JPH05326098A - 端子の電気的接続方法 - Google Patents

端子の電気的接続方法

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JPH05326098A
JPH05326098A JP12640692A JP12640692A JPH05326098A JP H05326098 A JPH05326098 A JP H05326098A JP 12640692 A JP12640692 A JP 12640692A JP 12640692 A JP12640692 A JP 12640692A JP H05326098 A JPH05326098 A JP H05326098A
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JP
Japan
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alloy
terminal
electrical connection
liquid phase
heap
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP12640692A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuo Chiyonobu
達雄 千代延
Kaoru Hashimoto
薫 橋本
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Priority to DE69219042T priority patent/DE69219042T2/de
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  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は端子の電気的接続方法に関し、電気
的接続状態の信頼性の向上に併せて、電気的接続の解除
の容易化を実現することを目的とする。 【構成】 ピン端子4の先端のガリウム盛り部5とパッ
ド状端子12上のインジウム盛り部13との当接部に液
相であるGa−In合金16が介在する。冷却手段10
が、Ga−In合金16をその融点により若干高い温度
に保つように冷却して、Ga−In合金16が液相を保
ち且つ拡散しないように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は端子の電気的接続方法に
係り、特に端子間を液体金属によって電気的に接続する
方法に関する。
【0002】この種の端子の電気的接続方法は、長期に
亘る信頼性が高いこと及び接続解除が低荷重で行われる
ものであることが必要とされる。
【0003】
【従来の技術】対向する端子が当接している部位を液体
金属で覆って、端子を電気的に接続する方法が、特開昭
59−185902号及び特開昭58−130540号
等に示されている。
【0004】この電気的接続方法は、接片により弾性的
に挟み込む方式に比べて、挿抜力が格段に小さくて済
み、特に端子の数が多い部分に適用して効果を有する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】電子装置の中には、稼
働時に相当に発熱するものがある。
【0006】上記の電気的接続方法を、発熱量の多い電
子装置の内部で使用した場合には、夫々極微量である液
体金属が熱によって時間の経過と共に徐々に端子内に拡
散し、遂には無くなってしまう。
【0007】液体金属が無くなると、端子同志は半田付
けされたように機械的に接合した状態となってしまう。
このような状態となると、接続を解除することが極めて
困難となってしまう。そこで、本発明は、液体金属の端
子内への拡散を抑制して、電気的接続の解除の容易化を
保証しうるようにした端子の電気的接続方法を提供する
ことを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、対向
する端子が当接する当接部に、室温で液相である液体金
属を介在させると共に、冷却手段によって冷却して、上
記当接部を室温に保つ構成としたものである。
【0009】
【作用】冷却手段によって当接部を室温に保つことは、
液体金属が端子内へ拡散することを抑制するように作用
する。
【0010】
【実施例】次に、本発明の端子の電気的接続方法の一実
施例について、図1乃至図4を参照して説明する。
【0011】図2乃至図4中、1は電子回路モジュール
であり、プリント回路基板2上に複数のLSI3が実装
しており、プリント回路基板2の下面にNi製の多数の
ピン端子4が固定してある。
【0012】各ピン端子4の先端4aには、ガリウム
(Ga)を略半球状に盛ったガリウム盛り部5が形成し
てある。
【0013】6はペルチェ素子であり、全部のピン端子
4の先端を冷却するようにピン端子4の部分に設けてあ
る。
【0014】7はサーミスタであり、特定のピン端子4
の先端4aに設けてある。
【0015】8はペルチェ素子駆動回路である。
【0016】9は制御回路であり、サーミスタ7の出力
をモニタして上記ペルチェ素子駆動回路8を動作させ
る。
【0017】上記のペルチェ素子6、サーミスタ7、ペ
ルチェ素子駆動回路8及び制御回路9が、冷却手段10
を構成する。この冷却手段10は、電子回路モジュール
1の稼働中、ピン端子4の先端4aを室温に保つように
動作する。
【0018】11はマザーボードである。
【0019】12はパッド状の端子であり、Ni製であ
り、マザーボード11上に多数形成してある。
【0020】各パッド状端子12上には、インジウム
(In)を略半球状に盛ったインジウム盛り部13が形
成してある。
【0021】次に、上記のピン端子4とパッド状端子1
2との電気的接続について説明する。
【0022】電気的接続の動作は、図3に示すように、
電子回路モジュール1をマザーボード11に対して位置
合せし、矢印15で示すように、電子回路モジュール1
を下げて、各ピン端子4を対応するパッド状端子12に
単に当接させることによりなされる。
【0023】このため、ピン端子4が数千本と多い場合
であっても、上記の電気的接続動作は低荷重でなされ
る。
【0024】電気的接続状態は図2及び図1に示す如く
になる。
【0025】ガリウム盛り部5がインジウム盛り部13
に当接すると、共晶現象が起こり、液相のGa−In合
金16が湧き出し、液相のGa−In合金16が、Ga
盛り部5とIn盛り部13とが当接している部分17の
周囲を覆う。
【0026】このように、ピン端子4とパッド状端子1
2との間には液相のGa−In合金16が介在してお
り、これが当接部17の面積を増しているため、ピン端
子4とパッド状端子12との間の接触抵抗は20mΩ程
度と小さい。
【0027】こゝで、Ga−In合金16の融点は、1
5.7℃である。
【0028】次に、電子回路モジュール1の稼働中の状
態について説明する。
【0029】電子回路モジュール1が稼働すると、LS
I3が発熱し、電子回路モジュール1は80℃にも上昇
し、ピン端子4の先端4aの温度が上昇する。
【0030】ピン端子4の先端4aの温度は、サーミス
タ7により検出され、この温度が、上昇すると、制御回
路9及び駆動回路8を介してペルチェ素子6が動作され
る。ペルチェ素子6が動作されると、ピン端子4が冷却
され、ピン端子4を介して上記当接部17を含むこの周
囲の部分が冷却され、15.7℃より若干高い温度であ
る室温に保たれる。
【0031】このため、液相のGa−In合金16がG
a盛り部4及びInに盛り部13内へ拡散することが抑
制され、且つGa−In合金16は液相状態を維持して
Ga盛り部4とIn盛り部13との間に介在し続ける。
【0032】従って、ピン端子4とパット状端子12と
の間の接触抵抗は、20mΩという低い値に保たれる。
【0033】本発明者は、電子回路モジュール1及びマ
ザーボード11を80℃の雰囲気に1,000時間放置
した御にも、液相のGa−In合金16が残っているこ
とを確認した。
【0034】次に、電子回路モジュール1を交換すべく
取り外すときの動作について説明する。
【0035】電子回路モジュール1は、図2中、矢印1
8で示すように引き上げることにより取り外される。
【0036】このとき、Ga盛り部−In盛り部当接部
17の周囲には、Ga−In合金16が存在しており、
Ga盛り部5とIn盛り部13とは機械的には接合して
いず、単に当接している状態にある。
【0037】このため、ピン端子4をパッド状端子12
より離すのに力は必要とせず、ピン端子4が数千本ある
場合であっても、電子回路モジュール1は図4に示すよ
うに、マザーボード11から極めて低荷重で容易に取り
外される。
【0038】なお、当接部の温度がGa−In合金の融
点より低下した場合には、Ga−In合金は凝固してし
まう。しかし、室温に戻せば、Ga−In合金は液相と
なり、電気的接続の解除は円滑に行われる。
【0039】次に、別の実施例について説明する。
【0040】パッド状端子12上のIn盛り部13の代
わりに、Sn盛り部又はIn−Sn合金盛り部を用いて
もよい。
【0041】図5はSn盛り部20を形成したものであ
る。
【0042】Ga盛り部5とSn盛り部20と間には、
共晶現象により発生した融点が20℃であるGa−Sn
合金21が液相状態で介在している。
【0043】図6は、In−Sn合金盛り部22を形成
したものである。
【0044】Ga盛り部5とIn−Sn合金盛り部22
との間には、共晶現象により発生した融点が15℃であ
るGa−Sn−In合金23が液相状態で介在してい
る。
【0045】また、図7に示すように、Niピン端子4
とNiパッド状端子12とを当接させ、この当接部に、
液相であるGa−In合金16(又はGa−Sn合金又
はGa−In−Sn合金)を付着させてもよい。
【0046】またペルチェ素子6に代えて、水冷あるい
は沸化炭素冷媒の冷却装置を設けてもよい。
【0047】また、本発明は、上記の実施例に限らず、
ソケットとフラグとよりなる一般のコネクタにも適用で
きる。
【0048】
【発明の効果】以上説明した様に、請求項1の発明によ
れば、当接部に、液体金属を確実に長期に亘って介在さ
せることが出来、然して端子の電気的接続の信頼性を長
期に亘って保証することが出来、しかも、電気的接続の
解除を低荷重で円滑に行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】図2の一部を拡大して示す図である。
【図2】本発明の端子の電気的接続方法の一実施例の電
気的接続状態を示す図である。
【図3】電気的に接続させる直前の状態を説明する図で
ある。
【図4】電気的接続の解除を説明する図である。
【図5】本発明の第2実施例を示す図である。
【図6】本発明の第3実施例を示す図である。
【図7】本発明の第4実施例を示す図である。
【符号の説明】
1 電子回路モジュール 2 プリント回路基板 3 LSI 4 ピン端子 4a 先端 5 ガリウム(Ga)盛り部 6 ペルチェ素子 7 サーミスタ 8 ペルチェ素子駆動回路 9 制御回路 10 冷却手段 11 マザーボード 12 パッド状の端子 13 インジウム(In)盛り部 15 電気的接続を示す矢印 16 液相のGa−In盛り部当接部 17 Ga盛り部−In盛り部当接部 18 電気的接続の解除を示す矢印 20 Sn盛り部 21 液相のGa−Sn合金 22 In−Sn合金盛り部 23 液相のGa−In−Sn合金

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 対向する端子が当接する当接部(17)
    に、室温で液相である液体金属(16)を介在させると
    共に、 冷却手段(10)によって冷却して、上記当接部を室温
    に保つことを特徴とする端子の電気的接続方法。
JP12640692A 1991-09-10 1992-05-19 端子の電気的接続方法 Withdrawn JPH05326098A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12640692A JPH05326098A (ja) 1992-05-19 1992-05-19 端子の電気的接続方法
EP92307907A EP0532215B1 (en) 1991-09-10 1992-09-01 Electrical connecting method
CA002077286A CA2077286C (en) 1991-09-10 1992-09-01 Electrical connecting method
DE69219042T DE69219042T2 (de) 1991-09-10 1992-09-01 Verfahren zur elektrischen Verbindung
US08/205,766 US5417362A (en) 1991-09-10 1994-03-04 Electrical connecting method

Applications Claiming Priority (1)

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JP12640692A JPH05326098A (ja) 1992-05-19 1992-05-19 端子の電気的接続方法

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010077183A1 (ru) * 2008-12-30 2010-07-08 Ryabov Vladimir Aleksandrovich Разборное электрическое контактное соединение и способ его обработки
CN113084390A (zh) * 2021-04-12 2021-07-09 郑州机械研究所有限公司 一种多层药芯银钎料及其制备方法

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