JPH05323564A - マスクの製造方法 - Google Patents
マスクの製造方法Info
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- JPH05323564A JPH05323564A JP12597092A JP12597092A JPH05323564A JP H05323564 A JPH05323564 A JP H05323564A JP 12597092 A JP12597092 A JP 12597092A JP 12597092 A JP12597092 A JP 12597092A JP H05323564 A JPH05323564 A JP H05323564A
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- Japan
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- film pattern
- opening
- pattern
- photosensitive organic
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、マスクの製造方法に関し、所望の
寸法のＣｒ膜パターンを確実に、しかも容易に得ること
ができるマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 光透過性基板１上に光遮蔽膜２及び感光性有
機膜３を順次形成する工程と、次いで、該感光性有機膜
３を露光、現像して第１の開口部４を有する感光性有機
膜パターン３ａを形成する工程と、次いで、該感光性有
機膜パターン３ａをマスクとし、該第１の開口部４内の
該光遮蔽膜２をエッチングして第２の開口部５を有する
光遮蔽膜パターン２ａを形成する工程と、次いで、透過
光を利用した測定方法により該第２の開口部５寸法及び
該光遮蔽膜パターン２ａ寸法のうち、少なくともどちら
か一方を測定する工程と、次いで、測定された寸法値が
許容範囲内の時、該感光性有機膜パターン３ａを除去
し、一方、測定された寸法値が許容範囲からずれた時、
寸法ずれ量に基づいて該光遮蔽膜パターン２ａを再度エ
ッチングした後、更に該感光性有機膜パターン３ａを除
去する工程とを含むように構成する。
寸法のＣｒ膜パターンを確実に、しかも容易に得ること
ができるマスクの製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 光透過性基板１上に光遮蔽膜２及び感光性有
機膜３を順次形成する工程と、次いで、該感光性有機膜
３を露光、現像して第１の開口部４を有する感光性有機
膜パターン３ａを形成する工程と、次いで、該感光性有
機膜パターン３ａをマスクとし、該第１の開口部４内の
該光遮蔽膜２をエッチングして第２の開口部５を有する
光遮蔽膜パターン２ａを形成する工程と、次いで、透過
光を利用した測定方法により該第２の開口部５寸法及び
該光遮蔽膜パターン２ａ寸法のうち、少なくともどちら
か一方を測定する工程と、次いで、測定された寸法値が
許容範囲内の時、該感光性有機膜パターン３ａを除去
し、一方、測定された寸法値が許容範囲からずれた時、
寸法ずれ量に基づいて該光遮蔽膜パターン２ａを再度エ
ッチングした後、更に該感光性有機膜パターン３ａを除
去する工程とを含むように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マスクの製造方法に係
り、詳しくは、一括転写露光装置に使用されるマスクや
ステッパーに使用されるレチクルと言われているマスク
等の製造方法に適用することができ、特に、所望の寸法
のＣｒ等の光遮蔽膜パターンを容易に、しかも確実に得
ることができるマスクの製造方法に関する。
り、詳しくは、一括転写露光装置に使用されるマスクや
ステッパーに使用されるレチクルと言われているマスク
等の製造方法に適用することができ、特に、所望の寸法
のＣｒ等の光遮蔽膜パターンを容易に、しかも確実に得
ることができるマスクの製造方法に関する。
【０００２】近年、デバイスの高集積化により、レチク
ルパターンは微細化及び寸法精度の向上が要求されてい
る。通常、要求寸法精度はパターンの最小寸法値の４％
であり、例えば最小寸法が10μｍにおいては寸法精度が
± 0.2μｍであり、最小寸法値が５μｍにおいては寸法
精度が± 0.1μｍであり、最小寸法値が２μｍにおいて
は寸法精度が±0.04μｍである。そして、このような寸
法精度でレチクル上のパターン寸法を保証するのは非常
に困難になってきている。
ルパターンは微細化及び寸法精度の向上が要求されてい
る。通常、要求寸法精度はパターンの最小寸法値の４％
であり、例えば最小寸法が10μｍにおいては寸法精度が
± 0.2μｍであり、最小寸法値が５μｍにおいては寸法
精度が± 0.1μｍであり、最小寸法値が２μｍにおいて
は寸法精度が±0.04μｍである。そして、このような寸
法精度でレチクル上のパターン寸法を保証するのは非常
に困難になってきている。
【０００３】
【従来の技術】従来のマスクの製造方法は次のように行
っていた。まず、石英ガラス基板上にＣｒ膜及びレジス
トを順次形成した後、レジストを露光、現像してＣｒ膜
が露出された開口部を有するレジストパターンを形成す
る。次いで、反射光を利用した測定寸法によりレジスト
開口部寸法及びレジストパターン寸法を測定し、この測
定された寸法値が許容範囲内の時は、レジストパターン
をマスクとして開口部内のＣｒ膜をエッチングして開口
部を有するＣｒ膜パターンを形成し、更にレジストパタ
ーンをアッシングして除去する。一方、測定された寸法
値が許容範囲内からずれた時は、その寸法ずれ量に基づ
いてレジストパターンを再度、現像して補正し、この補
正されたレジストパターンをマスクとしてＣｒ膜をエッ
チングして開口部を有するＣｒ膜パターンを形成した
後、レジストパターンをアッシングにより除去する。
っていた。まず、石英ガラス基板上にＣｒ膜及びレジス
トを順次形成した後、レジストを露光、現像してＣｒ膜
が露出された開口部を有するレジストパターンを形成す
る。次いで、反射光を利用した測定寸法によりレジスト
開口部寸法及びレジストパターン寸法を測定し、この測
定された寸法値が許容範囲内の時は、レジストパターン
をマスクとして開口部内のＣｒ膜をエッチングして開口
部を有するＣｒ膜パターンを形成し、更にレジストパタ
ーンをアッシングして除去する。一方、測定された寸法
値が許容範囲内からずれた時は、その寸法ずれ量に基づ
いてレジストパターンを再度、現像して補正し、この補
正されたレジストパターンをマスクとしてＣｒ膜をエッ
チングして開口部を有するＣｒ膜パターンを形成した
後、レジストパターンをアッシングにより除去する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のマスクの製造方法では、レジスト現像後のレジ
スト開口部寸法とレジストパターン寸法を測定するに測
定精度の点で優れた透過光を利用した測定方法で測定す
ることができず、（レジスト現像後ではＣｒ遮光膜が石
英ガラス基板上に全面に残っており、光を透過させるこ
とができず測定できない）この透過光による測定方法に
よる場合よりも測定精度の点で劣る反射光を利用した測
定方法で測定しなければならなかった。このため、特に
パターンが微細化されてくると、反射光による測定方法
では寸法測定するのに誤差が生じ易く、寸法誤差が生じ
た状態のレジストパターンをマスクとしてＣｒ膜をエッ
チングすると、所望の寸法のＣｒ膜パターンが得られ難
いという問題があった。
た従来のマスクの製造方法では、レジスト現像後のレジ
スト開口部寸法とレジストパターン寸法を測定するに測
定精度の点で優れた透過光を利用した測定方法で測定す
ることができず、（レジスト現像後ではＣｒ遮光膜が石
英ガラス基板上に全面に残っており、光を透過させるこ
とができず測定できない）この透過光による測定方法に
よる場合よりも測定精度の点で劣る反射光を利用した測
定方法で測定しなければならなかった。このため、特に
パターンが微細化されてくると、反射光による測定方法
では寸法測定するのに誤差が生じ易く、寸法誤差が生じ
た状態のレジストパターンをマスクとしてＣｒ膜をエッ
チングすると、所望の寸法のＣｒ膜パターンが得られ難
いという問題があった。
【０００５】そこで本発明は、所望の寸法のＣｒ膜パタ
ーンを確実に、しかも容易に得ることができるマスクの
製造方法を提供することを目的としている。
ーンを確実に、しかも容易に得ることができるマスクの
製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によるマスクの製
造方法は上記目的達成のため、光透過性基板上に光遮蔽
膜及び感光性有機膜を順次形成する工程と、次いで、該
感光性有機膜を露光、現像して第１の開口部を有する感
光性有機膜パターンを形成する工程と、次いで、該第１
の開口部内の該感光性有機膜パターンをマスクとし、該
光遮蔽膜をエッチングして第２の開口部を有する光遮蔽
膜パターンを形成する工程と、次いで、透過光を利用し
た測定方法により該第２の開口部寸法及び該光遮蔽膜パ
ターン寸法のうち、少なくともどちらか一方を測定する
工程と、次いで、測定された寸法値が許容範囲内の時、
該感光性有機膜パターンを除去し、一方、測定された寸
法値が許容範囲からずれた時、寸法ずれ量に基づいて該
光遮蔽膜パターンを再度エッチングした後、更に該感光
性有機膜パターンを除去する工程とを含むものである。
造方法は上記目的達成のため、光透過性基板上に光遮蔽
膜及び感光性有機膜を順次形成する工程と、次いで、該
感光性有機膜を露光、現像して第１の開口部を有する感
光性有機膜パターンを形成する工程と、次いで、該第１
の開口部内の該感光性有機膜パターンをマスクとし、該
光遮蔽膜をエッチングして第２の開口部を有する光遮蔽
膜パターンを形成する工程と、次いで、透過光を利用し
た測定方法により該第２の開口部寸法及び該光遮蔽膜パ
ターン寸法のうち、少なくともどちらか一方を測定する
工程と、次いで、測定された寸法値が許容範囲内の時、
該感光性有機膜パターンを除去し、一方、測定された寸
法値が許容範囲からずれた時、寸法ずれ量に基づいて該
光遮蔽膜パターンを再度エッチングした後、更に該感光
性有機膜パターンを除去する工程とを含むものである。
【０００７】本発明に係るマスクには、一括転写露光装
置に使用されるマスクやステッパーに使用されるレチク
ルと言われているマスク等が挙げられる。本発明におい
ては、上記製造工程をインラインで行う場合に好ましく
適用させることができる。また、上記製造工程により得
られたマスクを用いて半導体デバイスを製造すれば寸法
精度に優れた半導体デバイスを得ることができる。
置に使用されるマスクやステッパーに使用されるレチク
ルと言われているマスク等が挙げられる。本発明におい
ては、上記製造工程をインラインで行う場合に好ましく
適用させることができる。また、上記製造工程により得
られたマスクを用いて半導体デバイスを製造すれば寸法
精度に優れた半導体デバイスを得ることができる。
【０００８】
【作用】レジスト現像後に透過光を利用した測定方法を
用いようとしても、石英ガラス基板上にＣｒ遮光膜が全
面に残っているため光を透過させることができず測定す
ることができない。これに対し、本発明では、レジスト
現像後ではなく、Ｃｒ遮光膜をエッチングして石英ガラ
ス基板を露出させた後に透過光を利用した寸法測定法方
により寸法を測定するようにした。
用いようとしても、石英ガラス基板上にＣｒ遮光膜が全
面に残っているため光を透過させることができず測定す
ることができない。これに対し、本発明では、レジスト
現像後ではなく、Ｃｒ遮光膜をエッチングして石英ガラ
ス基板を露出させた後に透過光を利用した寸法測定法方
により寸法を測定するようにした。
【０００９】このように、本発明では、後述する実施例
の図１に示す如く、従来の反射光による寸法測定方法に
よる場合よりも測定精度の優れた透過光による寸法測定
方法により開口部５寸法及びＣｒ膜パターン２ａ寸法を
測定したため、パターンが微細化されても従来の反射光
による寸法測定方法による場合よりも開口部５寸法とＣ
ｒ膜パターン２ａ寸法を誤差がほとんどない状態で寸法
測定することができる。そして、このように誤差がほと
んどなく正確に測定された寸法値を用い、この正確に測
定された寸法値が許容範囲内の時はそのままレジスト膜
パターン３ａのみ除去し、一方、許容範囲内からずれた
時はＣｒ膜パターン２ａを再度エッチングして補正する
ようにしたため、所望の寸法のＣｒ膜パターン２ｂを容
易に、しかも確実に得ることができる。
の図１に示す如く、従来の反射光による寸法測定方法に
よる場合よりも測定精度の優れた透過光による寸法測定
方法により開口部５寸法及びＣｒ膜パターン２ａ寸法を
測定したため、パターンが微細化されても従来の反射光
による寸法測定方法による場合よりも開口部５寸法とＣ
ｒ膜パターン２ａ寸法を誤差がほとんどない状態で寸法
測定することができる。そして、このように誤差がほと
んどなく正確に測定された寸法値を用い、この正確に測
定された寸法値が許容範囲内の時はそのままレジスト膜
パターン３ａのみ除去し、一方、許容範囲内からずれた
時はＣｒ膜パターン２ａを再度エッチングして補正する
ようにしたため、所望の寸法のＣｒ膜パターン２ｂを容
易に、しかも確実に得ることができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１は本発明の実施例に則したマスクの製造方法を説明す
る図である。図１において、１は石英ガラス基板であ
り、２は石英ガラス基板１上に形成されたＣｒ膜であ
り、２ａはＣｒ膜２がエッチングされ形成されたＣｒ膜
パターンであり、２ｂはＣｒ膜パターン２ａがエッチン
グされ形成されたＣｒ膜パターンである。次いで、３は
Ｃｒ膜２上に形成されたレジスト膜であり、３ａはレジ
スト膜３が露光、現像によりパターニングされ形成され
たレジスト膜パターンである。そして、４はレジスト膜
３がパターニングされ形成された開口部であり、５はＣ
ｒ膜２がエッチングされ形成された開口部であり、６は
Ｃｒ膜パターン２ａがエッチングされ形成された開口部
である。
１は本発明の実施例に則したマスクの製造方法を説明す
る図である。図１において、１は石英ガラス基板であ
り、２は石英ガラス基板１上に形成されたＣｒ膜であ
り、２ａはＣｒ膜２がエッチングされ形成されたＣｒ膜
パターンであり、２ｂはＣｒ膜パターン２ａがエッチン
グされ形成されたＣｒ膜パターンである。次いで、３は
Ｃｒ膜２上に形成されたレジスト膜であり、３ａはレジ
スト膜３が露光、現像によりパターニングされ形成され
たレジスト膜パターンである。そして、４はレジスト膜
３がパターニングされ形成された開口部であり、５はＣ
ｒ膜２がエッチングされ形成された開口部であり、６は
Ｃｒ膜パターン２ａがエッチングされ形成された開口部
である。
【００１１】次に、そのマスクの製造方法について説明
する。まず、図１（ａ）に示すように、スパッタ法等に
より石英ガラス基板１上にＣｒを堆積して膜厚 800〜12
00Å程度のＣｒ膜２を形成した後、Ｃｒ膜２上にレジス
トを塗布して膜厚3000〜5000Å程度のレジスト膜３を形
成する。次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜３
を電子ビームにより露光し、有機溶媒（ポジ型：ケトン
系溶液、ネガ型：酢酸イソアミル＋エチルセロソルブ）
により現像してＣｒ膜２が露出された開口部４を有する
レジスト膜パターン３ａを形成する。
する。まず、図１（ａ）に示すように、スパッタ法等に
より石英ガラス基板１上にＣｒを堆積して膜厚 800〜12
00Å程度のＣｒ膜２を形成した後、Ｃｒ膜２上にレジス
トを塗布して膜厚3000〜5000Å程度のレジスト膜３を形
成する。次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト膜３
を電子ビームにより露光し、有機溶媒（ポジ型：ケトン
系溶液、ネガ型：酢酸イソアミル＋エチルセロソルブ）
により現像してＣｒ膜２が露出された開口部４を有する
レジスト膜パターン３ａを形成する。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、レジスト
膜パターン３ａをマスクとし、開口部４内のＣｒ膜２を
塩素系ガス、例えばＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ガスによるドライエ
ッチング、（ウェットエッチングでもよい）によりエッ
チングして石英ガラス基板１が露出された開口部５を有
するＣｒ膜パターン２ａを形成する。次いで、透過光を
利用した測定方法により開口部５寸法及びＣｒ膜パター
ン２ａ寸法を測定し、測定された寸法値が許容範囲内の
時はレジスト膜パターン３ａを除去する。一方、測定さ
れた寸法値が許容範囲内からずれた時は、その寸法ずれ
量に基づいて図１（ｄ）に示す如く、Ｃｒ膜パターン２
ａを再度エッチングしてＣｒ膜パターン２ａの開口幅よ
りも広い幅の開口部６を有するＣｒ膜パターン２ｂを形
成する。
膜パターン３ａをマスクとし、開口部４内のＣｒ膜２を
塩素系ガス、例えばＣＣｌ4 ＋Ｏ2 ガスによるドライエ
ッチング、（ウェットエッチングでもよい）によりエッ
チングして石英ガラス基板１が露出された開口部５を有
するＣｒ膜パターン２ａを形成する。次いで、透過光を
利用した測定方法により開口部５寸法及びＣｒ膜パター
ン２ａ寸法を測定し、測定された寸法値が許容範囲内の
時はレジスト膜パターン３ａを除去する。一方、測定さ
れた寸法値が許容範囲内からずれた時は、その寸法ずれ
量に基づいて図１（ｄ）に示す如く、Ｃｒ膜パターン２
ａを再度エッチングしてＣｒ膜パターン２ａの開口幅よ
りも広い幅の開口部６を有するＣｒ膜パターン２ｂを形
成する。
【００１３】そして、レジスト膜パターン３ａをＯ2 ア
ッシングにより除去することにより、図１（ｅ）に示す
ような所望の寸法のＣｒ膜パターン２ｂを得ることがで
きる。このように本実施例では、従来の反射光による寸
法測定方法による場合よりも測定精度の優れた透過光に
よる寸法測定方法により開口部５寸法及びＣｒ膜パター
ン２ａ寸法を測定したため、パターンが微細化されても
従来の反射光による寸法測定方法による場合よりも開口
部５寸法とＣｒ膜パターン２ａ寸法を誤差がほとんどな
い状態で寸法測定することができる。そして、このよう
に誤差がほとんどなく正確に測定された寸法値を用い、
この正確に測定された寸法値が許容範囲内の時はそのま
まレジスト膜パターン３ａのみ除去し、一方、許容範囲
内からずれた時はＣｒ膜パターン２ａを再度エッチング
して補正するようにしたため、所望の寸法のＣｒ膜パタ
ーン２ｂを容易に、しかも確実に得ることができる。
ッシングにより除去することにより、図１（ｅ）に示す
ような所望の寸法のＣｒ膜パターン２ｂを得ることがで
きる。このように本実施例では、従来の反射光による寸
法測定方法による場合よりも測定精度の優れた透過光に
よる寸法測定方法により開口部５寸法及びＣｒ膜パター
ン２ａ寸法を測定したため、パターンが微細化されても
従来の反射光による寸法測定方法による場合よりも開口
部５寸法とＣｒ膜パターン２ａ寸法を誤差がほとんどな
い状態で寸法測定することができる。そして、このよう
に誤差がほとんどなく正確に測定された寸法値を用い、
この正確に測定された寸法値が許容範囲内の時はそのま
まレジスト膜パターン３ａのみ除去し、一方、許容範囲
内からずれた時はＣｒ膜パターン２ａを再度エッチング
して補正するようにしたため、所望の寸法のＣｒ膜パタ
ーン２ｂを容易に、しかも確実に得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、所望の寸法のＣｒ膜パ
ターンを容易に、しかも確実に得ることができるという
効果がある。
ターンを容易に、しかも確実に得ることができるという
効果がある。
【図１】本発明の実施例に則したマスクの製造方法を説
明する図である。
明する図である。
１ 石英ガラス基板 ２ Ｃｒ膜 ２ａ Ｃｒ膜パターン ３ レジスト膜 ３ａ レジスト膜パターン ４、５、６ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｊ 7352−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 光透過性基板（１）上に光遮蔽膜（２）
及び感光性有機膜（３）を順次形成する工程と、 次いで、該感光性有機膜（３）を露光、現像して第１の
開口部（４）を有する感光性有機膜パターン（３ａ）を
形成する工程と、 次いで、該感光性有機膜パターン（３ａ）をマスクと
し、該第１の開口部（４）内の該光遮蔽膜（２）をエッ
チングして第２の開口部（５）を有する光遮蔽膜パター
ン（２ａ）を形成する工程と、 次いで、透過光を利用した測定方法により、該第２の開
口部（５）寸法及び該光遮蔽膜パターン（２ａ）寸法の
うち、少なくともどちらか一方を測定する工程と、 次いで、測定された寸法値が許容範囲内の時、該感光性
有機膜パターン（３ａ）を除去し、一方、測定された寸
法値が許容範囲からずれた時、寸法ずれ量に基づいて該
光遮蔽膜パターン（２ａ）を再度エッチングした後、更
に該感光性有機膜パターン（３ａ）を除去する工程とを
含むことを特徴とするマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12597092A JPH05323564A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12597092A JPH05323564A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323564A true JPH05323564A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14923497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12597092A Pending JPH05323564A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002099072A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク製造方法 |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP12597092A patent/JPH05323564A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002099072A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスク製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001017 |