JPH05322984A - Test input circuit - Google Patents

Test input circuit

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JPH05322984A
JPH05322984A JP3088951A JP8895191A JPH05322984A JP H05322984 A JPH05322984 A JP H05322984A JP 3088951 A JP3088951 A JP 3088951A JP 8895191 A JP8895191 A JP 8895191A JP H05322984 A JPH05322984 A JP H05322984A
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JP
Japan
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level
inverter
test signal
output
test
Prior art date
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JP3088951A
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Japanese (ja)
Inventor
Koichiro Aoyama
耕一郎 青山
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

PURPOSE:To maintain normal operation state without causing erroneous operation such as outputting test signal at an active level even with sudden variation in power source voltage in normal operation state by generating a test signal only when a high voltage for test signal is input. CONSTITUTION:An inverter 9 having small logical threshold value compared with inverters 10, 11 and having a slow transition velocity of logical level is provided. As soon as the voltage at a contact point A exceeds the threshold value of the inverter 10, the inverter 10 reverses, the output of the inverter 11 becomes 'H' level and a test level detection signal is generated from an AND gate 12 and a latch constituted of NOR gates 13, 14 is set. Then, as soon as the voltage at a contact point B exceeds the threshold value of the inverter 9, the output of the inverter 9 becomes 'L' level. As the output of the NOR gate 14 is set at 'L' level, a test signal at an active level is generated out of the NOR gate 15.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はテスト入力回路に関し、
特に通常信号とテスト信号を1つの端子で兼用して入力
するテスト入力回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a test input circuit,
In particular, the present invention relates to a test input circuit for inputting both a normal signal and a test signal with a single terminal.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、テスト信号を通常信号と兼用して
入力するテスト入力回路として、電源電圧レベル以上の
高電圧を入力した時にテスト信号として入力される、3
値レベル検出回路を用いるものがある。図4に回路図を
図5,図6,図7にタイミングチャートを示す。まず兼
用端子21にGNDレベルを入力した場合は、N型トラ
ンジスタ22,23はオフし、N型トランジスタ24は
オンしているので図5のT1期間に示す様に接点AはG
NDレベルとなりインバータ26の出力は“H”レベ
ル、インバータ27の出力は“L”レベルとなりテスト
信号は発生せず、バッファ25の出力は“L”レベルな
ので通常信号は“L”レベルが入力される。次に兼用端
子21に電源電圧VDDレベルを入力した場合は、N型
トランジスタ22,23,24がオンするので接点Aの
電位は図5のT2の期間に示すようにN型トランジスタ
22,23のしきい値と、N型トランジスタ22,23
とN型トランジスタ24のオン抵抗の比で決まる値とな
る。例えばN型トランジスタ22,23のオン抵抗の和
に対し、N型トランジスタ24のオン抵抗が小さい程接
点Aの電位は下方へシフトする。今、接点Aの電位が兼
用端子21に入力した電圧の1/2となるよう各トラン
ジスタのディメンジョンを決定し、インバータ27のし
きい値Vth1が電源電圧の3/4に設定されている場
合はインバータ26の出力は“H”レベル、インバータ
27の出力は“L”レベルとなりテスト信号は発生され
ない。バッファ25の出力は“H”レベルとなり通常信
号として“H”レベルが入力される。兼用端子21に電
源電圧より高い電圧(例えば電源電圧の1.6倍)を印
加した場合は図6に示す様に接点Aの電位がインバータ
27のしきい値Vth1より高くなり、インバータ26
の出力は“L”レベル、インバータ27の出力は“H”
レベルとなりテスト信号が発生する。以上説明した様に
通常端子として使用する時は電源電圧レベル以下の電圧
を入力し、バッファ25から通常信号をとり出しテスト
端子として使用する時は電源電圧以上の電圧を印加し、
インバータ27からテスト信号を発生し、1端子で通常
信号,テスト信号の2種類の信号を入力出来る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a test input circuit for inputting a test signal also as a normal signal, a test signal is input as a test signal when a high voltage higher than a power supply voltage level is input.
Some use a value level detection circuit. FIG. 4 shows a circuit diagram, and FIGS. 5, 6 and 7 show timing charts. First, when the GND level is input to the dual-purpose terminal 21, the N-type transistors 22 and 23 are off and the N-type transistor 24 is on. Therefore, as shown in the period T1 of FIG.
Since the output of the inverter 26 is "H" level, the output of the inverter 27 is "L" level, the test signal is not generated and the output of the buffer 25 is "L" level, the normal signal is "L" level. It Next, when the power supply voltage VDD level is input to the dual-purpose terminal 21, the N-type transistors 22, 23 and 24 are turned on, so that the potential of the contact A is of the N-type transistors 22 and 23 as shown in the period T2 of FIG. Threshold and N-type transistors 22 and 23
And the ON resistance of the N-type transistor 24. For example, as the ON resistance of the N-type transistor 24 is smaller than the sum of the ON resistances of the N-type transistors 22 and 23, the potential of the contact A shifts downward. Now, the dimension of each transistor is determined so that the potential of the contact A becomes 1/2 of the voltage input to the dual-purpose terminal 21, and the threshold value Vth1 of the inverter 27 is set to 3/4 of the power supply voltage. The output of the inverter 26 is "H" level, the output of the inverter 27 is "L" level, and no test signal is generated. The output of the buffer 25 becomes "H" level and the "H" level is input as a normal signal. When a voltage higher than the power supply voltage (for example, 1.6 times the power supply voltage) is applied to the dual-purpose terminal 21, the potential of the contact A becomes higher than the threshold value Vth1 of the inverter 27 as shown in FIG.
Output is "L" level, output of inverter 27 is "H"
It becomes a level and a test signal is generated. As described above, when used as a normal terminal, a voltage lower than the power supply voltage level is input, and when a normal signal is taken out from the buffer 25 and used as a test terminal, a voltage higher than the power supply voltage is applied.
A test signal is generated from the inverter 27, and two types of signals, a normal signal and a test signal, can be input at one terminal.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来のテスト
回路は、N型トランジスタ22,23がオンして接点A
の電位を上昇させるので接点Aの電位の立上りスピード
は早いが、レシオ入力回路なのでN型トランジスタ24
のオン抵抗を高くしており接点Aの電位の立下りはN型
トランジスタ24で放電して立下げるので立下りスピー
ドは比較的遅くなる。今兼用端子21に電源電圧レベル
を印加している時に電源電圧が1/2に急激に低下した
場合について考えると、インバータ27のしきい値Vt
h1は電源電圧の3/4になるよう設計されているので
図7に示すように電源電圧の低下と同じ速度で立下る
が、接点Aの電位はN型トランジスタ24が接点Aの寄
生容量Cに蓄られた電荷を放電させるので時間遅れtd
a後にもとの電源電圧の1/4におちつく。ここで接点
Aの電位は、インバータ27のしきい値Vth1よりゆ
っくり低下する為接点Aの電位がインバータ27のしき
い値Vth1より大きくなる期間がありその期間にイン
バータ27の出力が“H”レベルとなりテスト信号が発
生してしまい、通常動作状態を維持出来なくなってしま
うので、電源電圧が急激に変動する応用には適用出来な
いという欠点があった。
In the above-described conventional test circuit, the N-type transistors 22 and 23 are turned on and the contact A
The rising speed of the potential of the contact A is fast because it raises the potential of the N type transistor 24 because it is a ratio input circuit.
The on-resistance of is increased and the fall of the potential of the contact A is discharged by the N-type transistor 24 and falls, so that the fall speed becomes relatively slow. Considering the case where the power supply voltage sharply drops to 1/2 while applying the power supply voltage level to the dual-purpose terminal 21, the threshold value Vt of the inverter 27 is considered.
Since h1 is designed to be 3/4 of the power supply voltage, it falls at the same speed as the power supply voltage drops as shown in FIG. 7, but the potential of the contact A is the parasitic capacitance C of the contact A of the N-type transistor 24. Since the electric charge stored in is discharged, a time delay td
After a, it chills to 1/4 of the original power supply voltage. Here, since the potential of the contact A slowly drops below the threshold value Vth1 of the inverter 27, there is a period during which the potential of the contact A becomes larger than the threshold value Vth1 of the inverter 27, and the output of the inverter 27 is at the "H" level during that period. Then, a test signal is generated and the normal operation state cannot be maintained, so that there is a drawback that it cannot be applied to applications in which the power supply voltage fluctuates rapidly.

【0004】本発明の目的は、通常動作状態において電
源電圧の急激な変動が生じても、アクティブレベルのテ
スト信号を出力する誤動作が起きず通常動作状態を維持
できるテスト入力回路を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a test input circuit which can maintain a normal operation state without causing a malfunction of outputting a test signal of an active level even when a power supply voltage fluctuates rapidly in a normal operation state. is there.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明のテスト入力回路
はテスト信号と通常信号を入力する入力端子と、前記入
力端子に接続され通常信号を発生する第1のゲート回路
と、前記入力端子に接続され、第1と第2の入力レベル
を有する入力回路と、前記第1と第2の入力回路の出力
により、セット信号を発生する第2のゲート回路と、前
記第2のゲート回路によりセットされるラッチと前記ラ
ッチの出力と、第2の入力回路の出力によりテスト信号
を発生する第3のゲートを有している。
A test input circuit according to the present invention includes an input terminal for inputting a test signal and a normal signal, a first gate circuit connected to the input terminal for generating a normal signal, and the input terminal. An input circuit that is connected and has first and second input levels, a second gate circuit that generates a set signal by the outputs of the first and second input circuits, and a second gate circuit that sets And a third gate for generating a test signal according to the output of the latch and the output of the second input circuit.

【0006】[0006]

【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.

【0007】図1は本発明の一実施例の回路図である。
テスト信号兼用端子1は通常信号とテスト信号を入力す
る兼用入力端子、N型トランジスタ2〜7はテスト信号
を検出するレシオ入力回路を構成するトランジスタ、イ
ンバータ9及び10は異なる入力レベルを有するインバ
ータ、ANDゲート12はテストレベル検出信号を発生
するANDゲート、NORゲート13及び14はテスト
レベル検出信号によりセットされるラッチを構成するN
ORゲートである。NORゲート15はラッチの出力と
テストレベルとの一致をとってテスト信号を発生するN
ORゲートである。図2には兼用端子1に電源電圧から
テスト信号電圧として高電圧レベルを印加した時の各部
のタイミングチャートを示す。まずT1の期間では兼用
端子1に電源電圧VDDレベルが印加されている。接点
A,Bは兼用端子1に入力される電圧Vinの1/2の
電位になる様、N型トランジスタ2〜7のディメンジョ
ンが決定されており、電源電圧VDDの1/2の値とな
る。インバータ10及び9のしきい値Vth1,Vth
2はいずれも電源電圧の1/2より高く設定しているの
でインバータ9,10の出力はいずれも“H”レベルで
あり、NORゲート15の出力は“L”レベルとなりア
クティブレベルのテスト信号は発生しない。バッファ8
の出力は“H”レベルであり、通常信号として“H”レ
ベルが入力される。次にT2期間でテスト信号電圧とし
て兼用端子1に電源電圧より高い値の電圧を印加すると
図2の破線に示すように接点A,Bの電位が上昇する。
接点Bの電位上昇が遅いのは負荷容量C1を充電する為
の時間が余分に必要となる為である。接点Aの電位がイ
ンバータ10のしきい値Vth1を越えた瞬間にインバ
ータ10は反転し、インバータ11の出力は“H”レベ
ルとなり、この時ANDゲート12からテストレベル検
出信号が発生されNORゲート13,14で構成される
ラッチがセットされる。次に接点Bの電位がインバータ
9のしきい値Vth2を越えた瞬間にインバータ9の出
力は“L”レベルとなりNORゲート14の出力は
“L”レベルにセットされているのでNORゲート15
からアクティブレベルのテスト信号が発生される。NO
Rゲート13,14で構成されるラッチは初期状態とし
てリセット信号によりリセットされておりNORゲート
13の出力が“L”レベル、NORゲート14の出力が
“H”レベルとなっている。
FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention.
The test signal shared terminal 1 is a shared input terminal for inputting a normal signal and a test signal, N-type transistors 2 to 7 are transistors forming a ratio input circuit for detecting a test signal, and inverters 9 and 10 are inverters having different input levels. The AND gate 12 is an AND gate for generating a test level detection signal, and the NOR gates 13 and 14 are N latches set by the test level detection signal.
It is an OR gate. The NOR gate 15 generates a test signal by matching the output of the latch with the test level N.
It is an OR gate. FIG. 2 shows a timing chart of each part when a high voltage level is applied as the test signal voltage from the power supply voltage to the dual-purpose terminal 1. First, in the period of T1, the power supply voltage VDD level is applied to the dual-purpose terminal 1. The dimensions of the N-type transistors 2 to 7 are determined so that the contacts A and B have a potential of 1/2 of the voltage Vin input to the dual-purpose terminal 1 and have a value of 1/2 of the power supply voltage VDD. Thresholds Vth1 and Vth of the inverters 10 and 9
Since 2 is set higher than 1/2 of the power supply voltage, the outputs of the inverters 9 and 10 are both "H" level, the output of the NOR gate 15 is "L" level, and the active level test signal is Does not occur. Buffer 8
Is at "H" level, and "H" level is input as a normal signal. Next, when a voltage higher than the power supply voltage is applied to the dual-purpose terminal 1 as the test signal voltage during the period T2, the potentials of the contacts A and B rise as shown by the broken line in FIG.
The reason why the potential of the contact B rises slowly is that extra time is required to charge the load capacitance C1. At the moment when the potential of the contact A exceeds the threshold value Vth1 of the inverter 10, the inverter 10 is inverted and the output of the inverter 11 becomes "H" level. At this time, a test level detection signal is generated from the AND gate 12 and the NOR gate 13 is generated. , 14 are set. Next, at the moment when the potential of the contact point B exceeds the threshold value Vth2 of the inverter 9, the output of the inverter 9 becomes the "L" level and the output of the NOR gate 14 is set to the "L" level.
Generates a test signal of active level. NO
The latch formed by the R gates 13 and 14 is reset by a reset signal as an initial state, and the output of the NOR gate 13 is at "L" level and the output of the NOR gate 14 is at "H" level.

【0008】次に通常動作中に電源電圧が急激に低下し
た場合のタイミングチャートを図3に示し、動作を説明
する。まずT1期間では兼用端子1に印加されている電
圧は電源電圧レベルであり前述した様に通常信号として
“H”レベルが入力されテスト信号は発生されない。次
にT2期間で電源電圧が急激に低下した場合は、接点
A,Bの電位はN型トランジスタ6,7がそれぞれ寄生
容量C,負荷容量C1の電荷を放電させる為に図3の破
線のように比較的ゆっくりと低下しインバータ10,9
のしきい値Vth1,Vth2は電源電圧のみで決定さ
れるのでおのおの一点鎖線Vth1、二点鎖線Vth2
で示すように電源電圧と同じ速度で変化する。時間t1
でインバータ9のしきい値Vth2が接点Bの電位より
低くなるのでインバータ9の出力は反転し“L”レベル
となる。時間t2で同様にインバータ10のしきい値V
th1が接点Aの電位より低くなるのでインバータ10
は反転し、インバータ11の出力は“H”レベルとな
る。時間t3では接点Aの電位がインバータ10のしき
い値Vth1より低くなるので再びインバータ10は反
転し、インバータ11の出力は“L”レベルとなる。時
間t4では接点Bの電位がインバータ9のしきい値Vt
h2より低くなるのでインバータ9は反転し、出力は
“H”レベルとなる。以上一連の動作でインバータ11
が“H”レベルの時にインバータ9が“L”レベルにな
っているのでANDゲート12の出力は常に“L”レベ
ルでありテストレベル検出信号は発生されず、テスト信
号は常に“L”レベルとなりアクティブレベルのテスト
信号は発生されない。
Next, the operation will be described with reference to the timing chart shown in FIG. 3 when the power supply voltage is drastically lowered during the normal operation. First, during the T1 period, the voltage applied to the dual-purpose terminal 1 is the power supply voltage level, and as described above, the "H" level is input as the normal signal and the test signal is not generated. Next, when the power supply voltage sharply drops during the period T2, the potentials of the contacts A and B are as shown by the broken line in FIG. 3 because the N-type transistors 6 and 7 discharge the charges of the parasitic capacitance C and the load capacitance C1, respectively. Inverters 10, 9
Since the threshold values Vth1 and Vth2 are determined only by the power supply voltage, the one-dot chain line Vth1 and the two-dot chain line Vth2, respectively.
As shown by, changes at the same speed as the power supply voltage. Time t1
Since the threshold value Vth2 of the inverter 9 becomes lower than the potential of the contact B, the output of the inverter 9 is inverted and becomes "L" level. Similarly, at time t2, the threshold value V of the inverter 10
Since th1 becomes lower than the potential of the contact A, the inverter 10
Is inverted, and the output of the inverter 11 becomes "H" level. At time t3, the potential of the contact A becomes lower than the threshold value Vth1 of the inverter 10, so that the inverter 10 is inverted again, and the output of the inverter 11 becomes "L" level. At time t4, the potential of the contact B is the threshold value Vt of the inverter 9
Since it becomes lower than h2, the inverter 9 is inverted and the output becomes "H" level. With the above series of operations, the inverter 11
Since the inverter 9 is at "L" level when is at "H" level, the output of the AND gate 12 is always at "L" level, the test level detection signal is not generated, and the test signal is always at "L" level. No active level test signal is generated.

【0009】[0009]

【発明の効果】以上説明したように本発明はテスト信号
用の高電圧が入力された時のみテスト信号が発生するの
で電源電圧の変動で誤まってテスト信号が発生され誤動
作するという事がなく動作範囲の広いテスト入力回路を
構成できる効果がある。
As described above, according to the present invention, since the test signal is generated only when the high voltage for the test signal is input, there is no possibility that the test signal is erroneously generated by the fluctuation of the power supply voltage and malfunctions. This has the effect of configuring a test input circuit with a wide operating range.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例のテスト入力回路の回路図で
ある。
FIG. 1 is a circuit diagram of a test input circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1のテスト入力回路の動作タイミングチャー
トである。
FIG. 2 is an operation timing chart of the test input circuit of FIG.

【図3】図1のテスト入力回路の動作タイミングチャー
トである。
FIG. 3 is an operation timing chart of the test input circuit of FIG.

【図4】従来のテスト入力回路の回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram of a conventional test input circuit.

【図5】図4のテスト入力回路のタイミングチャートで
ある。
5 is a timing chart of the test input circuit of FIG.

【図6】図4のテスト入力回路のタイミングチャートで
ある。
6 is a timing chart of the test input circuit of FIG.

【図7】図4のテスト入力回路のタイミングチャートで
ある。
FIG. 7 is a timing chart of the test input circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 テスト信号と通常信号の兼用入力端子 2〜7 N型トランジスタ 8 通常信号用入力バッファ 9〜11 インバータ 12 AND回路 13〜15 NOR回路 1 Dual-purpose input terminal for test signal and normal signal 2-7 N-type transistor 8 Input buffer for normal signal 9-11 Inverter 12 AND circuit 13-15 NOR circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 テスト信号及び通常信号を受ける入力端
子と、前記入力端子と通常信号を供給すべき回路とを接
続する手段と、前記入力端子と基準電圧端子との間に直
列に接続された複数の第1の電圧降下手段と、前記複数
の第1電圧降下手段の一つの接続点に入力が接続された
複数の第2電圧降下手段と、前記第2電圧降下手段の一
つの接続点に入力が接続され前記第1のゲート回路の論
理機能と反対の論理機能、前記第1のゲート回路の論理
しきい値よりも小さい論理しきい値を有する第2のゲー
ト回路と、前記第1及び第2のゲート回路の出力端に接
続され前記2出力がともにアクティブレベルのときはア
クティブレベルを出力する第3のゲート回路と、前記第
3のゲート回路の出力に接続されたラッチ手段と、前記
第2のゲート回路及び前記ラッチ手段の出力に接続され
前記2出力がともに非アクティブレベルのときはアクテ
ィブレベルのテスト信号を出力する第4のゲート回路と
を備えるテスト入力回路。
1. An input terminal for receiving a test signal and a normal signal, a means for connecting the input terminal and a circuit for supplying a normal signal, and a serial connection between the input terminal and a reference voltage terminal. A plurality of first voltage drop means, a plurality of second voltage drop means whose inputs are connected to one connection point of the plurality of first voltage drop means, and one connection point of the second voltage drop means. A second gate circuit having an input connected to it and having a logic function opposite to that of the first gate circuit, a logic threshold value less than a logic threshold value of the first gate circuit; A third gate circuit connected to an output terminal of the second gate circuit and outputting an active level when both of the two outputs are at an active level; latch means connected to an output of the third gate circuit; Second gate circuit and And a fourth gate circuit connected to the outputs of the latch means and outputting an active level test signal when the two outputs are both inactive level.
JP3088951A 1991-04-22 1991-04-22 Test input circuit Pending JPH05322984A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010071729A (en) * 2008-09-17 2010-04-02 Mitsumi Electric Co Ltd Semiconductor integrated circuit for driving motor and method for testing
JP2011066473A (en) * 2009-09-15 2011-03-31 Ricoh Co Ltd Semiconductor device

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