JPH05314794A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPH05314794A
JPH05314794A JP4115557A JP11555792A JPH05314794A JP H05314794 A JPH05314794 A JP H05314794A JP 4115557 A JP4115557 A JP 4115557A JP 11555792 A JP11555792 A JP 11555792A JP H05314794 A JPH05314794 A JP H05314794A
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test
test data
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memory block
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Abstract

PURPOSE:To improve productivity by reducing terminal numbers for a test, while reducing data numbers of a test pattern, and eliminating restriction for a LSI tester. CONSTITUTION:An input data distribution circuit 1 is provided, wherein, data for a test having equal word length to the longest word length among data word length transmitted to each memory block MB1-MB4 is inputted, this data for a test is made to data for a test having equal word length to data word length of each memory block MB1-MB4, and transmitted respectively to selectors SL1-SL4 corresponding to each memory block. A test pattern is to be one test pattern in which test patterns of each memory block MB1-MB4 are superposed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路装置に関
し、特に語長の異なる複数のメモリブロックを含んだ半
導体集積回路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a semiconductor integrated circuit device including a plurality of memory blocks having different word lengths.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体集積回路の技術の発展はめ
ざましく、半導体集積回路装置の大規模化、複合化は加
速度的に進んでいる。また、これに伴い、半導体集積回
路装置の機能試験を効率良く、かつ不良を高い割合で検
出することが製品のコスト及び信頼性を決める一つの要
因となっている。
2. Description of the Related Art In recent years, the technological development of semiconductor integrated circuits has been remarkable, and the scale-up and integration of semiconductor integrated circuit devices have accelerated. Along with this, efficient function testing of semiconductor integrated circuit devices and detection of defects at a high rate are one of the factors that determine the cost and reliability of products.

【0003】さらに、半導体集積回路装置の大規模化、
複合化の進展に伴い、不良解析の難易度も高くなってい
る。
Further, the scale of the semiconductor integrated circuit device is increased,
With the progress of compounding, the difficulty level of failure analysis is increasing.

【0004】この半導体集積回路装置の機能試験を効率
よく、かつ不良を高い割合で検出し、不良解析を安易に
行う方法として、回路分割法が用いられることが多い。
この回路分割法は、大規模な半導体集積回路装置に搭載
されたRAM(ランダム・アクセス・メモリ)やROM
(リード・オンリ・メモリ)、あるいはあるまとまった
機能を有する回路の集合をそれぞれ機能ブロックとして
分割し、半導体集積回路装置全体の機能の検証とは別
に、各機能ブロック毎の機能の検証を行うものである。
A circuit division method is often used as a method for efficiently performing a functional test of this semiconductor integrated circuit device, detecting a high percentage of defects, and performing a defect analysis easily.
This circuit division method is applied to a RAM (random access memory) or ROM mounted on a large-scale semiconductor integrated circuit device.
(Read-only memory), or a group of circuits having a certain set of functions is divided into functional blocks, and the function of each functional block is verified separately from the function verification of the entire semiconductor integrated circuit device. Is.

【0005】回路分割法を適用した半導体集積回路装置
の具体的な第1の例を図5に示す。
FIG. 5 shows a concrete first example of a semiconductor integrated circuit device to which the circuit division method is applied.

【0006】この半導体集積回路装置は、4つのメモリ
ブロックMB1〜MB4を有し、これら各メモリブロッ
クMB1〜MB4は、ビットパラレルに伝達される所定
の語長の通常のデータ(IN1〜IN4)及び対応する
通常のデータと等しい語長のテスト用のデータ(TIN
1〜TIN4)のうちの一方を選択するセレクタ(SL
1〜SL4)と、対応するセレクタ(SL1〜SL4)
の出力データを記憶し記憶データを読出すメモリ回路
(MC1〜MC4)とをそれぞれ対応して備えている。
This semiconductor integrated circuit device has four memory blocks MB1 to MB4, and each of these memory blocks MB1 to MB4 has normal data (IN1 to IN4) of a predetermined word length transmitted in bit parallel and The test data (TIN with the same word length as the corresponding normal data)
1 to TIN4) select selector (SL
1 to SL4) and corresponding selectors (SL1 to SL4)
Corresponding to the memory circuits (MC1 to MC4) for storing the output data of and reading the stored data.

【0007】通常のデータIN1〜IN4は入力端子T
MIからビットパラレルに入力され、データバス2aを
介して対応するメモリブロックのセレクタに入力され
る。また各メモリブロックMB1〜MB4から読出され
た通常のデータOUT1〜OUT4はデータバス2bを
介して出力端子TMOから外部へ出力される。
Normal data IN1 to IN4 are input terminals T
It is inputted in bit parallel from MI and inputted to the selector of the corresponding memory block via the data bus 2a. Ordinary data OUT1 to OUT4 read from the memory blocks MB1 to MB4 are output to the outside from the output terminal TMO via the data bus 2b.

【0008】テスト用のデータTIN1〜TIN4は、
これらとそれぞれ対応して設けられたテストデータ入力
端子から入力され、それぞれ対応するメモリブロックの
セレクタに伝達される。
The test data TIN1 to TIN4 are
These are input from test data input terminals provided corresponding to these, respectively, and transmitted to the selectors of the corresponding memory blocks.

【0009】また、各メモリブロックMB1〜MB4か
ら読出されたテスト用のデータTOUT1〜TOUT4
は、それぞれ対応して設けられたテストデータ出力端子
からビットパラレルに外部へ出力される。
Further, the test data TOUT1 to TOUT4 read from the memory blocks MB1 to MB4.
Are output to the outside in bit parallel from the test data output terminals provided correspondingly.

【0010】この第1の例では、テスト用のデータTI
N1〜TIN4及び読出されたテスト用のデータTOU
T1〜TOUT4をそれぞれ対応して設けられたテスト
データ入力端子,テストデータ出力端子により入出力す
るため、端子数が多くなる。
In this first example, the test data TI
N1 to TIN4 and the read test data TOU
Since T1 to TOUT4 are input / output by the test data input terminal and the test data output terminal provided corresponding to each other, the number of terminals increases.

【0011】そこで、図6に示された従来の半導体集積
回路装置の第2の例では、入力データ選択回路4及び出
力選択回路5を設け、テストデータ入力端及び、テスト
データ出力端子の数を低減している。
Therefore, in the second example of the conventional semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 6, the input data selection circuit 4 and the output selection circuit 5 are provided, and the number of test data input terminals and test data output terminals is set. It is decreasing.

【0012】次に、これら半導体集積回路装置のテスト
方法について説明する。
Next, a method of testing these semiconductor integrated circuit devices will be described.

【0013】まず、通常のデータ入力端子及びデータ出
力端子を使用し、半導体集積回路装置全体のテストを行
う。このテストは、一般的には半導体集積回路装置全体
の機能がテストできる内容のテストで、個々のメモリブ
ロックMB1〜MB4の詳細な機能がテストできるもの
にはなっておらず、各メモリブロックMB1〜MB4間
の接続、外部とのインターフェース等のテストが主に行
われる。
First, using the usual data input terminal and data output terminal, the entire semiconductor integrated circuit device is tested. This test is generally a test that can test the functions of the entire semiconductor integrated circuit device, and does not test the detailed functions of the individual memory blocks MB1 to MB4. Tests such as connection between MB4 and interface with the outside are mainly performed.

【0014】半導体集積回路装置全体の機能テスト後、
個々のメモリブロックMB1〜MB4の詳細なテストを
行う。個々のメモリブロックMB1〜MB4の詳細なテ
ストは、外部より直接各メモリブロックMB1〜MB4
にそれぞれ対応するテスト用のデータ(TIN1〜TI
N4)を入力し、それによる各メモリブロックの出力デ
ータTOUT1〜TOUT4を外部にて判定して行う。
この場合のテスト用のデータの羅列をテストパターンと
一般的には呼んでいる。
After the functional test of the entire semiconductor integrated circuit device,
A detailed test of the individual memory blocks MB1 to MB4 is performed. A detailed test of the individual memory blocks MB1 to MB4 is performed by directly externally testing the memory blocks MB1 to MB4.
For test (TIN1 to TI
N4) is input, and the output data TOUT1 to TOUT4 of each memory block based on the input N4) are externally determined.
The enumeration of test data in this case is generally called a test pattern.

【0015】図7に各メモリブロックMB1〜MB4を
順次テストするときのテストパターンの構成を示す。各
メモリブロックMB1〜MB4に対応してそれぞれのテ
ストパターンPTIN1〜PTIN4が設けられ、全体
のテストパターンのデータ数は各メモリブロックMB1
〜MB4のテストパターンPTIN1〜PTIN4のデ
ータ数の和になる。一般的にメモリブロックのテスト
は、「1」,「0」状態の保持テスト、ビット間干渉、
バイト間干渉等の種々のテストが必要とされる。さら
に、その記憶容量分のテストを行う必要がある。現在、
1000バイト容量のメモリブロックのテストを行うた
めには約20000データのテストパターンが必要とさ
れている。現在、半導体集積回路装置は高集積度、高速
化の方向に進んでおり、内蔵されるメモリブロックの数
は今後、飛躍的に増加していくと考えられ、メモリブロ
ックのテストに必要なデータ数の増加も避けられない。
FIG. 7 shows the structure of a test pattern for sequentially testing each of the memory blocks MB1 to MB4. Test patterns PTIN1 to PTIN4 are provided corresponding to the memory blocks MB1 to MB4, and the data number of the entire test pattern is the same as that of each memory block MB1.
Is the sum of the data numbers of the test patterns PTIN1 to PTIN4 of MB4. Generally, a memory block test includes a "1" and "0" state holding test, inter-bit interference,
Various tests such as inter-byte interference are required. Further, it is necessary to test the storage capacity. Current,
A test pattern of about 20000 data is required to test a memory block having a capacity of 1000 bytes. Currently, semiconductor integrated circuit devices are advancing toward higher integration and higher speed, and the number of built-in memory blocks is expected to increase dramatically in the future. The increase is inevitable.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
集積回路装置は、第1の例では、各メモリブロックMB
1〜MB4のテスト用のデータをそれぞれ対応して設け
られたテストデータ入力端子,テストデータ出力端子に
より入出力する構成となっているので、端子数が増大す
るという欠点があり、かつそれぞれのメモリブロックM
B1〜MB4に対してテストパターンを設定する必要が
あるため、テストパターンのデータ数の増加により、そ
れをテストする試験装置(以下LSIテスタと呼ぶ)の
性能向上が必要となり、その性能に満たないテスタにて
はテストできないという事態になり、テストできる場所
が限定される。さらには、テストパターン数の増加はそ
のままテスト時間の増加につながり、半導体集積回路装
置の生産性(スループット)が悪くなるという問題点が
あった。また、第2の例では、入力データ選択回路4及
び出力選択回路5が設けられているためテストデータ入
力端子,テストデータ出力端子の数は低減できるが、テ
ストパターンについては第1の例と同様の問題点があ
る。
In the first example, the above-described conventional semiconductor integrated circuit device has the memory blocks MB.
Since the test data of 1 to MB4 are input and output by the test data input terminal and the test data output terminal respectively provided correspondingly, there is a drawback that the number of terminals is increased, and each memory is Block M
Since it is necessary to set a test pattern for B1 to MB4, an increase in the number of data of the test pattern requires improvement in the performance of a test device (hereinafter referred to as an LSI tester) that tests the test pattern, which is less than the performance. The tester will not be able to test, and the places that can be tested will be limited. Furthermore, the increase in the number of test patterns leads to an increase in the test time as it is, and there is a problem that the productivity (throughput) of the semiconductor integrated circuit device deteriorates. Also, in the second example, since the input data selection circuit 4 and the output selection circuit 5 are provided, the number of test data input terminals and test data output terminals can be reduced, but the test pattern is the same as in the first example. There is a problem.

【0017】本発明の目的は、テスト用の端子数を低減
すると共に、テストパターンのデータ数を低減し、LS
Iテスタの制約をなくし生産性の向上をはかることがで
きる半導体集積回路装置を提供することにある。
An object of the present invention is to reduce the number of test terminals and the number of test pattern data,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor integrated circuit device which can improve productivity by eliminating the restriction of the I tester.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
装置は、ビットパラレルに伝達される所定の語長の通常
のデータ及びこのデータと等しい語長のテスト用のデー
タのうちの一方を動作モードに従って選択するセレクタ
と、このセレクタの出力データを記憶し記憶データを読
出すメモリ回路とをそれぞれ備えた複数のメモリブロッ
クと、これら各メモリブロックに伝達されるデータの語
長のうちの最大語長と等しい語長のテスト用のデータを
入力しこのテスト用のデータを前記各メモリブロックの
データの語長と等しいテスト用のデータにしてそれぞれ
対応するメモリブロックのセレクタに伝達する入力デー
タ分配回路と、前記各メモリブロックから読出された通
常のデータを外部へ出力する通常の出力回路と、前記各
メモリブロックから読出されたテスト用のデータを外部
へ出力するテスト用のデータ出力回路とを有している。
A semiconductor integrated circuit device according to the present invention operates one of normal data of a predetermined word length transmitted in bit parallel and test data of a word length equal to this data. A plurality of memory blocks each having a selector that selects according to the mode and a memory circuit that stores the output data of the selector and reads the stored data, and the maximum word of the word lengths of the data transmitted to these memory blocks. An input data distribution circuit for inputting test data having a word length equal to the length and converting the test data into test data equal to the word length of the data of each memory block and transmitting the test data to the selectors of the corresponding memory blocks. A normal output circuit for outputting normal data read from each of the memory blocks to the outside; And a data output circuit for testing for outputting data for read test to the outside.

【0019】また、テスト用のデータ出力回路が、各メ
モリブロックから読出されたテスト用のデータと対応す
る検証用のデータとを比較しこれらが一致したか否かを
示す比較結果信号を出力する比較回路を備えて構成され
る。
Further, the test data output circuit compares the test data read from each memory block with the corresponding verification data and outputs a comparison result signal indicating whether or not these match. It is configured to include a comparison circuit.

【0020】[0020]

【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
Embodiments of the present invention will now be described with reference to the drawings.

【0021】図1は本発明の第1の実施例のブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram of the first embodiment of the present invention.

【0022】この実施例が図5に示された従来の半導体
集積回路装置と相違する点は、各メモリブロックMB1
〜MB4に伝達されるデータの語長のうちの最大語長と
等しい語長のテスト用のデータTINを入力しこのテス
ト用のデータTINを各メモリブロックMB1〜MB4
のデータの語長と等しいテスト用のデータTIN1〜T
IN4にしてそれぞれ対応するメモリブロックのセレク
タに伝達する入力データ分配回路1を設けた点にある。
入力データ分配回路1は、図2に示すように、最大語長
のデータを保持するレジスタ11を備え、このレジスタ
11の出力から各テスト用のデータTIN1〜TIN4
を生成する構成となっている。
This embodiment differs from the conventional semiconductor integrated circuit device shown in FIG. 5 in that each memory block MB1
To MB4, the test data TIN having a word length equal to the maximum word length of the word lengths of the data transmitted is input, and the test data TIN is input to each of the memory blocks MB1 to MB4.
Test data TIN1 to T equal to the word length of the data
The point is that the input data distribution circuit 1 which is set to IN4 and is transmitted to the selector of the corresponding memory block is provided.
As shown in FIG. 2, the input data distribution circuit 1 is provided with a register 11 for holding the data of the maximum word length, and from the output of the register 11, the test data TIN1 to TIN4.
Is configured to generate.

【0023】この入力データ分配回路1を設けることに
より、テストデータ入力端子の数を大幅に低減すること
ができる。また、テストパターンは、図3に示すよう
に、各メモリブロックのテストパターンPTIN1〜う
PTIN4を重ね合せ、相互に重なり合う部分は同一デ
ータとすることにより、全体を一つのテストパターンP
TINとすることができるので、この全体のテストパタ
ーンPTINのデータ数を従来例のメモリブロック数分
の1程度に低減することができる。
By providing this input data distribution circuit 1, the number of test data input terminals can be greatly reduced. In addition, as shown in FIG. 3, the test pattern is obtained by superposing the test patterns PTIN1 to PTIN4 of each memory block, and by overlapping the mutually overlapping portions with the same data, the entire test pattern P
Since it can be TIN, the number of data of the entire test pattern PTIN can be reduced to about 1 / the number of memory blocks of the conventional example.

【0024】図4は本発明の第2の実施例のブロック図
である。
FIG. 4 is a block diagram of the second embodiment of the present invention.

【0025】この実施例は、テスト用のデータ出力回路
を、各メモリブロックMB1〜MB4から読出されたテ
スト用のデータTOUT1〜TOUT4を検証するため
の検証用のデータを入力する検証データ入力端子を設
け、各メモリブロックMB1〜MB4から読出されたテ
スト用のデータTOUT1〜TOUT4と対応する検証
用のデータとを比較しこれらが一致しているか否かを示
す比較結果信号RSTを出力する比較回路3を設けた構
成としたものである。
In this embodiment, a test data output circuit is provided with a verification data input terminal for inputting verification data for verifying the test data TOUT1 to TOUT4 read from each of the memory blocks MB1 to MB4. A comparison circuit 3 that is provided to compare the test data TOUT1 to TOUT4 read from each of the memory blocks MB1 to MB4 with the corresponding verification data and output a comparison result signal RST indicating whether or not these match. Is provided.

【0026】このような構成とすることにより、読出さ
れたテスト用のデータの出力に関連する端子を大幅に低
減することができる。
With this structure, the number of terminals related to the output of the read test data can be significantly reduced.

【0027】この実施例では、検証データ入力端子を新
たに設けたが、これをテストデータ入力端子と兼用する
こともでき、この場合には更にテスト用の端子を低減す
ることができる。
In this embodiment, a verification data input terminal is newly provided, but it can also be used as a test data input terminal. In this case, the number of test terminals can be further reduced.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、各メモリ
ブロックに伝達されるデータの語長のうちの最大語長と
等しい語長のテスト用のデータを入力しこのテスト用の
データを各メモリブロックのデータの語長と等しいテス
ト用のデータにしてそれぞれ対応するメモリブロックの
セレクタに伝達する入力データ分配回路を設けた構成と
することにより、テストデータ入力端子数を低減するこ
とができ、かつ各メモリブロックのテストパターンを重
ね合わせて一つのテストパターンとすることができるの
でテストパターンのデータ数を大幅に低減することがで
き、従ってLSIテスタの制約をなくして生産性の向上
をはかることができる効果がある。
As described above, according to the present invention, the test data having the word length equal to the maximum word length of the word lengths of the data transmitted to each memory block is input, and the test data is input to each memory block. The number of test data input terminals can be reduced by providing an input data distribution circuit that transmits test data equal to the word length of the memory block to the selectors of the corresponding memory blocks. Moreover, since the test patterns of each memory block can be overlapped to form one test pattern, the number of data of the test patterns can be significantly reduced. Therefore, the constraint of the LSI tester can be eliminated and the productivity can be improved. There is an effect that can be.

【0029】また、各メモリブロックから読出されたテ
スト用のデータと対応する検証用のデータとを比較しこ
れらが一致したか否かを示す比較結果信号を出力する比
較回路を設けることにより、更にテストデータ出力端子
の数を低減することができる効果がある。
Further, by providing a comparison circuit which compares the test data read from each memory block with the corresponding verification data and outputs a comparison result signal indicating whether or not they match, This has the effect of reducing the number of test data output terminals.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示された実施例の入力データ分配回路の
具体例を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a specific example of an input data distribution circuit of the embodiment shown in FIG.

【図3】図1に示された実施例に使用されるテストパタ
ーンのデータ配置図である。
FIG. 3 is a data layout diagram of a test pattern used in the embodiment shown in FIG.

【図4】本発明の第2の実施例のブロック図である。FIG. 4 is a block diagram of a second embodiment of the present invention.

【図5】従来の半導体集積回路装置の第1の例のブロッ
ク図である。
FIG. 5 is a block diagram of a first example of a conventional semiconductor integrated circuit device.

【図6】従来の半導体集積回路装置の第2の例のブロッ
ク図である。
FIG. 6 is a block diagram of a second example of a conventional semiconductor integrated circuit device.

【図7】図5,図6に示された半導体集積回路装置用の
テストパターンのデータ配置図である。
FIG. 7 is a data layout diagram of test patterns for the semiconductor integrated circuit device shown in FIGS. 5 and 6;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 入力データ分配回路 2a,2b データバス 3 比較回路 4 入力データ選択回路 5 出力選択回路 MB1〜MB4 メモリブロック MC1〜MC4 メモリ回路 SL1〜SL4 セレクタ 1 Input Data Distribution Circuit 2a, 2b Data Bus 3 Comparison Circuit 4 Input Data Selection Circuit 5 Output Selection Circuit MB1-MB4 Memory Block MC1-MC4 Memory Circuit SL1-SL4 Selector

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ビットパラレルに伝達される所定の語長
の通常のデータ及びこのデータと等しい語長のテスト用
のデータのうちの一方を動作モードに従って選択するセ
レクタと、このセレクタの出力データを記憶し記憶デー
タを読出すメモリ回路とをそれぞれ備えた複数のメモリ
ブロックと、これら各メモリブロックに伝達されるデー
タの語長のうちの最大語長と等しい語長のテスト用のデ
ータを入力しこのテスト用のデータを前記各メモリブロ
ックのデータの語長と等しいテスト用のデータにしてそ
れぞれ対応するメモリブロックのセレクタに伝達する入
力データ分配回路と、前記各メモリブロックから読出さ
れた通常のデータを外部へ出力する通常の出力回路と、
前記各メモリブロックから読出されたテスト用のデータ
を外部へ出力するテスト用のデータ出力回路とを有する
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
1. A selector for selecting one of normal data having a predetermined word length transmitted in bit parallel and test data having a word length equal to this data according to an operation mode, and output data of the selector. A plurality of memory blocks each having a memory circuit for storing and reading the stored data and test data having a word length equal to the maximum word length of the word lengths of the data transmitted to these memory blocks are input. An input data distribution circuit for converting the test data into test data having the same word length as the data length of each memory block and transmitting it to the selector of the corresponding memory block, and normal data read from each memory block. A normal output circuit that outputs the
A test data output circuit for outputting test data read from each memory block to the outside, a semiconductor integrated circuit device.
【請求項2】 テスト用のデータ出力回路が、各メモリ
ブロックから読出されたテスト用のデータと対応する検
証用のデータとを比較しこれらが一致したか否かを示す
比較結果信号を出力する比較回路を備えて構成された請
求項1記載の半導体集積回路装置。
2. A test data output circuit compares the test data read from each memory block with the corresponding verification data and outputs a comparison result signal indicating whether or not these match. The semiconductor integrated circuit device according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit device comprises a comparison circuit.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6515920B2 (en) 2001-02-09 2003-02-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor data storing circuit device, method of checking the device and method of relieving the device from defective cell

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US6515920B2 (en) 2001-02-09 2003-02-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor data storing circuit device, method of checking the device and method of relieving the device from defective cell

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