JPH05298197A - メモリ装置およびそのデータ・バックアップ方法 - Google Patents
メモリ装置およびそのデータ・バックアップ方法Info
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- JPH05298197A JPH05298197A JP4127986A JP12798692A JPH05298197A JP H05298197 A JPH05298197 A JP H05298197A JP 4127986 A JP4127986 A JP 4127986A JP 12798692 A JP12798692 A JP 12798692A JP H05298197 A JPH05298197 A JP H05298197A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＲＡＭ等の揮発性半導体メモリの高速アク
セスが可能という特長を維持しつつ，電源オフ時に半導
体メモリのデータが消失してしまう事態を防止する。 【構成】 揮発性半導体メモリ11に加えて，データ保持
のための電源供給が不要な不揮発性メモリである磁気デ
ィスク装置12を備えたメモリ装置において，直流電源回
路14に加えて補助電源としてのバッテリィ16を設けてお
き，直流電源回路14がオフとなったことに応答して，自
動的に，半導体メモリ11への電源供給を直流電源回路14
からバッテリィ16に切替えるとともに，半導体メモリ11
のデータを磁気ディスク・メモリ12に転送して退避させ
る。直流電源回路14がオンとなったときには，バッテリ
ィ16の電圧が半導体メモリ11のデータの保持のために充
分であることを確認した上で，磁気ディスク・メモリ12
のデータを半導体メモリ11にダウン・ロードする。
セスが可能という特長を維持しつつ，電源オフ時に半導
体メモリのデータが消失してしまう事態を防止する。 【構成】 揮発性半導体メモリ11に加えて，データ保持
のための電源供給が不要な不揮発性メモリである磁気デ
ィスク装置12を備えたメモリ装置において，直流電源回
路14に加えて補助電源としてのバッテリィ16を設けてお
き，直流電源回路14がオフとなったことに応答して，自
動的に，半導体メモリ11への電源供給を直流電源回路14
からバッテリィ16に切替えるとともに，半導体メモリ11
のデータを磁気ディスク・メモリ12に転送して退避させ
る。直流電源回路14がオンとなったときには，バッテリ
ィ16の電圧が半導体メモリ11のデータの保持のために充
分であることを確認した上で，磁気ディスク・メモリ12
のデータを半導体メモリ11にダウン・ロードする。
Description
【０００１】
【技術分野】この発明は，高速アクセスが可能な揮発性
半導体メモリと，バックアップ電源が不要な不揮発性メ
モリとを備えたメモリ装置，およびこのメモリ装置にお
けるデータ・バックアップ方法に関する。
半導体メモリと，バックアップ電源が不要な不揮発性メ
モリとを備えたメモリ装置，およびこのメモリ装置にお
けるデータ・バックアップ方法に関する。
【０００２】
【背景技術とその問題点】半導体メモリ装置，とくにダ
イナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）
は高速アクセスが可能であるという特徴をもっている
が，揮発性メモリであるために電源がオフとなると，そ
こに記憶されているデータが消失してしまうという問題
がある。
イナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）
は高速アクセスが可能であるという特徴をもっている
が，揮発性メモリであるために電源がオフとなると，そ
こに記憶されているデータが消失してしまうという問題
がある。
【０００３】そこで，主電源に加えて補助電源としてバ
ッテリィを備えるようにしたものがある。この半導体メ
モリ装置においては，主電源がオフとされた後，一定時
間の間，バッテリィの出力電圧によりＤＲＡＭのデータ
を保持するようにしている。
ッテリィを備えるようにしたものがある。この半導体メ
モリ装置においては，主電源がオフとされた後，一定時
間の間，バッテリィの出力電圧によりＤＲＡＭのデータ
を保持するようにしている。
【０００４】しかしながらこのデータ消失に対する補償
方法では，バッテリィによってデータが保持されている
一定時間の間に何らかの操作を行ってＤＲＡＭのデータ
を退避させることが必要であり，この操作を怠るとデー
タ消失を招くという問題点がある。
方法では，バッテリィによってデータが保持されている
一定時間の間に何らかの操作を行ってＤＲＡＭのデータ
を退避させることが必要であり，この操作を怠るとデー
タ消失を招くという問題点がある。
【０００５】また，磁気テープ記憶装置やフロッピィ・
ディスク装置等の不揮発性メモリを備えたメモリ装置も
ある。このメモリ装置においては，ＤＲＡＭの使用後，
ＤＲＡＭのデータを上記の不揮発性メモリに格納する操
作を行う。そしてデータの退避が終了したことを確認し
た後にＤＲＡＭの電源をオフする。
ディスク装置等の不揮発性メモリを備えたメモリ装置も
ある。このメモリ装置においては，ＤＲＡＭの使用後，
ＤＲＡＭのデータを上記の不揮発性メモリに格納する操
作を行う。そしてデータの退避が終了したことを確認し
た後にＤＲＡＭの電源をオフする。
【０００６】しかしながらこのメモリ装置においては，
ＤＲＡＭのデータの退避操作を実行する前に誤って電源
をオフしてしまうとＤＲＡＭのデータが消失してしまう
という問題点がある。
ＤＲＡＭのデータの退避操作を実行する前に誤って電源
をオフしてしまうとＤＲＡＭのデータが消失してしまう
という問題点がある。
【０００７】
【発明の開示】この発明は，半導体メモリの高速アクセ
ス性という特長を維持しつつ，電源オフ時にデータが消
失してしまうという問題点を解消することのできるメモ
リ装置およびそのデータ・バックアップ方法を提供する
ことを目的とする。
ス性という特長を維持しつつ，電源オフ時にデータが消
失してしまうという問題点を解消することのできるメモ
リ装置およびそのデータ・バックアップ方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】この発明によるメモリ装置は，商用交流電
源を直流電源に変換する直流電源回路，この直流電源回
路から出力される直流電源によって充電されるバッテリ
ィ，このバッテリィの出力電圧を監視するバッテリィ電
圧監視回路，直流電源回路から直流電源が出力されなく
なったことを検出する電源オフ検出回路，電源オンの場
合には直流電源回路の出力直流電源を動作電源として供
給し，電源オフ検出回路によって電源オフが検出された
ことに応答して上記バッテリィの出力電源を動作電源と
して供給する電源切替回路，ならびに電源切替回路から
動作電源が供給される揮発性半導体メモリ，不揮発性メ
モリおよび制御回路を備えている。上記制御回路は，電
源オンの後，バッテリィ電圧監視回路からのバッテリィ
電圧が所定電圧以上であることを示す信号に応答して，
不揮発性メモリから所定のデータを揮発性半導体メモリ
にダウン・ロードし，電源オフ検出回路による電源オフ
検出に応答して揮発性半導体メモリのデータを不揮発性
メモリに退避させるよう揮発性半導体メモリおよび上記
不揮発性メモリを制御するものである。
源を直流電源に変換する直流電源回路，この直流電源回
路から出力される直流電源によって充電されるバッテリ
ィ，このバッテリィの出力電圧を監視するバッテリィ電
圧監視回路，直流電源回路から直流電源が出力されなく
なったことを検出する電源オフ検出回路，電源オンの場
合には直流電源回路の出力直流電源を動作電源として供
給し，電源オフ検出回路によって電源オフが検出された
ことに応答して上記バッテリィの出力電源を動作電源と
して供給する電源切替回路，ならびに電源切替回路から
動作電源が供給される揮発性半導体メモリ，不揮発性メ
モリおよび制御回路を備えている。上記制御回路は，電
源オンの後，バッテリィ電圧監視回路からのバッテリィ
電圧が所定電圧以上であることを示す信号に応答して，
不揮発性メモリから所定のデータを揮発性半導体メモリ
にダウン・ロードし，電源オフ検出回路による電源オフ
検出に応答して揮発性半導体メモリのデータを不揮発性
メモリに退避させるよう揮発性半導体メモリおよび上記
不揮発性メモリを制御するものである。
【０００９】この発明の好ましい実施態様においては，
バッテリィ電圧監視回路によるバッテリィの出力電圧の
監視結果を表示するインディケータがさらに設けられて
いる。
バッテリィ電圧監視回路によるバッテリィの出力電圧の
監視結果を表示するインディケータがさらに設けられて
いる。
【００１０】この発明によるデータ・バックアップ方法
は，電源が供給されることによってデータを保持する揮
発性メモリと，データ保持のための電源供給が不要な不
揮発性メモリとを備えたメモリ装置において，主電源回
路に加えて補助電源を設けておき，主電源回路がオフと
なったことに応答して，自動的に，揮発性メモリへの電
源供給を上記主電源回路から上記補助電源に切替えると
ともに，揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに転送
して退避させることを特徴とする。
は，電源が供給されることによってデータを保持する揮
発性メモリと，データ保持のための電源供給が不要な不
揮発性メモリとを備えたメモリ装置において，主電源回
路に加えて補助電源を設けておき，主電源回路がオフと
なったことに応答して，自動的に，揮発性メモリへの電
源供給を上記主電源回路から上記補助電源に切替えると
ともに，揮発性メモリのデータを不揮発性メモリに転送
して退避させることを特徴とする。
【００１１】この発明によるデータ・バックアップ方法
の好ましい実施態様においては，揮発性メモリのデータ
の不揮発性メモリへの退避が終了したのちに，補助電源
から揮発性メモリへの電源供給を停止させる。
の好ましい実施態様においては，揮発性メモリのデータ
の不揮発性メモリへの退避が終了したのちに，補助電源
から揮発性メモリへの電源供給を停止させる。
【００１２】さらに他の実施態様においては，主電源回
路がオンとなったときに，補助電源の電圧が揮発性メモ
リのデータの保持のために充分であることを確認した上
で，不揮発性メモリのデータを揮発性メモリに転送す
る。
路がオンとなったときに，補助電源の電圧が揮発性メモ
リのデータの保持のために充分であることを確認した上
で，不揮発性メモリのデータを揮発性メモリに転送す
る。
【００１３】この発明によると，直流電源回路または主
電源がオフとなったときに，揮発性半導体メモリのデー
タ保持のために補助電源としてのバッテリィから電源が
供給されるように電源切替えが自動的に行なわれる。ま
た，揮発性半導体メモリのデータは自動的に不揮発性メ
モリに転送されることにより退避される。
電源がオフとなったときに，揮発性半導体メモリのデー
タ保持のために補助電源としてのバッテリィから電源が
供給されるように電源切替えが自動的に行なわれる。ま
た，揮発性半導体メモリのデータは自動的に不揮発性メ
モリに転送されることにより退避される。
【００１４】したがって，主電源がオフとされたときで
も，メモリ装置の使用者は何の操作も行なうことなく，
揮発性メモリのデータが保全される。揮発性メモリとし
てＤＲＡＭ等を用いることができるのでメモリ・アクセ
スの高速性が損なわれることがない。
も，メモリ装置の使用者は何の操作も行なうことなく，
揮発性メモリのデータが保全される。揮発性メモリとし
てＤＲＡＭ等を用いることができるのでメモリ・アクセ
スの高速性が損なわれることがない。
【００１５】主電源がオンとされたときには，バッテリ
ィの電源電圧が揮発性メモリのデータ保持に充分である
ことを確認した上で，不揮発性メモリに退避されていた
データが揮発性メモリにダウン・ロードされるので，揮
発性メモリを用いた高速処理が可能となる。
ィの電源電圧が揮発性メモリのデータ保持に充分である
ことを確認した上で，不揮発性メモリに退避されていた
データが揮発性メモリにダウン・ロードされるので，揮
発性メモリを用いた高速処理が可能となる。
【００１６】
【実施例の説明】図１はこの発明の実施例によるメモリ
装置の構成を示している。
装置の構成を示している。
【００１７】メモリ装置には制御装置10が含まれてい
る。この制御装置10は上位装置（たとえば上位コンピュ
ータ）とメモリ装置との間のインターフェイス機能およ
びメモリ装置の全体的な動作を統括する機能等を達成す
るもので，ＣＰＵ，メモリおよび周辺装置を含んでい
る。制御装置10は上位装置とバス接続されている。
る。この制御装置10は上位装置（たとえば上位コンピュ
ータ）とメモリ装置との間のインターフェイス機能およ
びメモリ装置の全体的な動作を統括する機能等を達成す
るもので，ＣＰＵ，メモリおよび周辺装置を含んでい
る。制御装置10は上位装置とバス接続されている。
【００１８】メモリ装置には２種類のメモリが備えられ
ている。一方はＤＲＡＭ等の高速アクセス可能な揮発性
半導体メモリ11である。他方は，半導体メモリ11と同等
以上の記憶容量をもつ磁気ディスク装置12である。これ
らの半導体メモリ11および磁気ディスク装置12は制御装
置10とバス接続されている。
ている。一方はＤＲＡＭ等の高速アクセス可能な揮発性
半導体メモリ11である。他方は，半導体メモリ11と同等
以上の記憶容量をもつ磁気ディスク装置12である。これ
らの半導体メモリ11および磁気ディスク装置12は制御装
置10とバス接続されている。
【００１９】メモリ装置はさらに直流電源回路14，電源
制御回路13およびバッテリィ16を備えている。直流電源
回路14は電源スイッチ15を含み，この電源スイッチ15が
オンの状態にあるときに，商用交流電源を所定電圧の直
流電源に変換して出力する。バッテリィ16は直流電源回
路14がオフとなったときに，後述するデータ退避動作を
保証するための補助電源である。
制御回路13およびバッテリィ16を備えている。直流電源
回路14は電源スイッチ15を含み，この電源スイッチ15が
オンの状態にあるときに，商用交流電源を所定電圧の直
流電源に変換して出力する。バッテリィ16は直流電源回
路14がオフとなったときに，後述するデータ退避動作を
保証するための補助電源である。
【００２０】電源制御回路13は，直流電源回路14の出力
またはバッテリィ16の出力のいずれか一方をＤＣ電源供
給ラインに供給する電源切替機能（図２を参照して後述
する電源切替回路21），直流電源回路14の電源スイッチ
15がオフとなって直流電源の出力が停止したことを検出
する電源オン／オフ検出機能（電源オン／オフ検出回路
22），およびバッテリィ16の出力電圧がデータ退避動作
を保証するのに充分であるかどうかをチェックするバッ
テリィ電圧モニタ機能（バッテリィ電圧監視回路23）を
果すものであり，そのための各種回路および制御回路
（ＣＰＵ等）を含んでいる。
またはバッテリィ16の出力のいずれか一方をＤＣ電源供
給ラインに供給する電源切替機能（図２を参照して後述
する電源切替回路21），直流電源回路14の電源スイッチ
15がオフとなって直流電源の出力が停止したことを検出
する電源オン／オフ検出機能（電源オン／オフ検出回路
22），およびバッテリィ16の出力電圧がデータ退避動作
を保証するのに充分であるかどうかをチェックするバッ
テリィ電圧モニタ機能（バッテリィ電圧監視回路23）を
果すものであり，そのための各種回路および制御回路
（ＣＰＵ等）を含んでいる。
【００２１】電源制御回路13から供給される直流電源は
ＤＣ電源供給ラインを経て制御装置10，半導体メモリ11
および磁気ディスク装置12にその動作電源として与えら
れる。電源制御回路13から出力される電源オン／オフ検
出信号およびバッテリィ電圧モニタ信号は制御装置10に
与えられる。バッテリィ電圧モニタ信号はインディケー
タ17にも与えられ，バッテリィ16の出力電圧が制御装置
10，半導体メモリ11および磁気ディスク装置12の正常な
動作を確保するのに充分であるかどうかがインディケー
タ17によって報知される。制御装置10から電源制御回路
13へは電源オフ指令信号が与えられ，この指令信号が入
力したときに電源制御回路13はＤＣ電源供給ラインへの
直流電源供給を停止する。
ＤＣ電源供給ラインを経て制御装置10，半導体メモリ11
および磁気ディスク装置12にその動作電源として与えら
れる。電源制御回路13から出力される電源オン／オフ検
出信号およびバッテリィ電圧モニタ信号は制御装置10に
与えられる。バッテリィ電圧モニタ信号はインディケー
タ17にも与えられ，バッテリィ16の出力電圧が制御装置
10，半導体メモリ11および磁気ディスク装置12の正常な
動作を確保するのに充分であるかどうかがインディケー
タ17によって報知される。制御装置10から電源制御回路
13へは電源オフ指令信号が与えられ，この指令信号が入
力したときに電源制御回路13はＤＣ電源供給ラインへの
直流電源供給を停止する。
【００２２】図２は電源制御回路13の構成の一部を具体
的に示すものである。
的に示すものである。
【００２３】電源スイッチ15がオンのときには，直流電
源回路14の出力直流電源はダイオードＤ１および三端子
レギュレータ（スイッチング・レギュレータ）24を経て
ＤＣ電源供給ラインに出力される。また，直流電源回路
14の出力によって，ダイオードＤ２，リレー回路25（後
述するようにその接点はオンとなっている），抵抗Ｒ
５，ダイオードＤ５を経てバッテリィ16が充電される。
源回路14の出力直流電源はダイオードＤ１および三端子
レギュレータ（スイッチング・レギュレータ）24を経て
ＤＣ電源供給ラインに出力される。また，直流電源回路
14の出力によって，ダイオードＤ２，リレー回路25（後
述するようにその接点はオンとなっている），抵抗Ｒ
５，ダイオードＤ５を経てバッテリィ16が充電される。
【００２４】直流電源回路14の出力電圧はまた，直列に
接続された抵抗Ｒ１とＲ２とによって分圧され，電源オ
ン／オフ検出回路22のトランジスタＴ４のベースに印加
される。直流電源回路14から所定の直流出力電圧が出力
されているときにはトランジスタＴ４がオンであり，電
源オン／オフ検出信号はＬレベルである。電源スイッチ
15がオフとなることによって直流電源回路14の出力が停
止すると，トランジスタＴ４がオフとなるので，電源オ
ン／オフ検出信号はＨレベルとなる（この検出信号のラ
インはプルアップ抵抗Ｒ６を介してレギュレータ24の出
力側に接続されている）。
接続された抵抗Ｒ１とＲ２とによって分圧され，電源オ
ン／オフ検出回路22のトランジスタＴ４のベースに印加
される。直流電源回路14から所定の直流出力電圧が出力
されているときにはトランジスタＴ４がオンであり，電
源オン／オフ検出信号はＬレベルである。電源スイッチ
15がオフとなることによって直流電源回路14の出力が停
止すると，トランジスタＴ４がオフとなるので，電源オ
ン／オフ検出信号はＨレベルとなる（この検出信号のラ
インはプルアップ抵抗Ｒ６を介してレギュレータ24の出
力側に接続されている）。
【００２５】電源切替回路21は上述したダイオードＤ
１，Ｄ２，抵抗Ｒ１，Ｒ２に加えて，トランジスタＴ
１，Ｔ２，Ｔ３，抵抗Ｒ３，Ｒ４等を備えている。直流
電源回路14から直流出力電圧が出力されているときに
は，直列抵抗Ｒ１とＲ２の分圧出力がトランジスタＴ１
のベースに与えられているから，トランジスタＴ１はオ
ンの状態に保たれ，したがってトランジスタＴ２はオ
フ，トランジスタＴ３もオフに保たれる。電源スイッチ
15がオフとなって直流電源回路14の出力電圧が低下して
いくと，トランジスタＴ１がオフとなる。直列接続抵抗
Ｒ３，Ｒ４にはバッテリィ16の出力電圧が与えられるか
ら，その分圧出力がベースに与えられるトランジスタＴ
２がオンとなり，トランジスタＴ３もオンとなる。した
がって，バッテリィ16の出力電圧はダイオードＤ６，リ
レー回路25，トランジスタＴ３，ダイオードＤ３を経て
レギュレータ24に入力し，レギュレータ24の出力がＤＣ
電源供給ラインに供給され続ける。このようにして，電
源スイッチ15がオフとなった後においても，バッテリィ
16から制御装置10，半導体メモリ11および磁気ディスク
装置12にその動作電源が供給されることになる。この電
源切替えにおいて動作電源の供給が途絶えることはな
い。
１，Ｄ２，抵抗Ｒ１，Ｒ２に加えて，トランジスタＴ
１，Ｔ２，Ｔ３，抵抗Ｒ３，Ｒ４等を備えている。直流
電源回路14から直流出力電圧が出力されているときに
は，直列抵抗Ｒ１とＲ２の分圧出力がトランジスタＴ１
のベースに与えられているから，トランジスタＴ１はオ
ンの状態に保たれ，したがってトランジスタＴ２はオ
フ，トランジスタＴ３もオフに保たれる。電源スイッチ
15がオフとなって直流電源回路14の出力電圧が低下して
いくと，トランジスタＴ１がオフとなる。直列接続抵抗
Ｒ３，Ｒ４にはバッテリィ16の出力電圧が与えられるか
ら，その分圧出力がベースに与えられるトランジスタＴ
２がオンとなり，トランジスタＴ３もオンとなる。した
がって，バッテリィ16の出力電圧はダイオードＤ６，リ
レー回路25，トランジスタＴ３，ダイオードＤ３を経て
レギュレータ24に入力し，レギュレータ24の出力がＤＣ
電源供給ラインに供給され続ける。このようにして，電
源スイッチ15がオフとなった後においても，バッテリィ
16から制御装置10，半導体メモリ11および磁気ディスク
装置12にその動作電源が供給されることになる。この電
源切替えにおいて動作電源の供給が途絶えることはな
い。
【００２６】バッテリィ電圧監視回路23において，バッ
テリィ16の出力電圧Ｖ１が直列接続抵抗Ｒ11とＲ12によ
って分圧され，トランジスタＴ11のベースに与えられて
いる。レギュレータ24の出力電圧Ｖ２が直列接続抵抗Ｒ
13とＲ14によって分圧され，トランジスタＴ11のコレク
タおよびトランジスタＴ12のベースに与えられている。
トランジスタＴ12のコレクタには抵抗Ｒ15を介して電圧
Ｖ２が与えられる。バッテリィ16の出力電圧Ｖ１が所定
のしきい値電圧ＶIT（Ｖ２よりも高い電圧）以上を保っ
ていれば，トランジスタＴ11がオン，トランジスタＴ12
がオフとなり，トランジスタＴ12の出力であるバッテリ
ィ電圧モニタ信号はＨレベルとなる。電圧Ｖ１がしきい
値電圧ＶIT以下になると，トランジスタＴ11がオフ，ト
ランジスタＴ12がオンとなってバッテリィ電圧モニタ信
号はＬレベルとなる。このようにして，バッテリィ16の
出力電圧Ｖ１がしきい値電圧ＶITを超えているか，それ
以下かが常時検出されることになる。
テリィ16の出力電圧Ｖ１が直列接続抵抗Ｒ11とＲ12によ
って分圧され，トランジスタＴ11のベースに与えられて
いる。レギュレータ24の出力電圧Ｖ２が直列接続抵抗Ｒ
13とＲ14によって分圧され，トランジスタＴ11のコレク
タおよびトランジスタＴ12のベースに与えられている。
トランジスタＴ12のコレクタには抵抗Ｒ15を介して電圧
Ｖ２が与えられる。バッテリィ16の出力電圧Ｖ１が所定
のしきい値電圧ＶIT（Ｖ２よりも高い電圧）以上を保っ
ていれば，トランジスタＴ11がオン，トランジスタＴ12
がオフとなり，トランジスタＴ12の出力であるバッテリ
ィ電圧モニタ信号はＨレベルとなる。電圧Ｖ１がしきい
値電圧ＶIT以下になると，トランジスタＴ11がオフ，ト
ランジスタＴ12がオンとなってバッテリィ電圧モニタ信
号はＬレベルとなる。このようにして，バッテリィ16の
出力電圧Ｖ１がしきい値電圧ＶITを超えているか，それ
以下かが常時検出されることになる。
【００２７】次にこのメモリ装置の動作について説明す
る。
る。
【００２８】電源スイッチ15が使用者によって投入され
ると，直流電源回路14から出力される直流電源が電源制
御回路13からＤＣ電源供給ラインを通して制御装置10，
半導体メモリ11および磁気ディスク装置12に供給され
る。
ると，直流電源回路14から出力される直流電源が電源制
御回路13からＤＣ電源供給ラインを通して制御装置10，
半導体メモリ11および磁気ディスク装置12に供給され
る。
【００２９】電源スイッチ15が投入されることにより，
上述したように電源オン／オフ検出信号がＬレベルにな
り，電源投入が制御装置10に通知される。これに応答し
て制御装置10は電源オン指令信号を発生し，リレー回路
25に通電してその接点をオンとする。したがって，バッ
テリィ16への充電が開始される。また，バッテリィ16の
出力電圧Ｖ１がしきい値電圧ＶIT以上であって後述する
半導体メモリ11から磁気ディスク装置12へのデータ転送
動作を行うのに充分な電圧であることがバッテリィ電圧
監視回路23によって検知されると，そのことを示すバッ
テリィ電圧モニタ信号がインディケータ17および制御装
置10に与えられる。これによりインディケータ17が点灯
し，バッテリィ充電完了の旨が使用者に報知される。
上述したように電源オン／オフ検出信号がＬレベルにな
り，電源投入が制御装置10に通知される。これに応答し
て制御装置10は電源オン指令信号を発生し，リレー回路
25に通電してその接点をオンとする。したがって，バッ
テリィ16への充電が開始される。また，バッテリィ16の
出力電圧Ｖ１がしきい値電圧ＶIT以上であって後述する
半導体メモリ11から磁気ディスク装置12へのデータ転送
動作を行うのに充分な電圧であることがバッテリィ電圧
監視回路23によって検知されると，そのことを示すバッ
テリィ電圧モニタ信号がインディケータ17および制御装
置10に与えられる。これによりインディケータ17が点灯
し，バッテリィ充電完了の旨が使用者に報知される。
【００３０】制御装置10は，電源オンを表わす電源オン
／オフ検出信号が入力し，かつバッテリィ充電完了を表
わすバッテリィ電圧モニタ信号が入力すると，これに応
答して，磁気ディスク装置12の磁気ディスクに記録され
ている所要のデータまたは全データを読出して半導体メ
モリ11に転送し，半導体メモリ11に記憶する。この動作
は上位装置からの指令とは無関係に（独立して）行なわ
れる。半導体メモリ11へのデータのダウン・ロードが完
了すると，制御装置10は上位装置との間のデータ転送，
交信等が可能な状態となる。
／オフ検出信号が入力し，かつバッテリィ充電完了を表
わすバッテリィ電圧モニタ信号が入力すると，これに応
答して，磁気ディスク装置12の磁気ディスクに記録され
ている所要のデータまたは全データを読出して半導体メ
モリ11に転送し，半導体メモリ11に記憶する。この動作
は上位装置からの指令とは無関係に（独立して）行なわ
れる。半導体メモリ11へのデータのダウン・ロードが完
了すると，制御装置10は上位装置との間のデータ転送，
交信等が可能な状態となる。
【００３１】上位装置と制御装置10との間の交信および
これに伴うデータ転送は半導体メモリ11を用いて行なわ
れ，磁気ディスク装置12は用いられない。このことによ
り，上位装置との間の高速データ転送が可能となる。
これに伴うデータ転送は半導体メモリ11を用いて行なわ
れ，磁気ディスク装置12は用いられない。このことによ
り，上位装置との間の高速データ転送が可能となる。
【００３２】使用者が電源スイッチ15をオフとすると，
このことが電源オン／オフ検出回路22によって検知され
制御装置10に通知される。また，上述したように電源切
替回路21によって直流電源回路14からバッテリィ16に切
替えられ，バッテリィ16からＤＣ電源供給ラインを通し
て制御装置10，半導体メモリ11および磁気ディスク装置
12に動作電源が供給される。
このことが電源オン／オフ検出回路22によって検知され
制御装置10に通知される。また，上述したように電源切
替回路21によって直流電源回路14からバッテリィ16に切
替えられ，バッテリィ16からＤＣ電源供給ラインを通し
て制御装置10，半導体メモリ11および磁気ディスク装置
12に動作電源が供給される。
【００３３】制御装置10は電源オフの旨の通知を受取る
と，半導体メモリ11に記憶されている全データを磁気デ
ィスク装置12に転送し，そのディスク・メモリに記憶す
ることにより退避する。このデータの退避動作は上述し
たようにバッテリィ16から供給される動作電源によって
行なわれる。
と，半導体メモリ11に記憶されている全データを磁気デ
ィスク装置12に転送し，そのディスク・メモリに記憶す
ることにより退避する。このデータの退避動作は上述し
たようにバッテリィ16から供給される動作電源によって
行なわれる。
【００３４】データの退避が完了すると，制御装置10は
電源オフ指令信号を電源制御回路13に与える。この電源
オフ指令信号に応答してリレー回路25への通電が停止
し，その接点がオフとなることにより，バッテリィ16か
ら出力される電源のＤＣ電源供給ラインへの供給が停止
する。
電源オフ指令信号を電源制御回路13に与える。この電源
オフ指令信号に応答してリレー回路25への通電が停止
し，その接点がオフとなることにより，バッテリィ16か
ら出力される電源のＤＣ電源供給ラインへの供給が停止
する。
【００３５】以上により，メモリ装置のすべての動作が
終了する。
終了する。
【図１】メモリ装置の全体的な電気的構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】電源制御回路の一部の具体的構成を示す回路図
である。
である。
10 制御装置 11 半導体メモリ 12 磁気ディスク装置 13 電源制御回路 14 直流電源回路 15 電源スイッチ 16 バッテリィ 17 インディケータ 21 電源切替回路 22 電源オン／オフ検出回路 23 バッテリィ電圧監視回路
Claims (5)
- 【請求項１】 商用交流電源を直流電源に変換する直流
電源回路，上記直流電源回路から出力される直流電源に
よって充電されるバッテリィ，上記バッテリィの出力電
圧を監視するバッテリィ電圧監視回路，上記直流電源回
路から直流電源が出力されなくなったことを検出する電
源オフ検出回路，電源オンの場合には上記直流電源回路
の出力直流電源を供給し，上記電源オフ検出回路によっ
て電源オフが検出されたことに応答して上記バッテリィ
の出力電源を供給する電源切替回路，ならびに上記電源
切替回路から動作電源が供給される揮発性半導体メモ
リ，不揮発性メモリおよび制御回路を備え，上記制御回
路は，電源オンの後，上記バッテリィ電圧監視回路から
のバッテリィ電圧が所定電圧以上であることを示す信号
に応答して，上記不揮発性メモリから所定のデータを上
記揮発性半導体メモリにダウン・ロードし，上記電源オ
フ検出回路による電源オフ検出に応答して上記揮発性半
導体メモリのデータを上記不揮発性メモリに退避させる
よう上記揮発性半導体メモリおよび上記不揮発性メモリ
を制御する，メモリ装置。 - 【請求項２】 上記バッテリィ電圧監視回路による上記
バッテリィの出力電圧の監視結果を表示するインディケ
ータをさらに備えている，請求項１に記載のメモリ装
置。 - 【請求項３】 電源が供給されることによってデータを
保持する揮発性メモリと，データ保持のための電源供給
が不要な不揮発性メモリとを備えたメモリ装置におい
て，主電源回路に加えて補助電源を設けておき，上記主
電源回路がオフとなったことに応答して，自動的に，揮
発性メモリへの電源供給を上記主電源回路から上記補助
電源に切替えるとともに，上記揮発性メモリのデータを
上記不揮発性メモリに転送して退避させることを特徴と
する，メモリ装置におけるデータ・バックアップ方法。 - 【請求項４】 上記揮発性メモリのデータの上記不揮発
性メモリへの退避が終了したのちに，上記補助電源から
上記揮発性メモリへの電源供給を停止させる，請求項３
に記載のメモリ装置におけるデータ・バックアップ方
法。 - 【請求項５】 上記主電源回路がオンとなったときに，
上記補助電源の電圧が上記揮発性メモリのデータの保持
のために充分であることを確認した上で，上記不揮発性
メモリのデータを上記揮発性メモリに転送する，請求項
３に記載のメモリ装置におけるデータ・バックアップ方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4127986A JPH05298197A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | メモリ装置およびそのデータ・バックアップ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4127986A JPH05298197A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | メモリ装置およびそのデータ・バックアップ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05298197A true JPH05298197A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14973624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4127986A Pending JPH05298197A (ja) | 1992-04-22 | 1992-04-22 | メモリ装置およびそのデータ・バックアップ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05298197A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001178685A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Olympus Optical Co Ltd | 医用電子装置 |
| KR100464788B1 (ko) * | 2002-11-04 | 2005-01-05 | 노윤호 | 초고속 저장장치 및 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58205994A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性メモリシステム |
-
1992
- 1992-04-22 JP JP4127986A patent/JPH05298197A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58205994A (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-01 | Mitsubishi Electric Corp | 不揮発性メモリシステム |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001178685A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-07-03 | Olympus Optical Co Ltd | 医用電子装置 |
| KR100464788B1 (ko) * | 2002-11-04 | 2005-01-05 | 노윤호 | 초고속 저장장치 및 방법 |
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