JPH05297367A - 液晶表示装置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダ - Google Patents
液晶表示装置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダInfo
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- JPH05297367A JPH05297367A JP4122577A JP12257792A JPH05297367A JP H05297367 A JPH05297367 A JP H05297367A JP 4122577 A JP4122577 A JP 4122577A JP 12257792 A JP12257792 A JP 12257792A JP H05297367 A JPH05297367 A JP H05297367A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＶＴＲ一体形カメラ又はＴＶカメラにおける
使用に適した小形軽量で消費電力の少ない液晶表示装置
及びこの装置を用いたビューファインダを提供する。 【構成】 １対の透明基板１の間に液晶層３をはさんで
構成した液晶パネル１０の裏面に光拡散板１１を取付
け、さらに外部光をこの光拡散板１１に導入する手段１
２を設ける。
使用に適した小形軽量で消費電力の少ない液晶表示装置
及びこの装置を用いたビューファインダを提供する。 【構成】 １対の透明基板１の間に液晶層３をはさんで
構成した液晶パネル１０の裏面に光拡散板１１を取付
け、さらに外部光をこの光拡散板１１に導入する手段１
２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一対の透明基板の間に
液晶層を挟んで構成した液晶パネルから成る液晶表示装
置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダに関
する。
液晶層を挟んで構成した液晶パネルから成る液晶表示装
置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダに関
する。
【０００２】
【従来の技術】通常、透過光を使用する液晶表示装置
は、裏面側に光源としてバックライトが設けられてい
る。液晶表示装置を使用する使用環境が明るい場合、外
部光の影響を受けて液晶表示装置は所望のコントラスト
を得難いので、バックライトが必要となる。また使用環
境が暗い場合には、透過光を必要とするので、より明る
いバックライトが必要となる。その上、従来の液晶表示
装置は偏光板を必要とし、透過光の利用効率が低下する
ので、かなり光強度の強いバックライトを必要とし、そ
のためかなりの電力を必要としていた。一方、従来、Ｖ
ＴＲ一体型カメラ及びＴＶカメラのビューファインダに
は、ＣＲＴが使用されていたので、カメラの小形軽量化
が難しかった。最近ビューファインダのためＣＲＴに代
って液晶表示装置が使われるようになっているが、前記
の理由からバックライトを必要とするため、小形軽量化
は思った程には達成されていない。さらにバックライト
の消費電力が大きいので、省電力も思った程には進んで
いない。
は、裏面側に光源としてバックライトが設けられてい
る。液晶表示装置を使用する使用環境が明るい場合、外
部光の影響を受けて液晶表示装置は所望のコントラスト
を得難いので、バックライトが必要となる。また使用環
境が暗い場合には、透過光を必要とするので、より明る
いバックライトが必要となる。その上、従来の液晶表示
装置は偏光板を必要とし、透過光の利用効率が低下する
ので、かなり光強度の強いバックライトを必要とし、そ
のためかなりの電力を必要としていた。一方、従来、Ｖ
ＴＲ一体型カメラ及びＴＶカメラのビューファインダに
は、ＣＲＴが使用されていたので、カメラの小形軽量化
が難しかった。最近ビューファインダのためＣＲＴに代
って液晶表示装置が使われるようになっているが、前記
の理由からバックライトを必要とするため、小形軽量化
は思った程には達成されていない。さらにバックライト
の消費電力が大きいので、省電力も思った程には進んで
いない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、Ｖ
ＴＲ一体形カメラ又はＴＶカメラにおける使用に適する
ような小形軽量で、かつ電力消費量の少ない液晶表示装
置及びこの装置を用いたビューファインダを提供するこ
とを目的とする。
ＴＲ一体形カメラ又はＴＶカメラにおける使用に適する
ような小形軽量で、かつ電力消費量の少ない液晶表示装
置及びこの装置を用いたビューファインダを提供するこ
とを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
一対の透明基板の間に液晶層を挟んで構成した液晶表示
装置において、外部光を導入する導入手段と、この導入
手段により導入された光を拡散する光拡散手段と、この
光拡散手段により拡散された光が照射される液晶パネル
とを具備させることにより前記目的を達成する。請求項
２記載の発明は、液晶層に高分子分散液晶を用いること
として前記目的を達成する。請求項３記載の発明は、請
求項１及び請求項２記載の液晶表示装置を用いたビュー
ファインに、液晶表示装置からの光以外の光を遮光する
遮光手段が備えられ、この遮光手段の一端に液晶パネル
を取り付ることとして前記目的を達成する。
一対の透明基板の間に液晶層を挟んで構成した液晶表示
装置において、外部光を導入する導入手段と、この導入
手段により導入された光を拡散する光拡散手段と、この
光拡散手段により拡散された光が照射される液晶パネル
とを具備させることにより前記目的を達成する。請求項
２記載の発明は、液晶層に高分子分散液晶を用いること
として前記目的を達成する。請求項３記載の発明は、請
求項１及び請求項２記載の液晶表示装置を用いたビュー
ファインに、液晶表示装置からの光以外の光を遮光する
遮光手段が備えられ、この遮光手段の一端に液晶パネル
を取り付ることとして前記目的を達成する。
【０００５】
【作用】請求項１記載の液晶表示装置では、外部光が液
晶パネルの裏面に取り付けられた光拡散板へ導入され
る。請求項２記載の液晶表示装置では、液晶層に高分子
分散液晶を用いた液晶パネルにおいて、この液晶パネル
の裏面に取り付けられた光拡散板へ外部光が導入され
る。請求項３記載のビューファインダでは、遮光部材の
一端に液晶表示装置を取り付け、これにより液晶表示装
置の正面側の遮光が行われる。
晶パネルの裏面に取り付けられた光拡散板へ導入され
る。請求項２記載の液晶表示装置では、液晶層に高分子
分散液晶を用いた液晶パネルにおいて、この液晶パネル
の裏面に取り付けられた光拡散板へ外部光が導入され
る。請求項３記載のビューファインダでは、遮光部材の
一端に液晶表示装置を取り付け、これにより液晶表示装
置の正面側の遮光が行われる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の液晶表示装置及びこの液晶表
示装置を用いたビューファインダにおける一実施例を図
１ないし図３を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明による液晶表示装置に使用する液晶パネルを示してい
る。この図に示すように、絶縁体から成る透明基板１
は、ガラス板、プラスチック板又はフレキシブルなプラ
スチックフィルムから成る。透明基板１上に液晶表示用
透明電極２として、ＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ，ＺｎＯ：Ｓ
ｌ，ＳｎＯ2 ：Ｓｂのような透明電極材料を、スパッタ
リング蒸着、ＣＶＤ法等の方法で、数百Å〜数μｍの厚
さに堆積させ、所定のパターンにパターニングする。こ
の時、透明基板１が単純マトリクス用基板であれば、透
明電極２をストライプ状にパターニングすればよい。ま
た、透明基板１がアクティブマトリクス用基板１であれ
ば、透明電極２をパターニングした後、各画素電極４毎
に能動素子５（スイッチング素子）と共通電極６を設け
るようにする。
示装置を用いたビューファインダにおける一実施例を図
１ないし図３を参照して詳細に説明する。図１は、本発
明による液晶表示装置に使用する液晶パネルを示してい
る。この図に示すように、絶縁体から成る透明基板１
は、ガラス板、プラスチック板又はフレキシブルなプラ
スチックフィルムから成る。透明基板１上に液晶表示用
透明電極２として、ＩＴＯ、ＺｎＯ：Ａｌ，ＺｎＯ：Ｓ
ｌ，ＳｎＯ2 ：Ｓｂのような透明電極材料を、スパッタ
リング蒸着、ＣＶＤ法等の方法で、数百Å〜数μｍの厚
さに堆積させ、所定のパターンにパターニングする。こ
の時、透明基板１が単純マトリクス用基板であれば、透
明電極２をストライプ状にパターニングすればよい。ま
た、透明基板１がアクティブマトリクス用基板１であれ
ば、透明電極２をパターニングした後、各画素電極４毎
に能動素子５（スイッチング素子）と共通電極６を設け
るようにする。
【０００７】ここで、能動素子５は、例えば、ｎ−Ｓ
ｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等を用いたＴＦＴ素子や絶縁層とし
て硬質炭素膜、ＳｉＮx 、ＳｉＣ、Ｔｎz Ｏs 、Ａｌ 2
Ｏ3 などを用いたＭＩＭ素子、ＭＳＩ素子や、ＰＩＮダ
イオード、バックツウバックダイオード、バリスタ等を
用いる。このような能動素子には、ＴＦＴのような三端
子素子や、導体−絶縁体−導体（ＭＩＭ）素子のような
二端子素子があるが、その構造、作成方法の容易さから
ＭＩＭ素子が有利である。特に、ＭＩＭ素子の絶縁層に
硬質炭素膜を使用した場合、硬質炭素膜の製造方法およ
び膜質より大面積かつ欠陥の少ない高品質の液晶表示装
置の作成が可能となる。また、共通電極６には、透明電
極材料もＡｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の高導電材料を用い、スパッ
タリング蒸着、ＣＶＤ法等の方法により数百Åから数μ
ｍ堆積させ、パターニングする。このような透明基板１
は、同様に製造された他の透明基板１と、液晶層３の両
面で対向配置されている。
ｉ、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ等を用いたＴＦＴ素子や絶縁層とし
て硬質炭素膜、ＳｉＮx 、ＳｉＣ、Ｔｎz Ｏs 、Ａｌ 2
Ｏ3 などを用いたＭＩＭ素子、ＭＳＩ素子や、ＰＩＮダ
イオード、バックツウバックダイオード、バリスタ等を
用いる。このような能動素子には、ＴＦＴのような三端
子素子や、導体−絶縁体−導体（ＭＩＭ）素子のような
二端子素子があるが、その構造、作成方法の容易さから
ＭＩＭ素子が有利である。特に、ＭＩＭ素子の絶縁層に
硬質炭素膜を使用した場合、硬質炭素膜の製造方法およ
び膜質より大面積かつ欠陥の少ない高品質の液晶表示装
置の作成が可能となる。また、共通電極６には、透明電
極材料もＡｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｔｉ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の高導電材料を用い、スパッ
タリング蒸着、ＣＶＤ法等の方法により数百Åから数μ
ｍ堆積させ、パターニングする。このような透明基板１
は、同様に製造された他の透明基板１と、液晶層３の両
面で対向配置されている。
【０００８】このように対向配置されている透明基板１
の間に液晶を封入することにより液晶パネルを製造する
が、従来のように、ＴＮ液晶及びＳＴＮ液晶として液晶
パネルを構成する場合には、液晶層３と各透明基板１の
間にポリイミドのような偏光板である配向材８を設け、
ラビング処理を行っていた。このため、光の利用率が悪
く外部環境によっては、表示コントラストが得られない
場合があった。
の間に液晶を封入することにより液晶パネルを製造する
が、従来のように、ＴＮ液晶及びＳＴＮ液晶として液晶
パネルを構成する場合には、液晶層３と各透明基板１の
間にポリイミドのような偏光板である配向材８を設け、
ラビング処理を行っていた。このため、光の利用率が悪
く外部環境によっては、表示コントラストが得られない
場合があった。
【０００９】そこで、本実施例では、高分子分散液晶を
使用して液晶パネルを製造する。ここで、高分子分散液
晶は、液晶と高分子を組合わせたものであり、次の２つ
のタイプのものがある。 １．液晶が球状小滴に包まれて、高分子マトリクス中に
分散しているもの。 ２．３次元網状高分子マトリクスの空隙部に液晶が連続
相として含まれているもの。 従って、このように、高分子分散液晶を使用して液晶パ
ネルを製造する場合には、偏光板である配向材８を排除
することができ、光の利用率が向上し、表示コントラス
トも向上することになる。従って、明るく視野角が広い
液晶表示装置が得られることになる。さらに、応答速度
が早いという利点も有することになる。
使用して液晶パネルを製造する。ここで、高分子分散液
晶は、液晶と高分子を組合わせたものであり、次の２つ
のタイプのものがある。 １．液晶が球状小滴に包まれて、高分子マトリクス中に
分散しているもの。 ２．３次元網状高分子マトリクスの空隙部に液晶が連続
相として含まれているもの。 従って、このように、高分子分散液晶を使用して液晶パ
ネルを製造する場合には、偏光板である配向材８を排除
することができ、光の利用率が向上し、表示コントラス
トも向上することになる。従って、明るく視野角が広い
液晶表示装置が得られることになる。さらに、応答速度
が早いという利点も有することになる。
【００１０】次に、高分子分散液晶を使用して液晶パネ
ルを製造する手順を説明する。 第一の方法 透明基板１には、パイレックス基板を用い、ＩＴＯを８
００Åマグネットロンスパッタ法を用いて堆積させ、パ
ターン化して画素電極４を形成する。次に、能動素子５
として、硬質炭素膜を使用したＭＩＭ素子を以下のよう
に設ける。まず、透明基板１の画素電極上に、蒸着法に
より、Ａｌを８００Å厚に堆積した後、パターン化して
下部電極を形成する。その上に、プラズマＣＶＤ法によ
り絶縁膜として硬質炭素膜を２２００Å厚に堆積した
後、ドライエッチングによりパターン化する。さらに、
蒸着法により、各硬質炭素絶縁膜上にＮｉを１０００Å
厚に堆積した後、パターン化して上部電極２を形成す
る。
ルを製造する手順を説明する。 第一の方法 透明基板１には、パイレックス基板を用い、ＩＴＯを８
００Åマグネットロンスパッタ法を用いて堆積させ、パ
ターン化して画素電極４を形成する。次に、能動素子５
として、硬質炭素膜を使用したＭＩＭ素子を以下のよう
に設ける。まず、透明基板１の画素電極上に、蒸着法に
より、Ａｌを８００Å厚に堆積した後、パターン化して
下部電極を形成する。その上に、プラズマＣＶＤ法によ
り絶縁膜として硬質炭素膜を２２００Å厚に堆積した
後、ドライエッチングによりパターン化する。さらに、
蒸着法により、各硬質炭素絶縁膜上にＮｉを１０００Å
厚に堆積した後、パターン化して上部電極２を形成す
る。
【００１１】また、対向基板１として、プラスチックフ
ィルム上、スパックリング法によりＩＴＯを１０００Å
厚に堆積し、ストライプ状にパターン化して共通画素電
極４を形成する。さらに外側にカラーフィルタを設け
る。次に、これらの基板を各画素電極側を内側にして対
向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、さらに、こう
して形成されたセル内に高分子分散液晶材料を封入す
る。以上により、液晶パネルが作成される。この時、高
分子は、ポリアミドアクリレートを使用し、液晶は、マ
イクロカプセル中に入れる。この時、ＭＩＭ素子に用い
た硬質炭素の成膜条件は、圧力については、０．０３
（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量については、１０（ＳＣＣ
Ｍ）、ＲＦパワーについては、０．２（Ｗ／ｃｍ2 ）、
温度については、室温である。
ィルム上、スパックリング法によりＩＴＯを１０００Å
厚に堆積し、ストライプ状にパターン化して共通画素電
極４を形成する。さらに外側にカラーフィルタを設け
る。次に、これらの基板を各画素電極側を内側にして対
向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、さらに、こう
して形成されたセル内に高分子分散液晶材料を封入す
る。以上により、液晶パネルが作成される。この時、高
分子は、ポリアミドアクリレートを使用し、液晶は、マ
イクロカプセル中に入れる。この時、ＭＩＭ素子に用い
た硬質炭素の成膜条件は、圧力については、０．０３
（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量については、１０（ＳＣＣ
Ｍ）、ＲＦパワーについては、０．２（Ｗ／ｃｍ2 ）、
温度については、室温である。
【００１２】第二の方法 透明基板１にはパイレックス基板を用い、ＩＴＯを１０
００Åマグネットロンスパッタ法を用いて堆積させ、パ
ターン化して画素電極４を形成する。次に、能動素子５
として硬質炭素膜を使用したＭＩＭ素子を以下のように
設ける。まず、基板の画素電極上に、蒸着法により、Ａ
ｌを８００Å厚に堆積させた後、パターン化する。さら
に、各硬質炭素絶縁膜上に、蒸着法によりＮｉを１２０
０Å厚に堆積させた後、パターン化して上部電極を形成
する。そして、対向基板１として、パイレックス基板上
にＩＴＯをスパックリング法により１０００Å厚に堆積
させ、ストライプ状にパターン化して共通画素電極４を
形成する。これらの基板の上に配向膜としてポリイミド
膜を形成し、ラビング処理を行う。
００Åマグネットロンスパッタ法を用いて堆積させ、パ
ターン化して画素電極４を形成する。次に、能動素子５
として硬質炭素膜を使用したＭＩＭ素子を以下のように
設ける。まず、基板の画素電極上に、蒸着法により、Ａ
ｌを８００Å厚に堆積させた後、パターン化する。さら
に、各硬質炭素絶縁膜上に、蒸着法によりＮｉを１２０
０Å厚に堆積させた後、パターン化して上部電極を形成
する。そして、対向基板１として、パイレックス基板上
にＩＴＯをスパックリング法により１０００Å厚に堆積
させ、ストライプ状にパターン化して共通画素電極４を
形成する。これらの基板の上に配向膜としてポリイミド
膜を形成し、ラビング処理を行う。
【００１３】続いて、これらの基板を各画素電極側をを
内側にして対向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、
さらに、こうして形成されたセル内に市販の液晶材料を
封入する。以上により、液晶パネルが作成される。この
時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件は、圧力に
ついては、０．０５（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量について
は、１０（ＳＣＣＭ）、ＲＦパワーについては、０．３
（Ｗ／ｃｍ2 ）、温度については、室温である。
内側にして対向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、
さらに、こうして形成されたセル内に市販の液晶材料を
封入する。以上により、液晶パネルが作成される。この
時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件は、圧力に
ついては、０．０５（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量について
は、１０（ＳＣＣＭ）、ＲＦパワーについては、０．３
（Ｗ／ｃｍ2 ）、温度については、室温である。
【００１４】第三の方法 透明基板にパイレックス基板を用い、ＩＴＯを９００Å
スパッタ法を用い堆積させ、ストライプ状にパターニン
グする。この基板を２枚貼り合わせ、セル内に高分子分
散液晶を封入する。このとき、高分子は２官能性アクリ
レートを用い、液晶は、ドロップレット状にさせる。以
上により、液晶パネルが作成される。図２は、以上の手
順で製造された液晶パネル１０を使用した本発明による
液晶表示装置を示している。
スパッタ法を用い堆積させ、ストライプ状にパターニン
グする。この基板を２枚貼り合わせ、セル内に高分子分
散液晶を封入する。このとき、高分子は２官能性アクリ
レートを用い、液晶は、ドロップレット状にさせる。以
上により、液晶パネルが作成される。図２は、以上の手
順で製造された液晶パネル１０を使用した本発明による
液晶表示装置を示している。
【００１５】図２の（ａ）は、光を垂直方向から導入す
る場合の液晶表示装置を示すものである。この図に示す
ように、本発明の液晶表示装置は、液晶パネル１０の裏
面側に光拡散板１１を付け、図示していない光導入手段
を用いて垂直方向に光を導入する構成としたものであ
る。一方、図２の（ｂ）は、光を平行方向から導入する
場合の液晶表示装置を示すものである。この図に示すよ
うに、本発明の液晶表示装置は、液晶パネル１０の裏面
側に光拡散板１１を付ける。これに、透明光導入板１２
を取り付けており、図中上部に光導入開口部１３及び透
明光導入板１２の他の面にある反射層１４から光を導入
する構成となっている。
る場合の液晶表示装置を示すものである。この図に示す
ように、本発明の液晶表示装置は、液晶パネル１０の裏
面側に光拡散板１１を付け、図示していない光導入手段
を用いて垂直方向に光を導入する構成としたものであ
る。一方、図２の（ｂ）は、光を平行方向から導入する
場合の液晶表示装置を示すものである。この図に示すよ
うに、本発明の液晶表示装置は、液晶パネル１０の裏面
側に光拡散板１１を付ける。これに、透明光導入板１２
を取り付けており、図中上部に光導入開口部１３及び透
明光導入板１２の他の面にある反射層１４から光を導入
する構成となっている。
【００１６】次に、液晶表示装置を用いたビューファイ
ンダの構成を図３を参照して説明する。図３（ａ）に示
すように、ビューファインダの液晶パネルの裏面側に光
拡散板１１が取り付けられいる。この一方、正面側には
筒状遮光部材１５が取り付けられている。また、液晶パ
ネル１０には垂直方向に光が導入されるようになってい
る。この図に示すように、液晶パネル１０の正面は筒状
遮光部材１５の内部に向けられているので、遮光部材１
５の他端の開口部に目を近付ければ、液晶パネル１０の
正面側へは、ほとんど外部光が侵入しないようになる。
また、図３（ｂ）に示すように、ビューファインダの液
晶パネル１０には、光拡散板１１が取り付けられ、この
光拡散板１１には、透明光導入板１２、開口部１３及び
反射層１４を有する。以下このようなビューファインダ
の作成手順を説明する。
ンダの構成を図３を参照して説明する。図３（ａ）に示
すように、ビューファインダの液晶パネルの裏面側に光
拡散板１１が取り付けられいる。この一方、正面側には
筒状遮光部材１５が取り付けられている。また、液晶パ
ネル１０には垂直方向に光が導入されるようになってい
る。この図に示すように、液晶パネル１０の正面は筒状
遮光部材１５の内部に向けられているので、遮光部材１
５の他端の開口部に目を近付ければ、液晶パネル１０の
正面側へは、ほとんど外部光が侵入しないようになる。
また、図３（ｂ）に示すように、ビューファインダの液
晶パネル１０には、光拡散板１１が取り付けられ、この
光拡散板１１には、透明光導入板１２、開口部１３及び
反射層１４を有する。以下このようなビューファインダ
の作成手順を説明する。
【００１７】第１の方法 透明基板１にはプラスチック基板を用い、この基板上両
面にＳｉＯX を４０００Å両面コートし、次にＩＴＯを
１０００Åマグネトロンスパッタ法を用い堆積させ、パ
ターン化して画素電極４を形成する。次に、能動素子５
として硬質炭素膜を使用したＭＩＭ素子を以下のように
設けた。まず、基板の画素電極上に、蒸着法によりＡｌ
を６００Å厚に堆積した後、パターン化して下部電極を
形成する。その上に、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜
として硬質炭素膜を１１００Å厚に堆積させた後、ドラ
イエッチングによりパターン化する。さらに、各硬質炭
素絶縁膜上に、蒸着法により、Ｎｉを１０００Å厚に堆
積させた後パターン化して上部電極２を形成する。次
に、他方の対向基板１として、フレキシブルプラスチッ
クフィルム基板上に、スパッタリング法により、ＩＴＯ
を１０００Å厚に堆積し、ストライプ状にパターン化し
て共通画素電極４を形成する。これらの基板の上に配向
膜としてポリイミド膜を形成し、ラビング処理を行う。
面にＳｉＯX を４０００Å両面コートし、次にＩＴＯを
１０００Åマグネトロンスパッタ法を用い堆積させ、パ
ターン化して画素電極４を形成する。次に、能動素子５
として硬質炭素膜を使用したＭＩＭ素子を以下のように
設けた。まず、基板の画素電極上に、蒸着法によりＡｌ
を６００Å厚に堆積した後、パターン化して下部電極を
形成する。その上に、プラズマＣＶＤ法により、絶縁膜
として硬質炭素膜を１１００Å厚に堆積させた後、ドラ
イエッチングによりパターン化する。さらに、各硬質炭
素絶縁膜上に、蒸着法により、Ｎｉを１０００Å厚に堆
積させた後パターン化して上部電極２を形成する。次
に、他方の対向基板１として、フレキシブルプラスチッ
クフィルム基板上に、スパッタリング法により、ＩＴＯ
を１０００Å厚に堆積し、ストライプ状にパターン化し
て共通画素電極４を形成する。これらの基板の上に配向
膜としてポリイミド膜を形成し、ラビング処理を行う。
【００１８】続いて、これらの基板を各画素電極側を内
側にして対向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、さ
らに、こうして形成されたセル内に市販の液晶材料を封
入する。以上により、液晶パネルが作成される。この
時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件は、圧力に
ついては、０．０５（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量について
は、１０（ＳＣＣＭ）、ＲＦパワーについては、０．３
（Ｗ／ｃｍ2 ）、温度については、室温である。この液
晶パネルの裏面に光拡散板１１を取付ける。そして、こ
の液晶パネルの正面側には筒状遮光部材１５を設けて、
ビューファインダを作成する。
側にして対向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、さ
らに、こうして形成されたセル内に市販の液晶材料を封
入する。以上により、液晶パネルが作成される。この
時、ＭＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件は、圧力に
ついては、０．０５（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量について
は、１０（ＳＣＣＭ）、ＲＦパワーについては、０．３
（Ｗ／ｃｍ2 ）、温度については、室温である。この液
晶パネルの裏面に光拡散板１１を取付ける。そして、こ
の液晶パネルの正面側には筒状遮光部材１５を設けて、
ビューファインダを作成する。
【００１９】第２の方法 透明基板としてパイレックスガラス基板上に次のように
してＭＩＭ素子を設ける。スパッタリング法により、Ｃ
ｒを１０００Å厚に堆積させた後、パターン化して下部
共通電極を形成する。次に、その上にＳｉＨ4 およびＮ
Ｈ3 からＰ−ＣＶＤ法により８００Å厚のＳｉＮX 膜を
形成した後、パターン化して上部電極を形成する。次
に、こうして形成されたＭＩＭ素子上に、スパッタリン
グ法でＩＴＯを５００Å厚に堆積させた後、パターン化
して画素電極を形成する。続いて、対向基板としてパイ
レックス基板を用い、スパッタリング法でＩＴＯを５０
０Å厚に堆積させた後、ストライプ状にパターン化して
共通画素電極を形成３る。さらに、これらの基板をギャ
ップ材を介して張り合わせた後、市販の液晶材料を封入
することにより、液晶パネルを作成する。この液晶パネ
ルの裏面に光拡散板１１を取り付ける。そして、この液
晶パネルの正面側には筒状遮光部材１５を設けて、ビュ
ーファインダを作成する。
してＭＩＭ素子を設ける。スパッタリング法により、Ｃ
ｒを１０００Å厚に堆積させた後、パターン化して下部
共通電極を形成する。次に、その上にＳｉＨ4 およびＮ
Ｈ3 からＰ−ＣＶＤ法により８００Å厚のＳｉＮX 膜を
形成した後、パターン化して上部電極を形成する。次
に、こうして形成されたＭＩＭ素子上に、スパッタリン
グ法でＩＴＯを５００Å厚に堆積させた後、パターン化
して画素電極を形成する。続いて、対向基板としてパイ
レックス基板を用い、スパッタリング法でＩＴＯを５０
０Å厚に堆積させた後、ストライプ状にパターン化して
共通画素電極を形成３る。さらに、これらの基板をギャ
ップ材を介して張り合わせた後、市販の液晶材料を封入
することにより、液晶パネルを作成する。この液晶パネ
ルの裏面に光拡散板１１を取り付ける。そして、この液
晶パネルの正面側には筒状遮光部材１５を設けて、ビュ
ーファインダを作成する。
【００２０】第３の方法 透明基板には、パイレックス基板を用い、画素電極とし
てＩＴＯを１０００ÅＥ．Ｂ．蒸着法により堆積させた
後、パターニングを行う。次に、下部電極としてＡｌを
蒸着法により１０００Å堆積させた後、パターニングす
る。続いて、硬質炭素膜をプラズマＣＶＤ法で２０００
Å堆積させた後、ドライエッチングによりパターン化す
る。さらに上部電極としてＮｉをＥ．Ｂ．蒸着法により
１５００Å堆積させた後、パターニングする。次に、パ
イレックス基板上に、スパッタリング法により、他方の
透明基板としてＩＴＯを１０００Å厚に堆積させた後、
ストライプ状にパターン化して共通画素電極を形成し
た。そして、これらの基板を各画素電極側を内側にして
対向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、さらに、こ
うして形成されたセル内に高分子分散液晶材料を封入す
ることにより液晶パネルを作成する。
てＩＴＯを１０００ÅＥ．Ｂ．蒸着法により堆積させた
後、パターニングを行う。次に、下部電極としてＡｌを
蒸着法により１０００Å堆積させた後、パターニングす
る。続いて、硬質炭素膜をプラズマＣＶＤ法で２０００
Å堆積させた後、ドライエッチングによりパターン化す
る。さらに上部電極としてＮｉをＥ．Ｂ．蒸着法により
１５００Å堆積させた後、パターニングする。次に、パ
イレックス基板上に、スパッタリング法により、他方の
透明基板としてＩＴＯを１０００Å厚に堆積させた後、
ストライプ状にパターン化して共通画素電極を形成し
た。そして、これらの基板を各画素電極側を内側にして
対向させ、ギャップ材を介して貼り合わせ、さらに、こ
うして形成されたセル内に高分子分散液晶材料を封入す
ることにより液晶パネルを作成する。
【００２１】このとき、高分子材料は、エポキシアクリ
レートを使用し、網目状構造を作成した。ここでの、Ｍ
ＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件は、圧力について
は、０．０２（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量については、２
０（ＳＣＣＭ）、ＲＦパワーについては、０．４（Ｗ／
ｃｍ2 ）、温度については、８０°Ｃである。この方法
により得られた液晶パネルの裏面に光拡散板１１を取り
付ける。そして、この液晶パネルの正面側に筒状遮光部
材１５を設け、ビューファインダとして作成した。
レートを使用し、網目状構造を作成した。ここでの、Ｍ
ＩＭ素子に用いた硬質炭素の成膜条件は、圧力について
は、０．０２（Ｔｏｒｒ）、ＣＨ4 流量については、２
０（ＳＣＣＭ）、ＲＦパワーについては、０．４（Ｗ／
ｃｍ2 ）、温度については、８０°Ｃである。この方法
により得られた液晶パネルの裏面に光拡散板１１を取り
付ける。そして、この液晶パネルの正面側に筒状遮光部
材１５を設け、ビューファインダとして作成した。
【００２２】第４の方法 一方の透明基板として石英基板上に能動素子としてＴＦ
Ｔを形成する。その形成方法は次の通りである。まず、
基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層を減圧ＣＶＤ法により基
板温度８５０°Ｃで２０００Å厚に堆積せしめ、その上
に３０００ÅのＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜を形成
し、その上に１０００Å厚のｐｏｌｙ−Ｓｉからなるゲ
ート電極を形成する。そして、その上にＡｌを３０００
Å厚に堆積させてソース・ドレイン電極を形成する。層
感絶縁膜は、８０００Å厚のＳｉＯ2 膜を形成する。ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ活性層への不純物拡散は塗布式不純物拡散
材を用いて行う方法や、イオン注入等による方法でも可
能である。ＴＦＴ作成後、ＩＴＯをスパッタリング法に
より８００Å厚に堆積した後、パターン化して画素電極
を形成する。対向基板にはバイレックス基板を用い、Ｉ
ＴＯをマグネトロンスパッタにより堆積し、所定のパタ
ーンにして共通透明画素電極を形成する。
Ｔを形成する。その形成方法は次の通りである。まず、
基板上にｐｏｌｙ−Ｓｉ活性層を減圧ＣＶＤ法により基
板温度８５０°Ｃで２０００Å厚に堆積せしめ、その上
に３０００ÅのＳｉＯ2 からなるゲート絶縁膜を形成
し、その上に１０００Å厚のｐｏｌｙ−Ｓｉからなるゲ
ート電極を形成する。そして、その上にＡｌを３０００
Å厚に堆積させてソース・ドレイン電極を形成する。層
感絶縁膜は、８０００Å厚のＳｉＯ2 膜を形成する。ｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ活性層への不純物拡散は塗布式不純物拡散
材を用いて行う方法や、イオン注入等による方法でも可
能である。ＴＦＴ作成後、ＩＴＯをスパッタリング法に
より８００Å厚に堆積した後、パターン化して画素電極
を形成する。対向基板にはバイレックス基板を用い、Ｉ
ＴＯをマグネトロンスパッタにより堆積し、所定のパタ
ーンにして共通透明画素電極を形成する。
【００２３】次に、基板の上に配光膜としてポリイミド
膜を形成しラビング処理を行う。続いて、これらの基板
を各画素電極を内側にして対向させ、ギャップ材を介し
て貼り合わせ、さらに、こうして形成されたセル内に市
販の液晶材料を封入することにより液晶パネルを作成す
る。このようにして作成した液晶パネルの裏面側に光拡
散板１１を取り付ける。そして、この液晶パネルの正面
側には筒状遮光部材１５が取り付けビューファインダと
した。
膜を形成しラビング処理を行う。続いて、これらの基板
を各画素電極を内側にして対向させ、ギャップ材を介し
て貼り合わせ、さらに、こうして形成されたセル内に市
販の液晶材料を封入することにより液晶パネルを作成す
る。このようにして作成した液晶パネルの裏面側に光拡
散板１１を取り付ける。そして、この液晶パネルの正面
側には筒状遮光部材１５が取り付けビューファインダと
した。
【００２４】
【発明の効果】本発明による液晶表示装置は、バックラ
イトを使用しないので、小形軽量に構成でき、かつ電力
消費量が少ない。しかも光の弱いところでも十分にコン
トラストの高い表示を行うことができる。この液晶表示
装置を用いたビューファインダも同じ効果を奏すること
ができる。
イトを使用しないので、小形軽量に構成でき、かつ電力
消費量が少ない。しかも光の弱いところでも十分にコン
トラストの高い表示を行うことができる。この液晶表示
装置を用いたビューファインダも同じ効果を奏すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例に使用する液晶パネルを一部
切欠いて示す斜視図である。
切欠いて示す斜視図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶表示装置を示す断
面図である。
面図である。
【図３】本発明の一実施例によるビューファインダを示
す断面図である。
す断面図である。
１ 透明基板 ２ 電極 ３ 液晶層 ４ 画素電極 ５ 能動素子 ６ 共通電極 ８ 配向材 ９ ギャップ材 １０ 液晶パネル １１ 光拡散板 １２ 透明光導入板 １３ 開口部 １４ 反射層 １５ 筒状遮光部材
フロントページの続き (72)発明者 亀山 健司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (3)
- 【請求項１】 一対の透明基板の間に液晶層を挟んで構
成した液晶表示装置において、 外部光を導入する導入手段と、 この導入手段により導入された光を拡散する光拡散手段
と、 この光拡散手段により拡散された光が照射される液晶パ
ネルとを具備することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 液晶層に高分子分散液晶を用いたことを
特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 液晶表示装置からの光以外の光を遮光す
る遮光手段が備えられ、 この遮光手段の一端に液晶パネルを取り付けたことを特
徴とする請求項１及び請求項２記載の液晶表示装置を用
いたビューファインダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122577A JPH05297367A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 液晶表示装置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4122577A JPH05297367A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 液晶表示装置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05297367A true JPH05297367A (ja) | 1993-11-12 |
Family
ID=14839355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4122577A Pending JPH05297367A (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 液晶表示装置及びこの液晶表示装置を用いたビューファインダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05297367A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0884896A1 (en) * | 1997-06-09 | 1998-12-16 | Bayer Corporation | A low power display for a digital image capture device. |
| CN113985654A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-01-28 | 合肥泰沃达智能装备有限公司 | 一种带有可控光导光板的显示装置 |
-
1992
- 1992-04-16 JP JP4122577A patent/JPH05297367A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0884896A1 (en) * | 1997-06-09 | 1998-12-16 | Bayer Corporation | A low power display for a digital image capture device. |
| CN113985654A (zh) * | 2021-10-21 | 2022-01-28 | 合肥泰沃达智能装备有限公司 | 一种带有可控光导光板的显示装置 |
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