JPH0529305A - 縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法 - Google Patents
縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法Info
- Publication number
- JPH0529305A JPH0529305A JP17854991A JP17854991A JPH0529305A JP H0529305 A JPH0529305 A JP H0529305A JP 17854991 A JP17854991 A JP 17854991A JP 17854991 A JP17854991 A JP 17854991A JP H0529305 A JPH0529305 A JP H0529305A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film
- substrate
- quartz boat
- vertical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】複数の薄膜生成装置を用いて半導体基板上に酸
化膜などの薄膜を形成したとき、膜質に異常があった場
合にどの装置で成膜したかの判別がつかないため、対応
に時間がかかる問題を解決する。 【構成】縦型の熱酸化装置あるいは減圧ＣＶＤ装置の石
英ボートにおける基板を周縁部で支持する爪部の、基板
との接触面の形状を装置によって特定することにより、
薄膜が形成されない爪部の跡の形状からどの装置で成膜
されたかを容易に識別することができ、製造管理上有効
である。
化膜などの薄膜を形成したとき、膜質に異常があった場
合にどの装置で成膜したかの判別がつかないため、対応
に時間がかかる問題を解決する。 【構成】縦型の熱酸化装置あるいは減圧ＣＶＤ装置の石
英ボートにおける基板を周縁部で支持する爪部の、基板
との接触面の形状を装置によって特定することにより、
薄膜が形成されない爪部の跡の形状からどの装置で成膜
されたかを容易に識別することができ、製造管理上有効
である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、鉛直に配置した反応管
内の石英ボートに水平に支持した複数の基板の表面に熱
酸化法あるいは減圧ＣＶＤ法により薄膜を形成する縦型
薄膜生成装置および基板表面上への薄膜生成方法に関す
る。
内の石英ボートに水平に支持した複数の基板の表面に熱
酸化法あるいは減圧ＣＶＤ法により薄膜を形成する縦型
薄膜生成装置および基板表面上への薄膜生成方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエーハなどの基板の表面に酸化
膜, 窒化膜, 金属膜あるいは化合物半導体膜を形成する
熱酸化装置あるいは減圧ＣＶＤ装置では反応管を水平に
配置する横型装置と垂直に配置する縦型装置とがある。
図３は縦型の減圧ＣＶＤ装置を概念的に示したもので、
多数のシリコンウエーハ１を収容した石英ボート２は石
英反応管21内のインナチューブ22内に鉛直方向に配置さ
れる。この石英反応管21内にガス導入管23から反応ガス
を送り込み、排気管24からの排気により減圧に保った管
内を電気炉25により加熱することによりＣＶＤ法を行
い、ウエーハ１の表面上に薄膜を形成する。石英ボート
２には、穴４のあいた底板31と天板32の間に、図２に示
すように矢印６の方向に横から差し込まれるウエーハ１
を周縁の約半分で支持する段のついた方形の爪５が複数
層に設けられている。
膜, 窒化膜, 金属膜あるいは化合物半導体膜を形成する
熱酸化装置あるいは減圧ＣＶＤ装置では反応管を水平に
配置する横型装置と垂直に配置する縦型装置とがある。
図３は縦型の減圧ＣＶＤ装置を概念的に示したもので、
多数のシリコンウエーハ１を収容した石英ボート２は石
英反応管21内のインナチューブ22内に鉛直方向に配置さ
れる。この石英反応管21内にガス導入管23から反応ガス
を送り込み、排気管24からの排気により減圧に保った管
内を電気炉25により加熱することによりＣＶＤ法を行
い、ウエーハ１の表面上に薄膜を形成する。石英ボート
２には、穴４のあいた底板31と天板32の間に、図２に示
すように矢印６の方向に横から差し込まれるウエーハ１
を周縁の約半分で支持する段のついた方形の爪５が複数
層に設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図３に示したような装
置を複数台用いてシリコンウエーハ上に薄膜を生成する
場合、もし膜質等に異常が見られたときには、どの装置
で生成した薄膜であるかを知ることが製造管理上必要で
ある。しかし、同様な薄膜を形成したウエーハをその後
の工程にわたって使用した薄膜生成装置ごとに区分する
ことは困難であり、どの装置で異常が出たかを判断する
ことができないため、対策を立てるのに時間がかかると
いう問題があった。
置を複数台用いてシリコンウエーハ上に薄膜を生成する
場合、もし膜質等に異常が見られたときには、どの装置
で生成した薄膜であるかを知ることが製造管理上必要で
ある。しかし、同様な薄膜を形成したウエーハをその後
の工程にわたって使用した薄膜生成装置ごとに区分する
ことは困難であり、どの装置で異常が出たかを判断する
ことができないため、対策を立てるのに時間がかかると
いう問題があった。
【０００４】本発明の目的は、表面に薄膜を形成した基
板について薄膜生成に使用した装置を容易に判別するこ
とが可能な縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法を提供
することにある。
板について薄膜生成に使用した装置を容易に判別するこ
とが可能な縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、反応管内に鉛直方向に配置した石英ボ
ートに備えられた爪部の上に一面の周縁部が接触するこ
とにより水平に保持された複数の基板の表面上に薄膜を
形成する縦型薄膜生成装置において、爪部の基板面と接
触する面が特定の形状を有するものとする。そのような
装置が熱酸化装置あるいは減圧ＣＶＤ装置であることが
有効である。また、本発明の薄膜生成方法は、石英ボー
トに備えられた爪部の上に一面の周縁部を接触させるこ
とにより石英ボートの軸に垂直な面に平行に基板を支持
し、その石英ボートを軸を鉛直にして反応管内に配置
し、基板表面に装置に特定の形状をもつ爪部の接触面を
除いて薄膜を形成するものとする。
めに、本発明は、反応管内に鉛直方向に配置した石英ボ
ートに備えられた爪部の上に一面の周縁部が接触するこ
とにより水平に保持された複数の基板の表面上に薄膜を
形成する縦型薄膜生成装置において、爪部の基板面と接
触する面が特定の形状を有するものとする。そのような
装置が熱酸化装置あるいは減圧ＣＶＤ装置であることが
有効である。また、本発明の薄膜生成方法は、石英ボー
トに備えられた爪部の上に一面の周縁部を接触させるこ
とにより石英ボートの軸に垂直な面に平行に基板を支持
し、その石英ボートを軸を鉛直にして反応管内に配置
し、基板表面に装置に特定の形状をもつ爪部の接触面を
除いて薄膜を形成するものとする。
【０００６】
【作用】爪部と基板面の接触部に特定の形状をもたせる
ことにより、基板の爪部に支持される側の面に形成され
る薄膜には特定の形状の爪の跡が薄膜が形成されないで
残る。これにより、爪の跡の形状を見れば用いられた装
置を判別することができる。
ことにより、基板の爪部に支持される側の面に形成され
る薄膜には特定の形状の爪の跡が薄膜が形成されないで
残る。これにより、爪の跡の形状を見れば用いられた装
置を判別することができる。
【０００７】
【実施例】図２に示したような爪５を有する石英ボート
２にシリコンウエーハ１を装着して薄膜、例えば酸化膜
を形成した場合、ウエーハ裏面には、例えば15mmの幅ｗ
を持つ爪部５の段の低い方の面51が接触しているため、
酸化膜の生成されないほぼ15mm×3.８mmの方形の爪の跡
が残る。このようなシリコンウエーハと区別するため
に、本発明の一実施例に用いられる石英ボートは、図１
に示すようにウエーハ１と接触する低い方の面71が１辺
ａが15mmの正３角形である爪部７を有する。このような
石英ボートにシリコンウエーハ１を矢印６の方向から差
し込んで積み重ね、図３に示す減圧ＣＶＤ装置の反応管
21のインナチューブ22内に軸を鉛直にして挿入し、ガス
導入管23からヘリウム (He) で20％に希釈したモノシラ
ン (SiＨ 4 ) を70SCCM, 一酸化窒素 (Ｎ2 Ｏ) を630scc
m の流量でそれぞれ送り込み、排気管24からの排気によ
りガス圧を0.71Torrにし、電気炉25によりウエーハ１の
温度を800 ℃にしてウエーハ１の両面に高温酸化膜を形
成した。ウエーハ１の裏面の酸化膜にはほぼ１辺15mmの
正３角形の爪７の接触面71の跡が残る。従って、この装
置を用いて酸化膜を形成したウエーハは、３角形の爪跡
によって、例えば図２に示した爪部５を有する石英ボー
トを用いる装置によって成膜したウエーハと識別するこ
とができる。なお、ＣＶＤ酸化膜はウエーハ１の表面側
の膜が主として利用されるので、爪部の跡の形状が多少
異なっても支障がない。さらに爪部の接触面の形状を５
角形以上の多角形にすることにより、複数の減圧ＣＶＤ
装置あるいは熱酸化装置を用いて薄膜を形成したシリコ
ンウエーハについて使用した装置を容易に知ることがで
き、製造管理における異常発生時の対応の迅速化ができ
るようになった。
２にシリコンウエーハ１を装着して薄膜、例えば酸化膜
を形成した場合、ウエーハ裏面には、例えば15mmの幅ｗ
を持つ爪部５の段の低い方の面51が接触しているため、
酸化膜の生成されないほぼ15mm×3.８mmの方形の爪の跡
が残る。このようなシリコンウエーハと区別するため
に、本発明の一実施例に用いられる石英ボートは、図１
に示すようにウエーハ１と接触する低い方の面71が１辺
ａが15mmの正３角形である爪部７を有する。このような
石英ボートにシリコンウエーハ１を矢印６の方向から差
し込んで積み重ね、図３に示す減圧ＣＶＤ装置の反応管
21のインナチューブ22内に軸を鉛直にして挿入し、ガス
導入管23からヘリウム (He) で20％に希釈したモノシラ
ン (SiＨ 4 ) を70SCCM, 一酸化窒素 (Ｎ2 Ｏ) を630scc
m の流量でそれぞれ送り込み、排気管24からの排気によ
りガス圧を0.71Torrにし、電気炉25によりウエーハ１の
温度を800 ℃にしてウエーハ１の両面に高温酸化膜を形
成した。ウエーハ１の裏面の酸化膜にはほぼ１辺15mmの
正３角形の爪７の接触面71の跡が残る。従って、この装
置を用いて酸化膜を形成したウエーハは、３角形の爪跡
によって、例えば図２に示した爪部５を有する石英ボー
トを用いる装置によって成膜したウエーハと識別するこ
とができる。なお、ＣＶＤ酸化膜はウエーハ１の表面側
の膜が主として利用されるので、爪部の跡の形状が多少
異なっても支障がない。さらに爪部の接触面の形状を５
角形以上の多角形にすることにより、複数の減圧ＣＶＤ
装置あるいは熱酸化装置を用いて薄膜を形成したシリコ
ンウエーハについて使用した装置を容易に知ることがで
き、製造管理における異常発生時の対応の迅速化ができ
るようになった。
【０００８】
【発明の効果】本発明によれば、表面に薄膜を形成する
基板を支持する石英ボートの爪部の接触面の形状を装置
に特有のものとすることにより、爪部の跡の形状から使
用した装置を特定することができた。従って、縦型の減
圧ＣＶＤ装置あるいは熱酸化装置等を複数台同時に稼働
させて同一薄膜を生成しても、膜質の異常と装置との関
係を直ちに対応させて、迅速に対策が立てられるので製
造管理上得られる効果は大きい。
基板を支持する石英ボートの爪部の接触面の形状を装置
に特有のものとすることにより、爪部の跡の形状から使
用した装置を特定することができた。従って、縦型の減
圧ＣＶＤ装置あるいは熱酸化装置等を複数台同時に稼働
させて同一薄膜を生成しても、膜質の異常と装置との関
係を直ちに対応させて、迅速に対策が立てられるので製
造管理上得られる効果は大きい。
【図１】本発明の一実施例の減圧ＣＶＤ装置の石英ボー
トの平面図
トの平面図
【図２】従来の減圧ＣＶＤ装置の石英ボートの平面図
【図３】縦型減圧ＣＶＤ装置の概念的断面図
１ シリコンウエーハ
２ 石英ボート
２１ 反応管
２３ ガス導入管
２４ 排気管
２５ 電気炉
３１ 底板
４ 穴
５ 爪部
５１ 爪部接触面
７ 爪部
７１ 爪部接触面
Claims (4)
- 【請求項１】反応管内に鉛直方向に配置した石英ボート
に備えられた爪部の上に一面の周縁部が接触することに
より水平に保持された複数の基板の表面上に薄膜を形成
するものにおいて、爪部の基板面と接触する面が特定の
形状を有することを特徴とする縦型薄膜生成装置。 - 【請求項２】熱酸化装置である請求項１記載の縦型薄膜
生成装置。 - 【請求項３】減圧ＣＶＤ装置である請求項１記載の縦型
薄膜生成装置。 - 【請求項４】石英ボートに備えられた爪部の上に一面の
周縁部を接触させることにより石英ボートの軸に垂直な
面に平行に基板を支持し、その石英ボートの軸を鉛直に
して反応管内に配置し、基板表面に装置に特定の形状を
もつ爪部の接触面を除いて薄膜を形成することを特徴と
する薄膜生成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17854991A JPH0529305A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17854991A JPH0529305A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529305A true JPH0529305A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16050430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17854991A Pending JPH0529305A (ja) | 1991-07-19 | 1991-07-19 | 縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529305A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017220536A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 三菱電機株式会社 | 成膜装置および太陽電池の製造方法 |
-
1991
- 1991-07-19 JP JP17854991A patent/JPH0529305A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017220536A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 三菱電機株式会社 | 成膜装置および太陽電池の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH04355917A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPH0358530B2 (ja) | ||
| TWI651698B (zh) | 可撓性顯示器及其製造方法 | |
| JPH0529305A (ja) | 縦型薄膜生成装置および薄膜生成方法 | |
| KR100976369B1 (ko) | 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼 보트 | |
| US20070272270A1 (en) | Single-wafer cleaning procedure | |
| JPS6315439A (ja) | 選択酸化分離方法 | |
| EP0029146B1 (en) | Vapor growth method | |
| JP2963145B2 (ja) | Ｃｖｄ膜の形成方法及び形成装置 | |
| JP2002134451A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04302432A (ja) | 半導体ウエハ基板 | |
| JP2017220536A (ja) | 成膜装置および太陽電池の製造方法 | |
| JPS5527623A (en) | Semiconductor wafer dividing method | |
| JPH0758035A (ja) | 半導体基板用熱処理治具 | |
| JPS5830134A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| KR100198601B1 (ko) | 매탈 도트 마스크 | |
| JPS60182746A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61150336A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH08111409A (ja) | 半導体装置の製法 | |
| JPH0289338A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6086837A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63164273A (ja) | 電力用半導体素子の製造方法 | |
| JPS59161825A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH03153027A (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
| JPH0247829A (ja) | 気相成長装置 |