JPH05335209A - 投影露光装置 - Google Patents

投影露光装置

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JPH05335209A
JPH05335209A JP4166963A JP16696392A JPH05335209A JP H05335209 A JPH05335209 A JP H05335209A JP 4166963 A JP4166963 A JP 4166963A JP 16696392 A JP16696392 A JP 16696392A JP H05335209 A JPH05335209 A JP H05335209A
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 所謂複数傾斜照明又は輪帯照明等を行う場合
に、簡単な構成で、且つ受光面の小さな反射率モニター
を用いて、ウエハの反射率をモニターする。 【構成】 ウエハWから反射された露光光を投影光学系
PL、レチクルR、ミラー17、主コンデンサーレンズ
16及びビームスプリッター15を介して反射率モニタ
ー25に導く。反射率モニター25を面P1の2次光源
像の最内部からの光線IL3が交差する面P2と、面P
1の2次光源像の最外部からの光線IL4が交差する面
P3との間に配置する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばウエハの反射率
が変化しても投影光学系の結像特性を所定の状態に維持
できる投影露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィー技術を用いて製造する際に、レチクルの
パターンを投影光学系を介してウエハ上に転写する縮小
投影露光装置が使用されている。斯かる投影露光装置の
重要な性能の1つに重ね合わせ精度があり、この重ね合
わせ精度に影響を与える主要な要素が投影光学系の倍率
誤差である。例えば超LSI等に用いられるパターンの
線幅は年々微細化され、ウエハ上での重ね合わせ精度の
向上に対する要求も強まっている。従って、投影光学系
の投影倍率を所定の範囲に保つ必要性も高まっている。
【0003】ところで、投影光学系の投影倍率は、装置
の僅かな温度変化、クリーンルーム内の大気の僅かな気
圧変動、大気の温度変化及び投影光学系への露光光の照
射履歴等により、所定の倍率の近傍で変動することが分
かっている。そこで、従来の投影露光装置には、投影光
学系の倍率を微調整して所定の倍率を得るための倍率補
正機構を有するものがある。そのような倍率補正機構と
して、例えば投影光学系中の所定のレンズ間隔を変化さ
せる機構又は投影光学系中の所定の空気室の圧力を調整
する機構等が知られている。
【0004】また、倍率に関する変動要因と同じ変動要
因により、投影光学系の最良結像面(焦点面)の位置又
は歪曲収差の状態等も変化する。このため、そのような
倍率補正機構の他に、焦点合わせの補正機構又は歪曲収
差の補正機構等を備えた投影露光装置もある。例えばレ
チクルを投影光学系の光軸に垂直な面に対して僅かに傾
けることにより、投影光学系の歪曲収差の状態を或る程
度調整することができる。
【0005】さて、上記の投影光学系の結像特性の変動
要因の内の、投影光学系への露光光の照射量を計測する
ために、従来の投影露光装置には、インテグレータセン
サー、照射量センサー及び反射率モニターが設けられて
いる。インテグレータセンサーとは、照明光学系からレ
チクルに向けて照射される露光光の内からビームスプリ
ッターにより分割された光を受光する光電変換素子より
なり、これにより投影光学系への露光光の照射量をモニ
ターすることができる。また、照射量センサーとは、ウ
エハが載置されているステージ上に配置された光電変換
素子であり、ステージを移動してその照射量センサーを
投影光学系の露光領域に配置することにより、ウエハに
対する露光光の照射量をモニターすることができる。
【0006】一方、反射率モニターとは、例えば特開昭
62−183522号公報に開示されているように、露
光光用の照明光学系中に配置されたビームスプリッター
に関して、露光光の2次光源の形状を設定する開口絞り
とほぼ対称な位置に配置された光電変換素子である。露
光光の2次光源の形状を設定する開口絞り面は投影光学
系の瞳面とほぼ共役であるため、反射率モニターは投影
光学系の瞳面とほぼ共役な面に配置されていたとも言う
ことができる。その反射率モニターは、ウエハで反射さ
れた後に、投影光学系及びそのビームスプリッターを介
して入射する露光光を光電変換するものであり、これに
よりウエハの反射率をモニターすることができる。
【0007】また、従来は露光光の2次光源としては、
一般に照明光学系の光軸を含む領域に円形に分布する通
常の2次光源が使用されていた。この場合には、そのビ
ームスプリッターにより反射された方向で且つ投影光学
系の瞳面と共役な面にも円形の2次光源像が形成される
ので、反射率モニターとしてはその円形の2次光源像と
同程度の受光面を有する光電変換素子を使用することが
できた。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
より投影光学系の解像度を高めると共に、焦点深度は比
較的深く維持できる照明法である所謂複数傾斜照明が本
出願人により提案されている。複数傾斜照明とは、露光
光の2次光源をそれぞれ照明光学系の光軸から偏心し、
且つ互いに分離された例えば4個の変形2次光源より形
成する照明法である。また、このような複数傾斜照明
は、転写対象とするレチクルのパターンに応じて使用さ
れるものであり、例えば2次光源形成面に配置された開
口絞り群の内から所望の開口絞りを選択する機構等によ
り、通常の照明法と複数傾斜照明法とを切り換えて使用
できる投影露光装置も提案されている。更に、輪帯照明
等も必要に応じて使用できる装置も考えられる。
【0009】それら種々の照明法の内の複数傾斜照明を
使用する場合、そのビームスプリッターにより反射され
た方向で且つ投影光学系の瞳面と共役な面には、中抜け
の状態で複数の変形2次光源の像が互いに分離して形成
される。従って、通常の照明法用に用意された反射率モ
ニターでは反射光を十分に受光することができず、ウエ
ハの反射率を良好に測定できないという不都合があっ
た。これに関して、その反射率モニターの受光面積をそ
れら複数の変形2次光源の像を完全に覆う程度に広くす
れば受光量は大きくなるが、受光面積が大きくなると光
電変換素子の応答速度が遅くなり、測定時間が長くなっ
てしまう。特に、露光光の光源としてパルスレーザー光
源を使用するような場合には、反射率モニターの応答速
度をできるだけ速くすることが望まれる。同様の不都合
は、輪帯照明を行う場合にも生ずる。
【0010】本発明は斯かる点に鑑み、所謂複数傾斜照
明又は輪帯照明を行うような場合にも、比較的簡単な構
成で、且つ比較的受光面の小さな反射率モニターを用い
て、ウエハ等の感光基板の反射率を高い応答速度でモニ
ターでき、このモニター結果に応じて投影光学系の結像
特性を制御できる投影露光装置を提供することを目的と
する。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、例えば図1及び図2に示す如く、露光光を発生す
る光源(1)と、その露光光により2次光源を形成する
2次光源形成手段(5,9)と、その2次光源からのそ
の露光光IL1を集光してマスクRを照明するコンデン
サー光学系(16)と、そのマスクRのパターンをその
露光光のもとでステージ(20)上の感光基板Wに転写
する投影光学系PLとを有する投影露光装置において、
その2次光源形成手段(5,9)は、そのコンデンサー
光学系(16)の光軸に対して偏心した2次光源(13
a〜13d)を形成し、その2次光源形成手段(5,
9)とその投影光学系PLとの間に配置されたビームス
プリッター(15)と、その投影光学系PL及びそのビ
ームスプリッター(15)を介して分離されるそのステ
ージ(20)上の物体からの反射光IL2により形成さ
れる偏心した2次光源像(面P1上の像)の最内部から
最も内方へ向かう光線IL3同士が交差する第1の面P
2と、この偏心した2次光源像の最外部から最も内方へ
向かう光線IL4同士が交差する第2の面P3との間に
設けられた光電変換素子(25)と、この光電変換素子
(25)からの光電変換信号に基づいてその投影光学系
PLの結像特性を制御する結像特性制御手段(8,2
4)とを有するものである。
【0012】
【作用】斯かる本発明によれば、その2次光源形成手段
(5,9)が、コンデンサー光学系(16)の光軸に対
して偏心した2次光源を形成すると、ステージ(20)
上の物体から投影光学系PL及びビームスプリッター
(15)を介して戻って来る反射光IL2により、例え
ば図1に示すように面P1にその偏心した2次光源の像
が結像される。しかしながら、この偏心した2次光源の
像は光軸から離れた領域に光量が分布しているので、面
P1でその像全体の光量を受光するには、光電変換素子
(25)の受光面積が大きくなり、応答速度が低くな
る。
【0013】そこで、本発明では、面P1上の2次光源
像の最内部(光軸に最も近い部分)から最も内方へ向か
う光線IL3同士が交差する第1の面P2と、面P1上
の2次光源像の最外部(光軸から最も離れた部分)から
最も内方へ向かう光線IL4同士が交差する第2の面P
3との間に光電変換素子(25)を配置している。これ
により、光電変換素子(25)の受光面積が小さくと
も、その面P1上の2次光源像を形成する光量の1/2
程度を受光することができる。
【0014】
【実施例】以下、本発明による投影露光装置の一実施例
につき図面を参照して説明する。本実施例は投影光学系
の結像特性制御機構を有する縮小投影露光装置に本発明
を適用したものである。図1は本実施例の縮小投影露光
装置の全体の構成を簡略化して示し、この図1におい
て、1は水銀ランプである。水銀ランプ1からの露光光
ILは楕円鏡2で焦光され、ミラー3で反射された後
に、インプットレンズ4でほぼ平行光束に変換される。
楕円鏡2とミラー3との間にシャッター6が配置され、
駆動モーター7によりそのシャッター6を閉じることに
より、露光光ILのインプットレンズ4に対する供給を
停止することができる。8は装置全体の動作を制御する
主制御系を示し、主制御系8が駆動モーター7の動作を
制御する。なお、水銀ランプ1の他に、KrFエキシマ
レーザー等のパルスレーザー光源又はその他の光源を使
用することができる。
【0015】インプットレンズ4から射出された露光光
ILは、フライアイレンズよりなるオプティカルインテ
グレータ5に入射し、オプティカルインテグレータ5の
射出側(レチクルR側)の焦点面に多数の2次光源が形
成される。また、この2次光源の形成面には可変開口絞
りとしての空間フィルター板9が配置されており、この
空間フィルター板9を回転駆動部10により所望の回転
角に設定することができる。
【0016】図2に示すように、空間フィルター板9の
回転軸9aの周囲には4種類の開口パターン11〜13
が形成されている。先ず第1の開口パターン11は通常
の光軸を中心とする円形の開口パターンであり、第2の
開口パターン12は輪帯状の開口パターンである。ま
た、第3の開口パターン13は、光軸から偏心した4個
の比較的大きな開口パターン13a〜13dより構成さ
れ、第4の開口パターン14は、光軸から偏心した4個
の比較的小さい開口パターン14a〜14dより構成さ
れている。これら第3の開口パターン13及び第4の開
口パターン14によりそれぞれ所謂複数傾斜照明用の変
形2次光源が形成され、第2の開口パターン12により
輪帯照明用の2次光源が形成される。
【0017】図1に戻り、オプティカルインテグレータ
5による2次光源形成面には、空間フィルター板9の複
数傾斜照明用の第3の開口パターン13が配置されてい
る。その開口パターン13はそのまま露光光ILの光軸
AXから偏心した変形2次光源とみなすことができる。
その開口パターン13より射出された露光光IL1は、
透過率が高く反射率の低いビームスプリッター15を経
て主コンデンサーレンズ16に入射する。この主コンデ
ンサーレンズ16により適度に集光された露光光IL1
は、ミラー17で反射されて照明視野絞りとしての可変
レチクルブラインド18を通過した後に、ほぼ均一な照
度でレチクルRを照明する。
【0018】レチクルRのパターン領域を通過した露光
光IL1は、投影光学系PLによりウエハW上のショッ
ト領域に集束され、これによりレチクルRのパターンが
ウエハWのそのショット領域に所定の縮小倍率で縮小さ
れて転写される。投影光学系PLのフーリエ変換面(瞳
面)には開口絞り19が配置され、そのフーリエ変換面
はオプティカルインテグレータ5の2次光源形成面と共
役である。また、ウエハWはZステージ20上に保持さ
れ、Zステージ20はXYステージ21上に載置されて
いる。XYステージ21は、投影光学系PLの光軸に垂
直な面内でウエハWを2次元的に位置決めすることがで
き、Zステージ20は投影光学系PLの光軸に平行な方
向にウエハWを位置決めすることができる。
【0019】そのZステージ20上のウエハWの近傍に
は、各種アライメント等の際の基準となる基準マークが
形成された基準マーク板22が形成されている。また、
ウエハWの反対側の近傍には遮光板23が設けられてお
り、この遮光板23で図示省略した移動鏡を露光光から
保護している。その移動鏡はレーザー干渉計によりXY
テーブル21の座標を計測するのに使用される。また、
本実施例ではその基準マーク板22及び遮光板23によ
り、ウエハWの反射率を計測する際の基準反射率の計測
が行われる。
【0020】24は圧力調整器を示し、主制御系8は圧
力調整器24を介して投影光学系PLの内部の所定の空
気室の圧力を調整する。このような空気室の圧力の調整
により投影光学系PLの投影倍率等の結像特性を所定範
囲で調整することができる。なお、圧力調整器24の代
わりに又は圧力調整器24と並行して、投影光学系PL
を構成するレンズ群の間の間隔等を調整する機構を設け
てもよく、更にレチクルRを投影光学系PLの光軸に垂
直な面から僅かに傾斜させる機構等を設けてもよい。レ
チクルRの傾斜により投影光学系PLの歪曲収差等の状
態を調整することができる。
【0021】更に、図示省略するも、投影光学系PLの
周囲に配置され大気圧及び温度を計測する装置、往路で
ビームスプリッター15に反射された露光光を受光する
ためのインテグレータセンサー及びZステージ20上に
配置され照射される露光光を受光する照射量モニターも
設けられ、これら装置による大気圧情報、温度情報、積
算露光量の情報及び照射量情報等が主制御系8に供給さ
れている。更に、可変レチクルブラインド18の開口部
の形状等の情報も主制御系8に供給されている。
【0022】次に、ウエハWから反射された露光光は、
投影光学系PL、可変レチクルブラインド18、ミラー
17及び主コンデンサーレンズ16を経てビームスプリ
ッター15に戻る。このビームスプリッター15で反射
された露光光IL2により面P1に開口パターン13の
像、即ち変形2次光源の像が結像される。従って、面P
1はオプティカルインテグレータ5の2次光源形成面及
び投影光学系PLの開口絞り19の配置面(瞳面)と共
役である。25は光電変換素子よりなる反射率モニター
を示し、本実施例ではその反射率モニター25の受光面
を、面P1から間隔dmin だけ離れた面P2と面P1か
ら間隔dmax だけ離れた面P3との間に配置する。一例
として、その反射率モニター25の受光面は面P2と面
P3との中央部に配置される。
【0023】この場合、面P2は、面P1上の変形2次
光源像の最も光軸に近い部分から最も光軸側へ向かう光
線IL3同士が交差する面であり、面P3は、面P1上
の変形2次光源像の最も光軸から離れた部分から最も光
軸側へ向かう光線IL4同士が交差する面である。反射
率モニター25の受光面の大きさはそれら光線IL3と
光線IL4とを受光できる程度の直径の円形であり、反
射率モニター25の光電変換信号Sを主制御系8に供給
する。
【0024】次に、それら面P2及び面P3の求め方に
ついて図3を参照して説明する。図3は図1の光学系か
らミラー17及びビームスプリッター15を省略した簡
略化した光学系であり、この図3はウエハWから反射さ
れた露光光IL2が投影光学系PL、レチクルR及び主
コンデンサーレンズ16を経て図示省略した反射率モニ
ターに入射する場合の光路を示している。
【0025】図3において、ウエハWからレチクルRに
対する投影光学系PLの投影倍率(通常の縮小倍率の逆
数)をβ、投影光学系PLの開口数をNA、ウエハW上
の正方形の露光領域26の1辺の長さを2L、主コンデ
ンサーレンズ16の焦点距離をfとする。この場合、ウ
エハW上の露光領域26に外接する円周の半径をr1、
露光領域26と共役なレチクルR上のパターン領域に外
接する円周の半径をr2とすると、以下の関係が成立す
る。 r1=21/2 ・L (1) r2=21/2 ・L・β (2)
【0026】また、面P1上に形成される2次光源像2
7の内側に内接する円(最小内接円)の半径をσmin
その2次光源像27の外側に外接する円(最大外接円)
の半径をσmax とする。ただし、これら最小内接円の半
径及び最大内接円の半径はそれぞれ投影光学系PLの開
口数で規格化した値であり、倍率を考慮した上で投影光
学系PLの開口絞りの半径と等しい半径が1である。
【0027】次に、一般化するために、図3の状態にお
いて、面P1の2次光源27の半径r3を投影光学系P
Lの開口数で規格化して半径σで表す。そして、ウエハ
Wから反射される露光光IL2の開口半角をθ1、レチ
クルRを通過する露光光IL2の開口半角をθ2、面P
1の2次光源像27における露光光IL2の開口半角を
θ3とする。この場合、開口半角θ1及びθ2はそれぞ
れ以下のように表すことができる。 sinθ1=NA・σ (3) sinθ2=NA・σ/β (4)
【0028】また、主コンデンサーレンズ16の焦点距
離はfであり、主コンデンサーレンズ16は正弦条件を
満足するものとすると、(4)式を用いて面P1上の2
次光源像27の半径r3の実際の値は次のようになる。 r3=f・sinθ2=f・NA・σ/β (5) 更に、面P1の2次光源像27における露光光IL2の
開口半角θ3は、(2)式を用いて次のように表すこと
ができる。 f・tanθ3=r2=21/2 ・L・β (6) この(6)式より開口半角θ3は、以下のように表すこ
とができる。 θ3=arctan(21/2 ・L・β/f) (7)
【0029】そして、面P1上の2次光源像27の半径
r3の規格化した値がσmin であるとすると、その半径
r3の部分を光軸AX側に入射角θ3で通過する光線I
L3が光軸AXと交差する位置に面P2があり、この面
P2と面P1との間隔dminは次のように表すことがで
きる。 dmin ・tanθ3=r3 (8) この(8)式に(5)式及び(6)式を代入すると、次
式が得られる。 dmin ・21/2 ・L・β/f=f・NA・σ/β (9) 従って、間隔dmin は次のようになる。 dmin =(f/β)2 NA・σmin /(21/2 ・L) (10)
【0030】同様に、面P1上の2次光源像27の半径
r3の規格化した値がσmax であるとすると、その半径
r3の部分を光軸AX側に入射角θ3で通過する光線I
L4が光軸AXと交差する位置に面P3(図1参照)が
あり、この面P3と面P1との間隔dmax は次のように
表すことができる。 dmax =(f/β)2 NA・σmax /(21/2 ・L) (11)
【0031】従って、図1において、反射率モニター2
5と面P1との間隔をdとすると、(10)式の間隔d
min 及び(11)式の間隔dmax を用いて、間隔dは以
下の条件を満足すればよい。 dmin <d<dmax (12)
【0032】図1に戻り、反射率モニター25を用いて
ウエハWの反射率を測定する方法の一例につき説明す
る。この場合、レチクルRがセットされているものとし
て、主制御系8は可変レチクルブラインド18の開口部
の形状を所定の状態に設定した後に、駆動モータ7を介
してシャッター6を開いておく。その後、主制御系8は
図示省略した駆動装置を介してXYステージ21を移動
させることにより、投影光学系PLの露光領域内に順次
基準マーク板22及び遮光板23を配置して、そのとき
の反射率モニター25の光電変換信号Sを検出する。そ
して、基準マーク板22及び遮光板23に対応する光電
変換信号SをそれぞれS1及びS2とする。また、基準
マーク板22の露光光IL1に対する正確な反射率R1
及び遮光板23の露光光IL1に対する正確な反射率R
2は予め主制御系8のメモリに記憶されているものとす
る。
【0033】次に、主制御系8は、XYステージ21を
移動させて投影光学系PLの露光領域内にウエハWを配
置して、このときの反射率モニター25の光電変換信号
Sを検出する。そして、主制御系8は、以下の補間式よ
りそのウエハWの露光光IL1に対する反射率Rを計算
する。 R=R1+{(S−S1)/(S2−S1)}(R2−R1) (13) その後、主制御系8は得られたウエハWの反射率R、投
影光学系PLの周囲の環境条件及び投影光学系PLへの
露光光IL1の露光量等に応じて、圧力調整器24を介
して投影光学系PLの結像倍率等を所定の状態に設定す
る。
【0034】この場合、複数傾斜照明を使用しているの
で、面P1に結像される変形2次光源像は中抜けの状態
で外接円はかなり大きな円である。しかしながら、本実
施例ではその面P1に反射率モニター25の受光面を配
置するのではなく、その面P1から間隔dmin だけ離れ
た面P2とその面P1から間隔dmax だけ離れた面P3
との間に反射率モニター25の受光面を配置している。
従って、その面P1における変形2次光源像に内接する
円程度の大きさの受光面でその変形2次光源像の全体の
1/2程度の光量を受光することができる。その内接円
の面積は外接円の面積の例えば1/4程度であるが、同
じ受光量を得るために必要な受光面積は、面P1に直接
受光面を配置する場合の1/2倍程度で済む。即ち、反
射率モニター25の受光面積を小さくして応答速度を速
くできると共に、光電変換信号のSNは良好である。
【0035】また、空間フィルター板9の回転角を変え
て他の開口パターン11,12,14(図2参照)がオ
プティカルインテグレータ5の2次光源形成面に配置さ
れた場合でも、その反射率モニター25により十分な光
量でウエハWからの反射光を受光することができる。
【0036】次に、本発明の他の実施例につき図4を参
照して説明する。図1に対応する部分に同一符号を付し
て示す図4において、ウエハWから反射されて来た露光
光の内で、ビームスプリッター15で反射された露光光
IL2により、面P1に2次光源像が結像される。本例
ではその面P1の近傍にフィールドレンズ28を配置す
る。そして、フィールドレンズ28の焦点距離をf1と
すると、フィールドレンズ28から距離f1だけ離れた
面P4、即ちフィールドレンズ28の後側のフーリエ変
換面に反射率モニター25の受光面を配置する。その面
P4は図1のウエハWの露光面と共役でもある。他の構
成は図1と同様である。
【0037】図4の例では、面P1に形成される2次光
源像のフーリエ変換像が反射率モニター25で受光され
る。その2次光源像のフーリエ変換像は光軸上で最も強
い分布となるので、反射率モニター25の受光面積が小
さくとも十分な光量を受けることができる。更に、図2
の開口パターン11〜14の内のどの開口パターンが使
用されてもフーリエ変換像の強度分布はほぼ相似になる
ため、図4の例ではどの開口パターン11〜14が使用
されても、常に十分な光量でウエハWからの反射光を受
けることができる。
【0038】次に、図5を参照して、本発明の更に他の
実施例につき説明する。図1に対応する部分に同一符号
を付して示す図5において、ウエハWから反射されて来
た露光光の内で、ビームスプリッター15で反射された
露光光IL2により、面P1に2次光源像が結像され
る。本例ではその面P1の近傍に拡散板29を配置し、
この拡散板29から所定間隔離れた位置に反射率モニタ
ー25を配置する。拡散板29としては、すりガラス、
フレネルレンズタイプの位相型の回折格子、通常の回折
格子又はランダムピンホール板等を使用することができ
る。他の構成は図1と同様である。
【0039】図5の例では、面P1に形成される2次光
源像からの光が拡散板29により拡散されて反射率モニ
ター25の受光面に入射する。従って、反射率モニター
25の受光面積が小さくとも或る程度の光量はその受光
面に入射するため、その反射率モニター25の応答速度
は良好である。なお、本発明は上述実施例に限定されず
本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る
ことは勿論である。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、ステージ上の物体から
の反射光により形成される2次光源像をデフォーカスさ
せた状態の光量を光電変換素子で検出している。従っ
て、所謂複数傾斜照明又は輪帯照明を行うような場合に
も、比較的簡単な構成で、且つ比較的受光面の小さな光
電変換素子(反射率センサー)を用いて、感光基板の反
射率を高い応答速度でモニターできる。更に、このモニ
ター結果に応じて結像特性制御手段により、投影光学系
の結像特性を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による投影露光装置の一実施例の全体の
構成を示す一部断面図を含む概略構成図である。
【図2】図1の空間フィルター板9の開口パターンを示
す線図である。
【図3】図1の間隔dmin 及び間隔dmax の求め方の説
明に供する線図である。
【図4】本発明の他の実施例の要部を示す構成図であ
る。
【図5】本発明の更に他の実施例の要部を示す構成図で
ある。
【符号の説明】
R レチクル PL 投影光学系 W ウエハ 1 水銀ランプ 4 インプットレンズ 5 オプティカルインテグレータ 8 主制御系 9 空間フィルター板 11 第1の開口パターン 13 第3の開口パターン 15 ビームスプリッター 16 主コンデンサーレンズ 20 Zステージ 21 XYステージ 22 基準マーク板 23 遮光板 24 圧力調整器 25 反射率モニター

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 露光光を発生する光源と、前記露光光に
    より2次光源を形成する2次光源形成手段と、前記2次
    光源からの前記露光光を集光してマスクを照明するコン
    デンサー光学系と、前記マスクのパターンを前記露光光
    のもとでステージ上の感光基板に転写する投影光学系と
    を有する投影露光装置において、 前記2次光源形成手段は、前記コンデンサー光学系の光
    軸に対して偏心した2次光源を形成し、 前記2次光源形成手段と前記投影光学系との間に配置さ
    れたビームスプリッターと、 前記投影光学系及び前記ビームスプリッターを介して分
    離される前記ステージ上の物体からの反射光により形成
    される偏心した2次光源像の最内部から最も内方へ向か
    う光線同士が交差する第1の面と、該偏心した2次光源
    像の最外部から最も内方へ向かう光線同士が交差する第
    2の面との間に設けられた光電変換素子と、 該光電変換素子からの光電変換信号に基づいて前記投影
    光学系の結像特性を制御する結像特性制御手段とを有す
    る事を特徴とする投影露光装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09127418A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nikon Corp 照明光学系
US6297877B1 (en) 1998-08-13 2001-10-02 Micron Technology, Inc. Methods for compensating for lens heating resulting from wafer reflectance in micro-photolithography equipment

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