JPH05316426A - 撮像装置 - Google Patents
撮像装置Info
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- JPH05316426A JPH05316426A JP4119267A JP11926792A JPH05316426A JP H05316426 A JPH05316426 A JP H05316426A JP 4119267 A JP4119267 A JP 4119267A JP 11926792 A JP11926792 A JP 11926792A JP H05316426 A JPH05316426 A JP H05316426A
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- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 28
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Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 固体撮像デバイスの各画素に入射するバイア
ス光源からのバイアス光の強度を均一にすることによ
り、バイアス光照射時の画質の低下を防止した撮像装置
を得る。 【構成】 被写体からの信号光Lsを第一の反射鏡11
と第二の反射鏡12とで順次反射させて固体撮像デバイ
ス2の受光面2a上に結像させるようにする。さらに上
記第二の反射鏡12の中心部にバイアス光照射孔13を
形成し、その反射鏡12の背後にバイアス光源3を、デ
バイス2と対向させた状態で配置する。これによりバイ
アス光源3からのバイアス光Lbはデバイス2の受光面
2aの全域にほぼ垂直に入射し、そのデバイス2の各画
素に入射するバイアス光Lbの強度が均一になる。しか
も上記第二の反射鏡12の背後は信号光Lsの光路とは
ならないため、この部分に配置したバイアス光源3が、
デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写体の像に影響
を与えることはない。
ス光源からのバイアス光の強度を均一にすることによ
り、バイアス光照射時の画質の低下を防止した撮像装置
を得る。 【構成】 被写体からの信号光Lsを第一の反射鏡11
と第二の反射鏡12とで順次反射させて固体撮像デバイ
ス2の受光面2a上に結像させるようにする。さらに上
記第二の反射鏡12の中心部にバイアス光照射孔13を
形成し、その反射鏡12の背後にバイアス光源3を、デ
バイス2と対向させた状態で配置する。これによりバイ
アス光源3からのバイアス光Lbはデバイス2の受光面
2aの全域にほぼ垂直に入射し、そのデバイス2の各画
素に入射するバイアス光Lbの強度が均一になる。しか
も上記第二の反射鏡12の背後は信号光Lsの光路とは
ならないため、この部分に配置したバイアス光源3が、
デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写体の像に影響
を与えることはない。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体撮像デバイスを用
いて被写体の二次元映像を生成する撮像装置、特に、バ
イアス光源を設けて固体撮像デバイスにバイアス光を照
射することにより、その固体撮像デバイスの電荷転送効
率を高めた撮像装置に関する。
いて被写体の二次元映像を生成する撮像装置、特に、バ
イアス光源を設けて固体撮像デバイスにバイアス光を照
射することにより、その固体撮像デバイスの電荷転送効
率を高めた撮像装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年では、二次元に配列された多数の画
素を有する固体撮像デバイスが撮像装置に広く利用され
ている。この固体撮像デバイスは、各画素に入射する信
号光を信号電荷に変換する光電変換部と、その光電変換
部で変換された各画素の信号電荷を逐次転送して信号処
理回路へ電気信号として出力する信号転送部とから構成
されるもので、その信号転送部を構成する代表的なもの
がCCD(電荷結合デバイス)である。
素を有する固体撮像デバイスが撮像装置に広く利用され
ている。この固体撮像デバイスは、各画素に入射する信
号光を信号電荷に変換する光電変換部と、その光電変換
部で変換された各画素の信号電荷を逐次転送して信号処
理回路へ電気信号として出力する信号転送部とから構成
されるもので、その信号転送部を構成する代表的なもの
がCCD(電荷結合デバイス)である。
【0003】ところで、実際の固体撮像デバイスでは、
光電変換部で変換された各画素の信号電荷が全て信号転
送部から電気信号として出力されることはなく、一部の
信号電荷は光電変換部と信号転送部とに取り残される。
即ち、固体撮像デバイスにおける信号電荷の転送効率は
100%とはならない。しかもこの電荷転送効率は、固
体撮像デバイスに入射する信号光の強度が小さくなるほ
ど低下する。この電荷転送効率が低下すると、光電変換
部と信号転送部とに取り残された信号電荷が、次に転送
される信号電荷と混じり合うことにより、残像現象が発
生して画質が著しく低下してしまう。
光電変換部で変換された各画素の信号電荷が全て信号転
送部から電気信号として出力されることはなく、一部の
信号電荷は光電変換部と信号転送部とに取り残される。
即ち、固体撮像デバイスにおける信号電荷の転送効率は
100%とはならない。しかもこの電荷転送効率は、固
体撮像デバイスに入射する信号光の強度が小さくなるほ
ど低下する。この電荷転送効率が低下すると、光電変換
部と信号転送部とに取り残された信号電荷が、次に転送
される信号電荷と混じり合うことにより、残像現象が発
生して画質が著しく低下してしまう。
【0004】そこで従来から、信号光の強度が小さいと
きに、固体撮像デバイスにバイアス光を照射してバイア
ス電荷を与えることにより、その固体撮像デバイスの電
荷転送効率を高めるように構成した撮像装置が提案され
ている。
きに、固体撮像デバイスにバイアス光を照射してバイア
ス電荷を与えることにより、その固体撮像デバイスの電
荷転送効率を高めるように構成した撮像装置が提案され
ている。
【0005】図10は、この種の撮像装置の従来例を示
す構成図である(特開昭56−44273号公報参
照)。
す構成図である(特開昭56−44273号公報参
照)。
【0006】図のように、集光光学系1の光軸1a上
に、固体撮像デバイス2が配置されるとともに、その固
体撮像デバイス2の周辺に、LEDを用いたバイアス光
源3が配置されている。このバイアス光源3の位置は、
固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写体
(図示せず)の像に影響を与えないように設定されてい
る。
に、固体撮像デバイス2が配置されるとともに、その固
体撮像デバイス2の周辺に、LEDを用いたバイアス光
源3が配置されている。このバイアス光源3の位置は、
固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写体
(図示せず)の像に影響を与えないように設定されてい
る。
【0007】上記構成において、集光光学系1が被写体
からの信号光Lsを固体撮像デバイス2の受光面2a上
に結像させ、その結像した信号光Lsを、固体撮像デバ
イス2が上述のように電気信号に変換して信号処理回路
(図示せず)へ出力する。そして信号処理回路が、その
固体撮像デバイス2からの電気信号を処理して映像信号
とし、その映像信号に基づいて、表示装置(図示せず)
が被写体の二次元映像を表示する。
からの信号光Lsを固体撮像デバイス2の受光面2a上
に結像させ、その結像した信号光Lsを、固体撮像デバ
イス2が上述のように電気信号に変換して信号処理回路
(図示せず)へ出力する。そして信号処理回路が、その
固体撮像デバイス2からの電気信号を処理して映像信号
とし、その映像信号に基づいて、表示装置(図示せず)
が被写体の二次元映像を表示する。
【0008】また、被写体からの信号光Lsの強度が小
さいときには、バイアス光源3を発光させる。するとバ
イアス光源3は、固体撮像デバイス2にバイアス光Lb
を照射してバイアス電荷を与える。これにより、固体撮
像デバイス2の電荷転送効率が高められて、残像現象の
発生が抑えられる。
さいときには、バイアス光源3を発光させる。するとバ
イアス光源3は、固体撮像デバイス2にバイアス光Lb
を照射してバイアス電荷を与える。これにより、固体撮
像デバイス2の電荷転送効率が高められて、残像現象の
発生が抑えられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の撮
像装置では、バイアス光源3が、固体撮像デバイス2の
受光面2a上に結ばれる被写体の像に影響を与えないよ
うに固体撮像デバイス2の周辺に配置されているため、
そのバイアス光源3からのバイアス光Lbは、近い距離
にある固体撮像デバイス2の受光面2aに斜めに入射す
ることになる。その結果、固体撮像デバイス2の各画素
に入射するバイアス光Lbの強度が不均一となり、その
バイアス光Lbの強度の不均一性が、映像に濃淡となっ
て現れて画質が低下するという問題が発生していた。
像装置では、バイアス光源3が、固体撮像デバイス2の
受光面2a上に結ばれる被写体の像に影響を与えないよ
うに固体撮像デバイス2の周辺に配置されているため、
そのバイアス光源3からのバイアス光Lbは、近い距離
にある固体撮像デバイス2の受光面2aに斜めに入射す
ることになる。その結果、固体撮像デバイス2の各画素
に入射するバイアス光Lbの強度が不均一となり、その
バイアス光Lbの強度の不均一性が、映像に濃淡となっ
て現れて画質が低下するという問題が発生していた。
【0010】本発明は、この問題を解決するためになさ
れたもので、固体撮像デバイスの各画素に入射するバイ
アス光源からのバイアス光の強度を均一にすることによ
り、バイアス光照射時の画質の低下を防止した撮像装置
を得ることを目的とする。
れたもので、固体撮像デバイスの各画素に入射するバイ
アス光源からのバイアス光の強度を均一にすることによ
り、バイアス光照射時の画質の低下を防止した撮像装置
を得ることを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る撮像装置では、集光光学系を、被写体
からの信号光を反射させて集光させる第一の反射鏡と、
その第一の反射鏡で反射した信号光を固体撮像デバイス
へ向けて反射させる第二の反射鏡とを用いて構成すると
ともに、その第二の反射鏡の中心部にバイアス光照射孔
を形成する。そしてそのバイアス光照射孔を形成した第
二の反射鏡の背後に、バイアス光源を、固体撮像デバイ
スと対向させた状態で配置した。
に、本発明に係る撮像装置では、集光光学系を、被写体
からの信号光を反射させて集光させる第一の反射鏡と、
その第一の反射鏡で反射した信号光を固体撮像デバイス
へ向けて反射させる第二の反射鏡とを用いて構成すると
ともに、その第二の反射鏡の中心部にバイアス光照射孔
を形成する。そしてそのバイアス光照射孔を形成した第
二の反射鏡の背後に、バイアス光源を、固体撮像デバイ
スと対向させた状態で配置した。
【0012】また別の撮像装置では、集光光学系を、一
枚の凹面鏡を用いて構成するとともに、その凹面鏡の中
心部にバイアス光照射孔を形成し、そのバイアス光照射
孔を形成した凹面鏡の背後に、バイアス光源を、上記固
体撮像デバイスと対向させた状態で配置した。
枚の凹面鏡を用いて構成するとともに、その凹面鏡の中
心部にバイアス光照射孔を形成し、そのバイアス光照射
孔を形成した凹面鏡の背後に、バイアス光源を、上記固
体撮像デバイスと対向させた状態で配置した。
【0013】さらに別の撮像装置では、固体撮像デバイ
スとして赤外線固体撮像デバイスを用いるとともに、バ
イアス光源として線状の発熱体を用い、かつその線状の
発熱体を、集光光学系の近傍の、被写体からの信号光の
光路内に配置した。
スとして赤外線固体撮像デバイスを用いるとともに、バ
イアス光源として線状の発熱体を用い、かつその線状の
発熱体を、集光光学系の近傍の、被写体からの信号光の
光路内に配置した。
【0014】
【作用】バイアス光源を、固体撮像デバイスと対向させ
た状態で配置したことにより、そのバイアス光源からの
バイアス光は、固体撮像デバイスの受光面の全域にほぼ
垂直に入射することになる。従って、固体撮像デバイス
の各画素に入射するバイアス光の強度が均一になる。し
かも上記第二の反射鏡の背後、あるいは凹面鏡の背後
は、固体撮像デバイスに入射する被写体からの信号光の
光路とはならないため、これらの部分に配置したバイア
ス光源が、固体撮像デバイスの受光面上に結ばれる被写
体の像に影響を与えることはない。
た状態で配置したことにより、そのバイアス光源からの
バイアス光は、固体撮像デバイスの受光面の全域にほぼ
垂直に入射することになる。従って、固体撮像デバイス
の各画素に入射するバイアス光の強度が均一になる。し
かも上記第二の反射鏡の背後、あるいは凹面鏡の背後
は、固体撮像デバイスに入射する被写体からの信号光の
光路とはならないため、これらの部分に配置したバイア
ス光源が、固体撮像デバイスの受光面上に結ばれる被写
体の像に影響を与えることはない。
【0015】また、上記発熱体からのバイアス光は、集
光光学系によって赤外線固体撮像デバイスの受光面上に
結像することはないため、いわばピンぼけの状態で、そ
の受光面の全域に均一に入射する。従って、赤外線固体
撮像デバイスの各画素に入射する発熱体からのバイアス
光の強度は均一となる。しかも、上記発熱体の像が赤外
線固体撮像デバイスの受光面上に結ばれないということ
と、その発熱体が線状であり、信号光の光路内に配置さ
れていてもその信号光を大きく遮ることがないこととか
ら、この発熱体の場合も、赤外線固体撮像デバイスの受
光面上に結ばれる被写体の像に影響を与えることはな
い。
光光学系によって赤外線固体撮像デバイスの受光面上に
結像することはないため、いわばピンぼけの状態で、そ
の受光面の全域に均一に入射する。従って、赤外線固体
撮像デバイスの各画素に入射する発熱体からのバイアス
光の強度は均一となる。しかも、上記発熱体の像が赤外
線固体撮像デバイスの受光面上に結ばれないということ
と、その発熱体が線状であり、信号光の光路内に配置さ
れていてもその信号光を大きく遮ることがないこととか
ら、この発熱体の場合も、赤外線固体撮像デバイスの受
光面上に結ばれる被写体の像に影響を与えることはな
い。
【0016】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明
する。なお、実施例の図面中、図10に示した従来例の
構成要素と同一、またはその従来例の構成要素に相当す
る部分には、同一の符号を付すこととする。
する。なお、実施例の図面中、図10に示した従来例の
構成要素と同一、またはその従来例の構成要素に相当す
る部分には、同一の符号を付すこととする。
【0017】実施例1 図1は、本発明の実施例1における撮像装置の構成図で
ある。図のようにこの撮像装置は、集光光学系1と固体
撮像デバイス2とバイアス光源3とを備えたもので、そ
の集光光学系1の構成と、バイアス光源3の配置とに特
徴がある。
ある。図のようにこの撮像装置は、集光光学系1と固体
撮像デバイス2とバイアス光源3とを備えたもので、そ
の集光光学系1の構成と、バイアス光源3の配置とに特
徴がある。
【0018】即ち、この撮像装置の集光光学系1は、中
心部に孔11aを有する凹面鏡から成る第一の反射鏡1
1と、その第一の反射鏡11に対向した状態で配置され
た凸面鏡から成る第二の反射鏡12とにより、カセグレ
ン型反射光学系として構成されている。そして上記第一
の反射鏡11の背後に、固体撮像デバイス2が、その受
光面2aを集光光学系1の光軸1aと直交させた状態で
配置されている。
心部に孔11aを有する凹面鏡から成る第一の反射鏡1
1と、その第一の反射鏡11に対向した状態で配置され
た凸面鏡から成る第二の反射鏡12とにより、カセグレ
ン型反射光学系として構成されている。そして上記第一
の反射鏡11の背後に、固体撮像デバイス2が、その受
光面2aを集光光学系1の光軸1aと直交させた状態で
配置されている。
【0019】さらに、上記集光光学系1の第二の反射鏡
12の中心部にはバイアス光照射孔13が形成され、そ
のバイアス光照射孔13の形成された第二の反射鏡12
の背後に、電球あるいはLEDを用いたバイアス光源3
が、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置されてい
る。
12の中心部にはバイアス光照射孔13が形成され、そ
のバイアス光照射孔13の形成された第二の反射鏡12
の背後に、電球あるいはLEDを用いたバイアス光源3
が、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置されてい
る。
【0020】上記構成において、集光光学系1の第一の
反射鏡11が被写体(図示せず)からの信号光Lsを反
射させて集光させるとともに、その第一の反射鏡11で
反射した信号光Lsを第二の反射鏡12が固体撮像デバ
イス2へ向けて反射させる。これにより集光光学系1
は、被写体からの信号光Lsを、第一の反射鏡11の孔
11aを通して固体撮像デバイス2の受光面2a上に結
像させる。このとき、第二の反射鏡12の背後は、固体
撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光Lsの光
路とはならないため、この部分に配置したバイアス光源
3が、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被
写体の像に影響を与えることはない。
反射鏡11が被写体(図示せず)からの信号光Lsを反
射させて集光させるとともに、その第一の反射鏡11で
反射した信号光Lsを第二の反射鏡12が固体撮像デバ
イス2へ向けて反射させる。これにより集光光学系1
は、被写体からの信号光Lsを、第一の反射鏡11の孔
11aを通して固体撮像デバイス2の受光面2a上に結
像させる。このとき、第二の反射鏡12の背後は、固体
撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光Lsの光
路とはならないため、この部分に配置したバイアス光源
3が、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被
写体の像に影響を与えることはない。
【0021】そして固体撮像デバイス2が、その受光面
2a上に結像した信号光Lsを、従来例で説明したよう
に電気信号に変換して、図示せぬ信号処理回路へ出力す
ることになる。
2a上に結像した信号光Lsを、従来例で説明したよう
に電気信号に変換して、図示せぬ信号処理回路へ出力す
ることになる。
【0022】また、被写体からの信号光Lsの強度が小
さいときには、バイアス光源3を発光させる。するとバ
イアス光源3は、固体撮像デバイス2に、第二の反射鏡
12のバイアス光照射孔13および第一の反射鏡11の
孔11aを通してバイアス光Lbを照射し、バイアス電
荷を与える。それにより、固体撮像デバイス2の電荷転
送効率が高められて、残像現象の発生が抑えられる。
さいときには、バイアス光源3を発光させる。するとバ
イアス光源3は、固体撮像デバイス2に、第二の反射鏡
12のバイアス光照射孔13および第一の反射鏡11の
孔11aを通してバイアス光Lbを照射し、バイアス電
荷を与える。それにより、固体撮像デバイス2の電荷転
送効率が高められて、残像現象の発生が抑えられる。
【0023】その際、バイアス光源3が上述のように固
体撮像デバイス2に対向した状態で配置されているた
め、そのバイアス光源3からのバイアス光Lbは、固体
撮像デバイス2の受光面2aの全域にほぼ垂直に入射す
ることになる。従って、固体撮像デバイス2の各画素に
入射するバイアス光Lbの強度が均一になり、それによ
りバイアス光照射時の画質低下が防止される。
体撮像デバイス2に対向した状態で配置されているた
め、そのバイアス光源3からのバイアス光Lbは、固体
撮像デバイス2の受光面2aの全域にほぼ垂直に入射す
ることになる。従って、固体撮像デバイス2の各画素に
入射するバイアス光Lbの強度が均一になり、それによ
りバイアス光照射時の画質低下が防止される。
【0024】実施例2 図2は、本発明の実施例2における撮像装置の構成図で
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は、
中心部に孔11aを有する凹面鏡から成る第一の反射鏡
11と、その第一の反射鏡11に対向した状態で配置さ
れた凹面鏡から成る第二の反射鏡12とにより、グレゴ
リアン型反射光学系として構成されている。その他の構
成は、上記実施例1と相違なく、バイアス光源3は、バ
イアス光照射孔13の形成された第二の反射鏡12の背
後に、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置されて
いる。
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は、
中心部に孔11aを有する凹面鏡から成る第一の反射鏡
11と、その第一の反射鏡11に対向した状態で配置さ
れた凹面鏡から成る第二の反射鏡12とにより、グレゴ
リアン型反射光学系として構成されている。その他の構
成は、上記実施例1と相違なく、バイアス光源3は、バ
イアス光照射孔13の形成された第二の反射鏡12の背
後に、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置されて
いる。
【0025】従って、この実施例2における撮像装置
も、上記実施例1における撮像装置と同様に機能すると
ともに、同様の効果を発揮する。
も、上記実施例1における撮像装置と同様に機能すると
ともに、同様の効果を発揮する。
【0026】実施例3 図3は、本発明の実施例3における撮像装置の構成図で
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は、
凹面鏡から成る第一の反射鏡11と、その第一の反射鏡
11の前方に斜めに配置された平面鏡から成る第二の反
射鏡12とにより、ニュートン型反射光学系として構成
されており、その光軸1aは、第二の反射鏡12によっ
て直角に曲げられている。そしてその直角に曲げられた
光軸1a上に、固体撮像デバイス2が配置されている。
つまりこの撮像装置の場合には、固体撮像デバイス2
は、第一の反射鏡11の斜め前方の、信号光Lsの光路
外に配置されている。
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は、
凹面鏡から成る第一の反射鏡11と、その第一の反射鏡
11の前方に斜めに配置された平面鏡から成る第二の反
射鏡12とにより、ニュートン型反射光学系として構成
されており、その光軸1aは、第二の反射鏡12によっ
て直角に曲げられている。そしてその直角に曲げられた
光軸1a上に、固体撮像デバイス2が配置されている。
つまりこの撮像装置の場合には、固体撮像デバイス2
は、第一の反射鏡11の斜め前方の、信号光Lsの光路
外に配置されている。
【0027】そして上記二つの実施例1,2と同様に、
第二の反射鏡12の中心部にバイアス光照射孔13が形
成され、そのバイアス光照射孔13の形成された第二の
反射鏡12の背後に、バイアス光源3が、固体撮像デバ
イス2と対向した状態で配置されている。この場合に
も、バイアス光源3を、固体撮像デバイス2に入射する
被写体からの信号光Lsの光路とならない部分に配置す
ることが可能であり、よって、このバイアス光源3が、
固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写体の
像に影響を与えないようにすることができる。
第二の反射鏡12の中心部にバイアス光照射孔13が形
成され、そのバイアス光照射孔13の形成された第二の
反射鏡12の背後に、バイアス光源3が、固体撮像デバ
イス2と対向した状態で配置されている。この場合に
も、バイアス光源3を、固体撮像デバイス2に入射する
被写体からの信号光Lsの光路とならない部分に配置す
ることが可能であり、よって、このバイアス光源3が、
固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写体の
像に影響を与えないようにすることができる。
【0028】この実施例3における撮像装置も、上記実
施例1における撮像装置と同様に機能するとともに、同
様の効果を発揮することは言うまでもない。
施例1における撮像装置と同様に機能するとともに、同
様の効果を発揮することは言うまでもない。
【0029】実施例4 上記三つの実施例1,2,3ではいずれも、集光光学系
1は、第一,第二の二枚の反射鏡11,12によって構
成されていたが、これらの反射鏡11,12に、別の反
射鏡あるいはレンズを付加して集光光学系1を構成する
ことも可能である。例えば図4の構成図に示した実施例
4における撮像装置では、カセグレン型反射光学系を成
す集光光学系1の第二の反射鏡12と固体撮像デバイス
2との間に、凸レンズ14が付加されている。その他の
構成は上記実施例1における撮像装置と同様である。
1は、第一,第二の二枚の反射鏡11,12によって構
成されていたが、これらの反射鏡11,12に、別の反
射鏡あるいはレンズを付加して集光光学系1を構成する
ことも可能である。例えば図4の構成図に示した実施例
4における撮像装置では、カセグレン型反射光学系を成
す集光光学系1の第二の反射鏡12と固体撮像デバイス
2との間に、凸レンズ14が付加されている。その他の
構成は上記実施例1における撮像装置と同様である。
【0030】この構成の撮像装置の場合にも、上記実施
例1における撮像装置と同様に機能するとともに、同様
の効果を発揮する。
例1における撮像装置と同様に機能するとともに、同様
の効果を発揮する。
【0031】実施例5 図5は、本発明の実施例5における撮像装置の構成図で
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は一
枚の凹面鏡15から構成され、その凹面鏡15の前方、
つまり被写体側の光軸1a上に固体撮像デバイス2が配
置されている。
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は一
枚の凹面鏡15から構成され、その凹面鏡15の前方、
つまり被写体側の光軸1a上に固体撮像デバイス2が配
置されている。
【0032】さらに、上記凹面鏡15の中心部にはバイ
アス光照射孔13が形成され、そのバイアス光照射孔1
3の形成された凹面鏡15の背後、つまり被写体と反対
側に、バイアス光源3が、固体撮像デバイス2と対向し
た状態で配置されている。
アス光照射孔13が形成され、そのバイアス光照射孔1
3の形成された凹面鏡15の背後、つまり被写体と反対
側に、バイアス光源3が、固体撮像デバイス2と対向し
た状態で配置されている。
【0033】上記構成において、凹面鏡15が、被写体
からの信号光Lsを反射させて、固体撮像デバイス2の
受光面2a上に結像させる。
からの信号光Lsを反射させて、固体撮像デバイス2の
受光面2a上に結像させる。
【0034】また、被写体からの信号光Lsの強度が小
さいときには、バイアス光源3がバイアス光照射孔13
を通してバイアス光Lbを照射し、バイアス電荷を与え
る。このとき、バイアス光源3が固体撮像デバイス2に
対向した状態で配置されているため、そのバイアス光源
3からのバイアス光Lbは、固体撮像デバイス2の受光
面2aの全域にほぼ垂直に入射することになる。しかも
バイアス光源3の配置された凹面鏡15の背後は、固体
撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光Lsの光
路とはならないため、このバイアス光源3が、固体撮像
デバイス2の受光面2a上に作られる被写体の像に影響
を与えることはない。
さいときには、バイアス光源3がバイアス光照射孔13
を通してバイアス光Lbを照射し、バイアス電荷を与え
る。このとき、バイアス光源3が固体撮像デバイス2に
対向した状態で配置されているため、そのバイアス光源
3からのバイアス光Lbは、固体撮像デバイス2の受光
面2aの全域にほぼ垂直に入射することになる。しかも
バイアス光源3の配置された凹面鏡15の背後は、固体
撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光Lsの光
路とはならないため、このバイアス光源3が、固体撮像
デバイス2の受光面2a上に作られる被写体の像に影響
を与えることはない。
【0035】即ち、この撮像装置の場合にも、上記実施
例1の場合と同様の効果が得られる。
例1の場合と同様の効果が得られる。
【0036】なお、上記凹面鏡15と固体撮像デバイス
2との間に、上記実施例4のようにレンズを付加して集
光光学系1を構成することも可能である。
2との間に、上記実施例4のようにレンズを付加して集
光光学系1を構成することも可能である。
【0037】実施例6 図6は、本発明の実施例6における撮像装置の構成図、
また図7はこの撮像装置を被写体側から見た図である。
また図7はこの撮像装置を被写体側から見た図である。
【0038】図のようにこの撮像装置の特徴は、固体撮
像デバイスとして赤外線固体撮像デバイス20が用いら
れるとともに、バイアス光源として線状の発熱体30が
用いられ、さらにその線状の発熱体30が、集光光学系
1の近傍の、被写体からの信号光Lsの光路内に配置さ
れた点にある。
像デバイスとして赤外線固体撮像デバイス20が用いら
れるとともに、バイアス光源として線状の発熱体30が
用いられ、さらにその線状の発熱体30が、集光光学系
1の近傍の、被写体からの信号光Lsの光路内に配置さ
れた点にある。
【0039】上記発熱体30は、ここでは直線状に形成
されており、その直線状の発熱体30が一本だけ、集光
光学系1の光軸1aと直交した状態で、集光光学系1の
被写体側に配置されている。また集光光学系1について
は、ここでは二枚の凸レンズ16,17を直列に並べる
ことにより構成されているが、反射鏡を用いて構成して
もよい。
されており、その直線状の発熱体30が一本だけ、集光
光学系1の光軸1aと直交した状態で、集光光学系1の
被写体側に配置されている。また集光光学系1について
は、ここでは二枚の凸レンズ16,17を直列に並べる
ことにより構成されているが、反射鏡を用いて構成して
もよい。
【0040】この撮像装置において、集光光学系1は、
その二枚の凸レンズ16,17により、被写体からの赤
外線領域の信号光Lsを赤外線固体撮像デバイス20の
受光面20a上に結像させる。そしてその結像した信号
光を、赤外線固体撮像デバイス20が電気信号に変換し
て信号処理回路(図示せず)へ出力する。
その二枚の凸レンズ16,17により、被写体からの赤
外線領域の信号光Lsを赤外線固体撮像デバイス20の
受光面20a上に結像させる。そしてその結像した信号
光を、赤外線固体撮像デバイス20が電気信号に変換し
て信号処理回路(図示せず)へ出力する。
【0041】また、被写体からの信号光Lsの強度が小
さいときには、発熱体30に電流を流して発熱させる。
すると発熱体30は、赤外線領域のバイアス光Lbを赤
外線固体撮像デバイス20に照射して、バイアス電荷を
与える。これにより、赤外線固体撮像デバイス20の電
荷転送効率が高められて、残像現象の発生が抑えられ
る。
さいときには、発熱体30に電流を流して発熱させる。
すると発熱体30は、赤外線領域のバイアス光Lbを赤
外線固体撮像デバイス20に照射して、バイアス電荷を
与える。これにより、赤外線固体撮像デバイス20の電
荷転送効率が高められて、残像現象の発生が抑えられ
る。
【0042】ところで、集光光学系1は、赤外線固体撮
像デバイス20との距離に比べて非常に遠方にある被写
体からの信号光Lsを赤外線固体撮像デバイス20の受
光面20a上に結像させるように構成されているため、
上述のごとくこの集光光学系1の近傍に配置された発熱
体30の像を同じ受光面20a上に結ばせることはな
い。それとともに、この発熱体30が線状であるため、
信号光Lsの光路内に配置されていてもその信号光Ls
を大きく遮ることはない。これらのことから、発熱体3
0が、赤外線固体撮像デバイス20の受光面20a上に
結ばれる被写体の像に影響を与えることはない。
像デバイス20との距離に比べて非常に遠方にある被写
体からの信号光Lsを赤外線固体撮像デバイス20の受
光面20a上に結像させるように構成されているため、
上述のごとくこの集光光学系1の近傍に配置された発熱
体30の像を同じ受光面20a上に結ばせることはな
い。それとともに、この発熱体30が線状であるため、
信号光Lsの光路内に配置されていてもその信号光Ls
を大きく遮ることはない。これらのことから、発熱体3
0が、赤外線固体撮像デバイス20の受光面20a上に
結ばれる被写体の像に影響を与えることはない。
【0043】さらに、上記発熱体30からのバイアス光
Lbは、集光光学系1によって赤外線固体撮像デバイス
20の受光面20a上に結像することはないため、いわ
ばピンぼけの状態で、その受光面20aの全域に均一に
入射する。従って、赤外線固体撮像デバイス20の各画
素に入射する発熱体30からのバイアス光Lbの強度は
均一となり、それにより、バイアス光照射時の画質低下
が防止されることになる。
Lbは、集光光学系1によって赤外線固体撮像デバイス
20の受光面20a上に結像することはないため、いわ
ばピンぼけの状態で、その受光面20aの全域に均一に
入射する。従って、赤外線固体撮像デバイス20の各画
素に入射する発熱体30からのバイアス光Lbの強度は
均一となり、それにより、バイアス光照射時の画質低下
が防止されることになる。
【0044】なお、発熱体30の位置については、上述
のごとく集光光学系1の近傍の、信号光Lsの光路内で
あればよく、例えば図8の構成図に示すように、集光光
学系1を構成する二枚の凸レンズ16,17の間でもよ
い。また図9の説明図に示すように、複数本の直線状の
発熱体30を組み合わせて配置してもよい。
のごとく集光光学系1の近傍の、信号光Lsの光路内で
あればよく、例えば図8の構成図に示すように、集光光
学系1を構成する二枚の凸レンズ16,17の間でもよ
い。また図9の説明図に示すように、複数本の直線状の
発熱体30を組み合わせて配置してもよい。
【0045】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明に係るいず
れの撮像装置によっても、固体撮像デバイスの各画素に
入射するバイアス光源からのバイアス光の強度を均一に
することができ、それにより、バイアス光照射時の画質
の低下を防止することができる。しかも、バイアス光源
が、固体撮像デバイスの受光面上に結ばれる被写体の像
に影響を与えることもない。
れの撮像装置によっても、固体撮像デバイスの各画素に
入射するバイアス光源からのバイアス光の強度を均一に
することができ、それにより、バイアス光照射時の画質
の低下を防止することができる。しかも、バイアス光源
が、固体撮像デバイスの受光面上に結ばれる被写体の像
に影響を与えることもない。
【図1】本発明にかかる撮像装置の実施例1の構成図で
ある。
ある。
【図2】本発明にかかる撮像装置の実施例2の構成図で
ある。
ある。
【図3】本発明にかかる撮像装置の実施例3の構成図で
ある。
ある。
【図4】本発明にかかる撮像装置の実施例4の構成図で
ある。
ある。
【図5】本発明にかかる撮像装置の実施例5の構成図で
ある。
ある。
【図6】本発明にかかる撮像装置の実施例6の構成図で
ある。
ある。
【図7】実施例6における撮像装置を被写体側から見た
図である。
図である。
【図8】実施例6における撮像装置の他の構成図であ
る。
る。
【図9】実施例6における発熱体の他の構成例を示す説
明図である。
明図である。
【図10】従来例における撮像装置の構成図である。
1 集光光学系 1a 光軸 2 固体撮像デバイス 3 バイアス光源 11 第一の反射鏡 12 第二の反射鏡 13 バイアス光照射孔 15 凹面鏡 20 赤外線固体撮像デバイス 30 発熱体(バイアス光源) Lb バイアス光 Ls 信号光
【手続補正書】
【提出日】平成4年10月14日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】変更
【補正内容】
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る撮像装置では、集光光学系を、被写体
からの信号光を反射させて集光させる第一の反射鏡と、
その第一の反射鏡で反射した信号光を固体撮像デバイス
へ向けて反射させる第二の反射鏡とを用いて構成すると
ともに、その第二の反射鏡の中心部にバイアス光照射孔
を形成する。そしてそのバイアス光照射孔を形成した第
二の反射鏡の開口透視部に、バイアス光源を、固体撮像
デバイスと対向させた状態で配置した。
に、本発明に係る撮像装置では、集光光学系を、被写体
からの信号光を反射させて集光させる第一の反射鏡と、
その第一の反射鏡で反射した信号光を固体撮像デバイス
へ向けて反射させる第二の反射鏡とを用いて構成すると
ともに、その第二の反射鏡の中心部にバイアス光照射孔
を形成する。そしてそのバイアス光照射孔を形成した第
二の反射鏡の開口透視部に、バイアス光源を、固体撮像
デバイスと対向させた状態で配置した。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0012
【補正方法】変更
【補正内容】
【0012】また別の撮像装置では、集光光学系を、一
枚の凹面鏡を用いて構成するとともに、その凹面鏡の中
心部にバイアス光照射孔を形成し、そのバイアス光照射
孔を形成した凹面鏡の開口透視部に、バイアス光源を、
上記固体撮像デバイスと対向させた状態で配置した。
枚の凹面鏡を用いて構成するとともに、その凹面鏡の中
心部にバイアス光照射孔を形成し、そのバイアス光照射
孔を形成した凹面鏡の開口透視部に、バイアス光源を、
上記固体撮像デバイスと対向させた状態で配置した。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0014
【補正方法】変更
【補正内容】
【0014】バイアス光源を、固体撮像デバイスと対向
させた状態で配置したことにより、そのバイアス光源か
らのバイアス光は、固体撮像デバイスの受光面の全域に
ほぼ垂直に入射することになる。従って、固体撮像デバ
イスの各画素に入射するバイアス光の強度が均一にな
る。しかも上記第二の反射鏡の開口透視部、あるいは凹
面鏡の開口透視部は、固体撮像デバイスに入射する被写
体からの信号光の光路とはならないため、これらの部分
に配置したバイアス光源が、固体撮像デバイスの受光面
上に結ばれる被写体の像に影響を与えることはない。
させた状態で配置したことにより、そのバイアス光源か
らのバイアス光は、固体撮像デバイスの受光面の全域に
ほぼ垂直に入射することになる。従って、固体撮像デバ
イスの各画素に入射するバイアス光の強度が均一にな
る。しかも上記第二の反射鏡の開口透視部、あるいは凹
面鏡の開口透視部は、固体撮像デバイスに入射する被写
体からの信号光の光路とはならないため、これらの部分
に配置したバイアス光源が、固体撮像デバイスの受光面
上に結ばれる被写体の像に影響を与えることはない。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0019
【補正方法】変更
【補正内容】
【0019】さらに、上記集光光学系1の第二の反射鏡
12の中心部にはバイアス光照射孔13が形成され、そ
のバイアス光照射孔13より固体撮影デバイス2を臨む
ことのできる開口透視部に、電球あるいはLEDを用い
たバイアス光源3が、固体撮像デバイス2と対向した状
態で配置されている。
12の中心部にはバイアス光照射孔13が形成され、そ
のバイアス光照射孔13より固体撮影デバイス2を臨む
ことのできる開口透視部に、電球あるいはLEDを用い
たバイアス光源3が、固体撮像デバイス2と対向した状
態で配置されている。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】上記構成において、集光光学系1の第一の
反射鏡11が被写体(図示せず)からの信号光Lsを反
射させて集光させるとともに、その第一の反射鏡11で
反射した信号光Lsを第二の反射鏡12が固体撮像デバ
イス2へ向けて反射させる。これにより集光光学系1
は、被写体からの信号光Lsを、第一の反射鏡11の孔
11aを通して固体撮像デバイス2の受光面2a上に結
像させる。このとき、第二の反射鏡12の開口透視部
は、固体撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光
Lsの光路とはならないため、この部分に配置したバイ
アス光源3が、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結
ばれる被写体の像に影響を与えることはない。
反射鏡11が被写体(図示せず)からの信号光Lsを反
射させて集光させるとともに、その第一の反射鏡11で
反射した信号光Lsを第二の反射鏡12が固体撮像デバ
イス2へ向けて反射させる。これにより集光光学系1
は、被写体からの信号光Lsを、第一の反射鏡11の孔
11aを通して固体撮像デバイス2の受光面2a上に結
像させる。このとき、第二の反射鏡12の開口透視部
は、固体撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光
Lsの光路とはならないため、この部分に配置したバイ
アス光源3が、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結
ばれる被写体の像に影響を与えることはない。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】実施例2 図2は、本発明の実施例2における撮像装置の構成図で
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は、
中心部に孔11aを有する凹面鏡から成る第一の反射鏡
11と、その第一の反射鏡11に対向した状態で配置さ
れた凹面鏡から成る第二の反射鏡12とにより、グレゴ
リアン型反射光学系として構成されている。その他の構
成は、上記実施例1と相違なく、バイアス光源3は、バ
イアス光照射孔13の形成された第二の反射鏡12の開
口透視部に、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置
されている。
ある。図のようにこの撮像装置では、集光光学系1は、
中心部に孔11aを有する凹面鏡から成る第一の反射鏡
11と、その第一の反射鏡11に対向した状態で配置さ
れた凹面鏡から成る第二の反射鏡12とにより、グレゴ
リアン型反射光学系として構成されている。その他の構
成は、上記実施例1と相違なく、バイアス光源3は、バ
イアス光照射孔13の形成された第二の反射鏡12の開
口透視部に、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置
されている。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】そして上記二つの実施例1,2と同様に、
第二の反射鏡12の中心部にバイアス光照射孔13が形
成され、そのバイアス光照射孔13の形成された第二の
反射鏡12の開口透視部に、バイアス光源3が、固体撮
像デバイス2と対向した状態で配置されている。この場
合にも、バイアス光源3を、固体撮像デバイス2に入射
する被写体からの信号光Lsの光路とならない部分に配
置することが可能であり、よって、このバイアス光源3
が、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写
体の像に影響を与えないようにすることができる。
第二の反射鏡12の中心部にバイアス光照射孔13が形
成され、そのバイアス光照射孔13の形成された第二の
反射鏡12の開口透視部に、バイアス光源3が、固体撮
像デバイス2と対向した状態で配置されている。この場
合にも、バイアス光源3を、固体撮像デバイス2に入射
する被写体からの信号光Lsの光路とならない部分に配
置することが可能であり、よって、このバイアス光源3
が、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写
体の像に影響を与えないようにすることができる。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】実施例4 上記三つの実施例1,2,3ではいずれも、集光光学系
1は、第一,第二の二枚の反射鏡11,12によって構
成されていたが、これらの反射鏡11,12に、別の反
射鏡あるいはレンズを付加して集光光学系1を構成する
ことも可能である。例えば図4の構成図に示した実施例
4における撮像装置では、カセグレン型反射光学系を成
す集光光学系1の第二の反射鏡12と固体撮像デバイス
2との間に、凸レンズ14が付加されている。その他の
構成は上記実施例1における撮像装置と同様である。こ
の構成の撮像装置の場合にも、上記実施例1における撮
像装置と同様に機能するとともに、同様の効果を発揮す
る。
1は、第一,第二の二枚の反射鏡11,12によって構
成されていたが、これらの反射鏡11,12に、別の反
射鏡あるいはレンズを付加して集光光学系1を構成する
ことも可能である。例えば図4の構成図に示した実施例
4における撮像装置では、カセグレン型反射光学系を成
す集光光学系1の第二の反射鏡12と固体撮像デバイス
2との間に、凸レンズ14が付加されている。その他の
構成は上記実施例1における撮像装置と同様である。こ
の構成の撮像装置の場合にも、上記実施例1における撮
像装置と同様に機能するとともに、同様の効果を発揮す
る。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】なお、上記各実施例1〜4で説明した本発
明に係る撮像装置の構成において、バイアス光源3が第
二の反射鏡12の背後に配置された状態には、そのバイ
アス光源3の一部が第二の反射鏡12のバイアス光照射
孔13から固体撮像デバイス2の方へ突出した状態をも
含む。上記第二の反射鏡12のバイアス光照射孔13と
固体撮像デバイス2との間には、第二の反射鏡12によ
る反射光の存在しない領域、つまり固体撮像デバイス2
に入射する被写体からの信号光Lsの光路とはならない
領域が生じるため、その領域内であれば、バイアス光源
3を、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被
写体の像に影響を与えないようにその一部をバイアス光
照射孔13から突出させ、かつ固体撮像デバイス2と対
向させた状態で配置することが可能である。
明に係る撮像装置の構成において、バイアス光源3が第
二の反射鏡12の背後に配置された状態には、そのバイ
アス光源3の一部が第二の反射鏡12のバイアス光照射
孔13から固体撮像デバイス2の方へ突出した状態をも
含む。上記第二の反射鏡12のバイアス光照射孔13と
固体撮像デバイス2との間には、第二の反射鏡12によ
る反射光の存在しない領域、つまり固体撮像デバイス2
に入射する被写体からの信号光Lsの光路とはならない
領域が生じるため、その領域内であれば、バイアス光源
3を、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被
写体の像に影響を与えないようにその一部をバイアス光
照射孔13から突出させ、かつ固体撮像デバイス2と対
向させた状態で配置することが可能である。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0032
【補正方法】変更
【補正内容】
【0032】さらに、上記凹面鏡15の中心部にはバイ
アス光照射孔13が形成され、そのバイアス光照射孔1
3の形成された凹面鏡15の開口透視部にバイアス光源
3が、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置されて
いる。
アス光照射孔13が形成され、そのバイアス光照射孔1
3の形成された凹面鏡15の開口透視部にバイアス光源
3が、固体撮像デバイス2と対向した状態で配置されて
いる。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】また、被写体からの信号光Lsの強度が小
さいときには、バイアス光源3がバイアス光照射孔13
を通してバイアス光Lbを照射し、バイアス電荷を与え
る。このとき、バイアス光源3が固体撮像デバイス2に
対向した状態で配置されているため、そのバイアス光源
3からのバイアス光Lbは、固体撮像デバイス2の受光
面2aの全域にほぼ垂直に入射することになる。しかも
バイアス光源3の配置された凹面鏡15の開口透視部
は、固体撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光
Lsの光路とはならないため、このバイアス光源3が、
固体撮像デバイス2の受光面2a上に作られる被写体の
像に影響を与えることはない。
さいときには、バイアス光源3がバイアス光照射孔13
を通してバイアス光Lbを照射し、バイアス電荷を与え
る。このとき、バイアス光源3が固体撮像デバイス2に
対向した状態で配置されているため、そのバイアス光源
3からのバイアス光Lbは、固体撮像デバイス2の受光
面2aの全域にほぼ垂直に入射することになる。しかも
バイアス光源3の配置された凹面鏡15の開口透視部
は、固体撮像デバイス2に入射する被写体からの信号光
Lsの光路とはならないため、このバイアス光源3が、
固体撮像デバイス2の受光面2a上に作られる被写体の
像に影響を与えることはない。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0036
【補正方法】変更
【補正内容】
【0036】なお、上記凹面鏡15と固体撮像デバイス
2との間に、上記実施例4のようにレンズを付加して集
光光学系1を構成することも可能である。また、この実
施例5で説明した本発明に係る撮像装置の構成におい
て、バイアス光源3が凹面鏡15の背後に配置された状
態には、そのバイアス光源3の一部が凹面鏡15のバイ
アス光照射孔13から固体撮像デバイス2の方へ突出し
た状態をも含む。上記凹面鏡15のバイアス光照射孔1
3と固体撮像デバイス2との間には、凹面鏡15による
反射光の存在しない領域、つまり固体撮像デバイス2に
入射する被写体からの信号光Lsの光路とはならない領
域が生じるため、その領域内であれば、バイアス光源3
を、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写
体の像に影響を与えないようにその一部をバイアス光照
射孔13から突出させ、かつ固体撮像デバイス2と対向
させた状態で配置することが可能である。
2との間に、上記実施例4のようにレンズを付加して集
光光学系1を構成することも可能である。また、この実
施例5で説明した本発明に係る撮像装置の構成におい
て、バイアス光源3が凹面鏡15の背後に配置された状
態には、そのバイアス光源3の一部が凹面鏡15のバイ
アス光照射孔13から固体撮像デバイス2の方へ突出し
た状態をも含む。上記凹面鏡15のバイアス光照射孔1
3と固体撮像デバイス2との間には、凹面鏡15による
反射光の存在しない領域、つまり固体撮像デバイス2に
入射する被写体からの信号光Lsの光路とはならない領
域が生じるため、その領域内であれば、バイアス光源3
を、固体撮像デバイス2の受光面2a上に結ばれる被写
体の像に影響を与えないようにその一部をバイアス光照
射孔13から突出させ、かつ固体撮像デバイス2と対向
させた状態で配置することが可能である。
Claims (3)
- 【請求項1】 被写体からの信号光を結像させる集光光
学系と、その集光光学系の光軸上に配置され、その集光
光学系により結像した被写体からの信号光を電気信号に
変換する固体撮像デバイスと、その固体撮像デバイスに
バイアス光を照射するバイアス光源とを備えた撮像装置
において、 上記集光光学系を、上記被写体からの信号光を反射させ
て集光させる第一の反射鏡と、その第一の反射鏡で反射
した信号光を上記固体撮像デバイスへ向けて反射させる
第二の反射鏡とを用いて構成するとともに、その第二の
反射鏡の中心部にバイアス光照射孔を形成し、 そのバイアス光照射孔を形成した第二の反射鏡の背後
に、上記バイアス光源を上記固体撮像デバイスと対向さ
せた状態で配置したことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項2】 被写体からの信号光を結像させる集光光
学系と、その集光光学系の光軸上に配置され、その集光
光学系により結像した被写体からの信号光を電気信号に
変換する固体撮像デバイスと、その固体撮像デバイスに
バイアス光を照射するバイアス光源とを備えた撮像装置
において、 上記集光光学系を、一枚の凹面鏡を用いて構成するとと
もに、その凹面鏡の中心部にバイアス光照射孔を形成
し、 そのバイアス光照射孔を形成した凹面鏡の背後に、上記
バイアス光源を、上記固体撮像デバイスと対向させた状
態で配置したことを特徴とする撮像装置。 - 【請求項3】 被写体からの信号光を結像させる集光光
学系と、その集光光学系の光軸上に配置され、その集光
光学系により結像した被写体からの信号光を電気信号に
変換する固体撮像デバイスと、その固体撮像デバイスに
バイアス光を照射してバイアス電荷を与えるバイアス光
源とを備えた撮像装置において、 上記固体撮像デバイスとして赤外線固体撮像デバイスを
用いるとともに、上記バイアス光源として線状の発熱体
を用い、 かつその線状の発熱体を、上記集光光学系の近傍の、上
記被写体からの信号光の光路内に配置したことを特徴と
する撮像装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4119267A JPH05316426A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4119267A JPH05316426A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05316426A true JPH05316426A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14757121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4119267A Pending JPH05316426A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 撮像装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05316426A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004526190A (ja) * | 2001-02-07 | 2004-08-26 | リトン システムズ,インコーポレーテッド | 低コストの赤外線カメラ |
JP2014531777A (ja) * | 2011-10-07 | 2014-11-27 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウMAX−PLANCK−GESELLSCHAFT ZUR FOeRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. | カー効果に基づくモード同期を用いたレーザ装置、およびその動作 |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP4119267A patent/JPH05316426A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004526190A (ja) * | 2001-02-07 | 2004-08-26 | リトン システムズ,インコーポレーテッド | 低コストの赤外線カメラ |
JP2014531777A (ja) * | 2011-10-07 | 2014-11-27 | マツクス−プランク−ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウMAX−PLANCK−GESELLSCHAFT ZUR FOeRDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V. | カー効果に基づくモード同期を用いたレーザ装置、およびその動作 |
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