6376434A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0760819B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1995-06-28 | 古河電気工業株式会社 | プラズマcvd装置のクリーニング方法 |
JP2684381B2 (ja) * | 1988-05-24 | 1997-12-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ気相反応方法 |
JP2680065B2 (ja) * | 1988-09-22 | 1997-11-19 | 株式会社日立製作所 | プラズマクリーニング方法 |
US5228939A (en) * | 1991-12-30 | 1993-07-20 | Cheng Chu | Single wafer plasma etching system |
JPH07142444A (ja) * | 1993-11-12 | 1995-06-02 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法 |
US5585012A (en) * | 1994-12-15 | 1996-12-17 | Applied Materials Inc. | Self-cleaning polymer-free top electrode for parallel electrode etch operation |
JP4931548B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-05-16 | 津田駒工業株式会社 | 傾斜テーブル装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5615044A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-13 | Toshiba Corp | Plasma cleaning method |
JPS5812347A (ja) * | 1981-07-15 | 1983-01-24 | Toshiba Corp | 半導体ウエ−ハ |
JPS5846639A (ja) * | 1981-09-14 | 1983-03-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21947586A patent/JPS6376434A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6376434A (ja) | 1988-04-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW410240B (en) | Method for cleaning etch by-product from plasma chamber surfaces | |
KR100403114B1 (ko) | 병렬전극에칭동작을위한중합체없는상부전극의자체세척방법및장치 | |
US5938854A (en) | Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure | |
KR940010866A (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 처리방법 | |
KR960002537A (ko) | 플라즈마 반응로에서 정전기 척 세척방법 | |
JPH0533816B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JPH10321604A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0555184A (ja) | クリーニング方法 | |
JPS6218030A (ja) | イオンビ−ムエツチング装置 | |
JPH04271122A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH11293468A (ja) | プラズマcvd装置およびそのクリーニング方法 | |
JPH07106307A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP3207638B2 (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
JPS61216327A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP3404434B2 (ja) | マイクロ波プラズマ装置のクリーニング方法 | |
JPS62130524A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH0831442B2 (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
Segers et al. | Thin Film Deposition Using a Dielectric‐barrier Discharge | |
KR101002335B1 (ko) | 상압 플라즈마 처리 장치 | |
JPH0423823B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
JP2885150B2 (ja) | ドライエッチング装置のドライクリーニング方法 | |
JPH09260360A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP2900546B2 (ja) | 液晶配向処理装置 | |
JP2609792B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JPH02148647A (ja) | イオン注入装置のイオンソース洗浄治具及び洗浄方法 |