JPH05297740A

JPH05297740A - 画像形成装置

Info

Publication number: JPH05297740A
Application number: JP4122639A
Authority: JP
Inventors: Tatsunori Ishiyama; 竜典石山; Koichi Hiroshima; 康一廣島; Hiroshi Sasame; 裕志笹目
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1992-04-16
Filing date: 1992-04-16
Publication date: 1993-11-12

Abstract

(57)【要約】【目的】接触転写方式の画像形成装置においてバイア
ス出力回路の回路構成・シーケンスの簡素化を図り、か
つ安定な転写高圧出力を得るようにして装置の高精細化
・高スピード化に対応できるようにすること。【構成】 A.T.V.C.制御方式の転写バイアス出力回路を
具備し、接触転写手段の回転方向の抵抗値分布を画像形
成装置のプリント動作直前に検知して接触転写手段への
印加転写バイアスを決定すること。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体・静電
記録誘電体・磁気記録磁性体等の像担持体の面に電子写
真プロセス・静電記録プロセス・磁気記録プロセス等の
適宜の作像プロセスを適用して目的の画像情報の可転写
像を形成担持させ、この像担持体側の可転写像を転写手
段により転写材側へ転写させて画像形成物を出力させる
転写方式の画像形成装置に関する。

【０００２】より詳しくは、転写手段が像担持体面に接
触させ転写バイアスを印加した転写ローラ・転写ベルト
等の接触転写手段（接触転写手段）であり、該像担持体
と該接触転写手段との接触部である転写部位に転写材を
導入通過させることで像担持体側の可転写像を転写材側
へ転写させる接触転写方式の画像形成装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】従来、転写方式の画像形成装置におい
て、転写手段としては像担持体面に非接触に対向させて
配設したコロナ放電器が広く使用されてきた。これは像
担持体と対向コロナ放電器との間に転写材を導入通過さ
せ、その通過過程でコロナ放電器のコロナ放電で転写材
背面を像担持体側の担持可転写像の荷電極性とは反対極
性に帯電させることで像担持体側の可転写像を転写材側
へ転写（転移）させるものである。

【０００４】しかし、コロナ放電器を用いた転写手段に
おいては以下のような問題点があった。

【０００５】１）高電圧印加の必要がある像担持体（以下、感光体と記す）上に形成された可転写
像（以下、トナー像と記す）を転写材上に効率良く転写
するためには５〜８ＫＶ程度の高電圧をコロナ放電器中
の放電ワイヤに印加しなければならない。このため他の
電極及び導電部材（本体）へのリークを防止するために
このワイヤからの距離を大きくする等の処置をすること
で放電器自体が大型化し、更に高絶縁被覆ケーブルも使
用しなければならない。

【０００６】２）転写に利用される電流効率が低いワイヤから発生されたコロナ放電電流のほとんどはシー
ルド電極へ流入し、感光体上に形成されたトナー像を転
写材上へ転写させるのに利用されるコロナ放電電流はワ
イヤから放電される総コロナ放電電流のわずか数パーセ
ントである。

【０００７】３）コロナ放電生成物の発生コロナ放電によってオゾン等の発生があり、装置構成部
品の酸化、感光体表面のオゾン劣化による画像のボケが
生じ易く（特に高温高湿環境下において発生し易い現
象）、オゾン吸収・分解フィルタ及び該フィルタへの気
流発生手段であるファンが必要である。

【０００８】４）ワイヤ汚れ放電効率をあげるために曲率の大きい放電ワイヤ（一般
的には６０〜１００μｍの直径のものが用いられる）が
使用されるが、ワイヤ表面に形成される高電界によって
装置内の微小な塵埃・飛散したトナー等を集塵したり、
画像定着器内で使用されるシリコンオイルの気化したも
のが付着する等してワイヤ表面が汚れる。ワイヤ汚れは
放電にむらを生じ易く、それが転写画像むらになって現
れる。従ってかなり頻繁にワイヤや放電器内を清掃処理
する必要がある。

【０００９】そこで最近では転写手段として、上述のよ
うな問題点の多いコロナ放電器を使用せずに、転写ロー
ラ等の転写部材を感光体に接触させ、該転写部材に転写
バイアスを印加し、該感光体と該転写部材との接触部で
ある転写部位に転写材を導入通過させて感光体上のトナ
ー像を転写材に転写させる接触転写手段が用いられてい
る。

【００１０】図１４に接触転写手段を用いた画像形成装
置１００の一例の概略構成を示した。

【００１１】１は像担持体としての回転ドラム型の電子
写真感光体であり、矢示Ａの時計方向に所定の周速度
（プロセススピード）をもって回転駆動される。

【００１２】２は一次帯電手段としての接触帯電ローラ
であり、感光体１に並行に配列して加圧ばね２ｄにより
所定の押圧力で感光体に圧接させてあり、感光体１の回
転に伴い従動回転する。この帯電ローラ２に一次帯電バ
イアス電源１５０から所定の帯電バイアスが印加される
ことによって回転感光体１の周面が所定の極性・電位に
一様に接触帯電処理される。

【００１３】次いでこの帯電処理された回転感光体１面
に不図示の露光手段により目的の画像情報の露光４（画
像変調されたレーザービームによる走査露光、原稿画像
の羯像スリット露光等）かなされて感光体１面に目的の
画像情報に対応した静電潜像が形成される。

【００１４】次いでその静電潜像が顕画剤としてのトナ
ーＴを収容した現像器５の現像剤坦持体（現像スリーブ
・現像ローラ等）６により可転写像としてのトナー像Ｔ
ａに現像（顕画化）される。現像剤坦持体６には現像バ
イアス電源１５１から現像バイアスが印加される。

【００１５】一方、給紙カセット・給紙ローラ・搬送ロ
ーラ・レジストローラ等からなる不図示の給紙機構部か
ら、感光体１と接触転写手段としての回転接触転写ロー
ラ８との接触部である転写部位ａに対して転写材Ｐが所
定のタイミングをもって１枚宛給送され、該給送転写材
Ｐが転写前ガイド７を通って転写部位ａに導入されて通
過していく。

【００１６】転写ローラ８は、ローラ軸受８ｄとばね受
８ｅとの間に介在させた加圧ばね８ｃで感光体１面に所
定に圧接されていて、転写高圧電源２００から転写バイ
アスが印加され、その印加転写バイアスの作用で感光体
１側の担持トナー像Ｔａが転写材Ｐ面側に順次に転写Ｔ
ｂされる。

【００１７】転写部位ａを通過した転写材Ｐは、除電針
２５で除電され、感光体１面から分離され、分離ガイド
２６から不図示の画像定着器へ導入されて転写トナー像
の定着処理を受け画像形成物（プリント・コピー）とし
て出力される転写材分離後の感光体１面はクリーニング
装置（クリーナ）９により転写残りトナー等の残留付着
物の除去を受けて清浄面化されて、繰り返して作像に供
される。

【００１８】転写ローラ８は電極を兼ねる鉄等の導電性
回転軸８ａと、その外周に同心一体にローラ状に形成し
た導電性ゴム層８ｂからなり、ゴム層８ｂは硬度５０°
以下（Asker-C 硬度計測定）の柔らかいもので、芯金８
ａとゴム層８ｂの表面間の抵抗値が２ＫＶ印加時１０⁷
〜１０¹⁰Ωのものが好ましい。これは感光体１の表面に
傷をつけないためと、転写材Ｐの搬送力を持たせるため
であり、特にゴム層８ｂの上記抵抗は良好な転写画像を
得るために必要な条件である。

【００１９】本例の画像形成装置は、感光体１・帯電ロ
ーラ２・現像器５・クリーニング装置９の４つのプロセ
ス機器を共通のプロセスカートリッジハウジング内に所
定の位置関係で内蔵させて画像形成装置本体に対して一
括して着脱交換自在のプロセスカートリッジＣとしてあ
る。

【００２０】プロセスカートリッジＣを画像形成装置本
体内に所定に装着することで画像形成装置本体側とプロ
セスカートリッジＣ側とが機構的・電気的にカップリン
グしてプリント実行可能状態になる。

【００２１】ところで、接触転写手段としての上記転写
ローラ８は環境、特に湿度の影響を受け易く、低湿環境
下では抵抗が増加し、逆に高湿環境下では抵抗が減少す
る。よってこれを補うために環境変化による転写ローラ
８の抵抗変化に応じた転写バイアスの切り換えが必要と
なった。

【００２２】即ち、転写ローラ８の抵抗値が環境温湿度
によって大きく変化するので、これに印加するバイアス
電圧と、これを流れる電流の関係（Ｖ−Ｉ特性）が環境
によって大きく変化し、あらゆる環境下において常時安
定的に良好な転写を実行することが困難であった。

【００２３】このことを図１５によって略述する。同図
の実線はＬ／Ｌ（低温低湿）点線はＮ／Ｎ（常温常湿）鎖線はＨ／Ｈ（高温高湿）の環境下における特性曲線で、また ○は非通紙時 □は白地通紙時 ■は黒地通紙時における値を示すものとし、これから明らかなように、
Ｌ／Ｌ環境下では、転写ローラ８の抵抗値はＮ／Ｎ環境
下より数桁上昇し、反対にＨ／Ｈ環境下では、Ｎ／Ｎ環
境下に比して１〜２桁さがる。

【００２４】前記図１４に示すような装置の場合、実験
によると、良好な転写を行うにはベタ黒画像通紙時の転
写電流が０．５〜４μＡ必要であること、非通紙時の転
写電流が５μＡを越えると、ＯＰＣ感光体に電位の転写
メモリーが残り、画像に地カブリを発生することが判明
している。

【００２５】このことから、上記のような装置において
は図１６から判るように、Ｈ／Ｈ環境下では約１０００〜２２５０ＶＮ／Ｎ環境下では約１５００〜２５００ＶＬ／Ｌ環境下では約３０００〜３５００Ｖが好適であるといえる。

【００２６】さらに、図１４のような装置において、転
写バイアスを印加する手段として定電圧制御あるいは定
電流制御が行なわれていることは、よく知られていると
おりであるが、上記のような転写ローラ８の特性変動と
の関連で以下のような不都合が発生する。

【００２７】即ち、定電圧制御を行なった場合、Ｎ／Ｎ
環境下において良好な転写が行なわれるように、たとえ
ば、２０００Ｖで定電圧制御を行なうと、Ｈ／Ｈ環境下
においてはほぼ同様の転写性が得られるが、Ｌ／Ｌ環境
下では転写電流が０．１〜０．２μＡとなって転写不良
を招来する。

【００２８】また、Ｌ／Ｌ環境下での転写性を向上させ
るように転写バイアスを設定すると、Ｎ／Ｎ環境下、Ｈ
／Ｈ環境下においては特に非通紙時の転写電流が大きす
ぎて転写メモリーを発生する。就中、Ｈ／Ｈ環境下では
増大する転写電流が転写材Ｐを貫通して感光体１上の負
帯電トナーを逆極性に帯電させて転写不良を惹起する。

【００２９】以上のような欠点を回避すべく定電流制御
を行なうことによって、環境変動にかかわらず、常時ほ
ぼ一定の電荷を転写材に付与できるが、反面以下のよう
な不都合を生ずる。

【００３０】即ち、この種の装置は使用可能の最大サイ
ズの転写材以下の範囲でより小サイズの転写材を使用で
きるようになっているのが普通であるから、小サイズの
転写材を使用した時には当然感光体１と転写ローラ８と
が直接当接する部分が存在することになる。

【００３１】したがって、前記図１４のような装置を使
用して小サイズの転写材を使用した場合、たとえば、１
μＡで定電流制御を行なうと、上記の直接当接部分に流
れる単位面積当りの電流値が、感光体の前回転時、後回
転時、連続プリント時の紙間などの非通紙部に１μＡ流
した時の単位面積当りの電流値とほぼ等しくなるので、
転写ローラ８にかかる電圧が降下して通紙領域には殆ど
電流が流れず、転写不良となる。

【００３２】たとえば、Ａ４サイズの用紙通紙時に比し
て、封筒を通紙した場合にはＨ／Ｈ環境下では７００Ｖ強Ｎ／Ｎ環境下では約１０００ＶＬ／Ｌ環境下では約１５００Ｖ程度転写電圧が降下して転写材に流れる電流は０．５μＡ以
下となり、転写不良を生ずる。

【００３３】小サイズ通紙時にも充分な転写性を得よう
とすると、たとえば、レターサイズの転写材との差のよ
うに、比較的狭い非通紙部では、これに流入する電流密
度が大きくなって感光体１に転写メモリによる地カブリ
が発生して、後続する転写材に裏汚れが生ずる。

【００３４】以上の様に従来装置においては定電圧制御
・定電流制御のいずれの方式をとっても、あらゆる環境
下において、全ての転写材に安定して良好な転写を行な
うことは極めて困難であるとされていた。

【００３５】そこで近年、A.T.V.C.制御法と称される転
写バイアスの制御法が開発され上述のような問題点が解
決された。

【００３６】この制御法は、プリント前の非通紙時の感
光体回転時（装置のメイン電源スイッチ投入後の感光体
前多回転時、及びプリントスタート信号入力後から転写
部位ａに転写材Ｐの先端が到達するまでの感光体前回転
時）において、転写ローラ８の抵抗値を検知するための
定電流制御を少なくとも１回以上行ない、その時に印加
した電圧Ｖ_O からプリント時に必要な転写バイアスを算
出し、プリント時にはそのバイアスで転写ローラ８を定
電圧制御する。

【００３７】この時、定電流の値は感光体１上にプラス
の電荷を残さない（プリスメモリを発生させない）値、
例えば８ｐｐｍ機の場合は約７μＡ以下でなければなら
ない。

【００３８】このA.T.V.C.制御法を今少し詳しく説明す
ると、この転写バイアス制御法は転写部位ａに転写材Ｐ
が達する前の非画像領域で正規に帯電された回転感光体
１表面に対し定電流制御を行ない、転写ローラ８の抵抗
値を検知し、この時の印加電圧をＶ_O として記憶する。
その後、転写材Ｐが転写部位ａに達した時に先程記憶し
た電圧Ｖ_O を基に適正な転写電圧（プリント電圧）Ｖ_T
算出する。

【００３９】このように転写ローラ８に印加される高電
圧は図１７に示した転写高圧電源２００のインバータト
ランス１０９により出力される。

【００４０】インバータトランス１０９は高圧制御部１
０８からのパルス信号ＯＳＣによりトランジスタ１１０
を介して駆動される。

【００４１】該パルス信号はインバータトランス１０９
の２次側で整流（ダイオード１１１、コンデンサ１１
２）されて転写ローラ８に印加される。

【００４２】ここで転写高圧出力の直流レベルはトラン
ジスタ１１３のエミッタ電位に比例する。

【００４３】また高圧制御部１０８からの制御信号ＣＯ
ＮＴ２によりトランジスタ１１４を介してＯＮ／ＯＦＦ
制御される。

【００４４】画像形成装置がプリント動作に入り、感光
体１の駆動に伴い、制御信号ＣＯＮＴ４、ＣＯＮＴ３、
ＣＯＮＴ２により一次帯電ローラ２、現像器５、転写ロ
ーラ８のそれぞれに対して高圧が出力される。

【００４５】感光体前回転時及び連続プリントモードに
おける紙間時には、ＣＯＮＴ１が“Ｈ”レベルでアナロ
グスイッチ１１６ａ・１１６ｃがＯＮ、１１６ｂがＯＦ
Ｆとなり定電流動作に入る。この時オペアンプ１１５の
出力はアナログスイッチ１１６ａを通りオペアンプ１１
７に入力する。従ってオペアンプ１１５の出力がトラン
ジスタ１１３のエミッタ電位を決める。

【００４６】そして、インバータトランス１０９の出力
はトランジスタ１１３のエミッタ電位より決まるため、
オペアンプ１１５の出力が転写出力値を決める。またオ
ペアンプ１１５の出力がアナログスイッチ１１６ｃを通
り低リークコンデンサ１１８にチャージされることで、
等価的に定電流動作時の出力電圧を記憶する事になる。

【００４７】定電流動作時の電流値Ｉｔは、抵抗１１
９、１２０によるＶｃｃの分圧値と抵抗１２１の抵抗値
から決まる。即ち本例では、Ｉｔ−Ｖｃｃ＊Ｒ１１９／（Ｒ１１９＋Ｒ１２０）／Ｒ１２１となる。

【００４８】プリント時には、ＣＯＮＴ１が“Ｌ”レベ
ルでアナログスイッチ１１６ａ・１１６ｃがＯＦＦ、１
１６ｂがＯＮとなり定電圧動作に入る。

【００４９】定電圧動作では、低リークコンデンサ１１
８にチャージされた電位がアナログスイッチ１１６ｂを
通してトランジスタ１１３のエミッタ電位を決めるた
め、定電流動作時に低リークコンデンサ１１８にチャー
ジされた電位により転写出力電圧が決まる。

【００５０】転写の出力電圧は図１８のシーケンスに示
した様に、定電流動作時には、負荷変動（転写ローラ８
の円周方向での抵抗ムラ）により電圧が変動する。低リ
ークコンデンサ１１８にはオペアンプ１１５の出力が抵
抗１３６とコンデンサ１１８の時定数により平均化され
てチャージされる。

【００５１】このチャージ電位がＶ_O 値に相当し、この
電圧Ｖ_O よりプリント時のＶ_T が決定されているのであ
る。

【００５２】以上の様な回路を使用しシーケンスを組む
ことによって転写のA.T.V.C.制御を行っていた。

【００５３】図１６は上述のA.T.V.C.制御を運用した場
合におけるＮ／Ｎ，Ｈ／Ｈ，Ｌ／Ｌの各環境下での、Ａ
４サイズの転写材を使用した場合の転写ローラのＶ−Ｉ
特性を示すものである。

【００５４】この図において、Ｎ／Ｎ環境下では、非通
紙時に感光体電位がＶ_D となっている場合、２μＡの定
電流制御を行うための電圧は約１５００Ｖである。

【００５５】この電圧をＶ_O として、プリント時の適正
バイアスを算出式（例えばＶ_T ＝Ｖ_O ＋１２００
（Ｖ）：Ｖ_T ＝プリント電圧（Ｖ），Ｖ_O ＝定電流制御
時の電圧（Ｖ））に代入し、プリント電圧Ｖ_T （２７００（Ｖ））を求めて定電圧制御を行なうと、ベタ黒画像プリント時
の電流は２．０〜２．５μＡとなり、良好な転写が行なわれることになる。

【００５６】同様の転写ローラを用いて、Ｈ／Ｈ環境
下，Ｌ／Ｌ環境下で上記制御を行なうと、各々ベタ黒画
像プリント時の電流はＨ／Ｈ環境下で２．５〜３．０μＡＬ／Ｌ環境下で１．５〜２．０μＡとなり、ここでも良好な転写が行なわれることになる。

【００５７】また、プリント時は定電圧制御を行なって
いるため、小サイズ紙にプリントする場合においても良
好な転写が行なわれることになる。

【００５８】

【発明が解決しようとする課題】（Ａ）しかしながら、
このA.T.V.C.制御の場合も、接触転写手段としての転写
ローラ８に関して、定電流動作時の出力を記憶する手段
としてコンデンサを用いたハードウェアに頼っているた
め以下のような問題点があった。

【００５９】１）回路構成が複雑である２）リーク電流によりコンデンサ電位が変動し定電圧動
作時に出力電圧が変化する３）前記２）のためにプリント１枚毎に定電流動作を繰
り返さなければならずシーケンスが複雑になる。

【００６０】４）更に、転写ローラ８の抵抗検知手段と
して行なう定電流制御は毎回少なくとも転写ローラ１回
転分は実行しなくてはならないために、毎回プリントに
要する時間が不必要に長くなっていた。

【００６１】そこで本発明の第１の目的は、上記１）〜
４）のような問題点を解消して、回路構成・シーケンス
の簡素化を図り、かつ安定な転写高圧出力を得るように
して装置の高精細化・高スピード化に対応できるように
することにある。（Ｂ）また、接触転写手段としての転
写ローラ８の抵抗値の環境変動を検知するための定電流
制御を行なうため、装置本体内にプロセスカートリッジ
Ｃ及び転写ローラ８が存在しない場合には定電流制御時
の電圧は装置本体の高圧出力限界にまで達することにな
る。特に高圧の出力能力が高い装置（例えばプロセスス
ピードの速い装置）においては転写の給電部が著しく高
電位になる。

【００６２】このため転写ローラ８への給電部もしくは
転写ローラ８の表面から他の部分（除電針，転写前ガイ
ド，高基板もしくは感光体面等）へのバイアスリーク
が発生し、このノイズにより装置本体が誤動作すると共
に、電気的安全性も著しく損なわれていた。

【００６３】従って接触転写手段を採用した装置で転写
手段の抵抗検知のために定電流制御を行なうものについ
て、これらの問題を解決し、安全性の高い転写バイアス
の制御方法が必要とされていた。

【００６４】そこで本発明の第２の目的は、上記の問題
を解消して安全性を確保することにある。

【００６５】

【課題を解決するための手段】本発明は下記の構成を特
徴とする画像形成装置である。

【００６６】（１）像担持体に接触させた接触転写手段
を有し、該接触転写手段に転写バイアスを印加し、該像
担持体と該接触転写手段との接触部である転写部位に転
写材を導入通過させることで像担持体側に形成担持させ
た可転写像を転写材側へ転写させて画像形成物を得る画
像形成装置であり、前記接触転写手段を定電圧制御する
電圧制御手段と、該電圧制御手段による定電圧制御時の
出力電流値を検知する出力電流検知手段と、前記出力電
流値が所望の値に達しているか否か判断する判断手段
と、該判断手段に基づく定電圧出力値と、前記出力電流
検知手段からの入力演算結果より、前記接触転写部材へ
の出力電圧を決定する処理手段を有する転写バイアス出
力回路を具備し、前記接触転写手段の回転方向の抵抗値
分布を画像形成装置のプリント動作直前に検知して接触
転写手段への印加転写バイアスを決定することを特徴と
する画像形成装置。

【００６７】（２）画像形成装置の初期設定時の検知値
と、プリント動作直前の検知値との比が所定以上であっ
たときプリント電圧を補正することを特徴とする（１）
に記載の画像形成装置。

【００６８】（３）２枚以上の連続プリント時の紙間で
接触転写手段の抵抗検知補正制御を行なうことを特徴と
する（１）に記載の画像形成装置。

【００６９】（４）プリント後から転写材が排出部へ排
出されるまでの像担持体後回転時に接触転写手段の抵抗
値分布検知を行なうことを特徴とする請求項（１）又は
同（２）に記載の画像形成装置。

【００７０】（５）像担持体に接触させた接触転写手段
を有し、該接触転写手段に転写バイアスを印加し、該像
担持体と該接触転写手段との接触部である転写部位に転
写材を導入通過させることで像担持体側に形成担持させ
た可転写像を転写材側へ転写させて画像形成物を得る画
像形成装置であり、転写バイアス出力回路を具備し、装
置の電源投入後、接触転写手段の抵抗値検知のための接
触転写手段の定電流制御実施までの間に、装置にプロセ
スカートリッジもしくは接触転写手段が存在しているか
否かを検知する手段を有し、無しと判定された場合は転
写バイアス出力回路の以降の転写バイアス印加シーケン
スを中止させることを特徴とする画像形成装置。

【００７１】

【作用】ａ）前記の転写バイアス出力回路を用い、接触
転写手段の回転方向の抵抗値分布を画像形成装置のプリ
ント動作直前に検知して接触転写手段への印加転写バイ
アスを決定する、つまり転写バイアスのシーケンスを、
装置の電源投入後から装置のプリント動作準備が整うま
での間に接触転写手段の抵抗値を検知するための定電流
制御を接触帯電手段の例えば回転１周分行ないＶ_O 電圧
を決定し、その後装置にプリント信号が入力されてか
ら、転写部位に転写材が到達するまでの間に抵抗変化に
応じた補正制御を行なうようにする、即ち、転写高圧出
力時の出力電流を検知する手段を設けることにより、従
来ハード時に閉じた系で行なわれていた転写高圧制御を
ソフトを介して行ない回路構成及びシーケンスの簡素
化、安定な転写高圧制御を実現出来る。

【００７２】ｂ）接触転写手段の抵抗値を検知する定電
流制御を行なう前に装置内部にプロセスカートリッジも
しくは接触転写手段が装着されているか否かを検知し、
装着されていない場合には定電流制御が行なわれないよ
うにすることで転写バイアスが他の部分へリークするの
が防止され、装置の誤動作を防止できると共に、電気的
安全性を確保することができる。

【００７３】

【実施例】

〈実施例１〉（図１〜図５）本実施例は前記特許請求の
範囲の請求項１乃至同４に記載の発明の実施例であり、
前記第１の目的を達成するものである。

【００７４】（１）例１（図１・図２）図１は本例の画像形成装置の概略構成と、バイアス印加
系のブロック図である。

【００７５】画像形成装置部１００は前記図１４と同様
である。本実施例は感光体１に対する目的の画像情報の
露光４をレーザスキャナ３により走査露光するレーザプ
リンタである。

【００７６】感光体１は、アルミニウム等の接地された
導電材製のドラム基体１ａの外周面に有機光導電体（Ｏ
ＰＣ）からなる感光層１ｂを形成した直径３０ｍｍの円
筒状のものを使用した。感光層としては、Ｓｅ（セレ
ン）、アモルファスシリコン、Ｚ_n Ｏ等も使用できる。
帯電ローラ２は、鉄等からなる導電性芯金２ａと、その
外周に同心一体にローラ状に形成したＥＰＤＭ（エチレ
ン−プロピレン−ジエンの３元共重合体）・シリコン・
ウレタン等の導電性ゴム層２ｂと、更にその外周面に抵
抗値制御のために設けた、ヒドリン及びトレジン（Ｎ−
メトキシメチル化ナイロン）等の被覆膜２ｃからなるも
のを使用した。

【００７７】この帯電ローラ２の芯金には電源１０によ
り負の直流電圧と交流電圧との重畳電圧である振動電圧
が印加される。このとき、帯電ローラ２により負の帯電
を受けた回転感光体１はその表面がある一定の電位に形
成される。

【００７８】その後、感光体１の回転により露光部に到
達するとレーザスキャナ３から出力される目的の画像情
報の時系列電気デジタル画像信号に対応して一定の印字
密度Ｄｄｐｉで画像変調されたレーザ光４による走査露
光が行なわれ、レーザ光の露光部分の感光体表面の電位
が減衰して静電潜像が形成される。

【００７９】その潜像面に現像器５の現像剤担持体６よ
り負に帯電されたトナーが供給（反転現象）されて潜像
が現像される。１３は現像剤担持体に対する現像バイア
スの印加電源である。

【００８０】一方、不図示の給紙部からガイド７を介し
て転写材Ｐが感光体１と接触転写部材としての転写ロー
ラ８との接触部である転写部位ａへ感光体１の面上のト
ナー像とタイミングを合わせて給送される。

【００８１】転写ローラ８は、鉄等の導電性芯金８ａ
と、その外周に同心一体に形成した導電性ゴム層８ｂと
からなるものを用いた。本例では該導電性ゴム８ｂは、
抵抗値制御剤として金属酸化物（酸化錫，酸化亜鉛，酸
化チタン等）の導電性フィラーをＥＰＤＭゴム中に分散
させ発泡させたゴム層とした。帯電ローラ２と同様にシ
リコン・ウレタン系のゴム材でも可能であるが、ゴム硬
度の低いもの（約５０°〜２０°）で芯金と表面の間の
抵抗値が２０００Ｖ印加時１０ＭΩ〜１００００ＭΩの
範囲になければならない。

【００８２】上記転写ローラ８は、芯金８ａの両端にバ
ネ等を配して感光体表面からギアで駆動をとっており、
電源１１から芯金８ａへトナーの帯電極性とは逆極性の
転写バイアスが印加され、感光体１上のトナヘー像が転
写材Ｐの面上へ順次に転写されていく。

【００８３】転写部位ａを通った転写材Ｐは感光体１面
から分離されて、不図示の画像定着手段へ導入されて像
定着を受け画像形成物（プリント）として出力される。

【００８４】転写材分離後の感光体１の面はクリーニン
グ装置９により転写されなかったトナー等の付着汚染物
の除去を受けて清浄面化され繰り返して作像に供され
る。

【００８５】１２は上記の帯電ローラ２、転写ローラ
８、現像剤担持体６に対する各バイアス印加電源１０・
１１・１３をそれぞれ所定の印加タイミング、所定の電
位に自動設定する制御部（ＣＰＵ）である。

【００８６】次に転写ローラ８に印加されるバイアスの
高圧電源１１及びその制御シーケンスについて説明す
る。

【００８７】転写ローラ８には正の高電圧を印加するも
のとし、その高電圧はインバータトランス１４より出力
される。インバータトランス１４は高圧制御部１２から
のパルス信号ＯＳＣによりトランジスタ１５を介して駆
動される。

【００８８】前記パルス信号はインバータトランス１４
の２次側で整流（ダイオード１６、コンデンサ１７）さ
れて転写ローラ８に印加される。

【００８９】高圧制御部１２において、ＨＶＴ．ＩＮ１
はＤ／Ａ出力、ＨＶＴ．ＯＵＴ１はＡ／Ｄ入力である。

【００９０】転写高圧出力の直流レベルはトランジスタ
１８のエミッタ電位に比例する。また、高圧制御部１２
からの出力ＨＶＴＩ．ＮＩ（ＤＣレベル信号）はオペア
ンプ１９において増幅されてトランジスタ１８のベース
に入力される。

【００９１】従って、ＨＶＴ．ＩＮ１の増加に伴い転写
出力電圧が増加する。この時の出力電流はオペアンプ２
０により抵抗２１の電圧降下を見る事により検知出来
る。

【００９２】高圧制御部１２はオペアンプ２０の出力
（ＨＶＴ．ＯＵＴ１）から出力電流ＩｔをＩｔ＝（５−ＨＶＴ．ＯＵＴ１）／Ｒ２１として算出出来る。

【００９３】この転写高圧電源１１を用いて図２に示し
た制御シーケンスを行なう。即ち、装置本体メイン電源
スイッチＯＮ直後に初期設定を行うために感光体１が回
転し始める（前多回転）。これと同時に一次帯電バイア
ス及び転写逆バイアス（負バイアス）がＯＮする。

【００９４】帯電ローラ２により正規の電位に帯電され
た感光体１表面が転写部位ａに達した後に、前述の回路
１１から正の転写バイアス（ＨＶＴ．ＩＮ１）が出力さ
れ、検知電流一定（ＨＶＴ．ＯＵＴ１一定）となるよう
に制御され、転写ローラ１回転分の定電流制御が行われ
る。

【００９５】この定電流制御時に転写ローラ８の回転位
置と、そのときの印加電圧を対応させてＣＰＵ１２に記
憶させておく。ただし、転写ローラ８の回転位置は感光
体回転数と転写駆動ギアの関係から算出しておく。

【００９６】定電流制御が終了した後に転写ローラ８の
表面のクリーニング及び転写電荷による感光体上の履歴
をなくすために転写ローラ８には逆バイアスが印加され
る。

【００９７】その後、所定の設定が終了したらバイアス
はすべてＯＦＦされ感光体１も停止し、装置本体はＲＤ
Ｙ状態となる（定着条件を除く）。

【００９８】以上の前多回転中に装置本体へプリントス
タート信号が入力された場合には、前多回転終了後もし
くは定着ウォームアップ終了後すぐにプリント動作へ移
行し、前多回転中の結果Ｖ_O から算出されたプリント電
圧（Ｖ_T ＝Ｖ_O ＋１２００Ｖ）で定電圧制御を行う（前
回転制御削除）。

【００９９】また、装置がＲＤＹ状態となった後にしば
らくしてからプリント信号が入力された場合には、前多
回転時と同様な手順で定電流制御（抵抗検知制御）に移
り、前多回転時より短く設定した時間（例えば図のよう
に１／２回転）に定電流制御を行い、結果を前多回転時
のものと照合して変化量を求める。

【０１００】ただし、結果はローラ８の回転数から求め
られたローラ上の同じ位置での値と比較する。この時両
方の結果の誤差が±１５％内にあれば（±１５％の値は
トランスの出力誤差能力を見込んでおり、この範囲外で
は画像劣化も激しくなる）、すぐにプリント動作へ移行
する。もし２つの結果の差に±１５％以上の誤差が発生
した場合には引き続き定電流制御を１周分行ない、再度
Ｖ_O を算出し、プリント電圧Ｖ_T を決定する。

【０１０１】ここで、両方の結果の値の誤差が±５％以
上になるのは長時間にわたる通紙と放置が繰り返される
場合で、転写ローラ８の抵抗値が初期の値に比べて２〜
３倍になることが原因である。

【０１０２】しかし、転写ローラの抵抗値変化量が初期
の２〜３倍程度であることと、長時間通紙し続けた場合
であることから、１日のうちでＶ_O を変更しなければな
らない（転写ローラ１周分の抵抗検知を行ないＶ_O を算
出する）のは２〜３回程度であると考えられる。従っ
て、ほとんどの場合前回転における転写の抵抗値検知制
御は転写ローラ半周程度で済むので、転写バイアスの制
御シーケンスの簡略化と、ファーストプリントタイムの
短縮化が行なえる。

【０１０３】（２）例２（図３）本例は画像形成装置部１００及びバイアス印加系は前記
例１の図１と同様であるが、制御シーケンスを図３のよ
うにした。

【０１０４】即ち、図３は本例で行なう前回転時から後
回転終了時までの２枚連続プリント時の転写バイアス制
御シーケンスを表した図である。前多回転時の制御シー
ケンスは前述の例１と同じであるのでここでは説明は省
く。

【０１０５】プリント信号が装置本体へ入力されると、
給紙に連動して感光体１が回転し始め、転写クリーニン
グバイアス（負極性のバイアス）が印加される。これに
より転写ローラ表面のクリーニングと感光体表面の帯電
が行なわれる。

【０１０６】これは帯電ローラ２により均一に帯電され
た感光体表面が転写部位ａに到達するまで印加され続け
るが理想的には転写ローラの１回転分の所要時間と等し
くなることが良い（効率的なクリーニングと裏汚れ防
止）。

【０１０７】その後、前記例１と同様に転写ローラ８の
回転位置と印加電圧を対応させて短時間（例えば１／２
回転）の制御を行ない、前多回転中の結果と照合する。

【０１０８】前多回転時の結果と前回転時の結果が±１
５％以内に入るならば前記例１と同様にプリント動作へ
移行するが、±１５％をはずれるときには、その差分の
電圧分だけ前多回転中に決定したＶ_O 値に加算し、新た
にＶ_O 値を変更してＶ_O ′としプリント電圧Ｖ_T を算出
する。

【０１０９】例えば、前多回転中に測定し算出したＶ_O
が＋２０００Ｖであり、１／２回転分の制御で転写ロー
ラ上の同位置での測定結果より５００Ｖ高い値が測定さ
れたとすると、Ｖ_O （２０００ｖ）＋５００Ｖ＝２５０
０Ｖを改めてＶ_O ′として記憶し、そのＶ_O 値からＶ_T
を算出（Ｖ_T ＝Ｖ_O ′＋１２００Ｖ）して、プリント時
にＶ_T 定電圧制御をする。

【０１１０】更に、抵抗値検知の制度アップを行なうた
め、連続プリント時には紙間と後回転時、シングルプリ
ントでは後回転時に転写ローラ１回転以上の定電流制御
を行なってＶ_O ′値を補正し、再度、転写ローラ回転方
向の位置と抵抗値を記憶させる。そして次回転前回転時
には、これらの値を基に転写バイアスの設定が行なわれ
る。

【０１１１】以上の様な転写バイアスの制御を行なうこ
とで、ファーストプリントタイムの短縮化と、精度の向
上を図ることができる。

【０１１２】（３）例３（図４・図５）本例は画像形成装置部及びバイアス印加系は前記例１の
図１と同様である。本例では感光体１にはプラスメモリ
を発生しにくいものを使用している。以下に本例におけ
る制御要領を述べる。

【０１１３】最近の反転現像系のシステムにおいて、転
写による正電荷の影響を受けにくい、感光体の開発が進
んでいる。この感光体を使用して最も転写条件の厳しい
低温低湿環境下でＶ−Ｉ特性を見ると図４の様になる。

【０１１４】グラフ１は転写ローラ８の抵抗値（２ＫＶ
印加時に芯金とローラ表面間の抵抗）が５×１０⁹ Ωの
ものであり、グラフ２は１×１０⁹ Ω、グラフ３は２×
１０⁸ Ωのものである。

【０１１５】この図上において適正な転写が行なわれる
領域は斜線部分となる。よって斜線領域内の破線Ａ上で
定電流制御（抵抗検知制御）を行なうことによりＶ_O か
らＶ_T を求めることで発生していた算出誤差も縮められ
る。ただし使用できる転写ローラの抵抗値は限定される
（抵抗の低いものに限定有）。

【０１１６】具体的には破線ＡのＶ−Ｉ式をＣＰＵ上に
記憶させておき、前多回転時にこのライン（ＣＰＵ内の
設定式）に沿った制御を行ない、印加電圧をサンプリン
グして平均化し、Ｖ_T を決定するのである（１倍制
御）。

【０１１７】このときのバイアスシーケンスを表したの
が図５である。転写はまずクリーニングバイアスが印加
され、その後抵抗検知制御へ移行する。

【０１１８】抵抗検知制御は図４のテーブルで求められ
た破線Ａのグラフ上の式に基づいて行なわれ、その時の
発生電圧の平均からＶ_T を求める。その後再びクリーニ
ングバイアスに切り換えられ、所定の時間印加された後
にアース電位とする。

【０１１９】前多回転が終了すると装置本体がＲＤＹ状
態となり、プリント信号が入力された時点で前記例１・
例２と同様な短時間の抵抗検知制御に移る。ただしここ
でも破線Ａ上の制御であり、Ｖ_T 補正（例１・例２にお
けるＶ_O 補正）も例１・例２と同様な方法で行なう。

【０１２０】以上のように制御することで転写に適正な
電圧を安いコストで精度良く検知することができる。

【０１２１】以上の例１〜例３で説明した様に、接触帯
電手段について電圧制御時の出力値を検知する出力電流
検知手段を設けることにより、１）安定した精度の高い定電圧動作を行なえる２）回路構成が簡素化する３）転写シーケンスが簡素化する、目標とする出力電圧
を簡単に求めることができる、定電流制御を行なわなく
てよい４）転写制御上の自由度が大きい５）ファーストプリントタイムが速くなる６）コスト低下が望める等の種々の効果が得られ、非常に高品位な画像を出力す
ることが可能となる。

【０１２２】〈実施例２〉（図６〜図１３）本実施例は前記特許請求の範囲の請求項５に記載の発明
の実施例であり、前記発明が解決しようとしている課題
の項に記載した第２の目的を達成するものである。

【０１２３】（１）例１（図６〜図８）図６は本例の画像形成装置の概略構成を示すもので、基
本的には前述図１４の装置と同様であるから同一の構成
部材・部分には同じ符号を付して再度の説明を省略す
る。

【０１２４】転写ローラ８は、装置本体内にプロセスカ
ートリッジＣが正規に装着されているときは実線示のよ
うに感光体１の下面に加圧ばね８ｃの付勢力で押し当っ
た状態にあり、プロセスカートリッジＣが装置本体内か
ら取り外されたときは加圧ばね８ｃで２点鎖線示のよう
に実線示の位置よりも上位に持ち上げられた位置にな
る。

【０１２５】本例ではプロセスカートリッジＣの装置本
体内の有無を装置本体のメイン電源スイッチ投入後に検
知し、無しと判定された場合は転写定電流制御を行なわ
ないようにした。

【０１２６】プロセスカートリッジＣの有無検知方法と
して、本例ではカートリッジ検知センサ２７を配設して
いる。このセンサ２７は、例えば、装置本体側にフォト
インタラプタを設け、カートリッジ側に遮光用の突起を
設ける、装置本体側にボタン式スイッチを設けておき、
カートリッジの装着によりボタンが押されてスイッチが
入る構成のもの等が有効である。２８はカートリッジ検
知信号である。また露光部３の光学シャッターのＯＮ・
ＯＦＦ（開閉）信号２９を利用したり、光学シャッター
をフォトインタラプタの遮光板として利用し、ＯＮ・Ｏ
ＦＦの信号に代用する方法等が考えられる。

【０１２７】これらの信号はＣＰＵ３０へ入力され、転
写及び現像・帯電のバイアスを制御し、ＣＰＵ３０内に
おいてカートリッジ無の判定が行なわれると、電源３１
からのバイアス印加は行なわれない。従ってバイアスの
リークは発生しない。

【０１２８】図７は現像器５のトナー容器内のトナー残
量検知センサ３２をカートリッジ検知に利用した装置で
ある。

【０１２９】トナー残量検知はアンテナ方式であり、ト
ナーＴの残量は周知の通り現像剤担持体６と導電性ロッ
ド３３との間の容量で検知している。

【０１３０】そこでまず予めカートリッジＣが存在しな
い場合の容量を測定し、ＣＰＵ３０内に記憶させてお
く。装置本体のメイン電源スイッチが投入された直後に
この容量を検知し、ＣＰＵ３０内で判定を行ない、カー
トリッジＣが存在しないと判定されると、全てのバイア
ス印加を停止する。

【０１３１】ここでは、アンテナ式トナー残量検知方法
について述べたが、光学式、ピエゾ式、インダクタンス
式のいずれの場合においても同様に制御できる。

【０１３２】図８は印加バイアスの比較的に低い帯電ロ
ーラ２及び現像剤担持体６に流れる電流を電流検知回路
３４で検知することで、カートリッジＣの有無を判定さ
せ、転写の定電流制御を行なうか否かを判定する。

【０１３３】即ち、帯電ローラ２、現像剤担持体６に比
較的弱いバイアスを印加し、電流が流れないことを検知
してカートリッジがないことを判定する。

【０１３４】またこれらの他に現像剤塗布ローラ、帯電
器のグリッド（コロナ式帯電器）等に流れる電流を検知
しても構わないが、リークの発生が少なく、低電圧印加
でカートリッジ有無が判定できるものが良い。

【０１３５】以上の様にカートリッジの有無を検知する
ことによって転写及びその他のバイアス印加を停止させ
ることでリークの発生が防止できるため、リークにより
発生する装置本体誤動作防止と安全性の確保が達成され
る。

【０１３６】（２）例２（図９・図１０）本例はプロセスカートリッジＣは装置本体に存在してい
るが、転写ローラ８が装置本体に存在しない場合におけ
る転写バイアス給電部からのリーク防止を目的とし転写
ローラ８の有無を検知して、無い場合に定電流制御を行
なわないようにしたものである。

【０１３７】図９にその装置構成を、図１０にバイアス
制御シーケンスを示した。

【０１３８】図１０のシーケンスにおいて、まず装置本
体のメイン電源スイッチ投入後もしくはプリントスター
ト信号が装置本体へ入った直後に、一連の転写ローラ
（抵抗検知シーケンス（抵抗検知１，２）を行なう。

【０１３９】本例ではこの一連のシーケンスの最初に行
なわれるクリーニングシーケンス（クリーニング，
）時に転写ローラ８の有無を検知し、転写ローラ無し
と判定した場合は後のバイアス印加を中止する。

【０１４０】クリーニングシーケンスは、トナー等に汚
れた転写ローラ８にプリント時とは逆極性のバイアス
（トナーと同極性）を印加して反発力によりトナーを転
写ローラ８表面から感光体１表面へ付着させてクリーニ
ングし、後に行なわれる転写ローラ８の抵抗値検知（抵
抗検知１，２）の精度を上げることと、プリント時の転
写材Ｐの裏汚れを防止することを目的としている。

【０１４１】またこの制御は０．５ＫＶ〜３ＫＶの定電
圧制御である。従って、図９に示したように、クリーニ
ングバイアス出力回路３５と、電流検知用の回路３４を
設け、その回路３４で検知される電流値の大きさによっ
て転写ローラ８の有無を判別する。

【０１４２】回路に転写ローラ有と判断できるだけの電
流が流れた場合、以後通常の抵抗検知のための定電流制
御へと移行し、プリント準備を行なう。

【０１４３】また、回路に電流がほとんど流れず転写ロ
ーラ８が有と判定できない場合には以後の転写のバイア
ス印加は中止する。

【０１４４】以上の様にクリーニングバイアス印加時に
転写ローラの有無を判定し、以後のバイアスシーケンス
に反映させることで転写ローラのない場合においても、
転写給電部へ高電圧が印加されないようにできるため基
板内や給電部から他の部材（転写前ガイド７、除電針２
５、感光体１等）へのリーク防止を行なうことができ、
これによる装置本体誤動作及び基板の破損を防ぐことが
可能となる。また電気的に十分な安全性を確保すること
ができる。

【０１４５】（３）例３（図１１・図１２）本例においては前述例２と同様に、転写部へ流れる電流
によって転写ローラ８の有無を判定する。本例の特徴は
クリーニングシーケンス後の転写ローラ８の抵抗検知の
ための定電流制御直前に転写ローラ有無の判定のための
シーケンスを導入したことにある。

【０１４６】本例の装置構成は前述例２の図９と同様で
あり、これに少なくとも転写正バイアス発生回路、負バ
イアス発生回路、転写電流検知回路を持つ。そのシーケ
ンスは図１１に示した通りになる。

【０１４７】まず装置本体のメイン電源スイッチ後また
は装置本体にプリント信号か入力された後に、電源３１
（図９）のクリーニングバイアス出力回路３５からクリ
ーニングバイアス（−０．５〜−２ＫＶ）が転写ローラ
８へ印加される。クリーニングバイアスは比較的低電圧
であるので、転写ローラ８がなくてもその給電部から他
部材へのリークは発生しない。

【０１４８】次に転写ローラ８の抵抗値を検知するため
のプラスの定電流制御に移るが、このとき装置本体に転
写ローラ８が設置されている場合にはその容量成分の影
響により電流のオーバーシュートが発生し、転写電流検
知回路３４で検知される。ここではオーバーシュートが
発生させ検知のために−２ＫＶのクリーニングバイアス
から＋５００Ｖ定電圧に切り換えて５００msec持つシー
ケンスを行なっている。ただし、＋５００ｖである必要
はなく転写電流のオーバーシュート検知レベルに応じて
変えてもよい（例えば、−２ＫＶからアースにしたとき
０．３μＡ程度になる。）反対に転写ローラ８が設置さ
れていない場合にはこの電流のオーバーシュートは発生
しない。

【０１４９】従って、オーバーシュートの現われる大き
さを考慮して検知レベルを設定すれば、転写ローラの有
無の判別が可能となる。図１２に転写電流のオーバーシ
ュートを検知したときの波形を示した。この図から１μ
Ａに検知レベルを設定すれば、転写ローラが設置されて
いることが判別される。

【０１５０】このような制御を行なうことにより、前述
のようなリーク防止の効果が得られ、回路に電流検知回
路を加えることで達せられるため比較的容易に行なえ
る。

【０１５１】（４）例４（図１３）本例は図１３のように転写ローラ８の加圧バネ８ｃとば
ね受８ｅとの間に絶縁体３６を介して圧力センサ３７を
配設して、装置本体にプロセスカートリッジＣが装着さ
れていて転写ローラ８が感光体１の下面に圧接状態にあ
るときの圧力センサ３７の検知圧力と、プロセスカート
リッジＣが装置本体から外されているときの圧力センサ
３７の検知圧力と、加圧ローラ８が装着されていないと
きの圧力センサ３７の検知圧力の変化によりＣＰＵ３０
内でプロセスカートリッジＣの有無、転写ローラ８の有
無を判定し、この結果をもとに転写ローラに対するバイ
アスを印加するか否かを決定させるようにしたものであ
る。

【０１５２】この様に構成することにより、少なくとも
転写ローラなしの状態で定電流制御を行なって、転写部
へ高電圧が印加されることも防止される。

【０１５３】以上の例１〜例４に説明したように、プロ
セスカートリッジＣ又は転写部材（転写ローラ）８の有
無を検知し、カートリッジＣもしくは転写部材８がない
ときには転写部材の抵抗検知手段である定電流制御を行
なわないことで、転写部に最大高圧出力がかかることが
なくなる。このためバイアスのリークやそれによる装置
本体の誤動作が防止され、電気的安全性も向上する。

【０１５４】なお実施例の画像形成装置は電子写真プロ
セス利用のものであるが像担持体に対する作像プロセス
は適宜である。接触転写手段は転写ローラに限らず、転
写ベルト等であってもよい。

【０１５５】

【発明の効果】以上のように本発明に依れば、接触転写
手段により像担持体から転写材への像転写を行なう画像
形成装置について、転写バイアス出力回路の、回路構成
・シーケンスの簡素化を図ることができ、かつ安定な転
写高圧出力を得ることができ、装置の高精細化・高スピ
ード化（ファーストプリントタイムの短縮化）に対応す
ることが可能となった。

【０１５６】装置に対してプロセスカートリッジもしく
は接触転写手段が装着されていない場合には転写バイア
ス印加シーケンスが中止されるから、転写バイアスが他
の部分へリークすることが防止され、装置の誤動作防
止、電気安全性の確保がなされる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例における例１の画像形成装置
（レーザビームプリンタ）の概略構成と、バイアス印加
系のブロック図

【図２】制御シーケンス図

【図３】例２の装置の制御シーケンス図

【図４】低温低湿環境下における転写Ｖ−Ｉ特性図

【図５】例３の装置の制御シーケンス図

【図６】第２の実施例における例１の装置の概略構成
図

【図７】他の装置構成の概略図

【図８】更に他の装置構成の概略図

【図９】例２の装置の概略構成図

【図１０】バイアス制御シーケンス図

【図１１】例３の装置のバイアス制御シーケンス図

【図１２】転写電流のオーバーシュートを検知した時
の波形図

【図１３】例４の装置の概略構成図

【図１４】接触転写手段を用いた画像形成装置の一例
の概略構成図

【図１５】転写ローラを使用した場合のＨ／Ｈ，Ｎ／
Ｎ，Ｌ／Ｌの各環境下でのＶ−Ｉ特性図

【図１６】 A.T.V.C.制御を行なった場合のＨ／Ｈ，Ｎ
／Ｎ，Ｌ／Ｌの各環境下での転写バイアス図

【図１７】従来のA.T.V.C.制御のブロック回路図

【図１８】制御シーケンス図

【符号の説明】

１像担持体（感光体ドラム）２帯電ローラ３レーザスキャナ５現像器６現像剤担持体（現像スリーブ、現像ローラ）８転写ローラ９クリーニング装置Ｐ転写材

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】像担持体に接触させた接触転写手段を有
し、該接触転写手段に転写バイアスを印加し、該像担持
体と該接触転写手段との接触部である転写部位に転写材
を導入通過させることで像担持体側に形成担持させた可
転写像を転写材側へ転写させて画像形成物を得る画像形
成装置であり、前記接触転写手段を定電圧制御する電圧制御手段と、該電圧制御手段による定電圧制御時の出力電流値を検知
する出力電流検知手段と、前記出力電流値が所望の値に達しているか否か判断する
判断手段と、該判断手段に基づく定電圧出力値と、前記出力電流検知
手段からの入力演算結果より、前記接触転写部材への出
力電圧を決定する処理手段を有する転写バイアス出力回
路を具備し、前記接触転写手段の回転方向の抵抗値分布を画像形成装
置のプリント動作直前に検知して接触転写手段への印加
転写バイアスを決定することを特徴とする画像形成装
置。
【請求項２】画像形成装置の初期設定時の検知値と、
プリント動作直前の検知値との比が所定以上であったと
きプリント電圧を補正することを特徴とする請求項１に
記載の画像形成装置。
【請求項３】２枚以上の連続プリント時の紙間で接触
転写手段の抵抗検知補正制御を行なうことを特徴とする
請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】プリント後から転写材が排出部へ排出さ
れるまでの像担持体後回転時に接触転写手段の抵抗値分
布検知を行なうことを特徴とする請求項１又は同２に記
載の画像形成装置。
【請求項５】像担持体に接触させた接触転写手段を有
し、該接触転写手段に転写バイアスを印加し、該像担持
体と該接触転写手段との接触部である転写部位に転写材
を導入通過させることで像担持体側に形成担持させた可
転写像を転写材側へ転写させて画像形成物を得る画像形
成装置であり、転写バイアス出力回路を具備し、装置の
電源投入後、接触転写手段の抵抗値検知のための接触転
写手段の定電流制御実施までの間に、装置にプロセスカ
ートリッジもしくは接触転写手段が存在しているか否か
を検知する手段を有し、無しと判定された場合は転写バ
イアス出力回路の以降の転写バイアス印加シーケンスを
中止させることを特徴とする画像形成装置。