JPH053099B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

＜産業上の利用分野＞ この発明は、内部磁気シールドがシヤドーマス
ク・フレームに取り付けられた陰極線管に関す
る。 ＜発明の背景＞ シヤドーマスクを有する代表的な陰極線管
（CRT）には、陰極線発光スクリーンが走査され
る際に電子ビームの軌道に対する磁界の影響を低
減するための磁気シールドが設けられている。特
に、シヤドーマスク上のあらゆる点における電子
ビームの入射角は設計値からあまりずれてはなら
ず、さもなければ電子ビームがスクリーン上の意
図するランデイング位置からずれることになる。
磁気シールドは、外部磁気シールドとしてCRT
の外側に、あるいは内部磁気シールドとして
CRTの内側に設けることが出来る。 内部磁気シールドは、通常0.10〜0.18mmの冷間
圧延鋼で形成され、弾力性のある固定ピンによつ
てシヤドーマスク・フレームに固定されている。
シヤドーマスク・フレームはスプリングによつて
支持され、このスプリングは、CRTの長方形の
ガラス製フエースプレート・パネルから内側へ伸
びる取付スタツドに係合している。CRTの組立
時において、内部磁気シールドは、フエースプレ
ート・パネルの側壁をフリツト・シーリングによ
つてCRTのガラス製フアネルに取り付ける前に
シヤドーマスク・フレームに取り付けられる。内
部磁気シールドは、フアネル内に嵌合し且つこれ
に出来るだけ近接するように設計されるが、この
シールドとガラス製フアネルの内面上に設けられ
た導電性コーテイングとの摩擦を避けるためにフ
アネルに接触させてはならない。 シールド効果を得るために、磁気シールドの設
置個所において完全に消磁されねばならない。こ
の消磁処理は、磁気シールドを、振幅が次第に減
少する交番電流によつて付勢される消磁コイルか
らの磁界にさらすことによつて行われる。消磁は
通常アンペア・ターンで表わされるが、内部磁気
シールドに対する消磁は、代表的には1500アンペ
ア・ターンである。この処理は、磁気シールド中
の磁区を実効的に新しい方向に向け且つ磁気シー
ルド中の磁界を打消すような磁化状態にその磁気
シールドを置く傾向がある。消磁コイルは一般に
受像機中に組込まれ、受像機がターンオンされる
度に、このコイルに流れる交番電流は高い値から
零値へ自動的に減衰する。これによつて、磁界状
況の変化に起因する色純度及び白の均一性の劣化
が防止される。この消磁処理後の、電子ビームが
意図するランデイング位置からどれだけ近い距離
で陰極線発光スクリーンを衝撃するかの程度（残
留不整合をミクロン単位で測定した値）が、消磁
による回復効果を表わす。 同じ大きさの消磁電流を使用した場合、外部磁
気シールドが追加されたCRTの消磁による回復
は、一般に、内部磁気シールドしか持たない
CRTの消磁による回復に比べて良好である。し
かし、外部磁気シールドを設けると製造コストが
上がるので、内部磁気シールドのみを用いて同程
度の色純度を得るためには、内部磁気シールド固
有の消磁による回復効果を改良する必要がある。 ＜発明の概要＞ この発明による陰極線管は、側壁に沿つてフア
ネルに結合されたフエースプレート・パネルとフ
アネルの内面に近接して配置された内部磁気シー
ルドとを有する。この内部磁気シールドは、陰極
線管の中心軸に垂直に配置され且つ上記側壁に隣
接して支持されているシヤドーマスク・フレーム
の後方部にこの内部磁気シールドの一方の端部に
そつて接続されている。有孔シヤドーマスクが上
記後方部と反対側のシヤドーマスク・フレームの
前方部にそのシヤドーマスクの端縁部に沿つて接
続されている。内部磁気シールドの上記一方の端
部が、シヤドーマスク・フレームの実質的全周に
わたつてシヤドーマスクの対応する部分と中心軸
に沿う方向にオーバラツプしている。 この発明によれば、消磁処理後の残留不整合誤
差を著しく改善する内部磁気シールドが得られ
る。 ＜推奨実施例の詳細な説明＞ 第１図には、フエースプレート・パネル１２が
この側壁１６に沿つてフアネル１４に嵌合された
陰極線管（CRT）１０が示されている。陰極線
発光スクリーン１８がフエースプレート・パネル
１２の内面上に設けられる。導電性コーテイング
２０が、フアネル１４の内面２２上に設けられて
おり、CRT１０の陽極として作用する。側壁１
６に近接した一方の端部２６を有する従来技術の
内部磁気シールド２４が、CRT１０内に設けら
れており、フアネル１４の内面２２に沿つて後方
へ伸びている。磁気シールド２４は、点線Ｚで示
されているCRT１０の中心軸に対して垂直に配
置されたシヤドーマスク・フレーム３０の後方部
２８に端部２６に沿つて接続されている。磁気シ
ールド２４は弾力性のある固定ピン３２によつて
シヤドーマスク・フレーム３０に固定されてお
り、固定ピン３２は磁気シールド２４とシヤドー
マスク・フレーム３０の双方に整列して設けられ
た穴に挿入されている。シヤドーマスク・フレー
ム３０は、フエースプレート・パネル１２から内
側に突出する取付スタツド３４によつて側壁１６
に隣接して支持されている。フエースプレート・
パネル１２の側壁１６がほぼ長方形の形状である
ため、代表的な内部磁気シールド２４は４つの角
度を持つている。 多くの孔を有するシヤドーマスク３６が、第１
図に示されるようにシヤドーマスク・フレーム３
０の後方部２８と反対側の前方部４０に上記シヤ
ドーマスク３６の端縁部３８に沿つて接続されて
いる。内部磁気シールド２４に加えて、シヤドー
マスク３６自身もCRT１０の総合シールド作用
に大きく寄与する。シヤドーマスク３６は、代表
的には0.15mmの厚さの冷間圧延鋼で形成され、シ
ヤドーマスク・フレーム３０に溶接されている。
シヤドーマスク３６を、第１図に示すようにシヤ
ドーマスク・フレーム３０の内側に溶接してマス
ク内側フレーム構体（MIFA）を形成してもよい
し、シヤドーマスク・フレーム３０の外側に溶接
してマスク外側フレーム構体（MOFA）を形成
してもよい。MIFAとMOFAのいずれを用いて
も、第１図の間隔Ｇで示されるような小さな間隙
が、シヤドーマスク・フレーム３０の周辺に沿う
内部磁気シールド２４の端部２６とシヤドーマス
ク３６の端縁部３８との間に生じる。前に述べた
ように、シヤドーマスク・フレーム３０もまた内
部磁気シールド２４と材料は異なるが磁気材料で
形成されているため間隙Ｇに沿つてシールド作用
を呈すると考えられる。 第２図には、消磁による回復効果を著しく改善
するオーバラツプ内部磁気シールド４２の一実施
例が示されている。消磁処理後の残留不整合誤差
が、中心軸Ｚに沿う方向にシヤドーマスク・フレ
ーム３０の実質的全周にわたつて内部磁気シール
ド４２の端部４４をシヤドーマスク３６の対応す
る端縁部３８にオーバラツプさせることによつて
可成り改善されることが判つた。内部磁気シール
ド４２の端部４４は、前方に伸延して、シヤドー
マスク・フレーム３０の角部を除く側面に沿つて
シヤドーマスク３６の端縁部３８とオーバラツプ
していることが望ましい。第２図は、シヤドーマ
スク３６がシヤドーマスク・フレーム３０の内側
に接続されたMIFA構造を示している。内部磁気
シールド４２がシヤドーマスク・フレーム３０の
外側に接続されているため、シヤドーマスク３６
及び内部磁気シールド４２は第２図に示されてい
るように互いにオーバラツプしているが実際には
接触していない。 第３図には、MOFA構造に設けられたオーバ
ラツプ内部磁気シールド４２の別の実施例が示さ
れている。この磁気シールド４２もまたシヤドー
マスク・フレーム３０の外側に接続されているた
め、実際にはシヤドーマスク３６に接触している
が、このような接触はこの発明の効果を得るため
に必ずしも必要ではない。 内部磁気シールド４２の端部４４はまた、
MIFAとMOFAのいずれの構造であつても、シ
ヤドーマスク・フレーム３０の内側に沿つて伸延
してシヤドーマスク３６にオーバラツプしてもよ
い。内部磁気シールド４２は必ずしも一体成形さ
れた単体から成る必要はない。内部磁気シールド
４２のオーバラツプ部分は、特に内部磁気シール
ド４２がシヤドーマスク・フレーム３０の内側に
沿つて伸延する場合、実際上２個以上の部分から
成つてもよい。 この発明では、内部磁気シールド４２の端部４
４がシヤドーマスク３６の対応する端縁部３８に
実際にオーバラツプしていることが重要である。
この場合のオーバラツプする長さは、中心軸Ｚに
沿う方向に少なくともシヤドーマスク・フレーム
３０の厚さの２倍であるべきであり、これにより
十分な磁気結合が得られ、それ故消磁による回復
効果が改善される。また、内部磁気シールド４２
の端部４４は、第２図及び第３図に示されるよう
に、実質的にシヤドーマスク・フレーム３０の前
部にまで伸延しているのが望ましい。 下の表は、この発明の磁気シールドを含む各種
の形式の磁気シールドを用いたRCA27V SP型の
陰極線管（CRT）で行われた実験から得られた
残留不整合誤差のデータ値を示している。表の第
１行は、外部磁気シールド及び従来技術の内部磁
気シールドを使用したCRTで表わしている。第
２行は、外部磁気シールを用いず従来技術の内部
磁気シールドのみを使用したCRTを表わしてい
る。第３行は、この発明のオーバラツプ内部磁気
シールドを使用したCRTを表わしている。各行
には、フエースプレート・パネルの対角線、長軸
及び短軸の端部のパネルの中央部とにおける残留
不整合誤差のデータ値を垂直Ｙ軸、中央Ｚ軸及び
Ｘ軸に沿う方向に相対的磁界をそれぞれ100mG、
250mG及び250mG変化させた後に測定したもの
が示されている。これらのデータ値から判るよう
に、オーバラツプ内部磁気シールド（第３行）を
使用した場合、残留不整合誤差が、従来技術の内
部磁気シールド（第２行）を使用した場合に比べ
て著しく改善されている。中央Ｚ軸に沿う方向に
おける250mGの磁界変化に対して、オーバラツ
プ内部磁気シールドを使用した場合、外部磁気シ
ールド（第１行）を使用した場合に得られるもの
に比べてさらに良好な消磁による回復時間が得ら
れる。

【表】 シヤドーマスク・フレーム３０が消磁処理の際
に比較的高い磁気抵抗を呈し、これによつて磁気
シールド作用に間隙が生じてCRT１０における
残留不整合誤差が悪化すると推測されている。消
磁処理後のこの残留不整合誤差は、内部磁気シー
ルド４２の端部４４をシヤドーマスク・フレーム
３０の実質的全体に沿つてシヤドーマスク３６の
端縁部３８とオーバラツプさせることによつて大
幅に改善されることが判つた。内部磁気シールド
４２の持つこの改善された消磁回復効果によつ
て、同様な動作状態で、従来技術の内部磁気シー
ルドでは得られない色純度のレベルが得られ、従
つて、費用のかかる外部磁気シールドを使用せず
に済み且つ満足のいく結果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来技術の内部磁気シールドが組み込
まれた陰極線管の断面図、第２図はこの発明に従
うオーバラツプ内部磁気シールドの実施例の断面
図、第３図はこの発明に従うオーバラツプ内部磁
気シールドの別の実施例の断面図である。 １０……陰極線管、１２……フエースプレー
ト・パネル、１４……フアネル、１６……フエー
スプレート・パネル１２の側壁、２２……フアネ
ル１４の内側表面、２８……シヤドーマスク・フ
レーム３０の後方部、３０……シヤドーマスク・
フレーム、３６……シヤドーマスク、３８……シ
ヤドーマスク３６の端縁部、４０……シヤドーマ
スク・フレーム３０の前方部、４２……内部磁気
シールド、４４……内部磁気シールド４２の一方
の端部。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 側壁に沿つてフアネルに結合されたフエース
   プレート・パネルと、 上記フアネルの内面に近接して配置された内部
   磁気シールドであつて、その一端に沿つて、管の
   中心軸に対して垂直に配置され且つ上記側壁に隣
   接して支持されたシヤドーマスク・フレームの後
   方部に接続された内部磁気シールドと、 端縁部に沿つて上記シヤドーマスク・フレーム
   の上記後方部と反対側の前方部に接続された多孔
   シヤドーマスクとからなり、 上記内部磁気シールドの一端は、上記シヤドー
   マスク・フレームの実質的に全周にわたつて上記
   シヤドーマスクの対応する端縁部と上記中心軸に
   沿う方向にオーバーラツプしている、陰極線管。