JPH05330807A - 焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法 - Google Patents

焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法

Info

Publication number
JPH05330807A
JPH05330807A JP3123062A JP12306291A JPH05330807A JP H05330807 A JPH05330807 A JP H05330807A JP 3123062 A JP3123062 A JP 3123062A JP 12306291 A JP12306291 A JP 12306291A JP H05330807 A JPH05330807 A JP H05330807A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
alumina
less
boron
sintering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3123062A
Other languages
English (en)
Inventor
Masanori Kokuni
正則 小国
Hiroo Ozawa
洋雄 小沢
Koji Iwase
浩司 岩瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Light Metal Co Ltd
Original Assignee
Nippon Light Metal Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Light Metal Co Ltd filed Critical Nippon Light Metal Co Ltd
Priority to JP3123062A priority Critical patent/JPH05330807A/ja
Publication of JPH05330807A publication Critical patent/JPH05330807A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/072Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
    • C01B21/0726Preparation by carboreductive nitridation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不透光性で易焼結性であり焼結ムラがなく且
つ高熱伝導性で高耐電圧性の焼結用AlN粉末体及びそ
の粉末体をアルミナとほう素化合物とを同時に窒化させ
て得ることの出来る製造法を提案する。 【構成】 Ca2+イオンを担持させた特定性状の遷移ア
ルミナ、ほう素化合物及び少量のカ−ボンとを特定軽装
嵩密度になるように乾式混合粉砕し、次いで、ほう素化
合物と遷移アルミナの各窒化反応の昇温温度を規制し更
に減圧精製処理過程を経ながら窒化反応させることによ
って、BNをB元素として0.10〜1.20重量%及
びカルシウム化合物をCa元素として0.010〜0.
030重量%を含有する新規な性状を有する焼結用Al
N粉末体が提供される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、易焼結性で不透光性で
あり且つ高熱伝導性で高耐電圧性の焼結用窒化アルミニ
ウム粉末体とその製造法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】電子機器材料等に用いられる窒化アルミ
ニウム(以下「AlN」ともいう)焼結体は均一に焼結
され、緻密で且つ高熱伝導性で不透光性であることが必
要なことが多い。緻密な焼結体用原料を得るため、特開
昭50ー23441号では、希土類元素に代えて安価な
CaOを0.1〜10重量%添加する例が、また特開昭
58ー55377号では、Ca0を0.1〜6重量%添
加する例が開示され、特開平2−160610号では、
CaO換算で0.1〜2重量%をアルミナ還元時に添加
する方法が開示されている。しかしながら、これらの発
明によるCa成分の添加はAlN粉末に易焼結性を付与
出来るが、その反面、濃度が高いため得られた焼結体に
焼結ムラを生じ、焼結体の特性を低下させる虞がある。
又、特開昭59ー50008号では、得られたAlN粉
末中に、Ca元素として0.015重量%含有している
例が示されているが、カーボンを1000ppmも含有し
ており、透光性であり、焼結性や熱伝導性が悪いものと
推察される。更に、特開昭58ー32073号にAIN
粉末に窒化ほう素(以下「BN」ともいう)を0.1〜
30重量%添加する例が開示されている。しかし、AI
N粒子とBN粒子との粒径の最適化等がなされていない
ため、本発明相当の熱伝導率は、この場合BN添加量が
3重量%以上でないと達成されておらず、そのような高
濃度のBN添加量となると焼結基板でのメタライジング
性が悪化するという不都合が発生することになり好まし
くない。また、特開昭62ー65980号にAlNとB
Nとの混合粉末の製造法について述べられているが、そ
こで得られるものはホットプレスでしか焼結出来ず、ま
た熱伝導率も低い。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】発明者らは、原料とし
て高純度アルミナでなく普通純度アルミナを用いても高
純度であり、易焼結性で焼結ムラを生じなく、且つ不透
光性であり高熱伝導性と高耐電圧性のAlN粉末を得る
ことについて研究を進め、上記目的を達成するために
は、BNやCa添加量を適正にし炭素量を最小限に抑
え、かつ得られたAlN粉末体中のAINの一次粒子平
均粒径とBNの一次粒子平均粒径との比率及び得られた
AlN粉末体の二次粒子平均粒径・BET比表面積・加
圧嵩密度を所定範囲のものとすることが必要であること
を見出し本発明を完成するに至った。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、カルシ
ウム化合物をCa元素換算で0.010〜0.030重
量%、窒化ほう素をB元素として0.10〜1.20重
量%,酸素含有量0.6〜1.3重量%を含有すると共
にFeやSi等の不可避的陽イオン不純物が金属元素と
して400ppm以下,炭素含有量300ppm以下で、残部
窒化アルミニウムであって、窒化アルミニウムの一次粒
子平均粒径をD1、窒化ほう素の一次粒子平均粒径をD2
とした場合に、D1/D2比が5〜25であり、且つ窒化
アルミニウム粉末体としての二次粒子平均粒径が1〜5
μm、BET比表面積が4〜25m2/g、500kg/c
m2での加圧嵩密度が1.50〜1.90g/cm3である
ことを特徴とする焼結用窒化アルミニウム粉末体及び、
上記AlN粉末の最適の製造法として、実質的にα−ア
ルミナを含有せず、カルシウム塩溶液に浸漬しCa元素
換算で0.008〜0.025重量%含有させた遷移ア
ルミナとほう素化合物をB元素として遷移アルミナ10
0重量部に0.10〜1.40重量部の割合で添加し、
且つカーボン使用量を少量に規制した条件下で窒化反応
を減圧精製処理を経ながら進行させることによって達成
される。
【0005】本発明に係る焼結用窒化アルミニウム粉末
体の組成としては、全て内割であるが以下の条件を充足
することが必要である。 1)カルシウム化合物の含有量がCa元素として 0.
010〜0.030重量%であることが必要で、0.0
10重量%未満では低温焼結性が不十分で、0.030
重量%を超えるとCaの偏在を生じて焼結ムラが出易
い。なお、このCa化合物は酸化カルシウム又はアルミ
ン酸カルシウム等の状態で含有されているものと推定さ
れる。 2)窒化ほう素をB元素として0.10〜1.20重量
%であることが必要で、0.10重量%未満では電気特
性の改善が不十分で、1.20重量%を超えると焼結性
が著しく悪化する。 3)Fe・Si等の不可避的陽イオン不純物が400p
pm以下で、400ppmを超えると、AlN粉末体の
焼結性を確保し、焼結体の熱伝導率の低下を抑制するこ
とが困難になるので好ましくない。 4)酸素含有量は、0.6〜1.3重量%の範囲で、
0.6重量%未満では焼結性が悪く焼結温度が高くな
り、1.3重量%を超えると焼結体の熱伝導率の低下を
生じる。 5)炭素含有量は300ppm以下であることがAlN
粉末の良好な焼結性を確保するために必要であって、着
色が好ましくない場合には出来るだけ少ない方がよい。
即ち、アルミナ還元法によって得られるAlN粉末の場
合、脱炭処理が不十分であるとカーボンが残留する。A
lN粉末の焼結に際して、炭素含有量が300ppmを
超えると、AlN粉末中の酸素が消耗されるため液相焼
結が適切に発生せず焼結が不完全となる。又、焼結体を
着色させるので、用途によっては不適当である。 6)AIN粉末の一次粒子平均粒径をD1とBN粉末の
一次粒子平均粒径をD2としたときのD1/D2比が、5
未満の場合は焼結体の電気特性の改善効果が見られず焼
きむらも発生し易くなるし、25を超えると焼結性が著
しく悪化する。 7)BET比表面積が4m2/g以上であることがAl
N粉末体の良好な焼結性を確保するために必要であり、
25m2/gを超えるとハンドリング時に酸化され易く
なり焼結体の熱伝導率が低下する傾向が著しくなる。
【0006】更に、本窒化アルミニウム粉末体の具備す
べきその他の特性値としては、以下の条件を充足するこ
とが必要である。 1)二次平均粒径範囲が1〜5μmで、1μm未満では
AlN粉末体の酸素吸着量が大きくなり焼結体の熱伝導
率を低下させ、5μmを超えると焼結性が悪くなり、焼
結温度が高くなる。 2)加圧嵩密度(500kg/cm2)が1.50〜1.9
0 g/cm3で、1.50g/cm3未満では成形時のグリー
ン密度が小さく、焼結温度が高くなり、1.90 g/cm
3を超えると成形時のグリーン密度が大きくなり過ぎ脱
脂等が困難になり、焼結ムラが生じ易く、焼結ソリ,焼
結クラック等も発生し易くなる。
【0007】以下に、上記組成及び特性値を有する焼結
用窒化アルミニウム粉末体の製造法を説明する。 A.原料 1)アルミナ 実質的にα−アルミナを含有しない純度99.9重量%
以上であって、 a)ソーダ分がNa2Oとして0.90重量%以下 AlN粉末製造プロセスでの精製過程にてアルミナ中か
ら気化し除去されたNa2O分が、その処理炉の内壁を
短時間で汚染することになる。そこで、0.90重量%
を超えないものを使用することが作業サイクル上好まし
い。 b)不可避的金属不純物が酸化物として単独で400p
pm以下、合計で1,000ppm以下 この上限を超えると精製除去するのに高温でしかも長時
間の減圧加熱処理が必要となり、経済的でない。又、得
られる焼結体も着色するようになり用途によっては好ま
しくない。 c)含浸被覆されたカルシウム分の含有量がCa元素と
して0.008〜0.025重量% 上記範囲が生成するAlN粉末体の低温焼結性や、その
焼結体での焼結ムラの発生防止を確保するのに必要な範
囲である。ここで、“含浸被覆された”とは、CaOが
遷移アルミナとは分離・独立して存在することなく、遷
移アルミナ粒子中に含浸状又は被覆状に一体的に存在す
る状態をいう。 d)粒径 0.2〜5μm 粒径が5μmを超えると生成AlNの粒径が大きくなり
焼結性が悪くなる。一方、0.2μm未満のものでは、
コスト的にみて好ましくない。 e)BET比表面積 30m2/g以上 30m2/g未満ではAlN化への反応性が悪く、反応
条件(温度、時間)が悪化する。また、好ましい状態で
は、ほう素化合物がBNに転換される際に、ほう素化合
物が加熱溶融されてガラス状態になり流動して遷移アル
ミナ表面上で薄膜状になってから還元窒化され微粒のB
N粒子が生成するものと想定される。ところが、遷移ア
ルミナのBET比表面積が30m2/g未満の条件では
凝集体となってしまうため粗粒のBN粒子が生成し易く
なって好ましくない。上記遷移アルミナの製法の一例を
次に示す。バイヤー法ジプサイト型微粒水酸化アルミニ
ウム(純度99重量%以上、粒径3μm以下のもの)を
炭酸水素カルシウム,塩化カルシウム,硝酸カルシウ
ム,酢酸カルシウムから選ばれたカルシウム塩の50〜
500mg/l水溶液中に浸漬処理(洗浄手段も含む)し
た後、例えば50℃/hr程度の昇温速度で昇温させた
後、酸化雰囲気で500〜800℃で焼成することによ
ってCaOが含浸被覆された遷移アルミナを得ることが
出来る。なお、コスト的には劣るが遷移アルミナを前述
と同様な水溶液に浸漬した後、乾燥する方法も採り得
る。 2)ほう素化合物 使用されるほう素化合物は、純度99.0重量%以上で
あって、平均粒径が100μm以下、好ましくは10μ
m以下、更に好ましくは1〜5μmである。その当初の
平均粒径が大きいと原料を乾式混合粉砕する時間が長く
なり好ましくなく、通常最終平均粒径が3μm以下にな
るように乾式混合粉砕すれば、所期の添加効果が十全に
発揮される。1000℃以下で窒化ほう素に転換し得る
ほう素化合物であって、例えば、ほう酸・酸化ほう素・
ほう酸アンモニウム・ほう砂・ほう酸カリウム・ほう酸
ナトリウム・ほう酸マグネシウム等が適用出来る。ほう
素化合物は、本発明の製造プロセスに於いて一部が気散
して減量するので物の発明に規定する量に必要な化学量
論値の1.1〜1.5倍量を添加し、所定量のBNが生
成するようにする。 3)カーボンブラック 使用するカーボンブラックは、純度99.7%以上、灰
分0.3重量%以下で、粒径としては0.3μm以下が
好ましく、0.3μmを超えるとアルミナに対する表面
被覆効果が不十分となる。 アルミナ:カーボン=1:0.37〜0.45(重量
比)で、0.37未満では窒化が不十分となる虞があ
り、0.45を超えると脱炭処理が長時間となり、Al
N粉末体中の酸素濃度が増加し、燃料コスト等も上昇す
るので好ましくない。 4)有機高分子化合物 有機高分子化合物としては、1000℃以下で、液相を
経ることなく固相のまま、又は気相を経由して炭素化す
るもので、粒径10μm以下で、例えばフェノールホル
ムアルデヒド樹脂,ポリフェニレン,ポリ塩化ビニリデ
ン,セルロース等が好適に用いられる。添加量としては
アルミナとカーボンブラックとの総量に対して0.1〜
5重量%で、0.1重量%未満では生成するAlN粉末
の微粒化効果が不十分であり、一方、5重量%を超える
と、脱炭処理後のAlN粉末中に残存するカーボン量が
多くなり、不適当である。 5)有機粉砕助剤 通常使用されるもので良く、プロピレングリコール,高
級脂肪酸例えばパルミチン酸,ステアリン酸,オレイン
酸等、及び高級脂肪酸のMg、Ca、Ba塩等が用いら
れ、添加量は0.5〜3重量%で、0.5重量%未満で
は使用効果が不十分で、又、3重量%を超えても、コス
トが上がる割には粉砕効率は良くならない。
【0008】B.AlN粉末体の製造方法 本発明のAlN粉末体は上述の原料を所定量混合した
後、次の1)〜4)の工程順序により製造される。 1)乾式混合粉砕 混合粉砕機としては、ボールミル,回転ボールミル,ア
トライター等が用いられる。混合粉砕により、主として
ほう素化合物と有機高分子化合物を粉砕しつつ各成分を
均一に混合し軽装嵩密度を0.3〜0.6g/cm3の範
囲に調整する。0.6g/cm3を超えると、反応に必要
なN2ガスの通気が悪くなり反応効率が低下する。 2)窒化反応 混合反応原料をトレーに入れて窒化反応炉内に配置した
後、窒素雰囲気中で、以下以下の加熱、窒化反応を順次
行なう。 2−1)予備加熱:常温から最高400℃まで、適宜の
昇温速度で加熱する。 2−2)ほう素化合物の窒化処理:400〜1100℃
の温度帯域では、1気圧の窒素雰囲気下で、100℃/
hr以下、好ましくは50〜80℃/hrの昇温速度と
することによって、ほう素化合物の窒化処理を行う。こ
の場合、昇温速度が大きすぎるとほう素化合物の溶融が
著しくなり、生成するBN粉末の粒径が大きくなり、ま
たほう素化合物の蒸発量も大きくなり好ましくない。 2−3)減圧精製処理:800〜1100℃の温度で3
0トール以下の減圧下で加熱することによって、遷移ア
ルミナ中のNa2O、Fe23、SiO2、MgO等の不
純物を気化分離しながら窒化反応の開始温度近傍まで昇
温させる。この際焼結に有利なBN成分やCa分だけは
残留させることが出来る。好ましくは、1〜20トール
で10分〜5時間処理を行う。 2−4)優先窒化処理:次いで、1気圧の窒素雰囲気と
した後、最高1600℃までの昇温過程を20℃/hr
以下、好ましくは10〜17℃/hrの昇温速度とする
ことによって、遷移アルミナ粒の表面のみをまず優先窒
化させることにより、Al23粒の結晶成長を抑制し、
延いては生成AlN粒子の粗粒化を抑制する。 2−5)本格窒化処理:次いで、同様な窒素雰囲気中で
1500〜1700℃で10〜70時間処理して、窒化
反応を完結させる。 3)所望による解砕処理 窒化反応終了後の残留カーボンが存在する状態で解砕す
ることによって、AlN粉末中の酸素含有量の増加を適
切に防止しつつ解砕できる。 4)脱炭処理 乾燥空気の流通加熱炉で、500〜600℃で5〜10
時間処理して残留カーボンを除去する。
【0009】C.AlN焼結体の製造プロセス AlN粉末体100重量部,焼結助剤1〜5重量部,成
形用バインダー7〜15重量部、及びドクターブレード
法による成形の場合には溶媒50〜70重量部を加え混
合物の粘度が100〜200ポイスになるように調整す
る。上記焼結助剤としては、汎用されている希土類元素
の酸化物(Y23等)、アルカリ土類金属酸化物(例え
ばCaO、BaO、SrO)が用いられ、所望の焼結条
件に応じて例えばY231〜5部またはCaO1〜3部
が添加される。成形用バインダーとしては、ポリビニル
ブチラール、パラフィン、ステアリン酸等が、溶媒とし
てはブタノール、メチルエチルケトン、トルエン、エタ
ノール等の単独またはこれらの混合溶媒が用いられる。
以上のものは、例えばドクターブレード法で成形する場
合、ナイロン製ポット中での20〜48時間のボールミ
ル湿式粉砕を伴う湿式混合後、減圧下で攪拌処理を行
う。0.1気圧以下で10分〜5時間処理し脱泡と粘度
調整を行なう。次いで、ドクターブレード法によってシ
ート状に成形し、乾燥後、所望の大きさに切断加工す
る。次いで空気中では400〜600℃、N2ガス中で
は700〜800℃で脱脂処理を行ない溶媒を揮散させ
乾燥グリーン成形体を得る。なお、常法の金型プレスや
静水圧プレス等の成形加工も適用出来ることは勿論であ
る。次に、焼結反応炉により常圧焼結を行ないAlN焼
結体を得る。常圧焼結の条件は、N2ガスの1気圧雰囲
気(流量1〜10 l/min)下、焼結温度1800℃以
下、焼結時間2〜10時間である。なお、同様に通常の
ホットプレス焼結法によってもよいことは勿論である。
【0010】
【作用】
[1]AlN粉末体の製造法 1)遷移アルミナの段階で、Ca分が含浸被覆により担
持されると、Ca分が粒に均一に分散され、窒化反応時
の各昇温加熱過程で、他の陽イオン不純物が揮散分離さ
れる中でCa分がAl23粒子表面側に拡散濃縮される
ので、生成したAlN粉末体に於いても、その粒の中心
部よりも表面側にCa分が濃縮され、焼結助剤との濡れ
性を良好として、易焼結性になると思われる。 2)添加されたほう素化合物は、乾式混合粉砕過程で3
μm以下に粉砕され、アルミナ粒子と微細に混合され、
生成BNの一次平均粒径を所定の範囲のものとすること
が出来る。ほう素化合物の窒化反応を所定の昇温速度で
行うことにより、ほう素化合物の著しい溶融による再凝
集が防止出来る。また、アルミナと十分混合されている
ので、溶融したほう素化合物はアルミナ粒子の表面に付
着して保持されて窒化反応が進行するので溶融物の再凝
集が少なく、微粒で粒径の制御されたBN粒子が生成す
ると共に、AIN粒子の粗粒化も防止する効果も同時に
発揮される。 3)乾式混合粉砕により、軽装嵩密度を所定範囲にする
とアルミナ粒子表面をカーボン粒が均一に覆うことにな
り、更に例えばカーボンを発生する固相炭素化有機高分
子化合物の使用と共働して、少量のカーボン量でも均一
な窒化反応が発現される。又、生成するAlN粒の粒成
長を抑制する作用も同時に発現される。 4)「減圧加熱処理」に於いて、加熱温度を従来提案さ
れている条件より200℃程度低い800〜1100℃
での適度の減圧下で処理する事によって、不要な不純物
であるNa2O,Fe23,SiO2等を除去しつつ、焼
結に有効なBN成分やCa分を残留させることが出来
る。 5)窒化反応温度への昇温過程で、昇温速度を規制した
段階を経ることによって、Al23粒の粒子成長を抑制
しつつ、その表面の優先窒化反応をさせることが出来、
従って生成するAlN粒の粗粒化並びに残存α−アルミ
ナの発生等を防止出来る。 6)乾式混合粉砕過程で軽装嵩密度を所定範囲に規制
し、且つ各窒化反応時の昇温速度等を規制することによ
って、生成するAIN及びBN粒子の粒径をD1/D2
が所定の範囲のものにすることが出来る。 7)更に、所望によって、窒化反応後の脱炭前のカ−ボ
ンの存在下で解砕することによって、生成したAIN粉
末体表面の酸化を防止しながら解砕出来、AIN粉末体
の凝集状態を変化させて二次粒子平均粒径を1〜5μm
にすることが出来、焼結性を良好なものとすることが出
来る。 8)酸化性雰囲気下での脱炭処理によって、残留カ−ボ
ンが除去されると共にAIN粉末表面のCa分の一部窒
化されたものが酸化され、焼結時の焼結助剤作用を発揮
することが出来るようになる。 [2]AlN粉末体 上述の製造法によって得られたAlN粉末体はその粒の
表面側にCa分が均一に拡散濃縮されていることから、
その含有分の絶対値が少ないにも拘らず、焼結助剤との
なじみ性が良好で、加圧嵩密度も所定の範囲にあること
と相まって焼結性が改善されるものと推察される。ま
た、微細なBN粒子がAlN粉末に均一に付着している
状態に存在しているので、焼結する際にAIN粒子の粒
界を均一被覆するため、極めて少量で有効に作用するこ
とが出来るこものと推考される。
【0011】
【実施例】以下に実施例,比較例により本発明を具体的
に説明する。 (1)遷移アルミナの調製 バイヤー法ジプサイト型の微粒水酸化アルミニウム
[A](実施例1)、及び[B](実施例2)を用い
た。 [A] [B] Al23としての純度 99.5 重量% 99.6 重量% Na2O 0.40 〃 0.15 〃 MgO 0.001 〃 0.001 〃 Fe23 0.020 〃 0.018 〃 SiO2 0.015 〃 0.019 〃 CaO 0.013 〃 0.025 〃 平均粒径 0.5 μm 2 μm 上記水酸化アルミニウムを、炭酸水素カルシウムをCa
CO3換算で300〜1000ppm含有する水溶液中に適
宜浸漬して含浸被覆されるCa濃度を調整した。次い
で、ロータリーキルンで上記処理した水酸化アルミニウ
ムを空気雰囲気下で700℃,5時間のか焼処理し、α
−アルミナを含有しない遷移アルミナを得た。得られた
カルシウム含有遷移アルミナに、ほう素化合物として、
実施例1では純度99.0%・平均粒径5μmの酸化ほ
う素(B23 )を、実施例2では純度99.0%・平
均粒径80μmの硼酸ナトリウム(Na247 )を、
更に実施例3では純度99.9%・平均粒径30μmの
ほう酸(H3 BO3 )をそれぞれ表1に示すように所定
量添加した。更に、カーボンブラック(新日鉄化学社
製,商品名ニテロン#200),フェノールフォルムア
ルデヒド樹脂粉末(旭有機材工業社製,商品名AVライ
ト)及びプロピレングリコールを表1に示すように所定
量配合し、所定の軽装嵩密度まで乾式混合粉砕した。
【0012】上記混合原料をトレー内に薄層状に収納
し、そのトレーを棚段状に窒化反応炉中に配置し、40
0℃までN2ガスを流しながら250℃/hrの昇温速
度で昇温させ、400℃から1000℃までN2ガスを
流しながら50℃/hrの昇温速度で昇温させながら、
ほう素化合物の窒化反応を行なう。次いで、1000℃
に保持したまま、N2ガス雰囲気中15トールまで減圧
し、15分間保持し減圧精製処理した。次いで、1気圧
のN2ガス雰囲気に戻し、1100℃まで50℃/hr
で昇温した後、1500℃まで17℃/hrの昇温速度
で昇温させ、アルミナ表面の優先窒化処理をした。さら
に、1600℃で40時間保持し、アルミナの窒化反応
を完結させた。次いで、実施例2の場合、別途解砕処理
として常温まで冷却した後、ボールミルで30分間行な
った。さらに、ステンレス皿内に反応混合物を移して電
気炉内に装入し、乾燥空気の流気下で600℃,6時間
の脱炭処理を行なった。上記により得られたAlN粉末
体の原料組成,化学分析値,及び得られたAlN粉末体
の特性値等を表1に示す。
【0013】
【表1】
【0014】また比較例として本発明AlN粉末体と原
料組成範囲等の異なるものを調製し表2に示す条件にて
それぞれ処理した。その原料組成,化学分析値,及び得
られたAlN粉末体の特性値等を表2に示す。なお、使
用した酸化ほう素は実施例1で使用したものと同一であ
り、金属ほう素は純度99.0%で平均粒径8μmのも
のを使用した。また、比較例7では実施例1で用いた水
酸化アルミニウム〔A〕を1000℃で5時間のか焼処
理したα−アルミナを含有しない遷移アルミナを使用し
た。これら実施例と比較例との比較によって、製造法及
び得られるものとしての限定理由が裏付けされる。例え
ば、比較例7によってアルミナのBET比表面積が30
2 /g以上であることが好ましいこと、比較例5によ
って400℃〜1000℃の昇温速度が一定以上である
とBN粒子が粗粒化して好ましくないこと、比較例4に
よって1100℃〜1600℃の昇温速度が一定以上で
あると未反応アルミナの残存が起こり得ること等が示さ
れている。一方、これらのほう素化合物を添加して得ら
れたAlN粉末体についてX線回折分析したところ、A
IN・BN・非晶質B23 のピ−クが検出されたが、
非晶質B23 のピ−クはBN粒子極表面が一部酸化さ
れたものと判断される。
【0015】
【表2】
【0016】上記表1,表2の化学分析値,物性値の測
定方法について説明する。 (1)Na,Ca,Fe,Si,Mgは蛍光X線分析
(理化電機工業(株)製システム3070)に拠り、B
は化学分析により求めた。 (2)カーボンは、燃焼赤外検出法(堀場製EMIA−
110)に拠った。 (3)BET比表面積は、比表面積自動測定装置(カウ
ンタークロム社製モノソーブMS15型)で測定した。 (4)二次粒子の平均粒径はセディグラフ(島津−マイ
クロメリティックス社製5000ET)により測定し
た。 (5)残存α−アルミナ量の定量分析及びほう素化合物
の定性分析はX線回折により求めた。 (6)酸素含有量は放射化分析法(東芝製放射化分析装
置NAT−200型)により求めた。 (7)加圧嵩密度は40mm×20mmの型に、AlN粉体
を15g入れ、500kg/cm2に加圧し、圧粉体の大
きさ,重量を測定して求めた。 (8)AIN粒子とBN粒子の判別は、X線マイクロア
ナライザ−(島津製作所製EPMA8705型)で行っ
た。なお、同じ視野を取った二次電子像とアルミニウム
の分布像よりアルミニウムの検出されない粒子をBN粒
子であると仮定した。 (9)AIN粒子とBN粒子の一次粒子の平均粒径は、
SEM写真よりAIN粒子とBN粒子を別々に透明シ−
トに書き写し、画像回折装置・イメ−ジアナライザ−
(日本アビオクス製EXCEL−2)によって求めた。 (10)焼結体の耐電圧は、自動油耐電圧試験機(ムサ
シ電機計器製作所製IP−5005S)を使用して、交
流電源にて1KV/秒の条件で求めた。 (11)焼結体の吸収係数は、赤外分光光度計により6
μm波長の光の透過率から求めた。
【0017】 (2)使用例(実施例及び比較例で得られたAlN粉末体の特性評価) AlN粉末体:前項(1)で得られたもの 100重量部 焼結助剤:イットリア 2重量部 成形バインダー:ポリビニルブチラール 10重量部 溶媒:ブタノール 60重量部 以上のものをナイロン製ポット中で24時間湿式混合
後、減圧下で攪拌しながら脱泡処理し、ドクターブレー
ド法によって50mm角で1mm厚の試験片を成形した。こ
れを500℃の乾燥炉内で脱脂処理し、焼結反応炉でN
2ガス雰囲気下で450℃/hrの昇温速度で焼結温度
まで昇温し、その焼結温度で2時間焼結させ焼結体の密
度が理論密度の99%以上と成る焼結温度を求めた。結
果を次の表3に示す。実施例1〜3は、BN無添加の比
較例1に較べて耐電圧が著しく向上していることが分か
る。また、ほう素化合物の添加に際して、金属ほう素よ
り例示されるほう素化合物の方が、添加効果に優れ、且
つその添加量も本発明の範囲にある方が優れていること
が分かる。また、実施例と比較例との比較からD1/D2
比が所定の範囲及び、各製造条件が所定の範囲にある時
に、所期の効果が発現することが分かる。
【0018】
【表3】
【0019】
【発明の効果】
(1)焼結用窒化アルミニウム粉末体自体として、常圧
焼結法で焼結体とした時でも高熱伝導性で高耐電圧性の
ものが得られる、即ち、 1)少量のCa濃度でありながら充填性も改善されてい
るので、焼結温度を低下することが出来る。これにより
焼結助剤の使用量も削減することが出来、焼結コストを
節減出来る。 2)炭素含有量を低くすることにより、焼結ムラが発生
しないなどの焼結性を安定させ着色化も防止することが
出来る。 3)BNを添加することによって、AIN単体での色彩
的な外観を殆ど変化させずに6μm波長光に対して不透
光性にすることが出来、半導体回路のデザインの機密を
保持出来ると共に、実用的に問題の無い焼結ムラを隠蔽
させることが出来る。 4)耐電圧特性が向上するので、高密度化する半導体回
路基板の信頼性を確保することが出来る。
【0020】(2)焼結用窒化アルミニウム粉末体の製
造法として 1)普通純度のアルミナ源より高純度のAlN粉末体が
得られる。 2)減圧処理温度を800〜1100℃とすることによ
って、有害不純物であるSi、Fe、Na等の陽イオン
不純物を除去しながら、有用成分であるBN分やCa分
は残存させることが出来る。 3)微粒化剤やカーボン量を少量化することによって、
微粒化効果を上げつつ製品AlN粉末体中のカーボン量
を安定的に減らし、又、脱炭処理が容易になるので酸素
含有量も低レベルに規制することができる。 4)ほう素化合物の窒化反応が進行す温度帯域での昇温
速度を遅くすることによって、アルミナ粒子を芯材とし
た薄膜状で窒化反応が進行するので生成BN粒子を微細
化させるものと推察される。更に、焼結操作の際に、生
成BN粒子は、AIN表面酸化物、Ca分並びに焼結過
程で添加した焼結助剤成分とより成るガラス状粒界相に
均一分散し、AIN結晶の粒界を被覆し、その一部は極
薄片状に結晶成長するものがある。これによって、その
存在量に較べて耐電圧が顕著に改善されるものと推察さ
れる。ところが、過剰のBN粒子が存在するときには、
過剰のBN粒子が結晶成長して粗大な再結晶BN粒子が
発生し粒界欠陥が増加することになり好ましくないと思
われる。 5)窒化反応時の1100℃以降の昇温速度を遅くし優
先窒化反応過程を経ることによって、生成AlN粉末体
の粗粒化やAl23粒の粗粒化に起因する残存α−アル
ミナの発生等を防止できる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 カルシウム化合物をCa元素として0.
    010〜0.030重量%,窒化ほう素をB元素として
    0.10〜1.20重量%,酸素含有量0.6〜1.3
    重量%を含有すると共にFeやSi等の不可避的陽イオ
    ン不純物が金属元素として400ppm以下,炭素含有量
    300ppm以下で、残部窒化アルミニウムであって、窒
    化アルミニウムの一次粒子平均粒径をD1、窒化ほう素
    の一次粒子平均粒径をD2とした場合に、D1/D2比が
    5〜25であり、且つ窒化アルミニウム粉末体としての
    二次粒子平均粒径が1〜5μm、BET比表面積が4〜
    25m2/g、500kg/cm2での加圧嵩密度が1.50
    〜1.90g/cm3であることを特徴とする焼結用窒化
    アルミニウム粉末体。
  2. 【請求項2】a)実質的にα−アルミナを含有しない純
    度99.0重量%以上であって、ソーダ分がNa2Oと
    して0.90重量%以下、不可避的金属不純物が酸化物
    として単独で400ppm以下,合計で1000ppm以下、
    含浸被覆されたCaOがCa元素として0.008〜
    0.025重量%であり、且つ粒径が0.2〜5μmで
    BET比表面積が30m2/g以上である遷移アルミナ
    に、 b)純度99.0重量%以上であって、平均粒径が10
    0μm以下で1000℃以下で窒化ほう素に転換し得る
    ほう素化合物をB元素として遷移アルミナ100重量部
    に0.10〜1.40重量部の割合で添加した後、 c)平均粒径がアルミナより微粒で且つ0.3μm以
    下であり灰分が0.3重量%以下のカーボンブラックを
    アルミナに対して、アルミナ:カーボン=1:0.37
    〜0.45の重量比で、生成AlNの微粒化剤として
    1000℃以下で液相を経ることなく固相のまま又は気
    相を経由して炭素化する有機化合物をアルミナとカーボ
    ンブラックとの総量に対して1〜5重量%、及び有機
    粉砕助剤をアルミナ100重量部に対して0.5〜3重
    量部添加した後、 d)上記混合物を軽装嵩密度が0.3〜0.6g/cm3
    なるように乾式混合粉砕し、 e)次いで、窒化反応炉内で窒素ガス雰囲気にて、順次
    常温から最高400℃まで適宜昇温させ、400〜
    1100℃の温度帯域は100℃以下の昇温速度でほう
    素化合物に窒化反応を起こさせて窒化ほう素とし、8
    00〜1100℃の温度帯域にて30トール以下の減圧
    下で減圧精製処理し、次いで最高1600℃まで、2
    0℃/hr以下の昇温速度でアルミナの表面を優先窒化
    反応させた後、1500℃以上で窒化反応を完結さ
    せ、 f)所望により、解砕処理した後に、酸化性雰囲気中で
    脱炭処理することを特徴とする焼結用窒化アルミニウム
    粉末体の製造方法。
JP3123062A 1991-04-26 1991-04-26 焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法 Pending JPH05330807A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3123062A JPH05330807A (ja) 1991-04-26 1991-04-26 焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3123062A JPH05330807A (ja) 1991-04-26 1991-04-26 焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05330807A true JPH05330807A (ja) 1993-12-14

Family

ID=14851259

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3123062A Pending JPH05330807A (ja) 1991-04-26 1991-04-26 焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH05330807A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500495B1 (ko) * 2001-11-26 2005-07-12 니뽄 가이시 가부시키가이샤 질화알루미늄질 세라믹스, 반도체 제조용 부재 및 내식성 부재
JP2012121742A (ja) * 2010-12-06 2012-06-28 Tokuyama Corp 球状窒化アルミニウム粉末の製造方法
JP2017178719A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 三菱ケミカル株式会社 窒化アルミニウム−窒化ホウ素複合凝集粒子およびその製造方法
WO2018173172A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 日本碍子株式会社 窒化アルミニウムの製造方法
CN111393714A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 合烯电子科技(江苏)有限公司 用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法
CN115448265A (zh) * 2022-09-15 2022-12-09 大连海事大学 一种持续高温批量合成高纯高烧结活性AlN粉体的方法及设备

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100500495B1 (ko) * 2001-11-26 2005-07-12 니뽄 가이시 가부시키가이샤 질화알루미늄질 세라믹스, 반도체 제조용 부재 및 내식성 부재
JP2012121742A (ja) * 2010-12-06 2012-06-28 Tokuyama Corp 球状窒化アルミニウム粉末の製造方法
JP2017178719A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 三菱ケミカル株式会社 窒化アルミニウム−窒化ホウ素複合凝集粒子およびその製造方法
JP2021165228A (ja) * 2016-03-31 2021-10-14 三菱ケミカル株式会社 窒化アルミニウム−窒化ホウ素複合凝集粒子およびその製造方法
WO2018173172A1 (ja) * 2017-03-22 2018-09-27 日本碍子株式会社 窒化アルミニウムの製造方法
JPWO2018173172A1 (ja) * 2017-03-22 2020-01-23 日本碍子株式会社 窒化アルミニウムの製造方法
CN111393714A (zh) * 2020-03-25 2020-07-10 合烯电子科技(江苏)有限公司 用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法
CN111393714B (zh) * 2020-03-25 2021-11-05 合烯电子科技(江苏)有限公司 用于界面导热材料的氮化硼复合结构填料的制备方法
CN115448265A (zh) * 2022-09-15 2022-12-09 大连海事大学 一种持续高温批量合成高纯高烧结活性AlN粉体的方法及设备

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015152292A1 (ja) 窒化ケイ素基板の製造方法
WO2022156637A1 (zh) 一种氮化硅陶瓷材料的制备方法
WO2005113466A1 (ja) 高熱伝導性窒化ケイ素焼結体及び窒化ケイ素構造部材
US7081425B2 (en) Aluminum nitride sintered body
JP2017178751A (ja) 球状AlN粒子およびその製造方法
US8022001B2 (en) Aluminum nitride sintered product, method for producing the same, and electrostatic chuck including the same
JP6639308B2 (ja) 球状AlN粒子、球状AlNフィラー、および、球状AlN粒子の製造方法
Abicht et al. The influence of silicon on microstructure and electrical properties of La-doped BaTiO 3 ceramics
JPH05330807A (ja) 焼結用窒化アルミニウム粉末体及びその製造法
JP2018184316A (ja) 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JPH0474301B2 (ja)
KR970009989B1 (ko) 질화 알루미늄체 및 유리질 소결제를 사용하여 질화 알루미늄체를 형성시키는 방법
US5459113A (en) Aluminum nitride powder capable of forming colored sintered body and process for preparing same
JPH04265208A (ja) 焼結原料用窒化アルミニウム粉末及びその製造法
JP4410479B2 (ja) 電磁波吸収体
JP4773744B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH1017367A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JP2018070436A (ja) 窒化ケイ素焼結体の製造方法
JP4065589B2 (ja) 窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法
JP2742600B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法
JPH0543209A (ja) 焼結用窒化アルミニウム粉末及びその製造方法
JPH013075A (ja) 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法
US5061664A (en) Preparation of sintered aluminum nitride
JPH0566339B2 (ja)
JP2742599B2 (ja) 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法