JPH05323366A - 液晶ディスプレイの欠陥修復方法 - Google Patents
液晶ディスプレイの欠陥修復方法Info
- Publication number
- JPH05323366A JPH05323366A JP12604792A JP12604792A JPH05323366A JP H05323366 A JPH05323366 A JP H05323366A JP 12604792 A JP12604792 A JP 12604792A JP 12604792 A JP12604792 A JP 12604792A JP H05323366 A JPH05323366 A JP H05323366A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- matrix substrate
- electrode wiring
- gate electrode
- source electrode
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 パネル組立、実装工程で発生した薄膜トラン
ジスタの特性不良を修復できる液晶ディスプレイの欠陥
修復方法を得る。 【構成】 ゲート電極配線あるいはソース電極配線と接
がる複数の液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂをマトリクス基板１
に接続し、この液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの信号入力端子
をすべて短絡配線８で短絡してアースに接続し、マトリ
クス基板１を摂氏１００度〜１７０度の温度範囲で加熱
することにより、薄膜トランジスタの特性ばらつきをな
くし、このばらつきに起因する欠陥を修復する。 【効果】 薄膜トランジスタの特性不良を修復し、歩留
りを向上できる。
ジスタの特性不良を修復できる液晶ディスプレイの欠陥
修復方法を得る。 【構成】 ゲート電極配線あるいはソース電極配線と接
がる複数の液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂをマトリクス基板１
に接続し、この液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの信号入力端子
をすべて短絡配線８で短絡してアースに接続し、マトリ
クス基板１を摂氏１００度〜１７０度の温度範囲で加熱
することにより、薄膜トランジスタの特性ばらつきをな
くし、このばらつきに起因する欠陥を修復する。 【効果】 薄膜トランジスタの特性不良を修復し、歩留
りを向上できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、例えば液晶テレビ、
ノートブックパーソナルコンピュータ（以下パソコンと
略称する）用液晶ディスプレイなどの液晶ディスプレイ
の欠陥修復方法に関するものである。
ノートブックパーソナルコンピュータ（以下パソコンと
略称する）用液晶ディスプレイなどの液晶ディスプレイ
の欠陥修復方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は例えば特開昭６３−８１９７５号
公報に示された従来の液晶ディスプレイの欠陥修復方法
を示す正面図であり、図３において１１はマトリクス基
板であり、ガラス基板上に画素電極、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと記す）が形成されている。１２は対向
基板で、マトリクス基板１１，対向基板１２間に液晶が
充填されている。１３ａはゲート電極配線、１３ｂはソ
ース電極配線で、これらは表示部のＴＦＴの各々ゲート
電極，ソース電極につながる。１４はすべてのゲート電
極配線１３ａおよびソース電極配線１３ｂを短絡・接続
しているショートリングである。
公報に示された従来の液晶ディスプレイの欠陥修復方法
を示す正面図であり、図３において１１はマトリクス基
板であり、ガラス基板上に画素電極、薄膜トランジスタ
（以下、ＴＦＴと記す）が形成されている。１２は対向
基板で、マトリクス基板１１，対向基板１２間に液晶が
充填されている。１３ａはゲート電極配線、１３ｂはソ
ース電極配線で、これらは表示部のＴＦＴの各々ゲート
電極，ソース電極につながる。１４はすべてのゲート電
極配線１３ａおよびソース電極配線１３ｂを短絡・接続
しているショートリングである。
【０００３】次に、製造プロセスについて説明する。ま
ず、ガラス基板上に画素電極，ＴＦＴ，ゲート電極配線
１３ａ，ソース電極配線１３ｂ，ショートリング１４を
成膜・パターニングし、マトリクス基板１１を作製す
る。続いて、マトリクス基板１１を２５０℃〜３５０℃
で３０分程度加熱する。上記加熱工程において、ゲート
電極配線１３ａ，ソース電極配線１３ｂ，ショートリン
グ１４を介して電荷移動が起こり、マトリクス基板１１
作製工程で生じたＴＦＴ特性の不均一が解消され、すべ
てのＴＦＴの特性が均一化される。
ず、ガラス基板上に画素電極，ＴＦＴ，ゲート電極配線
１３ａ，ソース電極配線１３ｂ，ショートリング１４を
成膜・パターニングし、マトリクス基板１１を作製す
る。続いて、マトリクス基板１１を２５０℃〜３５０℃
で３０分程度加熱する。上記加熱工程において、ゲート
電極配線１３ａ，ソース電極配線１３ｂ，ショートリン
グ１４を介して電荷移動が起こり、マトリクス基板１１
作製工程で生じたＴＦＴ特性の不均一が解消され、すべ
てのＴＦＴの特性が均一化される。
【０００４】続いて、配向膜形成・ラビングによってマ
トリクス基板１１に配向処理を施した後、配向処理・シ
ール材塗布を施した対向基板１２とマトリクス基板１１
を重ね合わし、圧着・加熱する。続いて、図３のＡ１−
Ａ２線およびＢ１−Ｂ２線で示す切断線に沿ってマトリ
クス基板１１を切断し、ショートリング１４を切り離し
た後、マトリクス基板１１，対向基板１２間に液晶を注
入し、封止する。
トリクス基板１１に配向処理を施した後、配向処理・シ
ール材塗布を施した対向基板１２とマトリクス基板１１
を重ね合わし、圧着・加熱する。続いて、図３のＡ１−
Ａ２線およびＢ１−Ｂ２線で示す切断線に沿ってマトリ
クス基板１１を切断し、ショートリング１４を切り離し
た後、マトリクス基板１１，対向基板１２間に液晶を注
入し、封止する。
【０００５】続いて、ゲート電極配線１３ａ，ソース電
極配線１３ｂの端部に液晶駆動ＩＣを接続し、上記液晶
駆動ＩＣの信号入力配線を施すことによって、液晶ディ
スプレイパネルが完成する。
極配線１３ｂの端部に液晶駆動ＩＣを接続し、上記液晶
駆動ＩＣの信号入力配線を施すことによって、液晶ディ
スプレイパネルが完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶ディスプレ
イでは、以上のように、マトリクス基板１１作製直後に
アニール（加熱）によって、ＴＦＴ特性を均一化し、か
つ、マトリクス基板１１と対向基板１２の重ね合わせ・
熱圧着直後にショートリング１４を切断・分離するた
め、液晶注入・封止工程、液晶駆動ＩＣの実装工程にお
いては、各々のゲート電極配線１３ａ，ソース電極配線
１３ｂは電気的に孤立しており、同工程における静電気
等によってＴＦＴ特性不良が生じ、これを修復すること
ができず、これに起因する表示不良によって歩留りが低
下するなどの問題点があった。
イでは、以上のように、マトリクス基板１１作製直後に
アニール（加熱）によって、ＴＦＴ特性を均一化し、か
つ、マトリクス基板１１と対向基板１２の重ね合わせ・
熱圧着直後にショートリング１４を切断・分離するた
め、液晶注入・封止工程、液晶駆動ＩＣの実装工程にお
いては、各々のゲート電極配線１３ａ，ソース電極配線
１３ｂは電気的に孤立しており、同工程における静電気
等によってＴＦＴ特性不良が生じ、これを修復すること
ができず、これに起因する表示不良によって歩留りが低
下するなどの問題点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は上記のような
問題点を解消するためになされたもので、液晶注入・封
止工程、液晶駆動ＩＣ実装工程の静電気等によって発生
したＴＦＴ特性の不良を修復・救済し、表示品質の優れ
た液晶ディスプレイの欠陥修復方法を歩留り良く作製す
ることを目的とする。
問題点を解消するためになされたもので、液晶注入・封
止工程、液晶駆動ＩＣ実装工程の静電気等によって発生
したＴＦＴ特性の不良を修復・救済し、表示品質の優れ
た液晶ディスプレイの欠陥修復方法を歩留り良く作製す
ることを目的とする。
【０００８】この発明に係る液晶ディスプレイの欠陥修
復方法は、液晶駆動ＩＣをゲート電極配線およびソース
電極配線に接続し、かつ、上記液晶駆動ＩＣすべての信
号入力端子をすべて短絡した状態で、マトリクス基板、
対向基板、液晶駆動ＩＣから成る液晶パネルを１００℃
から１７０℃の範囲で加熱したものである。
復方法は、液晶駆動ＩＣをゲート電極配線およびソース
電極配線に接続し、かつ、上記液晶駆動ＩＣすべての信
号入力端子をすべて短絡した状態で、マトリクス基板、
対向基板、液晶駆動ＩＣから成る液晶パネルを１００℃
から１７０℃の範囲で加熱したものである。
【０００９】
【作用】この発明における液晶駆動ＩＣおよび、液晶駆
動ＩＣ信号入力端子間の短絡配線は、すべてのゲート電
極配線およびソース電極配線を電気的に短絡するショー
トリングとして作用する。
動ＩＣ信号入力端子間の短絡配線は、すべてのゲート電
極配線およびソース電極配線を電気的に短絡するショー
トリングとして作用する。
【００１０】
実施例１．以下、この発明の実施例１について説明す
る。この発明の液晶ディスプレイの欠陥修復方法を説明
するための平面図であり、図１において、１はマトリク
ス基板であり、ガラス基板上に画素電極，ＴＦＴが形成
されている。２は対向基板であり、このマトリクス基板
１，対向基板２間に液晶が充填されている。３ａはゲー
ト電極配線端子部、３ｂはソース電極配線端子部であ
り、各々、ＴＦＴのゲート電極，ソース電極に接続され
ている。
る。この発明の液晶ディスプレイの欠陥修復方法を説明
するための平面図であり、図１において、１はマトリク
ス基板であり、ガラス基板上に画素電極，ＴＦＴが形成
されている。２は対向基板であり、このマトリクス基板
１，対向基板２間に液晶が充填されている。３ａはゲー
ト電極配線端子部、３ｂはソース電極配線端子部であ
り、各々、ＴＦＴのゲート電極，ソース電極に接続され
ている。
【００１１】４ａ，４ｂはそれぞれ液晶駆動ＩＣで、こ
のうち、液晶駆動ＩＣ４ａはゲート駆動用ＩＣであり、
液晶駆動ＩＣ４ｂはソース駆動用ＩＣである。５ａ，５
ｂは液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂを実装・搭載しているＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）キャリアであり、６ａ，
６ｂは各々ＴＡＢキャリア５ａ，５ｂ上に配設された導
体配線で、一端が液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの出力端子に
接続されており、他端がマトリクス基板１上のゲート電
極配線端子３ａまたはソース電極配線端子３ｂに接続さ
れている。
のうち、液晶駆動ＩＣ４ａはゲート駆動用ＩＣであり、
液晶駆動ＩＣ４ｂはソース駆動用ＩＣである。５ａ，５
ｂは液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂを実装・搭載しているＴＡ
Ｂ（Tape Automated Bonding）キャリアであり、６ａ，
６ｂは各々ＴＡＢキャリア５ａ，５ｂ上に配設された導
体配線で、一端が液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの出力端子に
接続されており、他端がマトリクス基板１上のゲート電
極配線端子３ａまたはソース電極配線端子３ｂに接続さ
れている。
【００１２】また、７ａ，７ｂは各々ＴＡＢキャリア５
ａ，５ｂ上に配設された導体配線で、一端が液晶駆動Ｉ
Ｃ４ａ，４ｂの入力端子に接続されており、他端が短絡
配線８に接続されている。短絡配線８はＴＡＢキャリア
５ａ，５ｂ上の導体配線６ａ，６ｂを介して、すべての
液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの入力端子を電気的に接続して
いる。
ａ，５ｂ上に配設された導体配線で、一端が液晶駆動Ｉ
Ｃ４ａ，４ｂの入力端子に接続されており、他端が短絡
配線８に接続されている。短絡配線８はＴＡＢキャリア
５ａ，５ｂ上の導体配線６ａ，６ｂを介して、すべての
液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの入力端子を電気的に接続して
いる。
【００１３】次に、欠陥の修復プロセスについて説明す
る。図１に示すように、液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂのすべ
ての入力端子を短絡した状態で、マトリクス基板１，対
向基板２を１００℃から１７０℃の温度範囲で３０分程
度加熱する。図２は静電気によって特性不良（以下Ｖth
シフトと記す）を生じたＴＦＴにおいて、加熱によって
Ｖthシフトが解消・回復する度合いを電圧値で表わした
グラフであり、７ＶのＶthシフトの特性不良が加熱によ
って回復する様子を示している。図中の黒丸印はゲート
電極配線とソース電極配線を短絡した場合を示し、三角
印はゲート電極配線とソース電極配線を短絡しない場合
を示す。
る。図１に示すように、液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂのすべ
ての入力端子を短絡した状態で、マトリクス基板１，対
向基板２を１００℃から１７０℃の温度範囲で３０分程
度加熱する。図２は静電気によって特性不良（以下Ｖth
シフトと記す）を生じたＴＦＴにおいて、加熱によって
Ｖthシフトが解消・回復する度合いを電圧値で表わした
グラフであり、７ＶのＶthシフトの特性不良が加熱によ
って回復する様子を示している。図中の黒丸印はゲート
電極配線とソース電極配線を短絡した場合を示し、三角
印はゲート電極配線とソース電極配線を短絡しない場合
を示す。
【００１４】この図２から明らかなように、ゲート電極
配線とソース電極配線を短絡した状態でマトリクス基板
１を加熱することによって、静電気等によって生じたＴ
ＦＴの特性不良（Ｖthシフト）が回復する。加熱温度は
高い方がＶthシフトの回復は大きいが、１７０℃以上の
温度では、液晶材料の劣化による比抵抗の低下、液晶材
料の熱膨張によるシール剤の破壊等の不具合が発生す
る。
配線とソース電極配線を短絡した状態でマトリクス基板
１を加熱することによって、静電気等によって生じたＴ
ＦＴの特性不良（Ｖthシフト）が回復する。加熱温度は
高い方がＶthシフトの回復は大きいが、１７０℃以上の
温度では、液晶材料の劣化による比抵抗の低下、液晶材
料の熱膨張によるシール剤の破壊等の不具合が発生す
る。
【００１５】液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの入力端子と出力
端子間の内部抵抗は１００Ω〜１００ＫΩ程度であり、
液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの入力端子間を短絡することに
よって、すべてのゲート電極配線端子３ａ，ソース電極
配線端子３ｂは導体配線６ａ，６ｂ、液晶駆動ＩＣ４
ａ，４ｂ、導体配線７ａ，７ｂ、短絡配線８を介して短
絡されたことになり、これらを介する電荷移動によっ
て、ＴＦＴ特性不良が解消・回復する。
端子間の内部抵抗は１００Ω〜１００ＫΩ程度であり、
液晶駆動ＩＣ４ａ，４ｂの入力端子間を短絡することに
よって、すべてのゲート電極配線端子３ａ，ソース電極
配線端子３ｂは導体配線６ａ，６ｂ、液晶駆動ＩＣ４
ａ，４ｂ、導体配線７ａ，７ｂ、短絡配線８を介して短
絡されたことになり、これらを介する電荷移動によっ
て、ＴＦＴ特性不良が解消・回復する。
【００１６】なお、上記実施例では、短絡配線８によっ
てＴＡＢキャリア５ａ，５ｂ上の導体配線７ａ，７ｂを
短絡したものを示したが、短絡配線８の代わりに、液晶
駆動ＩＣ４ａ，４ｂへの信号入力配線を用いても良く、
信号入力配線をすべて短絡することによって、同様の効
果を奏する。
てＴＡＢキャリア５ａ，５ｂ上の導体配線７ａ，７ｂを
短絡したものを示したが、短絡配線８の代わりに、液晶
駆動ＩＣ４ａ，４ｂへの信号入力配線を用いても良く、
信号入力配線をすべて短絡することによって、同様の効
果を奏する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、液晶
駆動ＩＣをマトリクス基板に接続した後に、上記液晶駆
動ＩＣの入力端子をすべて短絡した状態でマトリクス基
板を加熱するようにしたので、液晶注入・封止工程およ
び液晶駆動ＩＣ実装工程で、静電気等によって発生した
ＴＦＴの特性不良を解消・救済することができ、欠陥の
ない液晶ディスプレイを歩留り良く得ることができる効
果がある。
駆動ＩＣをマトリクス基板に接続した後に、上記液晶駆
動ＩＣの入力端子をすべて短絡した状態でマトリクス基
板を加熱するようにしたので、液晶注入・封止工程およ
び液晶駆動ＩＣ実装工程で、静電気等によって発生した
ＴＦＴの特性不良を解消・救済することができ、欠陥の
ない液晶ディスプレイを歩留り良く得ることができる効
果がある。
【図１】この発明の実施例１による液晶ディスプレイの
欠陥修復方法を説明するための平面図である。
欠陥修復方法を説明するための平面図である。
【図２】同上実施例１を説明するためのＴＦＴ特性の説
明図である。
明図である。
【図３】従来の液晶ディスプレイの欠陥修復方法を説明
するための平面図である。
するための平面図である。
１ マトリクス基板 ２ 対向基板 ３ａ ゲート電極配線端子 ３ｂ ソース電極配線端子 ４ａ 液晶駆動ＩＣ ４ｂ 液晶駆動ＩＣ ５ａ ＴＡＢキャリア ５ｂ ＴＡＢキャリア ６ａ 導体配線 ６ｂ 導体配線 ７ａ 導体配線 ７ｂ 導体配線 ８ 短絡配線
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁性基板上にマトリクス状に配設され
た複数の画素電極が形成された表示部と、上記画素電極
の各々に対応して配設され上記画素電極に電位を与える
薄膜トランジスタと、上記絶縁性基板上に互いに平行し
て配設され対応した位置にある上記薄膜トランジスタの
ゲート電極に電位を与えるゲート電極配線と、上記絶縁
性基板上に互いに平行して配設され対応した位置にある
上記薄膜トランジスタのソース電極に電位を与えるソー
ス電極配線とを有するマトリクス基板と、このマトリク
ス基板と対向する対向基板との間に液晶を挾持してなる
マトリクス液晶表示ディスプレイにおいて、上記ゲート
電極配線あるいは上記ソース電極配線と接がる複数の液
晶駆動ＩＣを上記マトリクス基板に接続し、かつ、上記
液晶駆動ＩＣの信号入力端子をすべて短絡した状態で、
上記マトリクス基板を１００℃から１７０℃の温度範囲
で加熱することによって、上記薄膜トランジスタの特性
ばらつきをなくし、上記薄膜トランジスタの特性ばらつ
きに起因する欠陥を修復する液晶ディスプレイの欠陥修
復方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12604792A JPH05323366A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 液晶ディスプレイの欠陥修復方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12604792A JPH05323366A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 液晶ディスプレイの欠陥修復方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05323366A true JPH05323366A (ja) | 1993-12-07 |
Family
ID=14925338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12604792A Pending JPH05323366A (ja) | 1992-05-19 | 1992-05-19 | 液晶ディスプレイの欠陥修復方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05323366A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477129B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 수리선을가진액정표시장치 |
| CN102354657A (zh) * | 2011-09-27 | 2012-02-15 | 友达光电股份有限公司 | 修补氧化物半导体层的缺陷的方法 |
-
1992
- 1992-05-19 JP JP12604792A patent/JPH05323366A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100477129B1 (ko) * | 1997-08-25 | 2005-07-18 | 삼성전자주식회사 | 수리선을가진액정표시장치 |
| CN102354657A (zh) * | 2011-09-27 | 2012-02-15 | 友达光电股份有限公司 | 修补氧化物半导体层的缺陷的方法 |
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