JPH05333299A - 基体の端面処理法 - Google Patents
基体の端面処理法Info
- Publication number
- JPH05333299A JPH05333299A JP13834992A JP13834992A JPH05333299A JP H05333299 A JPH05333299 A JP H05333299A JP 13834992 A JP13834992 A JP 13834992A JP 13834992 A JP13834992 A JP 13834992A JP H05333299 A JPH05333299 A JP H05333299A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- burrs
- substrate
- organic resin
- end surface
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示素子製作工程の基板平滑化において
発生するばりを除去することで、以後の製作工程でのば
りによる悪影響を防止して表示品位の向上を図る。 【構成】 レーザービーム１５のほか高水圧ジェット水
等で第１の基体１１上の、有機樹脂からなる端面のばり
１３を変形または昇華除去する構成よりなり、後工程に
おけるばりの悪影響を除去する。
発生するばりを除去することで、以後の製作工程でのば
りによる悪影響を防止して表示品位の向上を図る。 【構成】 レーザービーム１５のほか高水圧ジェット水
等で第１の基体１１上の、有機樹脂からなる端面のばり
１３を変形または昇華除去する構成よりなり、後工程に
おけるばりの悪影響を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示素子に使用す
る基体の端面処理法に関する。
る基体の端面処理法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は通常相対向する上下２枚
の基体上に形成した電極間に液晶分子を配列させ、これ
ら電極間に印加する電圧を制御することで画面表示させ
る。最近のＯＡ用パソコン使用の液晶表示素子に要求さ
れる画素数および画面サイズは縦横の桁数が数百本以
上、対角線で２０数cm以上である。単純マトリックス型
表示素子において、このような桁数を効率良く駆動させ
るためには液晶を２００桁以上で高時分割駆動させるこ
と、駆動させた時に印加電圧に対して透過率が急峻な変
化特性を示し、表示品位の低下を軽減することが可能な
ＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）
液晶が使用される。そしてこのＳＴＮ液晶は上下電極の
電極間距離（以下セルギャップ）に対して極めて敏感で
あり、セルギャップの不均一性（凹凸度）はコントラス
ト、表示むらとして表示品位を低下させ階調表示特性を
も損なう。そして良好な表示特性を得るために基体の凹
凸度は１０cm当り０．０５μｍ以下に制御することが必
要である。したがってセルギャップの均一性を上げる
（基体の平滑化）方法として、研磨したガラス板を基体
として使用することやカラー液晶表示の場合、特開昭６
３−２２８２０６号公報に記載の研磨したガラス上に形
成したカラーフィルター面をさらに研磨したり、カラー
フィルター上に樹脂薄膜を塗布した後に、この樹脂薄膜
を平滑化する技術が考案されている。すなわちガラス上
に形成したカラーフィルター面を詳細に観察した場合
は、平面は０．５から１μｍの凹凸度を持っており、こ
の凹凸度を緩和するには方法として２から３μｍの樹脂
薄膜を塗布し、その後平滑化したガラスでプレスするこ
とで表面を０．０５μｍの凹凸度にする手法が示されて
いる。
の基体上に形成した電極間に液晶分子を配列させ、これ
ら電極間に印加する電圧を制御することで画面表示させ
る。最近のＯＡ用パソコン使用の液晶表示素子に要求さ
れる画素数および画面サイズは縦横の桁数が数百本以
上、対角線で２０数cm以上である。単純マトリックス型
表示素子において、このような桁数を効率良く駆動させ
るためには液晶を２００桁以上で高時分割駆動させるこ
と、駆動させた時に印加電圧に対して透過率が急峻な変
化特性を示し、表示品位の低下を軽減することが可能な
ＳＴＮ（ＳｕｐｅｒＴｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）
液晶が使用される。そしてこのＳＴＮ液晶は上下電極の
電極間距離（以下セルギャップ）に対して極めて敏感で
あり、セルギャップの不均一性（凹凸度）はコントラス
ト、表示むらとして表示品位を低下させ階調表示特性を
も損なう。そして良好な表示特性を得るために基体の凹
凸度は１０cm当り０．０５μｍ以下に制御することが必
要である。したがってセルギャップの均一性を上げる
（基体の平滑化）方法として、研磨したガラス板を基体
として使用することやカラー液晶表示の場合、特開昭６
３−２２８２０６号公報に記載の研磨したガラス上に形
成したカラーフィルター面をさらに研磨したり、カラー
フィルター上に樹脂薄膜を塗布した後に、この樹脂薄膜
を平滑化する技術が考案されている。すなわちガラス上
に形成したカラーフィルター面を詳細に観察した場合
は、平面は０．５から１μｍの凹凸度を持っており、こ
の凹凸度を緩和するには方法として２から３μｍの樹脂
薄膜を塗布し、その後平滑化したガラスでプレスするこ
とで表面を０．０５μｍの凹凸度にする手法が示されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような従来の構成
では、基体の端面に発生するばりの除去法に関しては記
述されていない。図５にその問題点を示す。すなわち図
５は基板５１上に形成した樹脂薄膜層５２を鏡面研磨の
平滑性をもつ別の基板でプレス加工した断面図を示し、
５３はこの時に基板端面に発生するばりである。ばり５
３のサイズは１から２mmである。ばり５３の形状が図の
ように鋭く、かつ端面から少し出ている。樹脂薄膜層５
２はシリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアクリ
レート系樹脂などである。このばりは液晶表示素子を製
造する以下の工程（透明電極形成工程、配向膜印刷工
程、ラビング処理工程など）で剥離しやすく、剥離した
ばりはごみになり、このごみを洗浄工程で除去する方法
が実施されている。ごみを除去する洗浄工程として純水
ブラシ洗浄、純水超音波洗浄、フロン洗浄など半導体プ
ロセスの洗浄が実施されているが充分に除去しきれてい
ない。そしてごみは透明電極にピンホールの発生や配向
膜面に配向乱の発生を起こし、これが原因で部分的な非
表示や表示むらによって表示品位を低下させるという課
題があった。
では、基体の端面に発生するばりの除去法に関しては記
述されていない。図５にその問題点を示す。すなわち図
５は基板５１上に形成した樹脂薄膜層５２を鏡面研磨の
平滑性をもつ別の基板でプレス加工した断面図を示し、
５３はこの時に基板端面に発生するばりである。ばり５
３のサイズは１から２mmである。ばり５３の形状が図の
ように鋭く、かつ端面から少し出ている。樹脂薄膜層５
２はシリコーン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアクリ
レート系樹脂などである。このばりは液晶表示素子を製
造する以下の工程（透明電極形成工程、配向膜印刷工
程、ラビング処理工程など）で剥離しやすく、剥離した
ばりはごみになり、このごみを洗浄工程で除去する方法
が実施されている。ごみを除去する洗浄工程として純水
ブラシ洗浄、純水超音波洗浄、フロン洗浄など半導体プ
ロセスの洗浄が実施されているが充分に除去しきれてい
ない。そしてごみは透明電極にピンホールの発生や配向
膜面に配向乱の発生を起こし、これが原因で部分的な非
表示や表示むらによって表示品位を低下させるという課
題があった。
【０００４】本発明は上記課題を解決するもので、樹脂
材料からなる端面のばりを除去し、ピンホール、配向乱
れ、表示むらのない液晶表示素子を得ることができる基
体の端面処理法を提供することを目的とする。
材料からなる端面のばりを除去し、ピンホール、配向乱
れ、表示むらのない液晶表示素子を得ることができる基
体の端面処理法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
めに本発明は、第１の基体上端面の樹脂薄膜のばりをレ
ーザー照射による加熱加工や加熱された金属こてによる
加熱加工で形状変化または昇華すること、または高水圧
のジェット水の吹き付けで切削することまたは研削砥石
ペーパーで切削することでばりを実質的に除去する構成
による。
めに本発明は、第１の基体上端面の樹脂薄膜のばりをレ
ーザー照射による加熱加工や加熱された金属こてによる
加熱加工で形状変化または昇華すること、または高水圧
のジェット水の吹き付けで切削することまたは研削砥石
ペーパーで切削することでばりを実質的に除去する構成
による。
【０００６】
【作用】上記構成により、ばりが実質的に除去されるの
で液晶表示素子を製造する以後の工程において剥離され
たばりによるごみが原因での表示品位低下の防止にな
る。
で液晶表示素子を製造する以後の工程において剥離され
たばりによるごみが原因での表示品位低下の防止にな
る。
【０００７】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例の基体の端面処
理法を示す構成図である。すなわちエキシマレーザーを
基板１１端面の樹脂薄膜１２の端面のばり１３に照射し
てばり形状を変化させるかまたは昇華させ実質的に除去
する方法を示す。樹脂薄膜１２が可視光をほぼ透過する
ためにレーザーヘッド１４から出射するエキシマレーザ
ービーム１５の波長は０．３μｍ、照射強度は１０から
１０2ｋＷ／mm2、照射スポット径は１から２mmで可能で
ある。図１において１６はステージ、１７はケーブル、
１８は電源であり、その電源１８から発振したエキシマ
レーザーはレーザーヘッド１４からレーザービーム１５
を基板１１上の薄膜樹脂１２の端面のばり１３に照射す
る。
理法を示す構成図である。すなわちエキシマレーザーを
基板１１端面の樹脂薄膜１２の端面のばり１３に照射し
てばり形状を変化させるかまたは昇華させ実質的に除去
する方法を示す。樹脂薄膜１２が可視光をほぼ透過する
ためにレーザーヘッド１４から出射するエキシマレーザ
ービーム１５の波長は０．３μｍ、照射強度は１０から
１０2ｋＷ／mm2、照射スポット径は１から２mmで可能で
ある。図１において１６はステージ、１７はケーブル、
１８は電源であり、その電源１８から発振したエキシマ
レーザーはレーザーヘッド１４からレーザービーム１５
を基板１１上の薄膜樹脂１２の端面のばり１３に照射す
る。
【０００８】図２は図１のエキシマレーザー照射後に端
面のばりが形状変形し、変形した様子を示す。２１は基
板、２２は樹脂薄膜、２３は変形したばりである。
面のばりが形状変形し、変形した様子を示す。２１は基
板、２２は樹脂薄膜、２３は変形したばりである。
【０００９】図３は第２の実施例を示す。図３におい
て、３１は基板、３２は樹脂薄膜、３３は端面のばり、
３４は金属こて、３５は加熱ヒータ、３６はステージ、
３７はケーブル、３８は電源である。すなわち高温に加
熱された金属こて３４を端面のばり３３に接触させるこ
とでばり形状を変化させるかまたは昇華させ実質的に除
去する方法を示す。
て、３１は基板、３２は樹脂薄膜、３３は端面のばり、
３４は金属こて、３５は加熱ヒータ、３６はステージ、
３７はケーブル、３８は電源である。すなわち高温に加
熱された金属こて３４を端面のばり３３に接触させるこ
とでばり形状を変化させるかまたは昇華させ実質的に除
去する方法を示す。
【００１０】図４は第３の実施例を示す。図４におい
て、４１は基板、４２は樹脂薄膜、４３は端面のばり、
４４はノズル、４５は高水圧ジェット水、４６はステー
ジ、４７は配管ケーブル、４８はコンプレッサー電源で
ある。すなわち、コンプレッサー電源４８で加圧された
液体が細いノズル４４から高水圧のジェット水４５を端
面のばり４３に吹き付けてばり４３を切削除去させる方
法を示す模式図である。ノズル４４の吹き出し径は約１
mm、水圧は約９００kg／cm2、ばり４３に対して吹き付
ける角度や距離を適当に選択することで除去できる。
て、４１は基板、４２は樹脂薄膜、４３は端面のばり、
４４はノズル、４５は高水圧ジェット水、４６はステー
ジ、４７は配管ケーブル、４８はコンプレッサー電源で
ある。すなわち、コンプレッサー電源４８で加圧された
液体が細いノズル４４から高水圧のジェット水４５を端
面のばり４３に吹き付けてばり４３を切削除去させる方
法を示す模式図である。ノズル４４の吹き出し径は約１
mm、水圧は約９００kg／cm2、ばり４３に対して吹き付
ける角度や距離を適当に選択することで除去できる。
【００１１】本発明は如何にして実質的にばり除去を行
うかを基本的方法とするものであって上記実施例で説明
した以外にも金属板ばり除去に通常使用されるやすり掛
けや研削砥石ペーパーによる方法も当然可能である。
うかを基本的方法とするものであって上記実施例で説明
した以外にも金属板ばり除去に通常使用されるやすり掛
けや研削砥石ペーパーによる方法も当然可能である。
【００１２】そして各々のばり除去法において実際の工
程では、基板をレーザーヘッド１４や金属こて３４や高
水圧ノズル４４のそれぞれのヘッドに対して相対的に移
動させることで基板周辺部のばりを自動的に除去するこ
とが可能である。
程では、基板をレーザーヘッド１４や金属こて３４や高
水圧ノズル４４のそれぞれのヘッドに対して相対的に移
動させることで基板周辺部のばりを自動的に除去するこ
とが可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、第１の基体上端面の樹脂薄膜のばりをレーザー照射
による加熱加工や加熱された金属こてによる加熱加工で
形状変化または昇華すること、または高水圧のジェット
水の吹き付けで切削することまたは研削砥石ペーパーで
切削することでばりを実質的に除去する構成によるの
で、液晶表示素子のプレス平滑化工程以後の製造工程に
おけるばりが起因するごみによる電極のピンホール、配
向乱れ、部分的な非表示、表示むらなどが低減でき、よ
り均一な液晶表示素子を得ることができる基体の端面処
理法を提供できる。
は、第１の基体上端面の樹脂薄膜のばりをレーザー照射
による加熱加工や加熱された金属こてによる加熱加工で
形状変化または昇華すること、または高水圧のジェット
水の吹き付けで切削することまたは研削砥石ペーパーで
切削することでばりを実質的に除去する構成によるの
で、液晶表示素子のプレス平滑化工程以後の製造工程に
おけるばりが起因するごみによる電極のピンホール、配
向乱れ、部分的な非表示、表示むらなどが低減でき、よ
り均一な液晶表示素子を得ることができる基体の端面処
理法を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例である基体の端面処理法
を示す構成図
を示す構成図
【図２】図１の基体の端面処理法による端面のばりの様
子を示す断面図
子を示す断面図
【図３】本発明の第２の実施例である基体の端面処理法
を示す構成図
を示す構成図
【図４】本発明の第３の実施例である基体の端面処理法
を示す構成図
を示す構成図
【図５】従来の基体の端面処理法による端面のばりの様
子を示す断面図
子を示す断面図
１１ 基板（第１の基体） １２ 樹脂薄膜 １３ 端面のばり（ばり部） １４ レーザーヘッド １５ レーザービーム １６ ステージ １７ ケーブル １８ 電源
Claims (5)
- 【請求項１】第１の基体上に有機樹脂膜層を塗布法で形
成する工程と、この有機樹脂膜層を鏡面研磨精度の表面
平滑性を持つ第２の基体でプレス加工する工程と、その
表面が平滑になった有機樹脂膜層から前記第２の基体を
剥離して前記第１の基体の端面に発生する有機樹脂から
なるばり部にレーザービームを照射して前記ばり部を変
形または昇華除去する工程とを少なくとも有することを
特徴とする基体の端面処理法。 - 【請求項２】有機樹脂からなるばり部にレーザービーム
を照射する代わりに加熱された金属こてを接触させるこ
とを特徴とする請求項１記載の基体の端面処理法。 - 【請求項３】有機樹脂からなるばり部にレーザービーム
を照射して前記ばり部を変形または昇華除去する代わり
に高水圧のジェット水を吹き付け、ばり部を切削除去す
ることを特徴とする請求項１記載の基体の端面処理法。 - 【請求項４】有機樹脂からなるばり部にレーザービーム
を照射して前記ばり部を変形または昇華除去する代わり
に有機樹脂からなるばり部を研削砥石ペーパーで切削除
去することを特徴とする請求項１記載の基板の端面処理
法。 - 【請求項５】第１の基体を加工用レーザーヘッド、金属
こて、高水圧ノズルまたは研削砥石ペーパーに対して相
対的に移動させながら加工することを特徴とする請求項
１，２，３または４記載の基体の端面処理法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13834992A JPH05333299A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 基体の端面処理法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13834992A JPH05333299A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 基体の端面処理法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333299A true JPH05333299A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15219853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13834992A Pending JPH05333299A (ja) | 1992-05-29 | 1992-05-29 | 基体の端面処理法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333299A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366334B1 (en) * | 1999-05-17 | 2002-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for removing removal part in liquid crystal display device using jet of compressed air to remove part of the substrate |
-
1992
- 1992-05-29 JP JP13834992A patent/JPH05333299A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6366334B1 (en) * | 1999-05-17 | 2002-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for removing removal part in liquid crystal display device using jet of compressed air to remove part of the substrate |
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