JPH05327401A - セラミックフィルタ - Google Patents
セラミックフィルタInfo
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- JPH05327401A JPH05327401A JP12844992A JP12844992A JPH05327401A JP H05327401 A JPH05327401 A JP H05327401A JP 12844992 A JP12844992 A JP 12844992A JP 12844992 A JP12844992 A JP 12844992A JP H05327401 A JPH05327401 A JP H05327401A
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- vibrating
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- filter
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 厚み縦振動や厚みすべり振動を用いるセラミ
ックフィルタにおいて、通過帯域幅および波形良好性を
犠牲にすることなく、選択度のみを改善する。 【構成】 アース電極８に対して、圧電セラミック基板
５を介して共通に対向するように、所定の間隔を隔てて
形成された第１および第２の振動電極６および７にそれ
ぞれ延長部１６および１７を形成するとともに、第１お
よび第２の引出しライン９および１０を、それぞれ、第
２および第１の振動電極７および６に近接させて近接部
１８および１９を形成することによって、第１および第
２の振動電極６および７の間に形成される静電容量を増
加させる。
ックフィルタにおいて、通過帯域幅および波形良好性を
犠牲にすることなく、選択度のみを改善する。 【構成】 アース電極８に対して、圧電セラミック基板
５を介して共通に対向するように、所定の間隔を隔てて
形成された第１および第２の振動電極６および７にそれ
ぞれ延長部１６および１７を形成するとともに、第１お
よび第２の引出しライン９および１０を、それぞれ、第
２および第１の振動電極７および６に近接させて近接部
１８および１９を形成することによって、第１および第
２の振動電極６および７の間に形成される静電容量を増
加させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、たとえば厚み縦振動
や厚みすべり振動を用いるセラミックフィルタに関する
もので、特に、フィルタにおける選択度の改善を図るた
めの構造に関するものである。
や厚みすべり振動を用いるセラミックフィルタに関する
もので、特に、フィルタにおける選択度の改善を図るた
めの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】厚み縦振動や厚みすべり振動を用いるセ
ラミックフィルタは、一般的に、圧電セラミック基板
と、その一方主面上に所定の間隔を隔てて形成される少
なくとも１対の第１および第２の振動電極と、対をなす
第１および第２の振動電極の双方に共通に対向するよう
に圧電セラミック基板の他方主面上に形成されるアース
電極とを備えている。このようなセラミックフィルタに
おける選択度は、通常、基板を構成するセラミック材料
のＱM と振動電極およびアース電極の寸法設計によって
決定される。
ラミックフィルタは、一般的に、圧電セラミック基板
と、その一方主面上に所定の間隔を隔てて形成される少
なくとも１対の第１および第２の振動電極と、対をなす
第１および第２の振動電極の双方に共通に対向するよう
に圧電セラミック基板の他方主面上に形成されるアース
電極とを備えている。このようなセラミックフィルタに
おける選択度は、通常、基板を構成するセラミック材料
のＱM と振動電極およびアース電極の寸法設計によって
決定される。
【０００３】他方、セラミックフィルタに要求される性
能として、通過帯域幅と波形良好性、いわゆる必要周波
数特性の忠実度と高選択度の両立性が求められる。
能として、通過帯域幅と波形良好性、いわゆる必要周波
数特性の忠実度と高選択度の両立性が求められる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
両者を同時に満足させるのは大変困難であり、高選択度
を得るためには、狭帯域としなければならなかった。
両者を同時に満足させるのは大変困難であり、高選択度
を得るためには、狭帯域としなければならなかった。
【０００５】そこで、この発明の目的は、通過帯域幅お
よび波形良好性を犠牲にすることなく、選択度のみを改
善することができるセラミックフィルタを提供しようと
することである。
よび波形良好性を犠牲にすることなく、選択度のみを改
善することができるセラミックフィルタを提供しようと
することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、圧電セラミ
ック基板と、この圧電セラミック基板の一方主面上に所
定の間隔を隔てて形成される少なくとも１対の第１およ
び第２の振動電極と、対をなす第１および第２の振動電
極の双方に共通に対向するように圧電セラミック基板の
他方主面上に形成されるアース電極と、第１および第２
の振動電極にそれぞれ接続されかつ圧電セラミック基板
の一方主面上に形成される第１および第２の引出しライ
ンとを備える、セラミックフィルタに向けられるもので
あって、上述した技術的課題を解決するため、前記第１
および第２の振動電極の間に形成される静電容量を増加
させるべく、前記第１および第２の引出しラインの少な
くとも一方が、他方の引出しラインまたは当該他方の引
出しラインに接続される前記振動電極に近接して配置さ
れたことを特徴としている。
ック基板と、この圧電セラミック基板の一方主面上に所
定の間隔を隔てて形成される少なくとも１対の第１およ
び第２の振動電極と、対をなす第１および第２の振動電
極の双方に共通に対向するように圧電セラミック基板の
他方主面上に形成されるアース電極と、第１および第２
の振動電極にそれぞれ接続されかつ圧電セラミック基板
の一方主面上に形成される第１および第２の引出しライ
ンとを備える、セラミックフィルタに向けられるもので
あって、上述した技術的課題を解決するため、前記第１
および第２の振動電極の間に形成される静電容量を増加
させるべく、前記第１および第２の引出しラインの少な
くとも一方が、他方の引出しラインまたは当該他方の引
出しラインに接続される前記振動電極に近接して配置さ
れたことを特徴としている。
【０００７】
【作用】この発明の作用を、図１に示した基本的な実施
例および図２に示した従来例すなわち比較例を参照しな
がら説明する。
例および図２に示した従来例すなわち比較例を参照しな
がら説明する。
【０００８】まず、図２を参照して、圧電セラミック基
板５の一方主面上には、所定の間隔Ｇを隔てて、第１お
よび第２の振動電極６および７が形成される。圧電セラ
ミック基板５の他方主面上には、破線で示すように、第
１および第２の振動電極６および７の双方に共通に対向
するように、アース電極８が形成される。圧電セラミッ
ク基板５の一方主面には、さらに、第１および第２の振
動電極６および７にそれぞれ接続される第１および第２
の引出しライン９および１０ならびに第１および第２の
端子電極１１および１２が形成される。また、圧電セラ
ミック基板５の他方主面上には、アース電極８に接続さ
れるアース引出しライン１３およびアース端子電極１４
が形成される。
板５の一方主面上には、所定の間隔Ｇを隔てて、第１お
よび第２の振動電極６および７が形成される。圧電セラ
ミック基板５の他方主面上には、破線で示すように、第
１および第２の振動電極６および７の双方に共通に対向
するように、アース電極８が形成される。圧電セラミッ
ク基板５の一方主面には、さらに、第１および第２の振
動電極６および７にそれぞれ接続される第１および第２
の引出しライン９および１０ならびに第１および第２の
端子電極１１および１２が形成される。また、圧電セラ
ミック基板５の他方主面上には、アース電極８に接続さ
れるアース引出しライン１３およびアース端子電極１４
が形成される。
【０００９】このような従来のセラミックフィルタ１５
ａの構造が、図３において、原理的に示されている。図
３において、図２に示した要素に相当する要素には、同
様の参照符号を用いている。
ａの構造が、図３において、原理的に示されている。図
３において、図２に示した要素に相当する要素には、同
様の参照符号を用いている。
【００１０】図３に示すセラミックフィルタは、多重モ
ードフィルタと呼ばれ、２つの異なった周波数の共振が
同時に圧電セラミック基板５内に閉込められ、これら２
つの振動の位相関係は互いに異なっている。これら２つ
の振動の振幅分布は、それぞれ、実線および破線で示さ
れ、実線で示したものは、対称モード（Ｓモード）と呼
ばれ、破線で示したものは、斜対称モード（Ａモード）
と呼ばれる。
ードフィルタと呼ばれ、２つの異なった周波数の共振が
同時に圧電セラミック基板５内に閉込められ、これら２
つの振動の位相関係は互いに異なっている。これら２つ
の振動の振幅分布は、それぞれ、実線および破線で示さ
れ、実線で示したものは、対称モード（Ｓモード）と呼
ばれ、破線で示したものは、斜対称モード（Ａモード）
と呼ばれる。
【００１１】このような図３または図２に示したセラミ
ックフィルタ１５ａを設計するにあたって、まず、使用
される回路の入・出力インピーダンスが指定されるの
で、これから、電極面積すなわち振動電極６および７と
アース電極８との重なり面積が決定される。次に、必要
とされる通過帯域幅の調整が、間隔Ｇの寸法を調整する
ことによって行なわれる。最後に、Ｓモードの大きさの
コントロールが、圧電セラミック基板５の分極の大きさ
で行なわれる。このようにして、図４に示すような周波
数特性が得られる。図４の上部には、モード配置が示さ
れている。
ックフィルタ１５ａを設計するにあたって、まず、使用
される回路の入・出力インピーダンスが指定されるの
で、これから、電極面積すなわち振動電極６および７と
アース電極８との重なり面積が決定される。次に、必要
とされる通過帯域幅の調整が、間隔Ｇの寸法を調整する
ことによって行なわれる。最後に、Ｓモードの大きさの
コントロールが、圧電セラミック基板５の分極の大きさ
で行なわれる。このようにして、図４に示すような周波
数特性が得られる。図４の上部には、モード配置が示さ
れている。
【００１２】このとき、選択特性改善のため、Ｓモード
のｆaS−ｆrSの値すなわちΔｆS を、分極を小さくする
ことによって、小さくすると、図５に示すように、リッ
プル波形となり都合が悪い。すなわち、ｆaSとｆrAと同
一周波数であることが最も好ましい。
のｆaS−ｆrSの値すなわちΔｆS を、分極を小さくする
ことによって、小さくすると、図５に示すように、リッ
プル波形となり都合が悪い。すなわち、ｆaSとｆrAと同
一周波数であることが最も好ましい。
【００１３】上述した最も好ましい状態により近づけよ
うとすることが、この発明によって可能とされ、図１
に、そのための改良が図示されている。図１において、
図２に示した要素に相当する要素には、同様の参照符号
が付されている。図１に示したセラミックフィルタ１５
では、第１および第２の振動電極６および７の間に形成
される静電容量を増加させるべく、第１の引出しライン
９が第２の振動電極７に近づけられ、同様に、第２の引
出しライン１０が第１の振動電極６に近づけられ、さら
に、第１の振動電極６には、第２の引出しライン１０に
近接して延びる延長部１６が形成され、同様に、第２の
振動電極７には、第１の引出しライン９に近接して延び
る延長部１７が設けられる。これらの対策によって、図
２に示したセラミックフィルタ１５ａと比較したとき、
延長部１６と第２の引出しライン１０との間および延長
部１７と第１の引出しライン９との間でそれぞれ近接部
１８および１９が新たに形成され、したがって、第１お
よび第２の振動電極６および７の間に形成される静電容
量が増加されている。
うとすることが、この発明によって可能とされ、図１
に、そのための改良が図示されている。図１において、
図２に示した要素に相当する要素には、同様の参照符号
が付されている。図１に示したセラミックフィルタ１５
では、第１および第２の振動電極６および７の間に形成
される静電容量を増加させるべく、第１の引出しライン
９が第２の振動電極７に近づけられ、同様に、第２の引
出しライン１０が第１の振動電極６に近づけられ、さら
に、第１の振動電極６には、第２の引出しライン１０に
近接して延びる延長部１６が形成され、同様に、第２の
振動電極７には、第１の引出しライン９に近接して延び
る延長部１７が設けられる。これらの対策によって、図
２に示したセラミックフィルタ１５ａと比較したとき、
延長部１６と第２の引出しライン１０との間および延長
部１７と第１の引出しライン９との間でそれぞれ近接部
１８および１９が新たに形成され、したがって、第１お
よび第２の振動電極６および７の間に形成される静電容
量が増加されている。
【００１４】上述の図１に示すような構成を採用する
と、ΔｆS を変えずに、図６に示すように、Ａモードの
反共振周波数ｆaAを共振周波数ｆrAに近づけることがで
きる。図６において破線で示す周波数特性が、この場合
である。すなわち、ΔｆA を小さくすることができ、選
択度を高めることができる。
と、ΔｆS を変えずに、図６に示すように、Ａモードの
反共振周波数ｆaAを共振周波数ｆrAに近づけることがで
きる。図６において破線で示す周波数特性が、この場合
である。すなわち、ΔｆA を小さくすることができ、選
択度を高めることができる。
【００１５】図７は、多重モードフィルタの等価回路図
であるが、ここにおいて、Ｃ1 が第１および第２の振動
電極６および７の間に形成される静電容量と関連し、こ
のＣ 1 を大きくすることにより、ΔｆA を小さくするこ
とができる。図１において、寸法Ｌの大きさをコントロ
ールすることにより、上述した静電容量の増加分をコン
トロールできる。しかしながら、寸法Ｌが余りに大きく
なると、フィルタの減衰レベルが悪化するので、適正値
を選ぶ必要がある。
であるが、ここにおいて、Ｃ1 が第１および第２の振動
電極６および７の間に形成される静電容量と関連し、こ
のＣ 1 を大きくすることにより、ΔｆA を小さくするこ
とができる。図１において、寸法Ｌの大きさをコントロ
ールすることにより、上述した静電容量の増加分をコン
トロールできる。しかしながら、寸法Ｌが余りに大きく
なると、フィルタの減衰レベルが悪化するので、適正値
を選ぶ必要がある。
【００１６】
【発明の効果】このように、この発明によれば、第１お
よび第２の振動電極とアース電極との重なり部分におい
ては設計変更をすることなく、たとえば引出しラインが
延びる経路を変更するなどして、第１および第２の振動
電極の間に形成される静電容量を増加させることができ
る。そのため、Ａモードの反共振周波数ｆaAを下げるこ
とができ、応じて通過帯域幅および波形良好性を犠牲に
することなく、選択度のみを改善することができる。
よび第２の振動電極とアース電極との重なり部分におい
ては設計変更をすることなく、たとえば引出しラインが
延びる経路を変更するなどして、第１および第２の振動
電極の間に形成される静電容量を増加させることができ
る。そのため、Ａモードの反共振周波数ｆaAを下げるこ
とができ、応じて通過帯域幅および波形良好性を犠牲に
することなく、選択度のみを改善することができる。
【００１７】
【実施例】この発明では、前述した図１に示したセラミ
ックフィルタ１５に加えて、さらに、以下に述べるよう
な実施例がある。
ックフィルタ１５に加えて、さらに、以下に述べるよう
な実施例がある。
【００１８】図８は、この発明の他の実施例によるセラ
ミックフィルタ２０を示し、図９は、その比較例となる
従来のセラミックフィルタ２０ａを示している。これら
の図面では、圧電セラミック基板の一方主面上に形成さ
れる電極パターンのみが図示されている。これらセラミ
ックフィルタ２０および２０ａは、２素子フィルタであ
る。
ミックフィルタ２０を示し、図９は、その比較例となる
従来のセラミックフィルタ２０ａを示している。これら
の図面では、圧電セラミック基板の一方主面上に形成さ
れる電極パターンのみが図示されている。これらセラミ
ックフィルタ２０および２０ａは、２素子フィルタであ
る。
【００１９】図８および図９をともに参照して、これら
セラミックフィルタ２０および２０ａの共通点について
説明すると、図示しないアース電極に圧電セラミック基
板を介して共通に対向する第１組の第１および第２の振
動電極２１および２２を備え、それぞれに第１および第
２の引出しライン２３および２４が接続される。第２の
引出しライン２４には、一方の端子電極２５が接続され
る。同様に、第２組の第１および第２の振動電極２６お
よび２７を備え、この第１の振動電極２６は、前述した
第１の引出しライン２３に接続される。他方、第２の振
動電極２７は、第２の引出しライン２８に接続され、こ
の第２の引出しライン２８には、他方の端子電極２９が
接続される。ここまで述べた構成は、図８および図９に
共通である。
セラミックフィルタ２０および２０ａの共通点について
説明すると、図示しないアース電極に圧電セラミック基
板を介して共通に対向する第１組の第１および第２の振
動電極２１および２２を備え、それぞれに第１および第
２の引出しライン２３および２４が接続される。第２の
引出しライン２４には、一方の端子電極２５が接続され
る。同様に、第２組の第１および第２の振動電極２６お
よび２７を備え、この第１の振動電極２６は、前述した
第１の引出しライン２３に接続される。他方、第２の振
動電極２７は、第２の引出しライン２８に接続され、こ
の第２の引出しライン２８には、他方の端子電極２９が
接続される。ここまで述べた構成は、図８および図９に
共通である。
【００２０】図８に示したセラミックフィルタ２０で
は、さらに、第２の引出しライン２４および２８のそれ
ぞれに延長部３０および３１が形成される。これら延長
部３０および３１は、それぞれ、第１の振動電極２１お
よび２６に対して近接部３２および３３を与え、ここ
に、新たな静電容量を発生させる。その結果、第１およ
び第２の振動電極２１および２２、ならびに第１および
第２の振動電極２６および２７のそれぞれの間に形成さ
れる静電容量が、図９に示したセラミックフィルタ２０
ａの場合に比べて増加される。これによって、選択度の
改善が可能となる。
は、さらに、第２の引出しライン２４および２８のそれ
ぞれに延長部３０および３１が形成される。これら延長
部３０および３１は、それぞれ、第１の振動電極２１お
よび２６に対して近接部３２および３３を与え、ここ
に、新たな静電容量を発生させる。その結果、第１およ
び第２の振動電極２１および２２、ならびに第１および
第２の振動電極２６および２７のそれぞれの間に形成さ
れる静電容量が、図９に示したセラミックフィルタ２０
ａの場合に比べて増加される。これによって、選択度の
改善が可能となる。
【００２１】図１０は、この発明のさらに他の実施例に
よるセラミックフィルタ３４を示し、図１１は、その比
較例となる従来のセラミックフィルタ３４ａを示してい
る。これらの図面では、圧電セラミック基板の図示が省
略されているが、この圧電セラミック基板の一方主面に
形成される電極パターンが実線で示され、他方主面に形
成される電極パターンが破線で示されている。これらセ
ラミックフィルタ３４および３４ａは、３素子フィルタ
である。
よるセラミックフィルタ３４を示し、図１１は、その比
較例となる従来のセラミックフィルタ３４ａを示してい
る。これらの図面では、圧電セラミック基板の図示が省
略されているが、この圧電セラミック基板の一方主面に
形成される電極パターンが実線で示され、他方主面に形
成される電極パターンが破線で示されている。これらセ
ラミックフィルタ３４および３４ａは、３素子フィルタ
である。
【００２２】図１０および図１１をともに参照しなが
ら、これらセラミックフィルタ３４および３４ａに共通
する構成について説明する。アース電極３５に共通に対
向するように、第１組の第１および第２の振動電極３６
および３７が形成される。これら第１および第２の振動
電極３６および３７には、それぞれ、第１および第２の
引出しライン３８および３９が接続される。第１の引出
しライン３８には、一方の端子電極４０が接続される。
また、アース電極４１に共通に対向するように、第２組
の第１および第２の振動電極４２および４３が形成され
る。第１の振動電極４２には、第１の引出しライン４４
が接続され、第２の振動電極４３には、前述した第２の
引出しライン３９が接続される。さらに、アース電極４
５に共通に対向するように、第３組の第１および第２の
振動電極４６および４７が形成される。第１の振動電極
４６には、前述した第１の引出しライン４４が接続さ
れ、第２の振動電極４７には、第２の引出しライン４８
が接続され、この第２の引出しライン４８には、もう一
方の端子電極４９が接続される。ここまで述べた構成
は、図１０および図１１において共通している。
ら、これらセラミックフィルタ３４および３４ａに共通
する構成について説明する。アース電極３５に共通に対
向するように、第１組の第１および第２の振動電極３６
および３７が形成される。これら第１および第２の振動
電極３６および３７には、それぞれ、第１および第２の
引出しライン３８および３９が接続される。第１の引出
しライン３８には、一方の端子電極４０が接続される。
また、アース電極４１に共通に対向するように、第２組
の第１および第２の振動電極４２および４３が形成され
る。第１の振動電極４２には、第１の引出しライン４４
が接続され、第２の振動電極４３には、前述した第２の
引出しライン３９が接続される。さらに、アース電極４
５に共通に対向するように、第３組の第１および第２の
振動電極４６および４７が形成される。第１の振動電極
４６には、前述した第１の引出しライン４４が接続さ
れ、第２の振動電極４７には、第２の引出しライン４８
が接続され、この第２の引出しライン４８には、もう一
方の端子電極４９が接続される。ここまで述べた構成
は、図１０および図１１において共通している。
【００２３】図１０に示したセラミックフィルタ３４
は、図１１に示したセラミックフィルタ３４ａと比較し
て、第１および第２の引出しライン４４および３９の延
びる経路が変更されている。すなわち、これら第１およ
び第２の引出しライン４４および３９は、近接部５０を
形成するように、互いに近接して配置される。このよう
にして、近接部５０において、第１および第２の振動電
極４２および４３の間に形成される静電容量を増加させ
る新たな静電容量が形成される。これによって、図１０
に示したセラミックフィルタ３４においても、選択度が
改善される。
は、図１１に示したセラミックフィルタ３４ａと比較し
て、第１および第２の引出しライン４４および３９の延
びる経路が変更されている。すなわち、これら第１およ
び第２の引出しライン４４および３９は、近接部５０を
形成するように、互いに近接して配置される。このよう
にして、近接部５０において、第１および第２の振動電
極４２および４３の間に形成される静電容量を増加させ
る新たな静電容量が形成される。これによって、図１０
に示したセラミックフィルタ３４においても、選択度が
改善される。
【００２４】図１２は、図１０に示したセラミックフィ
ルタ３４（実線）および図１１に示したセラミックフィ
ルタ３４ａ（一点鎖線）のそれぞれのフィルタ波形を示
している。図１２からわかるように、この発明の実施例
によるセラミックフィルタ３４は、従来のセラミックフ
ィルタ３４ａに比べて、選択度が改善されている。
ルタ３４（実線）および図１１に示したセラミックフィ
ルタ３４ａ（一点鎖線）のそれぞれのフィルタ波形を示
している。図１２からわかるように、この発明の実施例
によるセラミックフィルタ３４は、従来のセラミックフ
ィルタ３４ａに比べて、選択度が改善されている。
【００２５】この発明は、上述した各実施例によるセラ
ミックフィルタに限らず、たとえば、４素子以上のセラ
ミックフィルタにも適用することができる。
ミックフィルタに限らず、たとえば、４素子以上のセラ
ミックフィルタにも適用することができる。
【図１】この発明の一実施例によるセラミックフィルタ
１５を示す平面図である。
１５を示す平面図である。
【図２】図１に示したセラミックフィルタ１５の比較例
となる従来のセラミックフィルタ１５ａを示す平面図で
ある。
となる従来のセラミックフィルタ１５ａを示す平面図で
ある。
【図３】多重モードフィルタの構造を原理的に示す断面
図である。
図である。
【図４】多重モードフィルタのフィルタ特性およびモー
ド配置を示す図である。
ド配置を示す図である。
【図５】ＳモードのｆaS−ｆrSの値を小さくした場合の
フィルタ波形およびモード配置を示す図である。
フィルタ波形およびモード配置を示す図である。
【図６】図１に示した構成により得られるフィルタ波形
およびモード配置の変化を示す図である。
およびモード配置の変化を示す図である。
【図７】多重モードフィルタの等価回路図である。
【図８】この発明の他の実施例によるセラミックフィル
タ２０の電極パターン図である。
タ２０の電極パターン図である。
【図９】図８に示したセラミックフィルタ２０の比較例
となる従来のセラミックフィルタ２０ａの電極パターン
図である。
となる従来のセラミックフィルタ２０ａの電極パターン
図である。
【図１０】この発明のさらに他の実施例によるセラミッ
クフィルタ３４の電極パターン図である。
クフィルタ３４の電極パターン図である。
【図１１】図１０のセラミックフィルタ３４の比較例と
なる従来のセラミックフィルタ３４ａの電極パターン図
である。
なる従来のセラミックフィルタ３４ａの電極パターン図
である。
【図１２】図１０に示したセラミックフィルタ３４（実
線）および図１１に示したセラミックフィルタ３４ａ
（一点鎖線）のそれぞれのフィルタ波形図である。
線）および図１１に示したセラミックフィルタ３４ａ
（一点鎖線）のそれぞれのフィルタ波形図である。
５ 圧電セラミック基板 ６，７，２１，２２，２６，２７，３６，３７，４２，
４３，４６，４７ 振動電極 ８，３５，４１，４５ アース電極 ９，１０，２３，２４，２８，３８，３９，４４，４８
引出しライン １５，２０，３４ セラミックフィルタ １６，１７，３０，３１ 延長部 １８，１９，３２，３３，５０ 近接部
４３，４６，４７ 振動電極 ８，３５，４１，４５ アース電極 ９，１０，２３，２４，２８，３８，３９，４４，４８
引出しライン １５，２０，３４ セラミックフィルタ １６，１７，３０，３１ 延長部 １８，１９，３２，３３，５０ 近接部
Claims (1)
- 【請求項１】 圧電セラミック基板と、前記圧電セラミ
ック基板の一方主面上に所定の間隔を隔てて形成される
少なくとも１対の第１および第２の振動電極と、対をな
す前記第１および第２の振動電極の双方に共通に対向す
るように前記圧電セラミック基板の他方主面上に形成さ
れるアース電極と、前記第１および第２の振動電極にそ
れぞれ接続されかつ前記圧電セラミック基板の一方主面
上に形成される第１および第２の引出しラインとを備え
る、セラミックフィルタにおいて、 前記第１および第２の振動電極の間に形成される静電容
量を増加させるべく、前記第１および第２の引出しライ
ンの少なくとも一方が、他方の引出しラインまたは当該
他方の引出しラインに接続される前記振動電極に近接し
て配置されたことを特徴とする、セラミックフィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844992A JPH05327401A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | セラミックフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12844992A JPH05327401A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | セラミックフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327401A true JPH05327401A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=14984993
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12844992A Pending JPH05327401A (ja) | 1992-05-21 | 1992-05-21 | セラミックフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327401A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6608428B2 (en) | 2000-11-27 | 2003-08-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Longitudinally coupled multi-mode piezoelectric filter |
| US6784763B2 (en) | 2002-05-24 | 2004-08-31 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Longitudinally coupled multi-mode piezoelectric bulk wave filter and electronic components using the same |
| US6822536B1 (en) | 2002-05-24 | 2004-11-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Longitudinally coupled multi-mode piezoelectric bulk wave filter device, longitudinally coupled multi-mode piezoelectric bulk wave filter, and electronic component |
| US6897744B2 (en) | 2002-05-21 | 2005-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Longitudinally-coupled multi-mode piezoelectric bulk wave filter and electronic component |
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| JP2015186229A (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電振動素子、圧電デバイス及び圧電振動素子の製造方法 |
| JP2016539553A (ja) * | 2013-10-30 | 2016-12-15 | クアルコム，インコーポレイテッド | スプリアスモード抑圧のための非対称不平衡音響結合共振器 |
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| JPS5350958A (en) * | 1976-10-20 | 1978-05-09 | Murata Manufacturing Co | Multiple mode ceramic filter utilizing thickness slip vibration |
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-
1992
- 1992-05-21 JP JP12844992A patent/JPH05327401A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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