JPH05315431A - ガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法 - Google Patents
ガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法Info
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- JPH05315431A JPH05315431A JP14633192A JP14633192A JPH05315431A JP H05315431 A JPH05315431 A JP H05315431A JP 14633192 A JP14633192 A JP 14633192A JP 14633192 A JP14633192 A JP 14633192A JP H05315431 A JPH05315431 A JP H05315431A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高清浄度を持つガスを多量に使用可能であ
り、かつ運転コストを低減することを可能にしたガスの
回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法を提
供すること。 【構成】 シリコンウェハ等の清浄度を必要とする物を
プロセス装置までガスにより搬送するための搬送室と、
不純物濃度が１ｐｐｍ以下の窒素ガス、酸素と窒素の合
成ガスまたは精製空気を該搬送室に供給するための手段
と、該搬送室からガスを排気するための手段とを有し、
さらに、該搬送室から排気されたガスの不純物を１ｐｐ
ｍ以下に低減するための精製手段と、不純物を低減した
ガスの一部又は全部を直接又は間接的に前記搬送室に供
給するための手段を設けたことを特徴とする。
り、かつ運転コストを低減することを可能にしたガスの
回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法を提
供すること。 【構成】 シリコンウェハ等の清浄度を必要とする物を
プロセス装置までガスにより搬送するための搬送室と、
不純物濃度が１ｐｐｍ以下の窒素ガス、酸素と窒素の合
成ガスまたは精製空気を該搬送室に供給するための手段
と、該搬送室からガスを排気するための手段とを有し、
さらに、該搬送室から排気されたガスの不純物を１ｐｐ
ｍ以下に低減するための精製手段と、不純物を低減した
ガスの一部又は全部を直接又は間接的に前記搬送室に供
給するための手段を設けたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガスの回収再利用を図
ったガス搬送システム及び搬送方法に係り、より詳細に
は、シリコンウェハ等の清浄度を必要とする物をプロセ
ス装置までガスにより搬送するガス搬送システム及び搬
送方法において、ガスの回収・再利用を図ったガス搬送
システム及び搬送方法に関する。
ったガス搬送システム及び搬送方法に係り、より詳細に
は、シリコンウェハ等の清浄度を必要とする物をプロセ
ス装置までガスにより搬送するガス搬送システム及び搬
送方法において、ガスの回収・再利用を図ったガス搬送
システム及び搬送方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５を用いて、現状の窒素ガスによるウ
ェハ搬送システムについて詳しく述べる。
ェハ搬送システムについて詳しく述べる。
【０００３】図５は搬送に用いる窒素ガスの流れについ
て示す。図５において、５０１は窒素液化タンクを示
す。５０２は蒸発器を示し、液状態からガス化された圧
力を減圧架台５０３で圧力を調整しながらクリーンルー
ム内へ供給する。５０４は、クリーンルームを示す。供
給された窒素ガスは、５０５に示す精製装置で高純度化
され、半導体製造装置５０６間のウェハを搬送する窒素
ガストンネル５０７に供給される。使用された窒素ガス
は、排気系配管５０８を通過し大気中へ放出される。
て示す。図５において、５０１は窒素液化タンクを示
す。５０２は蒸発器を示し、液状態からガス化された圧
力を減圧架台５０３で圧力を調整しながらクリーンルー
ム内へ供給する。５０４は、クリーンルームを示す。供
給された窒素ガスは、５０５に示す精製装置で高純度化
され、半導体製造装置５０６間のウェハを搬送する窒素
ガストンネル５０７に供給される。使用された窒素ガス
は、排気系配管５０８を通過し大気中へ放出される。
【０００４】ところで、Ｓｉウェハの装置間搬送には高
清浄度の伴った搬送が必要となる。高清浄度の維持と搬
送をかねて窒素ガスが流れたトンネルの中でウェハの搬
送が行われている。従来では、使用済みの窒素ガスはそ
のまま排気されるために多額費用が発生する。
清浄度の伴った搬送が必要となる。高清浄度の維持と搬
送をかねて窒素ガスが流れたトンネルの中でウェハの搬
送が行われている。従来では、使用済みの窒素ガスはそ
のまま排気されるために多額費用が発生する。
【０００５】また、従来の搬送システムでは、窒素ガス
が使用されるが、漏洩した場合酸欠等の人身事故が懸念
される。
が使用されるが、漏洩した場合酸欠等の人身事故が懸念
される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の点に
鑑みなされたものであり、高清浄度を持つガスを多量に
使用可能であり、かつ運転コストを低減することを可能
にしたガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び
搬送方法を提供することを目的としている。
鑑みなされたものであり、高清浄度を持つガスを多量に
使用可能であり、かつ運転コストを低減することを可能
にしたガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び
搬送方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のガス搬送システ
ムは、シリコンウェハ等の清浄度を必要とする物をプロ
セス装置までガスにより搬送するための搬送室と、不純
物濃度が１ｐｐｍ以下の窒素ガス、酸素と窒素の合成ガ
スまたは精製空気を該搬送室に供給するための手段と、
該搬送室からガスを排気するための手段とを有し、さら
に、該搬送室から排気されたガスの不純物を１ｐｐｍ以
下に低減するための精製手段と、不純物を低減したガス
の一部又は全部を直接又は間接的に前記搬送室に供給す
るための手段を設けたことを特徴とする。
ムは、シリコンウェハ等の清浄度を必要とする物をプロ
セス装置までガスにより搬送するための搬送室と、不純
物濃度が１ｐｐｍ以下の窒素ガス、酸素と窒素の合成ガ
スまたは精製空気を該搬送室に供給するための手段と、
該搬送室からガスを排気するための手段とを有し、さら
に、該搬送室から排気されたガスの不純物を１ｐｐｍ以
下に低減するための精製手段と、不純物を低減したガス
の一部又は全部を直接又は間接的に前記搬送室に供給す
るための手段を設けたことを特徴とする。
【０００８】本発明のガス搬送方法は、シリコンウェハ
等の清浄度を必要とする物をプロセス装置までガスによ
り搬送するための搬送室に、不純物が１ｐｐｍ以下の窒
素ガス、酸素と窒素の合成ガスまたは精製空気を供給
し、該搬送室から排気された窒素ガス、酸素と窒素の合
成ガスまたは精製空気を回収し、不純物を１ｐｐｍ以下
に精製後、窒素ガス、酸素と窒素の合成ガスまたは精製
空気を液体状態又は気体状態で再利用することを特徴と
する。
等の清浄度を必要とする物をプロセス装置までガスによ
り搬送するための搬送室に、不純物が１ｐｐｍ以下の窒
素ガス、酸素と窒素の合成ガスまたは精製空気を供給
し、該搬送室から排気された窒素ガス、酸素と窒素の合
成ガスまたは精製空気を回収し、不純物を１ｐｐｍ以下
に精製後、窒素ガス、酸素と窒素の合成ガスまたは精製
空気を液体状態又は気体状態で再利用することを特徴と
する。
【０００９】ここにおいて、供給ガスが窒素ガスの場合
には搬送装置からの排気ガスの精製は、吸着法精製装
置、ゲッタリング方式の精製装置又は精留塔で行うこと
が好ましい。
には搬送装置からの排気ガスの精製は、吸着法精製装
置、ゲッタリング方式の精製装置又は精留塔で行うこと
が好ましい。
【００１０】一方、酸素と窒素の合成ガスの場合には、
圧力変動吸着方式を用いた精製手段又は温度変動吸着方
式を用いた精製手段で行うことが好ましい。
圧力変動吸着方式を用いた精製手段又は温度変動吸着方
式を用いた精製手段で行うことが好ましい。
【００１１】なお、精製されたガスは、直接搬送室に供
給してもよいし、また、一旦、液体状態又は気体状態で
バッファータンクに貯蔵し、必要消費量に合わせて搬送
装置に供給してもよい。
給してもよいし、また、一旦、液体状態又は気体状態で
バッファータンクに貯蔵し、必要消費量に合わせて搬送
装置に供給してもよい。
【００１２】本発明においては、供給するガス種を窒素
のみならず酸素ガスと窒素ガスにより構成される合成ガ
スと精製空気を使用するため、窒素ガスの漏洩による酸
欠等の人身事故を回避し安全性の向上と運転コストの低
減が得られる。また本発明は、従来排気されていたガス
を回収・精製するものであり、運転コストの低減が得ら
れる。
のみならず酸素ガスと窒素ガスにより構成される合成ガ
スと精製空気を使用するため、窒素ガスの漏洩による酸
欠等の人身事故を回避し安全性の向上と運転コストの低
減が得られる。また本発明は、従来排気されていたガス
を回収・精製するものであり、運転コストの低減が得ら
れる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１から図４を参照
して説明する。
して説明する。
【００１４】（実施例１）図１に基づき実施例１を説明
する。
する。
【００１５】本例では、２つの半導体製造装置１０１の
間に設置されたステンレスで構成された窒素ガストンネ
ル（搬送室）１０２から排気される窒素ガスをポンプ１
０３で回収し、精留塔１０４へ供給し回収精製後、液化
タンク１０５に戻し再利用した。
間に設置されたステンレスで構成された窒素ガストンネ
ル（搬送室）１０２から排気される窒素ガスをポンプ１
０３で回収し、精留塔１０４へ供給し回収精製後、液化
タンク１０５に戻し再利用した。
【００１６】上記例ではステンレスで構成された窒素ガ
ストンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2 Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室１０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
留塔１０４を含めガスと接する部分をかかる不動態膜を
有するステンレスにより構成することが、より一層の精
製能力の負荷の低減、運転コストの削減上より好まし
い。
ストンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2 Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室１０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
留塔１０４を含めガスと接する部分をかかる不動態膜を
有するステンレスにより構成することが、より一層の精
製能力の負荷の低減、運転コストの削減上より好まし
い。
【００１７】（実施例２）図２に実施例２を示す。
【００１８】本例では、２つの半導体製造装置２０１の
間に設置されたステンレスで構成された窒素ガストンネ
ル２０２から排気される窒素ガスをポンプ２０３で回収
し、その回収ガスの一部を精留塔２０４へ供給し回収精
製後、液化タンク２０５に戻し再利用した。
間に設置されたステンレスで構成された窒素ガストンネ
ル２０２から排気される窒素ガスをポンプ２０３で回収
し、その回収ガスの一部を精留塔２０４へ供給し回収精
製後、液化タンク２０５に戻し再利用した。
【００１９】その回収ガスの残りをゲッタリング方式ガ
ス精製装置２０６へ供給し回収精製後、減圧架台２０７
入り口に戻し再利用した。
ス精製装置２０６へ供給し回収精製後、減圧架台２０７
入り口に戻し再利用した。
【００２０】上記例ではステンレスで構成された窒素ガ
ストンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2 Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室２０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
留塔２０４、精製装置２０６を含めガスと接する部分を
かかる不動態膜を有するステンレスにより構成すること
が、より一層の精製能力の負荷の低減、運転コストの削
減上より好ましい。
ストンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2 Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室２０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
留塔２０４、精製装置２０６を含めガスと接する部分を
かかる不動態膜を有するステンレスにより構成すること
が、より一層の精製能力の負荷の低減、運転コストの削
減上より好ましい。
【００２１】また上記例ではゲッタリング方式の精製装
置を用いる精製手段について説明したが、吸着方式精製
装置を用いてもよい。
置を用いる精製手段について説明したが、吸着方式精製
装置を用いてもよい。
【００２２】（実施例３）図３に実施例３を示す。
【００２３】本例では、２つの半導体製造装置３０１の
間に設置されたステンレスで構成された搬送用トンネル
３０２から排気される窒素と酸素の合成ガスを３０３ポ
ンプで回収し、吸着方式精製装置３０４へ供給し回収精
製後、ガス貯槽タンク３０５に戻し再利用した。
間に設置されたステンレスで構成された搬送用トンネル
３０２から排気される窒素と酸素の合成ガスを３０３ポ
ンプで回収し、吸着方式精製装置３０４へ供給し回収精
製後、ガス貯槽タンク３０５に戻し再利用した。
【００２４】上記例ではステンレスで構成された搬送用
トンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室３０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
製装置３０４、合成ガス貯槽タンク３０５を含めガスと
接する部分をかかる不動態膜を有するステンレスにより
構成することが、より一層の精製能力の負荷の低減、運
転コストの削減上より好ましい。
トンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室３０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
製装置３０４、合成ガス貯槽タンク３０５を含めガスと
接する部分をかかる不動態膜を有するステンレスにより
構成することが、より一層の精製能力の負荷の低減、運
転コストの削減上より好ましい。
【００２５】また上記例ではガス貯槽タンク３０５を用
いる供給手段について説明したが、排気量が少ない場合
は貯槽タンクを備え付けずに直接、酸素と窒素の合流ラ
インに戻して供給してもよい。
いる供給手段について説明したが、排気量が少ない場合
は貯槽タンクを備え付けずに直接、酸素と窒素の合流ラ
インに戻して供給してもよい。
【００２６】（実施例４）図４に実施例４を示す。
【００２７】本例では、２つの半導体製造装置４０１の
間に設置されたステンレスで構成された搬送用トンネル
４０２から排気される精製空気をポンプ４０３で回収
し、吸着方式精製装置４０４へ供給し回収精製後、ガス
貯槽タンク４０５に戻し再利用した。４０６は、大気を
精製する圧力変動吸着法式精製装置である。
間に設置されたステンレスで構成された搬送用トンネル
４０２から排気される精製空気をポンプ４０３で回収
し、吸着方式精製装置４０４へ供給し回収精製後、ガス
貯槽タンク４０５に戻し再利用した。４０６は、大気を
精製する圧力変動吸着法式精製装置である。
【００２８】上記例ではステンレスで構成された搬送用
トンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室４０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
製装置４０４、精製大気貯槽タンク４０５、圧力変動吸
着法大気精製装置４０６を含めガスと接する部分をかか
る不動態膜を有するステンレスにより構成することが、
より一層の精製能力の負荷の低減、運転コストの削減上
より好ましい。
トンネルを用いる場合について説明したが、電解研磨
後、熱処理を行うことにより形成したＣｒ2 Ｏ3 並びに
Ｆｅ2Ｏ3 不動態膜を表面に有するステンレスにより搬
送室４０２を構成すれば精製能力の負荷が低減され運転
コストの削減がはかれる。また、搬送室のみならず、精
製装置４０４、精製大気貯槽タンク４０５、圧力変動吸
着法大気精製装置４０６を含めガスと接する部分をかか
る不動態膜を有するステンレスにより構成することが、
より一層の精製能力の負荷の低減、運転コストの削減上
より好ましい。
【００２９】また上記例では圧力変動方式の精製装置４
０６を用いたが温度変動方式または吸着方式の精製装置
でもよい。
０６を用いたが温度変動方式または吸着方式の精製装置
でもよい。
【００３０】また上記例ではガス貯槽タンクを用いる供
給手段について説明したが、排気量が少ない場合は貯槽
タンクを備え付けずに直接、大気の精製装置の下流に戻
して供給してもよい。
給手段について説明したが、排気量が少ない場合は貯槽
タンクを備え付けずに直接、大気の精製装置の下流に戻
して供給してもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１および請
求項５にかかる発明によれば、例えば、半導体デバイス
製造に用いられる高清浄度を要するシリコンウェハの搬
送時においても高清浄度窒素ガス、合成ガス、精製空気
を供給・回収再利用することで、運転コストの低減が可
能となる。
求項５にかかる発明によれば、例えば、半導体デバイス
製造に用いられる高清浄度を要するシリコンウェハの搬
送時においても高清浄度窒素ガス、合成ガス、精製空気
を供給・回収再利用することで、運転コストの低減が可
能となる。
【００３２】また高清浄度回収再利用ガスは、デバイス
製造の大敵となる有機物汚染、吸着不純物汚染、金属不
純物汚染、自然酸化膜の成長を著しく低減し従来のデバ
イス製造歩留まりの結果と同等な結果を得るものであ
る。
製造の大敵となる有機物汚染、吸着不純物汚染、金属不
純物汚染、自然酸化膜の成長を著しく低減し従来のデバ
イス製造歩留まりの結果と同等な結果を得るものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施例を示すシステム概念図。
【図２】第２の実施例を示すシステム概念図。
【図３】第３の実施例を示すシステム概念図。
【図４】第４の実施例を示すシステム概念図。
【図５】従来例を示すシステム概念図。
１０１，２０１，３０１，４０１ 半導体製造装置、 １０２，２０２，３０２，４０２ 搬送用トンネル（搬
送室）、 １０３，２０３，３０３，４０３ ポンプ、 １０４，２０４ 精留塔（精製手段）、 １０５，２０５ 液化タンク、 ２０６ ゲッタリング方式ガス精製装置（精製手段）、 ２０７ 減圧架台、 ３０４，４０４ 吸着方式精製装置（精製手段）、 ３０５，４０５ ガス貯槽タンク、 ４０６ 圧力変動吸着方式精製装置（精製手段）。
送室）、 １０３，２０３，３０３，４０３ ポンプ、 １０４，２０４ 精留塔（精製手段）、 １０５，２０５ 液化タンク、 ２０６ ゲッタリング方式ガス精製装置（精製手段）、 ２０７ 減圧架台、 ３０４，４０４ 吸着方式精製装置（精製手段）、 ３０５，４０５ ガス貯槽タンク、 ４０６ 圧力変動吸着方式精製装置（精製手段）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 和彦 大阪府大阪市淀川区宮原４丁目１番14号大 阪酸素工業株式会社内 (72)発明者 溝上 敏 大阪府大阪市淀川区宮原４丁目１番14号大 阪酸素工業株式会社内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の 301
Claims (8)
- 【請求項１】 シリコンウェハ等の清浄度を必要とする
物をプロセス装置までガスにより搬送するための搬送室
と、不純物濃度が１ｐｐｍ以下の窒素ガス、酸素と窒素
の合成ガスまたは精製空気を該搬送室に供給するための
手段と、該搬送室からガスを排気するための手段とを有
し、さらに、該搬送室から排気されたガスの不純物を１
ｐｐｍ以下に低減するための精製手段と、不純物を低減
したガスの一部又は全部を直接又は間接的に前記搬送室
に供給するための手段を設けたことを特徴とするガス搬
送システム。 - 【請求項２】 窒素ガスについての前記精製手段は、吸
着法精製装置、ゲッタリング方式の精製装置又は精留塔
であることを特徴とする請求項１記載のガス搬送システ
ム。 - 【請求項３】 酸素と窒素の合成ガスについての前記精
製手段は、圧力変動吸着方式を用いた精製手段又は温度
変動吸着方式を用いた精製手段であることを特徴とする
請求項１に記載のガス搬送システム。 - 【請求項４】 前記精製手段と搬送室との間に回収・精
製された窒素ガス、酸素と窒素の合成ガス又は精製空気
を液体状態又は気体状態で貯蔵するためのバッファータ
ンクを設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の
いずれか１項に記載のガス搬送システム。 - 【請求項５】 シリコンウェハ等の清浄度を必要とする
物をプロセス装置までガスにより搬送するための搬送室
に、不純物が１ｐｐｍ以下の窒素ガス、酸素と窒素の合
成ガスまたは精製空気を供給し、該搬送室から排気され
た窒素ガス、酸素と窒素の合成ガスまたは精製空気を回
収し、不純物を１ｐｐｍ以下に精製後、窒素ガス、酸素
と窒素の合成ガスまたは精製空気を液体状態又は気体状
態で再利用することを特徴とするガス搬送方法。 - 【請求項６】 搬送室から排気された窒素ガスの精製
は、吸着法若しくはゲッタリング法による精製又は精留
塔における精製であることを特徴とする請求項５に記載
のガス搬送方法。 - 【請求項７】 搬送室から排気された酸素と窒素の合成
ガスの精製は、圧力変動吸着方法による精製又は温度変
動吸着方法による精製であることを特徴とする請求項５
に記載のガス搬送方法。 - 【請求項８】 回収・精製された窒素ガス、酸素と窒素
の合成ガスまたは精製空気を、液体状態又は気体状態で
バッファータンクを用いて貯蔵し、必要消費量に合わせ
て搬送装置に供給することを特徴とする請求項５乃至請
求項７のいずれか１項に記載のガス搬送方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14633192A JP3135981B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | ガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14633192A JP3135981B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | ガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315431A true JPH05315431A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3135981B2 JP3135981B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=15405274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14633192A Expired - Lifetime JP3135981B2 (ja) | 1992-05-13 | 1992-05-13 | ガスの回収再利用を図ったガス搬送システム及び搬送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3135981B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996021945A1 (en) * | 1995-01-09 | 1996-07-18 | Nippon Sanso Corporation | Nitrogen gas supply system |
| WO2014157124A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2023044818A (ja) * | 2021-09-21 | 2023-04-03 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
-
1992
- 1992-05-13 JP JP14633192A patent/JP3135981B2/ja not_active Expired - Lifetime
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