JPH05325266A - 光カード - Google Patents
光カードInfo
- Publication number
- JPH05325266A JPH05325266A JP4130284A JP13028492A JPH05325266A JP H05325266 A JPH05325266 A JP H05325266A JP 4130284 A JP4130284 A JP 4130284A JP 13028492 A JP13028492 A JP 13028492A JP H05325266 A JPH05325266 A JP H05325266A
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- JP
- Japan
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- layer
- optical card
- optical
- optical recording
- light
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】書き込み／読み取り性能および経時安定性に優
れた光カードを提供する。 【構成】光透過性の基材１１の一方の側に形成される光
反射率の異なるパターン１３ａ、１３ｂと、該パターン
上に形成される光記録層１３とを有する光カードであっ
て、前記光記録層１３がテルルの中間酸化物であり、前
記中間酸化物の屈折率が、シリコンウエハ上で波長７８
０ｎｍのレーザー光で測定した場合、２．７〜３．５で
あるように選択する。
れた光カードを提供する。 【構成】光透過性の基材１１の一方の側に形成される光
反射率の異なるパターン１３ａ、１３ｂと、該パターン
上に形成される光記録層１３とを有する光カードであっ
て、前記光記録層１３がテルルの中間酸化物であり、前
記中間酸化物の屈折率が、シリコンウエハ上で波長７８
０ｎｍのレーザー光で測定した場合、２．７〜３．５で
あるように選択する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ光により情報記
録ビットを読み取るリード・オン・メモリ（ＲＯＭ）タ
イプ、レーザ光により書き込みが可能なダイレクト・リ
ード・アフタ・ライト（ＤＲＡＷ）タイプ、或いは消
去、書き込みが可能なタイプの光カードおよびその製造
方法に関する。
録ビットを読み取るリード・オン・メモリ（ＲＯＭ）タ
イプ、レーザ光により書き込みが可能なダイレクト・リ
ード・アフタ・ライト（ＤＲＡＷ）タイプ、或いは消
去、書き込みが可能なタイプの光カードおよびその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】上記光カードとして、従来、光反射率の
差異によって記録情報の検知を行う種々の方式が知られ
ており、そのうち本出願人は、特開平１−１０５７９１
号公報において、低反射率部分を粗面化した部分で構成
するという比較的簡単な手段によって、予想外に精密か
つ良好な光記録体を得ることができ、しかも、工業的規
模での大量複製においても極めて有利な光カードを提案
した。
差異によって記録情報の検知を行う種々の方式が知られ
ており、そのうち本出願人は、特開平１−１０５７９１
号公報において、低反射率部分を粗面化した部分で構成
するという比較的簡単な手段によって、予想外に精密か
つ良好な光記録体を得ることができ、しかも、工業的規
模での大量複製においても極めて有利な光カードを提案
した。
【０００３】この光カードを図４により説明すると、光
カード１は、カード基板２と、印刷層３と、接着剤層４
と、光記録材料層５と、光透過性の基材６とから構成さ
れ、基材６には、微細に粗面化された面を有する低反射
率部分６ａと平滑な面を有する高反射率部分６ｂとが交
互に形成されるパターンを有しており、光透過性の基材
６からレーザー光が入射されると、高反射率部分６ｂに
おいては光が強く反射され、低反射率部分６ａにおいて
は表面が粗面化されているため反射率が低下することに
なる。
カード１は、カード基板２と、印刷層３と、接着剤層４
と、光記録材料層５と、光透過性の基材６とから構成さ
れ、基材６には、微細に粗面化された面を有する低反射
率部分６ａと平滑な面を有する高反射率部分６ｂとが交
互に形成されるパターンを有しており、光透過性の基材
６からレーザー光が入射されると、高反射率部分６ｂに
おいては光が強く反射され、低反射率部分６ａにおいて
は表面が粗面化されているため反射率が低下することに
なる。
【０００４】そして、ＲＯＭタイプのカードの場合に
は、低反射率部分６ａに情報記録ビットを形成し、一
方、ＤＲＡＷタイプのカードの場合には、低反射率部分
６ａを案内トラックとし、高反射率部分６ｂにレーザー
により情報を書き込むようにしている。
は、低反射率部分６ａに情報記録ビットを形成し、一
方、ＤＲＡＷタイプのカードの場合には、低反射率部分
６ａを案内トラックとし、高反射率部分６ｂにレーザー
により情報を書き込むようにしている。
【０００５】光記録材料としては、例えば、金属系（Ｔ
ａ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｚｎ／
Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｍＳ等）、カルコゲナイド系（Ｔ
ｅ、Ｔｅ−Ａｓ、Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ａｓ、Ｔｅ
−ＣＳ2 、Ｔｅ−Ｃ、Ｔｅ複合物、Ａｓ−Ｓｅ−Ｓ−Ｇ
ｅ等）、酸化物系（ＴｅＯx 、ＧｅＯx 、ＭｏＯx 、Ｖ
Ｏ2 等）、有機物系（色素薄膜＋樹脂、Ａｇ＋ポリマ
ー、熱可塑性樹脂、ＣｕーＰｃ／Ｔｅ等）が知られてお
り、このうちテルルの中間酸化物（ＴｅＯx ）が、記録
層としての安定性、耐候性、記録感度および再生感度に
優れている。
ａ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ、Ｚｎ／
Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｍＳ等）、カルコゲナイド系（Ｔ
ｅ、Ｔｅ−Ａｓ、Ｔｅ−Ｓｅ、Ｔｅ−Ｓｅ−Ａｓ、Ｔｅ
−ＣＳ2 、Ｔｅ−Ｃ、Ｔｅ複合物、Ａｓ−Ｓｅ−Ｓ−Ｇ
ｅ等）、酸化物系（ＴｅＯx 、ＧｅＯx 、ＭｏＯx 、Ｖ
Ｏ2 等）、有機物系（色素薄膜＋樹脂、Ａｇ＋ポリマ
ー、熱可塑性樹脂、ＣｕーＰｃ／Ｔｅ等）が知られてお
り、このうちテルルの中間酸化物（ＴｅＯx ）が、記録
層としての安定性、耐候性、記録感度および再生感度に
優れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、テル
ルの中間酸化物（ＴｅＯx ）が光記録材料として特に好
ましく用いられているが、光カードとしての書き込み／
読み取り性能および経時安定性を考慮した場合、どの程
度のテルルの中間酸化物が優れているかは明らかにされ
ていない。
ルの中間酸化物（ＴｅＯx ）が光記録材料として特に好
ましく用いられているが、光カードとしての書き込み／
読み取り性能および経時安定性を考慮した場合、どの程
度のテルルの中間酸化物が優れているかは明らかにされ
ていない。
【０００７】そこで、本発明の目的は、テルルの中間酸
化物の屈折率に注目して、書き込み／読み取り性能およ
び経時安定性に優れた光カードを提供することである。
化物の屈折率に注目して、書き込み／読み取り性能およ
び経時安定性に優れた光カードを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光カードは、光透過性の基材の一方の側に
形成される光反射率の異なるパターンと、該パターン上
に形成される光記録層とを有する光カードであって、前
記光記録層がテルルの中間酸化物であり、前記中間酸化
物の屈折率が、シリコンウエハ上で波長７８０ｎｍのレ
ーザー光で測定した場合、２．７〜３．５であることを
特徴とする。
に、本発明の光カードは、光透過性の基材の一方の側に
形成される光反射率の異なるパターンと、該パターン上
に形成される光記録層とを有する光カードであって、前
記光記録層がテルルの中間酸化物であり、前記中間酸化
物の屈折率が、シリコンウエハ上で波長７８０ｎｍのレ
ーザー光で測定した場合、２．７〜３．５であることを
特徴とする。
【０００９】なお、前記光記録層の前記基材とは反対側
に常温硬化性の樹脂からなる増感層を形成してもよい
し、さらに、前記増感層の前記光記録層とは反対側に光
吸収層を形成し、波長７８０ｎｍの光に対して記録部の
反射率が１５％以下であるようにしてもよい。
に常温硬化性の樹脂からなる増感層を形成してもよい
し、さらに、前記増感層の前記光記録層とは反対側に光
吸収層を形成し、波長７８０ｎｍの光に対して記録部の
反射率が１５％以下であるようにしてもよい。
【００１０】
【作用】本発明においては、テルルの中間酸化物の屈折
率の最適値は、２．７〜３．５であることが明らかとな
り、また、光記録層の下に設けられる常温硬化性の樹脂
層が増感層として作用し、レーザー光照射によりピット
が形成しやすくなることがあきらかとなり、さらに、増
感層の下に光吸収層を設けたときのピットの反射率は１
５％以下になっていることが明らかとなり、この反射率
は前記増感層と光吸収層に起因することが明らかとなっ
た。
率の最適値は、２．７〜３．５であることが明らかとな
り、また、光記録層の下に設けられる常温硬化性の樹脂
層が増感層として作用し、レーザー光照射によりピット
が形成しやすくなることがあきらかとなり、さらに、増
感層の下に光吸収層を設けたときのピットの反射率は１
５％以下になっていることが明らかとなり、この反射率
は前記増感層と光吸収層に起因することが明らかとなっ
た。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図１は、本発明の光カードの製造方法の１実施
例を説明するための図である。
明する。図１は、本発明の光カードの製造方法の１実施
例を説明するための図である。
【００１２】先ず、（ａ）に示すように、微細に粗面化
したガラス板７上に、回転式フォトレジスト塗布機によ
りフォトレジスト層８を４０００〜２００００オングス
トロームの厚さで均一に塗布した後、マスク合わせ装置
を用いてフォトマスク９をフォトレジスト層８に重ね合
わせた後、紫外線により露光する。
したガラス板７上に、回転式フォトレジスト塗布機によ
りフォトレジスト層８を４０００〜２００００オングス
トロームの厚さで均一に塗布した後、マスク合わせ装置
を用いてフォトマスク９をフォトレジスト層８に重ね合
わせた後、紫外線により露光する。
【００１３】次に（ｂ）に示すように、フォトレジスト
層８を現像すると、ポジタイプのレジストでは、紫外線
の当たったところのフォトレジストは流れ去り、当たら
ない部分のレジストが残り、フォトマスク９のパターン
がガラス板７上に転写され、これによりフォトレジスト
層８の表面が粗面化されるとともに、幅５μ程度、ピッ
チ１５μ程度の開口パターンが形成された原版１０が作
成される。
層８を現像すると、ポジタイプのレジストでは、紫外線
の当たったところのフォトレジストは流れ去り、当たら
ない部分のレジストが残り、フォトマスク９のパターン
がガラス板７上に転写され、これによりフォトレジスト
層８の表面が粗面化されるとともに、幅５μ程度、ピッ
チ１５μ程度の開口パターンが形成された原版１０が作
成される。
【００１４】次に（ｃ）に示すように、ＰＭＭＡ（ポリ
メチルメタクリレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等
の光透過性の基材１１上に、例えば電離性放射線硬化樹
脂或いは熱硬化樹脂の成型樹脂からなる型取り剤１２を
積層し、（ｂ）で作成した原版１０を重ねてプレス機で
プレスを行った後、（ｄ）に示すように、原版１０と型
取り剤１２とを剥離、硬化または、（ｃ）の状態で硬化
後剥離させることにより、型取り剤１２上に表面が粗面
化された突部を有するパターンが形成される。次いで
（ｅ）に示すように、テルルの酸化物（ＴｅＯx ）から
なる光記録層１３の薄膜層を蒸着、スパッタリング或い
は化学的方法等により形成させる。次に（ｆ）に示すよ
うに、光吸収層１４を印刷した塩化ビニール等の基板１
５に増感層としての接着剤１６を用いて接着し、低反射
率部分１３ａと高反射率部分１３ｂからなるパターンを
有する光カードを製造する。
メチルメタクリレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）等
の光透過性の基材１１上に、例えば電離性放射線硬化樹
脂或いは熱硬化樹脂の成型樹脂からなる型取り剤１２を
積層し、（ｂ）で作成した原版１０を重ねてプレス機で
プレスを行った後、（ｄ）に示すように、原版１０と型
取り剤１２とを剥離、硬化または、（ｃ）の状態で硬化
後剥離させることにより、型取り剤１２上に表面が粗面
化された突部を有するパターンが形成される。次いで
（ｅ）に示すように、テルルの酸化物（ＴｅＯx ）から
なる光記録層１３の薄膜層を蒸着、スパッタリング或い
は化学的方法等により形成させる。次に（ｆ）に示すよ
うに、光吸収層１４を印刷した塩化ビニール等の基板１
５に増感層としての接着剤１６を用いて接着し、低反射
率部分１３ａと高反射率部分１３ｂからなるパターンを
有する光カードを製造する。
【００１５】前記型取り剤１２の例を下記に示す。
【００１６】（Ａ）電離性放射線光樹脂 電子線硬化型樹脂 ウレタンアクリレート、オリゴエステルアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジアクリレート、エポキシアクリレート、
ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレー
ト、メラミンアクリレート等アクリロイル基をもつ重合
性オリゴマー若しくはモノマーと、または、これらオリ
ゴマー若しくはモノマーとアクリル酸、アクリルアミ
ド、アクリロニトリル、スチレン等重合性ビニル基を含
む単官能又は多官能モノマーを配合したもの。
トリメチロールプロパントリアクリレート、ネオペンチ
ルグリコールジアクリレート、エポキシアクリレート、
ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレー
ト、メラミンアクリレート等アクリロイル基をもつ重合
性オリゴマー若しくはモノマーと、または、これらオリ
ゴマー若しくはモノマーとアクリル酸、アクリルアミ
ド、アクリロニトリル、スチレン等重合性ビニル基を含
む単官能又は多官能モノマーを配合したもの。
【００１７】紫外線硬化樹脂 上記の樹脂組成に光重合開始剤、増感剤若しくは所望
の添加剤を添加したもの。
の添加剤を添加したもの。
【００１８】（Ｂ）熱硬化性樹脂 エポキシ樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹
脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、アミド樹脂、フェノー
ル／フォルマリン樹脂。
脂、ウレタン樹脂、ユリア樹脂、アミド樹脂、フェノー
ル／フォルマリン樹脂。
【００１９】次に、本発明の特徴である光記録層１３、
光吸収層１４および増感層としての接着剤１６について
詳細に説明する。
光吸収層１４および増感層としての接着剤１６について
詳細に説明する。
【００２０】先ず、光記録層１３の実施例について詳述
すると、図１（ｃ）に示す粗面化部が形成された基材１
１に金属製のマスクを重ね合わせ、スパッタリング装置
の基板ホルダー内に設置し、１×１０-5Ｔｏｒｒ台の圧
力まで排気し、ＡｒガスとＯ2 ガスを流量計で制御しな
がら導入し、次に、グロー放電を安定して持続させるた
めに、メインバルブを調節して１×１０-3Ｔｏｒｒ台の
圧力とし、スパークを起こしてスパッタリングを生じさ
せる。電源には１ｋｗ容量のＲＦ電源を用い、ターゲッ
トは、Ｔｅの１０インチ（直径）を用いた。成膜の前に
ターゲット表面を雰囲気中で一定の状態に安定化させる
ため、シャッターを閉じたまま５分間のプリスパッタを
行い、その後、２０分間の成膜を行った。
すると、図１（ｃ）に示す粗面化部が形成された基材１
１に金属製のマスクを重ね合わせ、スパッタリング装置
の基板ホルダー内に設置し、１×１０-5Ｔｏｒｒ台の圧
力まで排気し、ＡｒガスとＯ2 ガスを流量計で制御しな
がら導入し、次に、グロー放電を安定して持続させるた
めに、メインバルブを調節して１×１０-3Ｔｏｒｒ台の
圧力とし、スパークを起こしてスパッタリングを生じさ
せる。電源には１ｋｗ容量のＲＦ電源を用い、ターゲッ
トは、Ｔｅの１０インチ（直径）を用いた。成膜の前に
ターゲット表面を雰囲気中で一定の状態に安定化させる
ため、シャッターを閉じたまま５分間のプリスパッタを
行い、その後、２０分間の成膜を行った。
【００２１】マスク上に耐熱テープでＳｉウエハを固定
しておき、触針式段差膜厚計にて膜厚を測定した結果、
０．０５μｍであることが分かった。さらにこれをエリ
プソメータにより、波長７８０ｎｍのレーザー光で屈折
率を測定したところ、図２に示すような結果が得られ
た。図２は、ＴｅＯx の酸化度と屈折率の関係を示して
いる。さらに、レーザーによる書き込み試験を行ったと
ころ表１に示すように、屈折率が２．７〜３．５の範囲
で書き込み性能および経時安定性に優れていることが判
明した。
しておき、触針式段差膜厚計にて膜厚を測定した結果、
０．０５μｍであることが分かった。さらにこれをエリ
プソメータにより、波長７８０ｎｍのレーザー光で屈折
率を測定したところ、図２に示すような結果が得られ
た。図２は、ＴｅＯx の酸化度と屈折率の関係を示して
いる。さらに、レーザーによる書き込み試験を行ったと
ころ表１に示すように、屈折率が２．７〜３．５の範囲
で書き込み性能および経時安定性に優れていることが判
明した。
【００２２】
【表１】
【００２３】次に、増感層としての接着剤１６の実施例
について説明する。以上のようにして光記録膜を形成し
たポリカーボネート基板を塩化ビニル基板に接着剤にて
貼り合わせた後、カード形状に打ち抜き、光カード形状
に加工する。用いた接着剤は、東レ（株）製ＴＵ−４２
１０のウレタン系常温硬化型接着剤であり、主剤と硬化
剤の２液を適量づつ混ぜ合わせ、ポリカーボネート基板
と塩化ビニル基板との間に適量滴下して、ラミネータに
て均一に広がらせ、振動やズレの生じない場所で２４時
間放置して完全に硬化させた。以上のような材料を用い
た光カードを専用の書き込み／読み取り装置にてデータ
の読み書きを行ったところ、レーザー光に対し良好な結
果を示した。なお、エポキシ系の接着剤を用いると悪い
影響を示した。
について説明する。以上のようにして光記録膜を形成し
たポリカーボネート基板を塩化ビニル基板に接着剤にて
貼り合わせた後、カード形状に打ち抜き、光カード形状
に加工する。用いた接着剤は、東レ（株）製ＴＵ−４２
１０のウレタン系常温硬化型接着剤であり、主剤と硬化
剤の２液を適量づつ混ぜ合わせ、ポリカーボネート基板
と塩化ビニル基板との間に適量滴下して、ラミネータに
て均一に広がらせ、振動やズレの生じない場所で２４時
間放置して完全に硬化させた。以上のような材料を用い
た光カードを専用の書き込み／読み取り装置にてデータ
の読み書きを行ったところ、レーザー光に対し良好な結
果を示した。なお、エポキシ系の接着剤を用いると悪い
影響を示した。
【００２４】次に、基板１５に印刷される光吸収層１４
の実施例について説明する。白色の塩化ビニル上にそれ
ぞれ白色、黒色、メタル色の３色をベタ印刷し、７８０
〜８５０ｎｍの波長で反射率を測定したところ、それぞ
れ９０％、５％、４５％であった。これらの塩化ビニル
基板を用いて上記光カードを作製したところ、黒ベタ印
刷のカードの記録部と未記録部のコントラストが０．７
８と最も良かった。また、金色の基板を実現するため、
樹脂中にアルミ粉を分散させて黄色のインクを添加した
カードでは、アルミ粉による乱反射のため、光カードの
読み書きが困難であったが、この基板上で光記録膜の部
分だけ黒ベタ印刷を再処理したところ、読み書きのエラ
ーは解消した。
の実施例について説明する。白色の塩化ビニル上にそれ
ぞれ白色、黒色、メタル色の３色をベタ印刷し、７８０
〜８５０ｎｍの波長で反射率を測定したところ、それぞ
れ９０％、５％、４５％であった。これらの塩化ビニル
基板を用いて上記光カードを作製したところ、黒ベタ印
刷のカードの記録部と未記録部のコントラストが０．７
８と最も良かった。また、金色の基板を実現するため、
樹脂中にアルミ粉を分散させて黄色のインクを添加した
カードでは、アルミ粉による乱反射のため、光カードの
読み書きが困難であったが、この基板上で光記録膜の部
分だけ黒ベタ印刷を再処理したところ、読み書きのエラ
ーは解消した。
【００２５】以上のようにして作製した光カードに、書
き込み装置によりデータを書き込んだ。この光カードを
反射率測定装置にて光記録層１３における未記録部と記
録部について測定した結果、図３に示すように、未記録
部が光記録層の屈折率２．７〜３．５の範囲で２７％〜
４０％であることが分かり、記録部は、図示していない
が１５％以下であることが分かった。
き込み装置によりデータを書き込んだ。この光カードを
反射率測定装置にて光記録層１３における未記録部と記
録部について測定した結果、図３に示すように、未記録
部が光記録層の屈折率２．７〜３．５の範囲で２７％〜
４０％であることが分かり、記録部は、図示していない
が１５％以下であることが分かった。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、光透過性の基材の一方の側に形成される光反射
率の異なるパターンと、該パターン上に形成される光記
録層とを有する光カードであって、前記光記録層がテル
ルの中間酸化物であり、前記中間酸化物の屈折率が、シ
リコンウエハ上で波長７８０ｎｍのレーザー光で測定し
た場合、２．７〜３．５であるように選択することによ
り、書き込み／読み取り性能および経時安定性に優れた
光カードを提供することができる。
よれば、光透過性の基材の一方の側に形成される光反射
率の異なるパターンと、該パターン上に形成される光記
録層とを有する光カードであって、前記光記録層がテル
ルの中間酸化物であり、前記中間酸化物の屈折率が、シ
リコンウエハ上で波長７８０ｎｍのレーザー光で測定し
た場合、２．７〜３．５であるように選択することによ
り、書き込み／読み取り性能および経時安定性に優れた
光カードを提供することができる。
【図１】本発明の光カードの製造方法の１実施例を説明
するための図
するための図
【図２】本発明による実験結果を示し、ＴｅＯx の酸化
度と屈折率の関係を示す図
度と屈折率の関係を示す図
【図３】本発明による実験結果を示し、屈折率と反射率
との関係を示す図
との関係を示す図
【図４】従来の光カードの断面図
７…ガラス板、８…フォトレジスト層、９…フォトマス
ク、１０…原版 １１…光透過性の基材、１２…型取り剤、１３…光記録
層 １３ａ…低反射率部分、１３ｂ…高反射率部分１３ｂ、
１４…光吸収層 １５…基板、１６…増感層
ク、１０…原版 １１…光透過性の基材、１２…型取り剤、１３…光記録
層 １３ａ…低反射率部分、１３ｂ…高反射率部分１３ｂ、
１４…光吸収層 １５…基板、１６…増感層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０６Ｋ 19/06
Claims (3)
- 【請求項１】光透過性の基材の一方の側に形成される光
反射率の異なるパターンと、該パターン上に形成される
光記録層とを有する光カードであって、前記光記録層が
テルルの中間酸化物であり、前記中間酸化物の屈折率
が、シリコンウエハ上で波長７８０ｎｍのレーザー光で
測定した場合、２．７〜３．５であることを特徴とする
光カード。 - 【請求項２】前記光記録層の前記基材とは反対側に常温
硬化性の樹脂からなる増感層が形成されることを特徴と
する請求項１に記載の光カード。 - 【請求項３】前記増感層の前記光記録層とは反対側に光
吸収層が形成され、波長７８０ｎｍの光に対して記録部
の反射率が１５％以下であることを特徴とする請求項２
に記載の光カード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130284A JPH05325266A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光カード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4130284A JPH05325266A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光カード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05325266A true JPH05325266A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15030640
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4130284A Pending JPH05325266A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 光カード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05325266A (ja) |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP4130284A patent/JPH05325266A/ja active Pending
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