JPH05299845A - 薄膜多層回路基板の製造方法 - Google Patents
薄膜多層回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH05299845A JPH05299845A JP4103289A JP10328992A JPH05299845A JP H05299845 A JPH05299845 A JP H05299845A JP 4103289 A JP4103289 A JP 4103289A JP 10328992 A JP10328992 A JP 10328992A JP H05299845 A JPH05299845 A JP H05299845A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- polyimide
- insulating layer
- ray
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 薄膜多層回路基板の製造方法に関し、バイア
ホールを効率よく形成することを目的とする。 【構成】 基板１上に導体配線層，ポリイミド絶縁層１
１，導体配線層，・・と交互に積層すると共に、ポリイ
ミド絶縁層１１にバイアホール９を設け、このバイアホ
ール９により上下の導体配線層を回路接続する製造工程
において、ポリイミド絶縁層への選択露光を行なう光源
として、当初はｇ線を用い、続いてｇ，ｈ，ｉ混合線を
用いて行なうことを特徴として薄膜多層回路基板の製造
方法を構成する。
ホールを効率よく形成することを目的とする。 【構成】 基板１上に導体配線層，ポリイミド絶縁層１
１，導体配線層，・・と交互に積層すると共に、ポリイ
ミド絶縁層１１にバイアホール９を設け、このバイアホ
ール９により上下の導体配線層を回路接続する製造工程
において、ポリイミド絶縁層への選択露光を行なう光源
として、当初はｇ線を用い、続いてｇ，ｈ，ｉ混合線を
用いて行なうことを特徴として薄膜多層回路基板の製造
方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複数の半導体チップを搭
載して使用する薄膜多層回路基板の製造方法に関する。
載して使用する薄膜多層回路基板の製造方法に関する。
【０００２】大量の情報を迅速に処理する必要から情報
処理装置の主体を構成する半導体装置は単位素子の小形
化による大容量化が行なわれてLSI やVLSIが実用化され
ているが、これらはマザーボードと言われる薄膜多層回
路基板上にチップの形で複数個を搭載し、これを取替え
単位としてプリント配線基板上に装着する実装形態が採
られつゝある。
処理装置の主体を構成する半導体装置は単位素子の小形
化による大容量化が行なわれてLSI やVLSIが実用化され
ているが、これらはマザーボードと言われる薄膜多層回
路基板上にチップの形で複数個を搭載し、これを取替え
単位としてプリント配線基板上に装着する実装形態が採
られつゝある。
【０００３】
【従来の技術】マザーボードは半導体チップの端子数が
膨大なことから必然的に多層構造をとり、また、信号の
高周波化から層間絶縁層は低誘電率の材料を用いて形成
する必要がある。
膨大なことから必然的に多層構造をとり、また、信号の
高周波化から層間絶縁層は低誘電率の材料を用いて形成
する必要がある。
【０００４】そこで、低誘電率の誘電材料としてセラミ
ックスでは硼珪酸ガラス（比誘電率は約４），高分子有
機化合物ではポリイミド（比誘電率は3.4)が着目され、
それぞれアルミナなどの基板上に薄膜形成技術と写真蝕
刻技術( フォトリソグラフィ) を用いて実用化が進めら
れている。
ックスでは硼珪酸ガラス（比誘電率は約４），高分子有
機化合物ではポリイミド（比誘電率は3.4)が着目され、
それぞれアルミナなどの基板上に薄膜形成技術と写真蝕
刻技術( フォトリソグラフィ) を用いて実用化が進めら
れている。
【０００５】本発明は後者のポリイミドを誘電体とする
薄膜多層回路基板の製造方法に関するものである。図２
は薄膜多層回路基板の構成を示すもので、アルミナ（Al
2O3)などの基板１の上にスパッタ法や真空蒸着法などの
薄膜形成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）に
よりクローム(Cr)／銅(Cu)／クローム(Cu)の三層よりな
る第１の導体配線層を２を形成する。
薄膜多層回路基板の製造方法に関するものである。図２
は薄膜多層回路基板の構成を示すもので、アルミナ（Al
2O3)などの基板１の上にスパッタ法や真空蒸着法などの
薄膜形成技術と写真蝕刻技術（フォトリソグラフィ）に
よりクローム(Cr)／銅(Cu)／クローム(Cu)の三層よりな
る第１の導体配線層を２を形成する。
【０００６】こゝで、Cr層を設ける理由は基板１との密
着性を向上するためである。次に、スピンコート法によ
り感光性ポリイミド液を必要とする厚さに塗布し、乾燥
した後、紫外線の選択露光を行なって硬化させた後、現
像してバイヤホールを備えた第１のポリイミド絶縁層３
を形成する。
着性を向上するためである。次に、スピンコート法によ
り感光性ポリイミド液を必要とする厚さに塗布し、乾燥
した後、紫外線の選択露光を行なって硬化させた後、現
像してバイヤホールを備えた第１のポリイミド絶縁層３
を形成する。
【０００７】次に、この上に先と同様に薄膜形成技術と
写真蝕刻技術により第２の導体配線層４を形成すると共
にバイヤホールを埋め、バイヤ５を形成する。次に、こ
の上に先と同様にしてバイヤホールを備えた第２のポリ
イミド絶縁層６を形成し、この工程を繰り返し行なうこ
とにより薄膜多層回路基板が作られている。
写真蝕刻技術により第２の導体配線層４を形成すると共
にバイヤホールを埋め、バイヤ５を形成する。次に、こ
の上に先と同様にしてバイヤホールを備えた第２のポリ
イミド絶縁層６を形成し、この工程を繰り返し行なうこ
とにより薄膜多層回路基板が作られている。
【０００８】こゝで、ポリイミド絶縁層に孔開けして設
けられ、上側の導体配線層と下側の導体配線層を回路接
続するのに使用するバイアホールは回路接続を確実に行
なうためにアンダーカットのないことが必要である。
けられ、上側の導体配線層と下側の導体配線層を回路接
続するのに使用するバイアホールは回路接続を確実に行
なうためにアンダーカットのないことが必要である。
【０００９】図１はこの形成状態を説明するもので、同
図（Ａ）に示すように基板１の上に感光性ポリイミド膜
８をスピンコート法などで形成し、マスク９を通して紫
外線10を照射すると、露光部の感光性ポリイミドは硬化
することから、現像処理により同図（Ｂ）に示すような
断面形状をもつバイアホール９を備えたポリイミド絶縁
層11を形成する必要がある。
図（Ａ）に示すように基板１の上に感光性ポリイミド膜
８をスピンコート法などで形成し、マスク９を通して紫
外線10を照射すると、露光部の感光性ポリイミドは硬化
することから、現像処理により同図（Ｂ）に示すような
断面形状をもつバイアホール９を備えたポリイミド絶縁
層11を形成する必要がある。
【００１０】こゝで、照射する紫外線の光源としは超高
圧水銀灯のｇ線（波長436nm)が使用されているが、露光
量が少ない場合は同図（Ｃ）に示すようにアンダーカッ
ト12が進行すると共にポリイミド絶縁層11の現像液によ
る膜減りが大きくなる。
圧水銀灯のｇ線（波長436nm)が使用されているが、露光
量が少ない場合は同図（Ｃ）に示すようにアンダーカッ
ト12が進行すると共にポリイミド絶縁層11の現像液によ
る膜減りが大きくなる。
【００１１】そのため、膜厚が10μm 以上のポリイミド
絶縁層11を形成する場合には露光時間を充分とる必要が
あり、そのため生産性が向上しないと云う問題がある。
絶縁層11を形成する場合には露光時間を充分とる必要が
あり、そのため生産性が向上しないと云う問題がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】薄膜多層回路基板の絶
縁層としては耐熱性が優れると共に誘電率が少ないこと
からポリイミドが用いられ、市販されているネガ型の感
光性ポリイミド液を使用し、超高圧水銀灯のｇ線を光源
としバイヤホールなどのパターン形成が行なわれてい
る。
縁層としては耐熱性が優れると共に誘電率が少ないこと
からポリイミドが用いられ、市販されているネガ型の感
光性ポリイミド液を使用し、超高圧水銀灯のｇ線を光源
としバイヤホールなどのパターン形成が行なわれてい
る。
【００１３】然し、薄膜多層回路基板を構成する絶縁層
は10〜20μm と厚いために現像剤によるアンダーカット
や膜減りを無くするためには数10秒の露光時間を必要と
し、これが、生産性向上の障害となっている。
は10〜20μm と厚いために現像剤によるアンダーカット
や膜減りを無くするためには数10秒の露光時間を必要と
し、これが、生産性向上の障害となっている。
【００１４】そこで、露光時間を削減することが課題で
ある。
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の課題は基板上に導
体配線層，ポリイミド絶縁層，導体配線層と繰り返し交
互に積層すると共に、ポリイミド絶縁層にバイアホール
を設け、このバイアホールにより上下の導体配線層を回
路接続する製造工程において、ポリイミド絶縁層への選
択露光の光源として、当初はｇ線を用い、次にｇ，ｈ，
ｉ混合線を用いて露光を行なうことを特徴として薄膜多
層回路基板の製造方法を構成することにより解決するこ
とができる。
体配線層，ポリイミド絶縁層，導体配線層と繰り返し交
互に積層すると共に、ポリイミド絶縁層にバイアホール
を設け、このバイアホールにより上下の導体配線層を回
路接続する製造工程において、ポリイミド絶縁層への選
択露光の光源として、当初はｇ線を用い、次にｇ，ｈ，
ｉ混合線を用いて露光を行なうことを特徴として薄膜多
層回路基板の製造方法を構成することにより解決するこ
とができる。
【００１６】
【作用】先に記したように感光性ポリイミドへの露光は
ｇ線（波長436nm)を用いて行なわれているが、この理由
は図４に示すようにポリイミドへの紫外線の透過率はｉ
線（365nm)およびｈ線（405nm)では少なく、すなわち光
吸収が大きく、基板に接する部分まで充分に感光させる
ことができず、現像に当たって顕著なアンダーカットを
生じるからである。
ｇ線（波長436nm)を用いて行なわれているが、この理由
は図４に示すようにポリイミドへの紫外線の透過率はｉ
線（365nm)およびｈ線（405nm)では少なく、すなわち光
吸収が大きく、基板に接する部分まで充分に感光させる
ことができず、現像に当たって顕著なアンダーカットを
生じるからである。
【００１７】そこで、露光には光吸収の少ないｇ線が使
われている。然し、これとは別に現像に当たっての問題
として膜減りがある。すなわち、感光性ポリイミドは露
光により現像液に溶けにくゝなるが、バイヤホールなど
のパターン形成にあたって、基板との接合部にアンダー
カットを生じない光量で露光するのは勿論、更に膜の表
面も膜減りを抑制するために充分に露光する必要があ
る。
われている。然し、これとは別に現像に当たっての問題
として膜減りがある。すなわち、感光性ポリイミドは露
光により現像液に溶けにくゝなるが、バイヤホールなど
のパターン形成にあたって、基板との接合部にアンダー
カットを生じない光量で露光するのは勿論、更に膜の表
面も膜減りを抑制するために充分に露光する必要があ
る。
【００１８】そのために、ｇ線を数10秒に亙って露光す
る必要があった。そこで、本発明は露光時間を短縮する
方法として、露光目的により使用波長を調節するように
したものである。
る必要があった。そこで、本発明は露光時間を短縮する
方法として、露光目的により使用波長を調節するように
したものである。
【００１９】すなわち、塗膜の膜厚が約30μm と厚い感
光性ポリイミド層を基板との接合部まで露光させるため
には光吸収の少ないｇ線を使用する必要があるが、感光
性ポリイミド層の膜減りを減らすためには光吸収の多い
ｉ線やｈ線を使用すると甚だ有効である。
光性ポリイミド層を基板との接合部まで露光させるため
には光吸収の少ないｇ線を使用する必要があるが、感光
性ポリイミド層の膜減りを減らすためには光吸収の多い
ｉ線やｈ線を使用すると甚だ有効である。
【００２０】図３はｇ線のみを使用した場合と、ｇ，
ｈ，ｉ線を併用した場合の露光量と残膜率との関係を示
している。こゝで、従来、ｇ線を使用するためにはシャ
ープカットフィルタを使用し超高圧水銀灯から生ずるｉ
線とｈ線をカットしている。
ｈ，ｉ線を併用した場合の露光量と残膜率との関係を示
している。こゝで、従来、ｇ線を使用するためにはシャ
ープカットフィルタを使用し超高圧水銀灯から生ずるｉ
線とｈ線をカットしている。
【００２１】そこで、本発明は当初ｇ線を使用してある
程度まで露光した後、シャープカットフィルタを除き、
ｉ線とｈ線とｇ線の総てのエネルギーで照射すれば、照
射時間を節減することができ、また、エネルギーの有効
利用が可能となる。
程度まで露光した後、シャープカットフィルタを除き、
ｉ線とｈ線とｇ線の総てのエネルギーで照射すれば、照
射時間を節減することができ、また、エネルギーの有効
利用が可能となる。
【００２２】
【実施例】アルミナ基板の上にスパッタ法によりCr/Cu/
Crよりなる三層膜を0.1 μm / ５μm ／0.1 μm の厚さ
に形成した後、写真蝕刻技術を用いて導体配線層を形成
した。
Crよりなる三層膜を0.1 μm / ５μm ／0.1 μm の厚さ
に形成した後、写真蝕刻技術を用いて導体配線層を形成
した。
【００２３】次に、基板上に感光性ポリイミド液(Dupon
t 社製) をスピンコート法を用いて30μm の厚さに塗布
した後、マスクを用いて選択露光し、次のようにして直
径30μm のバイヤホールを形成した。
t 社製) をスピンコート法を用いて30μm の厚さに塗布
した後、マスクを用いて選択露光し、次のようにして直
径30μm のバイヤホールを形成した。
【００２４】すなわち、超高圧水銀灯を光源としシャー
プカットフィルタを使用し、ｉ線とｈ線をカットしてｇ
線のみで40秒照射した後、シャープカットフィルタを取
り外し、そのまゝ20秒間照射し、露光後、現像液で現像
した。
プカットフィルタを使用し、ｉ線とｈ線をカットしてｇ
線のみで40秒照射した後、シャープカットフィルタを取
り外し、そのまゝ20秒間照射し、露光後、現像液で現像
した。
【００２５】その結果、従来のｇ線のみを使用する場合
は90秒の露光を必要としたのに対し、本発明の場合は60
秒の露光でアンダーカットと膜減りの少ないポリイミド
絶縁層をパターン形成することができた。
は90秒の露光を必要としたのに対し、本発明の場合は60
秒の露光でアンダーカットと膜減りの少ないポリイミド
絶縁層をパターン形成することができた。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、感光性ポリイミドの露
光時間を従来に較べて削減することができ、生産性の向
上に寄与するところが大きい。
光時間を従来に較べて削減することができ、生産性の向
上に寄与するところが大きい。
【図１】バイアホールの形成方法を示す断面図である。
【図２】薄膜多層回路基板の構成を示す断面図である。
【図３】露光量と残膜率との関係図である。
【図４】波長とポリイミドの透過率との関係図である。
２ 第１の導体配線層 ３ 第１のポリイミド絶縁層 ４ 第２の導体配線層 ５ バイア ８ 感光性ポリイミド膜 ９ バイアホール 11 ポリイミド絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ 7352−4Ｍ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に導体配線層，ポリイミド絶縁
層，導体配線層と繰り返し交互に積層すると共に、該ポ
リイミド絶縁層にバイアホールを設け、該バイアホール
により上下の導体配線層を回路接続する製造工程におい
て、前記ポリイミド絶縁層への選択露光の光源として、
当初はｇ線を用い、次にｇ，ｈ，ｉ混合線を用いて露光
を行なうことを特徴とする薄膜多層回路基板の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103289A JPH05299845A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 薄膜多層回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4103289A JPH05299845A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 薄膜多層回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299845A true JPH05299845A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14350148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4103289A Withdrawn JPH05299845A (ja) | 1992-04-23 | 1992-04-23 | 薄膜多層回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05299845A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020007622A (ja) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、蒸着パターン形成方法、および有機半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-04-23 JP JP4103289A patent/JPH05299845A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020007622A (ja) * | 2018-07-11 | 2020-01-16 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク製造装置、蒸着パターン形成方法、および有機半導体素子の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990706 |