JPH05315393A - Ｔａｂ構造半導体装置 - Google Patents
Ｔａｂ構造半導体装置Info
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- JPH05315393A JPH05315393A JP11706592A JP11706592A JPH05315393A JP H05315393 A JPH05315393 A JP H05315393A JP 11706592 A JP11706592 A JP 11706592A JP 11706592 A JP11706592 A JP 11706592A JP H05315393 A JPH05315393 A JP H05315393A
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- inner lead
- semiconductor chip
- semiconductor device
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＴＡＢ構造半導体装置のインナーリードの構
造に関し、半導体チップ表面を完全に覆い、且つ半導体
チップの裏面側への流下が防止された封止樹脂膜を容易
に形成できるインナーリード構造を提供してＴＡＢ構造
半導体装置の製造歩留り及び信頼性を向上することを目
的とする。 【構成】 インナーリード４に、チップ１の辺に沿って
枝分かれした延在部4Bを設け、ポッティングにより該チ
ップ上を覆って形成される封止樹脂膜６の外周端部6P
が、前記内部リード４の延在部4Bを該延在部4Bの幅で該
チップ１の辺に沿って結んだ領域内で停止せしめるよう
に構成する。
造に関し、半導体チップ表面を完全に覆い、且つ半導体
チップの裏面側への流下が防止された封止樹脂膜を容易
に形成できるインナーリード構造を提供してＴＡＢ構造
半導体装置の製造歩留り及び信頼性を向上することを目
的とする。 【構成】 インナーリード４に、チップ１の辺に沿って
枝分かれした延在部4Bを設け、ポッティングにより該チ
ップ上を覆って形成される封止樹脂膜６の外周端部6P
が、前記内部リード４の延在部4Bを該延在部4Bの幅で該
チップ１の辺に沿って結んだ領域内で停止せしめるよう
に構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＴＡＢ(Tape Automated
Bonding)構造半導体装置に係り、特に封止不良を防止す
るインナーリードの構造に関する。
Bonding)構造半導体装置に係り、特に封止不良を防止す
るインナーリードの構造に関する。
【０００２】近年、電子機器の高性能、高密度化に伴
い、それに実装される半導体ＩＣも集積規模が増大して
多ピン化されるとともに、その薄型化が要望されてい
る。この多ピン、薄型化の要望に答えて提供されたの
が、ＴＡＢ構造の半導体装置であるが、このＴＡＢ構造
半導体装置には樹脂封止の不完全さからくる歩留り、信
頼性の低下の問題があり、対策が望まれている。
い、それに実装される半導体ＩＣも集積規模が増大して
多ピン化されるとともに、その薄型化が要望されてい
る。この多ピン、薄型化の要望に答えて提供されたの
が、ＴＡＢ構造の半導体装置であるが、このＴＡＢ構造
半導体装置には樹脂封止の不完全さからくる歩留り、信
頼性の低下の問題があり、対策が望まれている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＴＡＢ構造半導体装置はテープキ
ャリヤ（フィルムキャリヤ）を介してチップ配設領域に
水平に突出したストレートのインナーリードに対してチ
ップがボンディングされ、そのチップの表面がポッティ
ング樹脂膜によって封止された構造を有していた。
ャリヤ（フィルムキャリヤ）を介してチップ配設領域に
水平に突出したストレートのインナーリードに対してチ
ップがボンディングされ、そのチップの表面がポッティ
ング樹脂膜によって封止された構造を有していた。
【０００４】図７は従来構造における封止後の状態を模
式的に示す部分平面図(a) 及びそのＡ−Ａ断面図(b)
で、図中の、51は半導体チップ、52は半導体チップに設
けられたパッド、53は前記パッド上に形成されたバンプ
電極、54はインナーリード、55はインナーリード外側端
部がボンディングされたリードフレーム、56はポッティ
ングにより形成された封止樹脂膜を示す。
式的に示す部分平面図(a) 及びそのＡ−Ａ断面図(b)
で、図中の、51は半導体チップ、52は半導体チップに設
けられたパッド、53は前記パッド上に形成されたバンプ
電極、54はインナーリード、55はインナーリード外側端
部がボンディングされたリードフレーム、56はポッティ
ングにより形成された封止樹脂膜を示す。
【０００５】この図に示すように、ＴＡＢ構造半導体装
置においては、半導体チップ51を保護するパッケージと
して、ポッティングによりチップ表面をその縁部まで完
全に覆うように形成した封止樹脂膜56が用いられる。
置においては、半導体チップ51を保護するパッケージと
して、ポッティングによりチップ表面をその縁部まで完
全に覆うように形成した封止樹脂膜56が用いられる。
【０００６】そしてこの樹脂膜は、半導体装置の歩留り
や信頼性を確保するために、半導体チップの表面をその
縁部まで完全に且つ縁から溢れ出ないように覆うように
形成される。
や信頼性を確保するために、半導体チップの表面をその
縁部まで完全に且つ縁から溢れ出ないように覆うように
形成される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一方、封止樹脂のポッ
ティングに際しては、半導体チップの表面積によってポ
ッティング量を個々に設定し直さねばならず、また、そ
の滴下量も、樹脂粘度の経時変化、温度、湿度等のポッ
ティング環境によって変動するので、上記のように樹脂
封止膜の形状を、チップ表面を縁部まで完全に覆い、且
つチップの縁から溢れ出さないように制御するのは極め
て困難であった。
ティングに際しては、半導体チップの表面積によってポ
ッティング量を個々に設定し直さねばならず、また、そ
の滴下量も、樹脂粘度の経時変化、温度、湿度等のポッ
ティング環境によって変動するので、上記のように樹脂
封止膜の形状を、チップ表面を縁部まで完全に覆い、且
つチップの縁から溢れ出さないように制御するのは極め
て困難であった。
【０００８】そのために、前記のようにインナーリード
54がストレートに形成されており、ポッティング量をチ
ップの表面全体を正確に覆うように制御して形成される
従来の構造においては、以下に図８及び図９の平面図
(a) 及び断面図(b) を参照して述べるような問題を生じ
ていた。
54がストレートに形成されており、ポッティング量をチ
ップの表面全体を正確に覆うように制御して形成される
従来の構造においては、以下に図８及び図９の平面図
(a) 及び断面図(b) を参照して述べるような問題を生じ
ていた。
【０００９】即ち、ポッティング量が不足した場合に
は、図８の平面図(a) 及びＡ−Ａ断面図(b) に示すよう
に、半導体チップ51表面の縁部に封止樹脂膜56に覆われ
ずチップ面が露出した部分57を生じ、半導体チップ51に
形成されている素子の外部から加わる応力に対する耐性
や、耐湿性が低下して半導体装置の信頼性や歩留りが低
下するという問題を生ずる。なお、図中の符号は、図７
と同一対象物を示す。
は、図８の平面図(a) 及びＡ−Ａ断面図(b) に示すよう
に、半導体チップ51表面の縁部に封止樹脂膜56に覆われ
ずチップ面が露出した部分57を生じ、半導体チップ51に
形成されている素子の外部から加わる応力に対する耐性
や、耐湿性が低下して半導体装置の信頼性や歩留りが低
下するという問題を生ずる。なお、図中の符号は、図７
と同一対象物を示す。
【００１０】また、ポッティング量が過剰になった場合
には、図９の平面図(a) 及びＡ−Ａ断面図(b) に示すよ
うに、半導体チップ51の表面上から溢れ出したポッティ
ング樹脂が半導体チップ51の裏面に溜まって半導体チッ
プ51の裏面側に封止樹脂の突起部58を形成し、そのため
にＴＡＢ構造半導体装置の厚さが規格を上回って製造歩
留りの低下を招くという問題を生ずる。なお、図中の符
号は、図７と同一対象物を示す。
には、図９の平面図(a) 及びＡ−Ａ断面図(b) に示すよ
うに、半導体チップ51の表面上から溢れ出したポッティ
ング樹脂が半導体チップ51の裏面に溜まって半導体チッ
プ51の裏面側に封止樹脂の突起部58を形成し、そのため
にＴＡＢ構造半導体装置の厚さが規格を上回って製造歩
留りの低下を招くという問題を生ずる。なお、図中の符
号は、図７と同一対象物を示す。
【００１１】そこで本発明は、ポッティングにより樹脂
封止を行う際に、樹脂量の制御精度の緩和が図れ、且つ
ポッティング環境にも比較的左右されずに、半導体チッ
プ表面を完全に封止樹脂膜で覆い、且つ半導体チップの
裏面側に封止樹脂が流れ落ちるのが防止されるインナー
リードの構造を提供して、ＴＡＢ構造半導体装置の製造
歩留り及び信頼性を向上することを目的とする。
封止を行う際に、樹脂量の制御精度の緩和が図れ、且つ
ポッティング環境にも比較的左右されずに、半導体チッ
プ表面を完全に封止樹脂膜で覆い、且つ半導体チップの
裏面側に封止樹脂が流れ落ちるのが防止されるインナー
リードの構造を提供して、ＴＡＢ構造半導体装置の製造
歩留り及び信頼性を向上することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、イン
ナーリードに、チップの辺に沿って枝分かれした延在部
を設け、ポッティングにより該チップ上を覆って形成さ
れる封止樹脂膜の外周端部が、前記インナーリードの延
在部を該延在部の幅で該チップの辺に沿って結んだ領域
内で停止せしめられてなる本発明によるＴＡＢ構造半導
体装置によって達成される。
ナーリードに、チップの辺に沿って枝分かれした延在部
を設け、ポッティングにより該チップ上を覆って形成さ
れる封止樹脂膜の外周端部が、前記インナーリードの延
在部を該延在部の幅で該チップの辺に沿って結んだ領域
内で停止せしめられてなる本発明によるＴＡＢ構造半導
体装置によって達成される。
【００１３】
【作用】図１は本発明の原理説明図で、(a) は平面図、
(b) はＡ−Ａ矢視断面図、(c)はＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。そして図中の、１は半導体チップ、２は外部接続用
パッド、３は前記パッド上に形成されたバンプ電極、４
はテープキャリヤのインナーリード、4Aはインナーリー
ドの主幹部、4Bはインナーリードの枝部、６はポッティ
ングにより形成された封止樹脂膜を示している。
(b) はＡ−Ａ矢視断面図、(c)はＢ−Ｂ矢視断面図であ
る。そして図中の、１は半導体チップ、２は外部接続用
パッド、３は前記パッド上に形成されたバンプ電極、４
はテープキャリヤのインナーリード、4Aはインナーリー
ドの主幹部、4Bはインナーリードの枝部、６はポッティ
ングにより形成された封止樹脂膜を示している。
【００１４】この図に示すように本発明に係るＴＡＢ構
造半導体装置においては、テープキャリヤのインナーリ
ード４の主幹部4Aと同一平面上の側方に、半導体チップ
１の辺に沿う例えば前記主幹部4Aと等しい幅の枝部4Bを
設ける。そしてポッティングに際し滴下する封止樹脂の
量を、チップ１全面を覆う量から前記インナーリードの
枝部4Bを結んだ領域を含む領域全面を覆う量の中間付近
に制御する。そしてポッティングを行うと、半導体チッ
プ１上を覆って余った樹脂は、半導体チップ１の上面と
インナーリード４の枝部4Bとの隙間を介し毛細管現象及
び表面張力によりインナーリードの枝部4Bの下面に吸い
上げられるので、図示のように、封止樹脂膜６は少なく
とも半導体チップ１の全面上を覆い、且つ多くとも前記
インナーリードの枝部4Bの幅で半導体チップ１の縁部に
沿う領域内に端部6Pを有するように形成され、半導体チ
ップ１の裏面に流下することはない。
造半導体装置においては、テープキャリヤのインナーリ
ード４の主幹部4Aと同一平面上の側方に、半導体チップ
１の辺に沿う例えば前記主幹部4Aと等しい幅の枝部4Bを
設ける。そしてポッティングに際し滴下する封止樹脂の
量を、チップ１全面を覆う量から前記インナーリードの
枝部4Bを結んだ領域を含む領域全面を覆う量の中間付近
に制御する。そしてポッティングを行うと、半導体チッ
プ１上を覆って余った樹脂は、半導体チップ１の上面と
インナーリード４の枝部4Bとの隙間を介し毛細管現象及
び表面張力によりインナーリードの枝部4Bの下面に吸い
上げられるので、図示のように、封止樹脂膜６は少なく
とも半導体チップ１の全面上を覆い、且つ多くとも前記
インナーリードの枝部4Bの幅で半導体チップ１の縁部に
沿う領域内に端部6Pを有するように形成され、半導体チ
ップ１の裏面に流下することはない。
【００１５】従って、半導体チップ１の表面は完全に封
止樹脂膜６に覆われるので、ＴＡＢ構造半導体装置の信
頼性は向上し、且つ封止樹脂が半導体チップ１の裏面に
流下して突起を形成することもなくなるので、ＴＡＢ構
造半導体装置の製造歩留りも向上する。
止樹脂膜６に覆われるので、ＴＡＢ構造半導体装置の信
頼性は向上し、且つ封止樹脂が半導体チップ１の裏面に
流下して突起を形成することもなくなるので、ＴＡＢ構
造半導体装置の製造歩留りも向上する。
【００１６】
【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図２は本発明の第１の実施例の模式図で(a) は
平面図、(b) はＡ−Ａ矢視断面図、(c) はＢ−Ｂ矢視断
面図、図３、図４、図５は本発明の第２、第３、第４の
実施例におけるインナーリード構造を示す模式平面図、
図６は第４の実施例における封止状態の部分断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
明する。図２は本発明の第１の実施例の模式図で(a) は
平面図、(b) はＡ−Ａ矢視断面図、(c) はＢ−Ｂ矢視断
面図、図３、図４、図５は本発明の第２、第３、第４の
実施例におけるインナーリード構造を示す模式平面図、
図６は第４の実施例における封止状態の部分断面図であ
る。全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
【００１７】本発明の第１の実施例を示す図２におい
て、１は集積回路等が形成された半導体チップ、２はア
ルミニウム（Al）薄膜よりなり表面に図示しないバリア
メタル層を有する外部接続用パッド、３は金（Au）等よ
りなるバンプ電極、41、42、43、44、45、46は銅（Cu）
の薄板に銀（Ag）めっき等のなされたインナーリード、
4A1 、4A2 、4A3 、4A4 、4A5 、4A6 はインナーリード
の主幹部、4B1 、4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 はイン
ナーリードの枝部、５はインナーリードの外側端部がボ
ンディングされたリードフレーム、６はポッティングに
より形成された例えばエポキシ等よりなる封止用樹脂膜
を示す。
て、１は集積回路等が形成された半導体チップ、２はア
ルミニウム（Al）薄膜よりなり表面に図示しないバリア
メタル層を有する外部接続用パッド、３は金（Au）等よ
りなるバンプ電極、41、42、43、44、45、46は銅（Cu）
の薄板に銀（Ag）めっき等のなされたインナーリード、
4A1 、4A2 、4A3 、4A4 、4A5 、4A6 はインナーリード
の主幹部、4B1 、4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 はイン
ナーリードの枝部、５はインナーリードの外側端部がボ
ンディングされたリードフレーム、６はポッティングに
より形成された例えばエポキシ等よりなる封止用樹脂膜
を示す。
【００１８】この図に示すように本発明に係るＴＡＢ構
造半導体装置においては、例えば、半導体チップ１のコ
ーナに最も近い外部接続用パッド２1 に接続するインナ
ーリード41に、その主幹部4A1 と等しい幅を有し上記チ
ップコーナの外側に沿って延在する枝部4B1 が設けら
れ、チップコーナ部から離れたインナーリード42、43、
44、45、46等にはそれらの主幹部4A2 、4A3 、4A4 、4A
5 、4A6 等と等しい幅を有しチップ１の辺の外側に沿っ
て隣のインナーリードの近傍までそれぞれ延在する枝部
4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 が設けられる。
造半導体装置においては、例えば、半導体チップ１のコ
ーナに最も近い外部接続用パッド２1 に接続するインナ
ーリード41に、その主幹部4A1 と等しい幅を有し上記チ
ップコーナの外側に沿って延在する枝部4B1 が設けら
れ、チップコーナ部から離れたインナーリード42、43、
44、45、46等にはそれらの主幹部4A2 、4A3 、4A4 、4A
5 、4A6 等と等しい幅を有しチップ１の辺の外側に沿っ
て隣のインナーリードの近傍までそれぞれ延在する枝部
4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 が設けられる。
【００１９】そしてポッティングに際しての樹脂量を、
半導体チップ１の上面をその上面から溢れずに且つ完全
に覆う樹脂量と、インナーリード41、42、43、44、45、
46等の枝部4B1 、4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 が配設
された半導体チップ１の周辺領域をこの半導体チップ１
の辺に沿って前記インナーリードの枝部の幅で結んだ領
域上まで一括して完全に覆う樹脂量との間の樹脂量に制
御して半導体チップ１上にエポキシ等の封止用樹脂液を
滴下する。
半導体チップ１の上面をその上面から溢れずに且つ完全
に覆う樹脂量と、インナーリード41、42、43、44、45、
46等の枝部4B1 、4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 が配設
された半導体チップ１の周辺領域をこの半導体チップ１
の辺に沿って前記インナーリードの枝部の幅で結んだ領
域上まで一括して完全に覆う樹脂量との間の樹脂量に制
御して半導体チップ１上にエポキシ等の封止用樹脂液を
滴下する。
【００２０】このようにすると、半導体チップ１上から
食み出した余分な封止用樹脂は、半導体チップ１の下面
に向かって流下することなく、毛細管現象及び表面張力
によりインナーリードの枝部の表面に向かって吸い上げ
られ、半導体チップ１上には、その表面上を完全に覆
い、且つその外周端部6Pが、前記インナーリードの枝部
4B1 、4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 等を半導体チップ
１の辺に沿って結ぶことにより半導体チップ１の周辺部
に形成される前記インナーリードの枝部に等しい幅の領
域７内で終端する封止樹脂膜６が形成される。
食み出した余分な封止用樹脂は、半導体チップ１の下面
に向かって流下することなく、毛細管現象及び表面張力
によりインナーリードの枝部の表面に向かって吸い上げ
られ、半導体チップ１上には、その表面上を完全に覆
い、且つその外周端部6Pが、前記インナーリードの枝部
4B1 、4B2 、4B3 、4B4 、4B5 、4B6 等を半導体チップ
１の辺に沿って結ぶことにより半導体チップ１の周辺部
に形成される前記インナーリードの枝部に等しい幅の領
域７内で終端する封止樹脂膜６が形成される。
【００２１】上記効果を生ずるインナーリードの枝部は
上記実施例の構造に限らず、以下に図３、図４、図５に
示す第２、第３、第４の構造によっても得られる。即ち
図３に示す第２の実施例におけるインナーリードの構造
は、半導体チップ１のコーナ部１C に形成されている外
部接続用パッド２1 上に接続されるインナーリード141
がチップ１のコーナ部１C に沿う形で形成され、このイ
ンナーリード141 のパッド２1 に接続する主幹部14A1が
インナーリード141 の延長方向から屈曲した方向に形成
され、チップ１の辺に沿う枝部14B1がインナーリード14
1 の延長方向にある例である。他のインナーリード1
42 、143 、144 、145 、146 等は、前記実施例同様
に、主幹部14A2、14A3、14A4、14A5、14A6等がインナー
リードの延長方向にあり、枝部14B2、14B3、14B4、14
B5、14B6等が、主幹部からチップ１の辺に沿う方向に枝
分かれして形成されている。
上記実施例の構造に限らず、以下に図３、図４、図５に
示す第２、第３、第４の構造によっても得られる。即ち
図３に示す第２の実施例におけるインナーリードの構造
は、半導体チップ１のコーナ部１C に形成されている外
部接続用パッド２1 上に接続されるインナーリード141
がチップ１のコーナ部１C に沿う形で形成され、このイ
ンナーリード141 のパッド２1 に接続する主幹部14A1が
インナーリード141 の延長方向から屈曲した方向に形成
され、チップ１の辺に沿う枝部14B1がインナーリード14
1 の延長方向にある例である。他のインナーリード1
42 、143 、144 、145 、146 等は、前記実施例同様
に、主幹部14A2、14A3、14A4、14A5、14A6等がインナー
リードの延長方向にあり、枝部14B2、14B3、14B4、14
B5、14B6等が、主幹部からチップ１の辺に沿う方向に枝
分かれして形成されている。
【００２２】この構造においても、ポッティング樹脂量
をチップ１の全域を覆う量と、半導体チップ１上及びそ
の周辺領域をチップ１の辺に沿って前記チップコーナ部
１Cに沿うインナーリード141 とその他のインナーリー
ドの枝部14B2、14B3、14B4、14B5、14B6等の幅で結んだ
領域上まで一括して完全に覆う樹脂量との間の量に制御
することにより、半導体チップ１上には前記実施例同様
に、チップ１のコーナ部１C に沿うインナーリード141
とその他のインナーリードの枝部14B2、14B3、14B4、14
B5、14B6等幅で結んだ領域上に外周端部を有する封止樹
脂層（図示せず）が形成され、封止樹脂がチップの下部
に垂れ下がることはない。
をチップ１の全域を覆う量と、半導体チップ１上及びそ
の周辺領域をチップ１の辺に沿って前記チップコーナ部
１Cに沿うインナーリード141 とその他のインナーリー
ドの枝部14B2、14B3、14B4、14B5、14B6等の幅で結んだ
領域上まで一括して完全に覆う樹脂量との間の量に制御
することにより、半導体チップ１上には前記実施例同様
に、チップ１のコーナ部１C に沿うインナーリード141
とその他のインナーリードの枝部14B2、14B3、14B4、14
B5、14B6等幅で結んだ領域上に外周端部を有する封止樹
脂層（図示せず）が形成され、封止樹脂がチップの下部
に垂れ下がることはない。
【００２３】また図４に示す第３の実施例においては、
半導体チップ１のコーナ部１C にダミーパッド８を設
け、チップ１の辺に沿いチップコーナ部１C に向かって
延在し比較的長くなるインナーリード241 の枝部24B1の
先端部分を屈曲させて前記チップコーナ部１C に配設さ
れたダミーパッド８上に導き、その枝部24B1の先端部を
ダミーパッド８上にボンディングする。これによって、
比較的長くなる枝部が自重によって下方へ垂れ下がるの
が防止されるので、封止樹脂膜（図示せず）のチップ１
裏側に向かう流下を防止する効果が確実に維持される。
半導体チップ１のコーナ部１C にダミーパッド８を設
け、チップ１の辺に沿いチップコーナ部１C に向かって
延在し比較的長くなるインナーリード241 の枝部24B1の
先端部分を屈曲させて前記チップコーナ部１C に配設さ
れたダミーパッド８上に導き、その枝部24B1の先端部を
ダミーパッド８上にボンディングする。これによって、
比較的長くなる枝部が自重によって下方へ垂れ下がるの
が防止されるので、封止樹脂膜（図示せず）のチップ１
裏側に向かう流下を防止する効果が確実に維持される。
【００２４】その他のインナーリード242 、243 、2
44 、245 、246 等はその延在方向にある主幹部24A2、2
4A3、24A4、24A5、24A6等からチップ１の縁部に沿って
分岐する枝部24B2、24B3、24B4、24B5、24B6等を設けた
点は前記実施例と同様である。
44 、245 、246 等はその延在方向にある主幹部24A2、2
4A3、24A4、24A5、24A6等からチップ１の縁部に沿って
分岐する枝部24B2、24B3、24B4、24B5、24B6等を設けた
点は前記実施例と同様である。
【００２５】さらにまた図５に示す第４の実施例におい
ては、インナーリード341 、342 、343 、344 、345 、
346 等の外部接続用パッド２に接続される主幹部34A1、
34A2、34A3、34A4、34A5、34A6等から直角に導出される
枝部34B1、34B2、34B3、34B4、34B5、34B6等が総て半導
体チップ１上においてその辺に沿って設けられ、且つチ
ップコーナ１C に隣接する例えば外部接続用パッド２1
に接続するインナーリード341 の枝部34B1がチップコー
ナ１C に沿う形に形成される。
ては、インナーリード341 、342 、343 、344 、345 、
346 等の外部接続用パッド２に接続される主幹部34A1、
34A2、34A3、34A4、34A5、34A6等から直角に導出される
枝部34B1、34B2、34B3、34B4、34B5、34B6等が総て半導
体チップ１上においてその辺に沿って設けられ、且つチ
ップコーナ１C に隣接する例えば外部接続用パッド２1
に接続するインナーリード341 の枝部34B1がチップコー
ナ１C に沿う形に形成される。
【００２６】この構造においては、図１のＡ−Ａ矢視断
面図に対応する封止状態の部分断面図である図６に示す
ように、封止樹脂膜６は毛細管現象により半導体チップ
１と例えばインナーリード341 の主幹部34A1（図示せ
ず）及び枝部34B1との間隙部９に吸い込まれ、且つその
他のインナーリードについてもそれらの主幹部及び枝部
と半導体チップとの間隙部に吸い込まれて、封止樹脂膜
６は半導体チップの全面を完全に覆うように形成され
る。また、前記毛細管現象により及ぼされる力により封
止樹脂がチップ１の端部から溢れ落ちることも阻止され
るので半導体チップ１の下面に封止樹脂が垂れ下がるこ
とも防止される。
面図に対応する封止状態の部分断面図である図６に示す
ように、封止樹脂膜６は毛細管現象により半導体チップ
１と例えばインナーリード341 の主幹部34A1（図示せ
ず）及び枝部34B1との間隙部９に吸い込まれ、且つその
他のインナーリードについてもそれらの主幹部及び枝部
と半導体チップとの間隙部に吸い込まれて、封止樹脂膜
６は半導体チップの全面を完全に覆うように形成され
る。また、前記毛細管現象により及ぼされる力により封
止樹脂がチップ１の端部から溢れ落ちることも阻止され
るので半導体チップ１の下面に封止樹脂が垂れ下がるこ
とも防止される。
【００２７】なお、図示しないが、前記枝部は半導体チ
ップの辺上に配設されても、勿論同様の効果を奏する。
また、枝部の形状は実施例の形状に限られるものではな
い。
ップの辺上に配設されても、勿論同様の効果を奏する。
また、枝部の形状は実施例の形状に限られるものではな
い。
【００２８】更にまた、実施例ではインナーリードは総
てストレートな構造で示したが、本発明はインナーリー
ドが上下及び左右に屈曲する構造においても勿論適用す
ることが可能である。
てストレートな構造で示したが、本発明はインナーリー
ドが上下及び左右に屈曲する構造においても勿論適用す
ることが可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、ＴＡ
Ｂ構造半導体装置の樹脂ポッティングによる封止に際し
て、滴下する樹脂量を高精度に制御せず、且つ環境条件
にも左右されずに、半導体チップ表面を完全に覆う封止
樹脂膜を、余分な樹脂の半導体チップ下面への流下を生
ぜずに形成することができる。従って本発明は、ＴＡＢ
構造半導体装置の製造歩留り及び信頼性の向上に寄与す
るところが大きい。
Ｂ構造半導体装置の樹脂ポッティングによる封止に際し
て、滴下する樹脂量を高精度に制御せず、且つ環境条件
にも左右されずに、半導体チップ表面を完全に覆う封止
樹脂膜を、余分な樹脂の半導体チップ下面への流下を生
ぜずに形成することができる。従って本発明は、ＴＡＢ
構造半導体装置の製造歩留り及び信頼性の向上に寄与す
るところが大きい。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明の第１の実施例の模式図
【図３】 本発明の第２の実施例の模式平面図
【図４】 本発明の第３の実施例の模式平面図
【図５】 本発明の第４の実施例の模式平面図
【図６】 本発明の第４の実施例の封止状態の部分断面
図
図
【図７】 従来構造の模式図
【図８】 従来の問題点を示す模式図（その１）
【図９】 従来の問題点を示す模式図（その２）
１ 半導体チップ ２ 外部接続用パッド ３ バンプ電極 ４ インナーリード 4A インナーリードの主幹部 4B インナーリードの枝部 ５ リードフレーム ６ 封止樹脂膜
Claims (2)
- 【請求項１】 インナーリードに、チップの辺に沿って
枝分かれした延在部を設け、ポッティングにより該チッ
プ上を覆って形成される封止樹脂膜の外周端部が、前記
内部リードの延在部を該延在部の幅で該チップの辺に沿
って結んだ領域内で停止せしめられてなることを特徴と
するＴＡＢ構造半導体装置。 - 【請求項２】 前記インナーリードのチップの外周に沿
う延在部の先端が、前記チップ上に設けたダミーパッド
上にボンディングされていることを特徴とする請求項１
記載のＴＡＢ構造半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11706592A JPH05315393A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ｔａｂ構造半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11706592A JPH05315393A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ｔａｂ構造半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315393A true JPH05315393A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14702558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11706592A Withdrawn JPH05315393A (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | Ｔａｂ構造半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315393A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003050869A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-19 | Motorola, Inc. | Packaged integrated circuit and method therefor |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP11706592A patent/JPH05315393A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003050869A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-19 | Motorola, Inc. | Packaged integrated circuit and method therefor |
| US6617524B2 (en) | 2001-12-11 | 2003-09-09 | Motorola, Inc. | Packaged integrated circuit and method therefor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |