JPH053340A

JPH053340A - 半導体集積回路装置

Info

Publication number: JPH053340A
Application number: JP3205278A
Authority: JP
Inventors: Toshio Sudo; 俊夫須藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-08-15
Filing date: 1991-08-15
Publication date: 1993-01-08

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、複数枚の半導体実装基板から構成
される半導体集積回路装置を提供することを目的とす
る。【構成】本発明の半導体集積回路装置は、互いに平行
に配置された複数の集積回路基板と、前記複数の各集積
回路基板上に配置された半導体集積回路と、前記複数の
各半導体集積回路を互いに電気的に接続する回路と、前
記複数の各半導体集積回路に電気的に接続され、前記半
導体集積回路から入力された電気信号を光信号に変換し
て、他の前記半導体実装基板に出力する光信号送信回路
と、前記複数の各半導体集積回路に電気的に接続され、
他の前記半導体実装基板から出力された光信号を受信し
て、電気信号に変換して、前記半導体集積回路に出力す
る光信号受信回路と、を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、複数枚の半導体実装基
板から構成される半導体集積回路装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路を用いてより高機能な電子機器
を構成するために、半導体集積回路上に、より多くの半
導体素子を構成することが求められてきた。その結果、
半導体集積回路は著しく進歩し、ますます、高集積化、
高速化が進んでいる。半導体集積回路の進歩に伴い、半
導体集積回路の多ピン化が進み、一つの半導体集積回路
からのＩ／Ｏ端子数は５００ピンを越えており、近い将
来には１０００ピンにもなると予想されている。

【０００３】しかし、上記のような多ピンが進んだ半導
体集積回路を通常のＰＧＡ(Pin Grid Array)やＱＦＰ(Q
uad Flat Package) に搭載した場合、パッケージの外形
寸法は５センチ角を越える。実際に、前記半導体集積回
路をプリント基板上に実装した場合、実装密度が上がら
ないという問題ばかりか、さらには、高速化した半導体
集積回路の性能を十分に発揮させることできないという
問題がある。

【０００４】上記のような問題を解決するために、シリ
コン基板上にポリイミドからなる絶縁層と銅等の導体材
料からなる所定の微細な配線とが順次形成され、前記基
板上に半導体集積回路をＴＡＢ(Tape Automated Bondin
g)やフリップチップなどのボンディング方法を用いて高
密度に実装する方法が最近研究開発されている。

【０００５】しかし、上述のような実装方法を用いて１
枚の基板上に多くの半導体集積回路を搭載して形成され
た高密度実装半導体集積回路、いわゆる半導体実装基
板、を複数枚電気的に接続して構成された半導体集積回
路装置では、信号の遅延時間が原因して装置の性能を十
分に発揮させることが困難であった。例えば、複数個の
プロセッサで構成される並列演算処理装置の場合は、プ
ロセッサ間の信号配線の数が増大していることから、各
プロセッサ間の信号伝達速度を速めることがシステム全
体の処理性能の向上につながる。一方、前記半導体集積
回路装置はプロセッサ間の接合部分等のようにインピー
ダンスが不整合になり易い箇所があることから、信号配
線経路全般にわたって特性インピーダンスを一定にする
のが困難になる。その結果、信号の反射、信号波形の歪
が生じる。また、信号配線間隔の狭化に伴いクロストー
クが起こり易くなることにより、信号にノイズが重畳す
るという問題があった。その結果、各プロセッサ間の信
号を電気的に高速に伝送するのが困難であった。

【０００６】上記のように１枚の基板上に多くの半導体
集積回路を搭載して形成された半導体実装基板を複数枚
電気的に接続して構成された半導体集積回路装置は、半
導体実装基板間の信号伝達が電気伝送路を介して行われ
ることから、コネクタ等による信号波形の劣化やバック
プレーンを経由するための遅延時間の増大を招き、結果
として、装置の機能を十分に発揮できなかった。

【０００７】上記より、１枚の基板上にＴＡＢ、フリッ
プチップ等のボンディング方法を用いて多数の半導体集
積回路を接続して形成された高密度な半導体実装基板を
複数枚電気的に接続して構成した従来の集積回路装置
は、各半導体実装基板間がコネクタ、バックプレーン等
を介して電気的に接続されていることから、（１）信号
波形に歪みが生じる、（２）信号伝達の遅延時間が増大
する、（３）半導体集積回路装置の能力が上がらない等
の問題を有していた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、各半
導体実装基板間の信号伝送路で生じる信号波形の歪み、
遅延時間等を改善し、高性能の半導体集積回路装置を提
供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】上記の目
的を達成するために、本発明の第１の局面に従った半導
体集積回路装置は、平行に配置された複数の半導体実装
基板と、前記半導体実装基板に選択的に形成された少な
くとも１つの開口部と、前記各半導体実装基板上の開口
部以外の場所に配置され、所定の処理を行う複数の半導
体集積回路と、前記複数の半導体実装基板間の光信号の
送受信を行うために、前記開口部に配置された複数の光
送受信手段と、

【００１０】前記光送受信手段は、前記半導体集積回路
で処理された電気信号を光信号に変換して他の前記半導
体実装基板に出力し、かつ、前記他の半導体実装基板か
ら受信した光信号を電気信号に変換して前記半導体集積
回路に出力する処理を行い、前記各基板内の前記半導体
集積回路と前記光送受信手段とを電気的に接続するため
の配線と、を具備することを特徴とする。本発明の第１
の局面に従った半導体集積回路装置により、半導体実装
基板の種類によらない半導体集積回路装置が得られる。
本発明の第２の局面に従った半導体集積回路装置は、選
択的に配置された開口部を有し、前記開口部の位置が一
致するように２枚重ねて形成された半導体実装基板と、
前記半導体実装基板の上面及び下面の開口部以外の場所
に選択的に配置された複数の半導体集積回路と、前記半
導体実装基板の前記開口部内にそれぞれ配置されたレン
ズと、前記開口部を覆うように、前記半導体実装基板の
上面及び下面にそれぞれ配置された光送受信素子と、前
記半導体集積回路と前記光送受信素子とを電気的に接続
するための配線と、を具備することを特徴とする。

【００１１】本発明の第２の局面に従った半導体集積回
路装置により、第１の半導体集積回路装置よりも更に高
密度で半導体集積回路が実装された半導体集積回路装置
が得られる。本発明の第３の局面に従った半導体集積回
路装置は、互いに平行に配置された複数の集積回路基板
と、前記複数の各集積回路基板上に配置され、所定の処
理を行うための半導体集積回路と、前記複数の各半導体
集積回路を互いに電気的に接続する手段と、

【００１２】前記複数の各半導体集積回路に電気的に接
続され、前記半導体集積回路から入力された電気信号を
光信号に変換して、他の前記半導体実装基板に出力する
光信号送信手段と、

【００１３】前記複数の各半導体集積回路に電気的に接
続され、他の前記半導体実装基板から出力された光信号
を受信して、前記光信号を電気信号に変換して、前記半
導体集積回路に出力する光信号受信手段と、を具備する
ことを特徴とする。

【００１４】前記光信号受信手段はフォトダイオードか
らなり、前記光信号送信手段は半導体レーザ或いは発光
ダイオードとからなることが好ましく、かつ、前記光信
号受信手段及び光信号送信手段が光送受信手段として一
体的に形成されることが好ましい。前記光送受信手段は
フォトダイオードと半導体レーザとからなることが好ま
しく、かつ、一体的に形成されることが好ましい。

【００１５】本発明の第１から第３の局面に従う半導体
集積回路装置は、半導体集積回路装置を構成する基板
と、半導体集積回路との熱膨張率がほぼ等しいことか
ら、前記基板と前記半導体集積回路との接続に対する信
頼性が高く、かつ、前記基板上への前記半導体集積回路
の実装を高密度に行うことが可能となる。

【００１６】光送受信素子は、作動時の熱の発生量が多
いが、発生した熱は、熱伝導性の良好なシリコン基板或
はＡｌＮ基板によって放熱することから、使用時におけ
る問題はない。本発明の第３の局面に従う半導体集積回
路装置において、半導体実装基板として透明のＡｌＮ基
板を使用した場合は、開口部を設ける必要がなくなる。
更に、本発明の第１から第３の局面に従う半導体集積回
路装置の共通の利点は下記の通りである。１）同一の半
導体実装基板上に搭載された複数の半導体集積回路が互
いに電気的に接合されていることから、高速に信号処理
ができる。２）各半導体実装基板間の信号伝送は光伝送
路を介して行われることから、信号伝送速度が電気伝送
路の信号伝送速度より大幅に速くなる。３）各半導体実
装基板間は直接光で結ばれていることから、インピーダ
ンスの不整合に起因する信号の反射が無くなる。４）信
号間の干渉が少ないことから、クロストークノイズが減
少し、かつ、信号遅延が配線抵抗と容量との時定数に依
存しなくなる。上記の利点により、伝送速度の高速化を
妨げる要因が減り、装置全体の能力が大幅に向上する。

【００１７】更に、本発明の半導体集積回路装置によれ
ば、半導体実装基板間の信号伝送が各半導体実装基板に
搭載された光送受信素子を介して光信号で行われること
から、（１）遅延時間が減少でき、（２）コネクタ等で
接続された箇所がなくなり、そして、（３）特性インピ
ーダンスの不整合や隣接配線間の電磁干渉によるノイズ
等の問題を回避できることから、結果として、動作速度
が速く、かつ、信頼性の高い半導体集積回路装置を得る
ことができる。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図１は本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路
装置の一部を取出して示す斜視図、図２は図１の半導体
集積回路装置の２−２断面図を示す。

【００１９】図１及び図２に示すように、半導体集積回
路装置は、複数の半導体実装基板１０が互いに所定の間
隔をおいて積層された構成をしている。半導体実装基板
１０間の間隔は後述するレンズ４６Ａ、４６Ｂによって
決まる。半導体実装基板１０は、円形状の複数のシリコ
ン基板２０と、前記基板上の中央部に搭載された所定数
の半導体集積回路３０と、シリコン基板２０の両端側に
設けられた開口部５０が位置するところに搭載された光
送受信素子４０Ａ及び４０Ｂ（単体、又は、アレイ状で
あり、以下同じ）と、からなる。シリコン基板２０、半
導体集積回路３０及び光送受信素子４０Ａ及び４０Ｂは
それぞれフリップチップ方式で接続されている。

【００２０】半導体実装基板１０は下記の手順で作製す
る。スピンコートでポリイミド樹脂をシリコン基板２０
上に塗布する。ポリイミド樹脂の乾燥後に層間絶縁膜を
シリコン基板２０上に形成する。蒸着またはスパッタリ
ングにより前記層間絶縁膜上に銅等の導電性材料を堆積
して金属層を形成する。前記金属層をフォトリソグラフ
ィを用いてパターニングして多層配線６０を形成する。
半導体集積回路３０と光送受信素子４０Ａ及び光送受信
素子４０Ｂとに半田バンプ６５を形成して多層配線６０
にフェイスダウンで接続する。

【００２１】隣接するシリコン基板２０間の距離はレン
ズ４６Ａ及び４６Ｂの焦点距離に合わせて設定される。
図２中左側の光送受信素子４０Ａはフォトダイオードチ
ップ４２Ａを上にし、図２中右側の光送受信素子４０Ｂ
は光発光素子４４Ｂを上にして、シリコン基板２０上に
それぞれ搭載されている。光発光素子４４Ａ及び４４Ｂ
は、ＧａＡｓ系やＩｎＰ系等の材料からなり、かつ、レ
ーザの発光面が主平面に直角になるような分布帰還型の
レーザ或いは発光ダイオードが用いられる。フォトダイ
オードチップ４２Ａ及び４２Ｂに用いるフォトダイオー
ドは、半導体レーザーの発光スペクトルに近いフォトダ
イオードが用いられる。

【００２２】図３に示すように、（１００）を主面とす
るシリコン基板２０の表面にウェットエッチングを施し
た場合、（１１１）面が（１００）面に対して５４．７
４度の角度で現れる。よって、開口部５０は、シリコン
基板２０の両面にウエットエッチングを施すことにより
形成することができる。

【００２３】図４に光送受信素子４０の構成例を示す。
光送信を行うための発光ダイオード部７２は、ＧａＡｓ
基板７０にＰＮ接合を形成することによって得られる。
光受信を行うためのフォトダイオード部７７は、シリコ
ン基板７５にＰＮ接合を形成することによって得られ
る。ＧａＡｓ基板７０とシリコン基板７５とは接着剤８
０によって互いに積層されている。光送受信素子４０の
送信信号は、発光ダイオード部７２により図中下方向へ
発生し、光送受信素子４０への受信信号は、フォトダイ
オード部７７により図中上方向から受信される。送受信
素子４０間の電気的接続、及び、光送受信素子４０と半
導体実装基板１０との電気的接続は、光送受信素子４０
のそれぞれの表面に形成された電極８５をワイヤボンデ
ィング又はバンプ等により行われる。放射された光信号
を集光させるレンズ（図示しない）は、高分子樹脂やガ
ラス系の材料を用いて、シリコン基板７５の上面、或い
は、ＧａＡｓ基板７０の下面に形成することによって得
ることができる。

【００２４】図５に、他の光送受信素子４０の構成例を
示す。図５は、ＧａＡｓ等の材料からなる基板７０に、
発光ダイオード部７２と、フォトダイオード部７７が同
一平面上に一体に形成されて電極８５が取り出されてい
る場合を示す。ここで、集光させるレンズ（図示しな
い）は、高分子樹脂やガラス系の材料を用いて、発光ダ
イオード部７２の表面の一部に形成するか、或いは、発
光ダイオード部７２とフォトダイオード部７７にまたが
るようにほぼ全面にわたって形成しても良い。

【００２５】図２のように構成された半導体集積回路装
置の半導体実装基板１０間の信号伝達は光信号によって
行われる。例えば、上方から下方に信号伝送する場合に
は、上方の半導体集積回路３０の電気信号が多層配線６
０を介して光送受信素子４０Ａに導入され、光発光素子
４４Ａにより電気信号が光信号に変換される。前記光信
号はレンズ４６Ａを介して下方のフォトダイオードチッ
プ４２Ａに入射する。そして、フォトダイオードチップ
４２Ａにより光信号が電気信号に変換され、前記変換さ
れた電気信号が配線６０を介して半導体集積回路３０に
導入される。逆に、下方から上方に信号伝送する場合に
は、各半導体実装基板１０に搭載された光送受信素子４
０Ｂを介して行われる。すなわち、下方の半導体集積回
路３０の出力信号が光発光素子４４Ｂにより電気信号か
ら光信号に変換され、前記変換された光信号がレンズ４
６Ｂを介して上方のフォトダイオード４２Ｂに入射され
て、前記入射された光信号がフォトダイオード４２Ｂに
より電気信号に変換され、前記電気信号が上方の半導体
集積回路３０に導入される。

【００２６】光送受信素子４０Ａ及び４０Ｂは、図４或
いは図５で示したような同一のものを、基板への電気的
な接続方法（例えば、ワイヤボンディング、バンプ）を
使い分けることによって得られる。最終的に、半導体集
積回路３０は、導入された電気信号に従って所定の処理
を行う。図６は本発明の第２の実施例に係る半導体集積
回路装置の概略構成を示す斜視図を示す。

【００２７】図６に示されている半導体集積回路装置が
第１の実施例と異なる点は、シリコン基板２０の中央部
に光送受信素子４０Ａ及び４０Ｂが配置され、かつ、前
記光送受信素子の外側に半導体集積回路３０が配置され
た半導体実装基板１０で構成されていることである。図
６のような構成でも前記各半導体実装基板１０間の信号
伝送は光を用いて行われることから、第１の実施例と同
様の効果を得ることができる。

【００２８】上記のように、光信号によって異なる半導
体実装基板間の信号伝送が行われた場合と、従来の電気
伝送路を介して異なる半導体実装基板間の信号伝送が行
われる場合とを比較すると、次のような利点がある。
１）電気伝送のように、信号遅延が配線抵抗と容量の時
定数で決定されず、かつ、信号伝送速度が速い。２）信
号間の干渉が少ないことから、クロストークノイズが減
少し、かつ、電磁波の輻射が少なく、クロストークノイ
ズ等の影響も受け難い。３）インピーダンスの不整合に
よる反射がない。４）アース線が不要である。５）空間
並列性がある。

【００２９】上記の各理由により、光伝送技術を用いた
信号伝送の方が電気伝送技術を用いた信号伝送より高速
で高信頼性が高くなることが分かる。特に、光伝送技術
を用いた場合、信号伝送速度が非常に速く、既に、２Ｇ
ｂｐｓ (bit per second) から１０Ｇｂｐｓに達する。
従って、各半導体実装基板間の信号伝送速度は大幅に速
くなり、装置全体の能力が向上する。

【００３０】半導体回路のクロック周波数は１００ＭＨ
ｚに達すると予測され、非常に複雑な信号処理ができる
高速な半導体集積回路を搭載した半導体実装基板が出現
する可能性が考えられる。しかし、非常に高速な半導体
集積回路を搭載した半導体集積回路であっても、光の伝
送速度に較べれば遅いことから、半導体実装基板間に遅
延時間が生じることはない。

【００３１】一方、光は信号伝送に関しては優れている
が、光そのものでの複雑な信号を処理する素子の開発に
までは至っていない。従って、光信号伝送は、簡単なス
イッチ機能を持つような回路に適している。以上述べた
ように、光信号伝送を有効に用いることにより、従来よ
り高速の半導体集積装置が得られる。

【００３２】図７は、本発明の第３の実施例（図１また
は図２参照）に係る半導体集積回路装置の断面構造を示
す図である。図７において、図１及び図２と同じ部材に
は、同じ番号を付している。

【００３３】本実施例において、第１の実施例と異なる
点は、基板として結晶化した透光性ＡｌＮを用いている
点である。本実施例では基板が透明であることから、図
２に示すような開口部５０は必要がなくなる。

【００３４】図７において、透光性を有する結晶化した
ＡｌＮ基板２５上には多層配線層６０が形成されてい
る。半導体集積回路３０は、バンプ６５によりフリップ
チップ方式でＡｌＮ基板２５上の多層配線層６０に電気
的に接続されている。半導体集積回路３０はシリコン
（α＝３．０×１０^-6）でできており、ＡｌＮ基板２５
（α＝４．５×１０^-6）と熱膨張率がほぼ等しい。これ
故、フリップチップ方式で使うバンプ６５には熱応力が
掛からないため、シリコンからなる半導体集積回路３０
とＡｌＮ基板２５との組み合わせにより信頼性の高い接
続が得られる。多層配線層６０は、層間絶縁層にポリイ
ミド等をスピンコートで塗布し、乾燥させて形成され
る。配線導体は、銅やアルミニウム等の金属を基板に蒸
着、或いは、スパッタ法で基板の全面に形成後、フォト
エッチング・プロセスによりパターン化して得ることが
できる。半導体集積回路３０間同士の電気信号のやりと
りは、半導体集積回路３０をフリップチップ方式で高密
度に実装することにより、実装遅延を極力小さく抑える
ことができる。更に、半導体集積回路３０の高密度実装
による負荷容量の低減により、半導体集積回路３０間の
消費電力を少なくすることができる。

【００３５】ＡｌＮ基板２５間の信号伝送は、光送受信
素子４０Ａ、４０Ｂ（単体或いはアレイ状素子）によっ
て行われる。光送受信素子４０Ａ、４０Ｂは、半導体集
積回路３０からの電気信号を光に変換したり、逆に、光
から電気信号への変換を行うために大きな熱を発生す
る。光送受信素子４０Ａ、４０Ｂは透光性の高い接着剤
でＡｌＮ基板２５に直接接着され、光送受信素子４０
Ａ、４０Ｂから発生した熱は、熱伝導性の良好なＡｌＮ
基板２５に伝達して放熱される。ＧａＡｓ等の材料で構
成される光送受信素子４０Ａ、４０Ｂは、ＡｌＮ基板２
５に比べて大きさが小さいため熱膨張率の差は、接着時
に問題とならない。

【００３６】光送受信素子４０Ａから放射された光信号
は、透光性を有する結晶化したＡｌＮ基板２５を透過し
て、積層された位置関係にある隣合ったＡｌＮ基板２５
上に配置された光送受信素子４０Ａで受光する。光送受
信素子４０Ａの搭載されたＡｌＮ基板２５の他の面に、
ガラス、或いは、高分子樹脂よりなる半円球状のレンズ
を接着して光を集光させ、隣合ったＡｌＮ基板２５上に
対向するように配置された光送受信素子４０Ａで光信号
の送受を行う。

【００３７】図８は本発明の第４の実施例に係る半導体
集積回路装置の概略構成を示す。本実施例では、図８に
示すように非透光性のセラミック状ＡｌＮ基板２６に貫
通したスルーホール５０を開け、光送受信素子４０Ａ、
４０Ｂの搭載された他の面に、ガラス、或いは、高分子
樹脂よりなる半円球状のレンズ４６Ａ及び４６Ｂを第３
の実施例と同様に光を集光させ、光信号の送受を行うこ
とができる。図９は本発明の第５の実施例に係る半導体
集積回路装置の断面図を示す。

【００３８】図９の半導体集積回路装置は、第１の実施
例で用いたシリコン基板２０を２枚重ねて形成されたシ
リコン基板２１と、このシリコン基板２１の中央部両面
にバンプ６５を介して接続された半導体集積回路３０
と、シリコン基板２１の両端側にレンズが設けられてい
ない光送受信素子４０Ａ及び４０Ｂと、シリコン基板２
１の開口部５０に設けられたレンズ４６とで構成され
る。

【００３９】上記のような構成でも第１の実施例と同様
の効果を得ることができる。更に、本実施例は、シリコ
ン基板２１の両面に半導体集積回路３０を設けたことに
より第１の実施例よりも実装密度が高くなる。

【００４０】本発明は上述した実施例に限定されない。
例えば、半導体集積回路の動作速度と光信号伝送速度と
が異なる場合には、図１０に示すような回路構成により
前記速度差が解決可能である。図１０は下記の信号処理
手順を示している。半導体集積回路の複数の処理信号が
マルチプレクサ（ＭＵＸ）を介して一個の高速電気信号
に変換される。前記電気信号がレーザードライバに導入
されて半導体レーザーの駆動により高速電気信号が光信
号に変換される。前記光信号が他の半導体実装基板のフ
ォトダイオードに入射されて、前記他の半導体実装基板
内で電気信号に変換される。前記電気信号がデマルチプ
レクサ（ＤＭＵＸ）に導入されて元の複数個の電気信号
に戻される。前記電気信号が半導体集積回路に導入され
て信号処理がなされる。上記の処理において、フォトダ
イオードからの信号レベルが低い場合には、シリコン基
板内に信号増幅器を形成し、基板内に形成された増幅器
で信号レベルを増幅した後に信号をＤＭＵＸに導入して
もよい。

【００４１】上記の実施例のように、光送受信素子４０
は、半導体実装基板１０の周辺部、或いは、中心に配置
しても良い。レンズ４６は、光送受信素子４０の表面に
直接形成するか、半導体実装基板１０の光送受信素子４
０の配置された反対側の面上に形成しても良い。上記の
ように、本発明は上記の実施例に限定されず、その他、
本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体集積回路装
置の概略構成を示す斜視図。

【図２】図１の半導体集積回路装置の２−２断面図。

【図３】シリコン基板の開口部を形成方法を説明するた
めの断面図。

【図４】光送受信素子の１構成例を示す図。

【図５】光送受信素子の他の構成例を示す図。

【図６】本発明の第２の実施例に係る半導体集積回路装
置の概略構成を示す斜視図。

【図７】本発明の第３の実施例に係る半導体集積回路装
置の断面図。

【図８】本発明の第４の実施例に係る半導体集積回路装
置の概略構成を示す図。

【図９】本発明の第５の実施例に係る半導体集積回路装
置の概略構成を示す図。

【図１０】半導体集積回路の動作速度と光信号伝送との
速度とが異なる場合の解決方法を説明するための回路ブ
ロック図。

【符号の説明】

１０…半導体実装基板、２０…シリコン基板、３０…半
導体集積回路、４０Ａ、４０Ｂ…光送受信素子、４２
Ａ、４２Ｂ…光発光素子、４４Ａ、４４Ｂ…半導体レー
ザチップ、４６Ａ、４６Ｂ…レンズ、６０…配線、６５
…バンプ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに平行に配置された複数の半導体実装
基板と、前記複数の半導体実装基板の各々の上に配置さ
れた複数の半導体集積回路と、前記各半導体実装基板上
の前記複数の半導体集積回路を互いに電気的に接続する
手段と、前記各半導体実装基板上の前記複数の半導体集
積回路の各々に電気的に接続され、前記半導体集積回路
から入力された電気信号を光信号に変換して、前記光信
号を他の前記半導体実装基板に出力する光信号送信手段
と、前記各半導体実装基板上の前記複数の半導体集積回
路の各々に電気的に接続され、他の前記半導体実装基板
から出力された光信号を受信して、前記光信号を電気信
号に変換して、前記電気信号を対応する前記半導体集積
回路に出力する光信号受信手段と、を具備し、前記半導
体実装基板が、シリコン叉はシリコンに近い熱膨張率を
有する材料で構成されることを特徴とする半導体集積回
路装置。
【請求項２】前記光信号送信手段である発光ダイオード
叉は半導体レーザ部と、前記光信号受信手段であるフォ
トダイーオード部と、が一体形成、或は、それぞれが積
層されて構成され、その上下方向に光信号を送受するこ
とを可能とした請求項１に記載の半導体集積回路装置。