JPH0289338A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0289338A JPH0289338A JP63241614A JP24161488A JPH0289338A JP H0289338 A JPH0289338 A JP H0289338A JP 63241614 A JP63241614 A JP 63241614A JP 24161488 A JP24161488 A JP 24161488A JP H0289338 A JPH0289338 A JP H0289338A
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- wafer
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- semiconductor device
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- Pending
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Landscapes
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置に係り、特に該半導体装置の能動素
子の裏面に形成するスクライブラインに関するものであ
る。
子の裏面に形成するスクライブラインに関するものであ
る。
［発明が解決しようとする課題コ
しかし前述の従来技術ではダイシング時に於ける洗浄工
程で、水からの不純物の混入を防ぐためであるが反面、
超純水の高い比抵抗のために静電気が発生し問題となっ
ている。特に超ＬＳＩの製造工程ではパターンの１謡が
せまく、膜厚も薄いために静電気の問題が大きくなって
いる。ダイシング工程では、ゴミの付着、静電破壊の他
に放電によるノイズのためマイコンが暴走することもあ
るこのため、静電気を防止するために行なわれてきたの
は、超純水ラインにマグネシウムロッド等を入れたり、
炭酸ガスを直接超純水ラインに吹き込んだりする方法が
ある。しかしマグネシウム法はマグネシウムが水に溶解
するわけであるから、不揮発性の塩が発生するし、ウェ
ハーの工程には使用できない。また、炭酸ガスの直接の
吹き込み法は、ガスからの不純物などで二次汚染や気泡
の発生等の問題がある。また両者とも比抵抗のコントロ
ールができない。
程で、水からの不純物の混入を防ぐためであるが反面、
超純水の高い比抵抗のために静電気が発生し問題となっ
ている。特に超ＬＳＩの製造工程ではパターンの１謡が
せまく、膜厚も薄いために静電気の問題が大きくなって
いる。ダイシング工程では、ゴミの付着、静電破壊の他
に放電によるノイズのためマイコンが暴走することもあ
るこのため、静電気を防止するために行なわれてきたの
は、超純水ラインにマグネシウムロッド等を入れたり、
炭酸ガスを直接超純水ラインに吹き込んだりする方法が
ある。しかしマグネシウム法はマグネシウムが水に溶解
するわけであるから、不揮発性の塩が発生するし、ウェ
ハーの工程には使用できない。また、炭酸ガスの直接の
吹き込み法は、ガスからの不純物などで二次汚染や気泡
の発生等の問題がある。また両者とも比抵抗のコントロ
ールができない。
本発明は、上記の様な問題点を解決すべくなされたもの
で、ウェハー上の能動素子の配設された裏面にスクライ
ブラインを設け１．該裏面のスクライブラインよりウェ
ハーをカッティングをし、静電破壊から守ることを目的
としたものである。
で、ウェハー上の能動素子の配設された裏面にスクライ
ブラインを設け１．該裏面のスクライブラインよりウェ
ハーをカッティングをし、静電破壊から守ることを目的
としたものである。
［課題を解決するための手段］
本発明の半導体装置は、ウェハー上に形成され“た能動
素子面とは反対の裏面にダイシング可能なスクライブラ
インを設け、該スクライブライン上よりダイシングを実
施し、静電破壊による素子電特不良を無くしたことを特
徴とする。
素子面とは反対の裏面にダイシング可能なスクライブラ
インを設け、該スクライブライン上よりダイシングを実
施し、静電破壊による素子電特不良を無くしたことを特
徴とする。
［作用］
ウェハー裏面に設けたスクライブラインよりダイシング
を実施し、能動素子面を保護することにより静電気破壊
より守る。
を実施し、能動素子面を保護することにより静電気破壊
より守る。
［実施例］
先ず、酸化、拡散、エツチング等を繰り返して成る能動
素子をウェハーの表面に形成する。その後、ウェハーを
ラッピング技術にて裏面を約２００μｍ程度ラッピング
した後、この裏面にＯＶＤ工程にて８１０．膜を作成す
る。更にその後、Ａ／、を全面にスパッタしスクライブ
ラインの形状を第１図の如く格子状にエツチングする。
素子をウェハーの表面に形成する。その後、ウェハーを
ラッピング技術にて裏面を約２００μｍ程度ラッピング
した後、この裏面にＯＶＤ工程にて８１０．膜を作成す
る。更にその後、Ａ／、を全面にスパッタしスクライブ
ラインの形状を第１図の如く格子状にエツチングする。
また、この格子状に形成されたスクライブラインは表面
にある能動領域が入る様に囲むが如（形成した。
にある能動領域が入る様に囲むが如（形成した。
この様にしてできたウェハーをダイシング工程によりス
クライブラインをレーザーまたはパターン認識装置を用
いて認識しカッティングし半導体装置としていた。
クライブラインをレーザーまたはパターン認識装置を用
いて認識しカッティングし半導体装置としていた。
今回、この方法により静電気破壊が本当に消失している
かどうかチエツクした。先ず、チエツク方法として従来
通り能動素子面をダイシングブレードの方向に向け、（
ブレードは上方向に上げカッティングしない）静電気破
壊の発生する超純水での洗浄だけを実施した。この後テ
スターで実測し静電破壊される素子だけをカウントした
。次にＵＶ照射にてダイシング前の状態に特性値を戻し
た。更に、本発明の方法にて前記ウェハーを用い、該ウ
ェハーに形成された格子状のスクライブラインを今度は
ダイシングブレードの方向に向け（反対側は能動素子面
）上記と同様な方法でダイシング、テスティングを実施
し静電破壊されている素子をカウントした。
かどうかチエツクした。先ず、チエツク方法として従来
通り能動素子面をダイシングブレードの方向に向け、（
ブレードは上方向に上げカッティングしない）静電気破
壊の発生する超純水での洗浄だけを実施した。この後テ
スターで実測し静電破壊される素子だけをカウントした
。次にＵＶ照射にてダイシング前の状態に特性値を戻し
た。更に、本発明の方法にて前記ウェハーを用い、該ウ
ェハーに形成された格子状のスクライブラインを今度は
ダイシングブレードの方向に向け（反対側は能動素子面
）上記と同様な方法でダイシング、テスティングを実施
し静電破壊されている素子をカウントした。
カウントの結果従来は５０ケの電特不良が発生していた
が本発明の物は０ケであった。
が本発明の物は０ケであった。
尚、本発明はウェハーの裏面にスクライブラインを設け
てダイシングを実施したが、これと同程度の認識できる
様なパターンを配設しても良い。
てダイシングを実施したが、これと同程度の認識できる
様なパターンを配設しても良い。
［発明の効果］
以上の説明から明らかな様に、本発明はウェハーの能動
素子面に配役するスクライブラインまたはそれと同程度
の認識できる様なパターンをウェハーの裏面に設け、そ
のパターンを基にダイシングすることにより静電気破壊
より保護することができる。
素子面に配役するスクライブラインまたはそれと同程度
の認識できる様なパターンをウェハーの裏面に設け、そ
のパターンを基にダイシングすることにより静電気破壊
より保護することができる。
ｇ１図は本発明における半導体装置の実施例を示すウェ
ハー裏面図。 第２図は従来技術における実施例を示す能動素子を設け
たウェハーの表面図。 １・・・・・・能動素子 ２・・・・・・スフライ ブライ ン ３・・・・・・ウェハー 以 上
ハー裏面図。 第２図は従来技術における実施例を示す能動素子を設け
たウェハーの表面図。 １・・・・・・能動素子 ２・・・・・・スフライ ブライ ン ３・・・・・・ウェハー 以 上
Claims (1)
- ウェハーの能動素子面に配設されたスクライブラインを
カッティングし、所定の大きさとする半導体装置に於い
て、該ウェハーの能動素子面に配設するスクライブライ
ンまたはそれと同程度の効果のあるパターンを前記能動
素子面の裏面に配設し、ダイシングしたことを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241614A JPH0289338A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63241614A JPH0289338A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0289338A true JPH0289338A (ja) | 1990-03-29 |
Family
ID=17076945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63241614A Pending JPH0289338A (ja) | 1988-09-27 | 1988-09-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0289338A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796014A (en) * | 1996-09-03 | 1998-08-18 | Nsk Ltd. | Torque sensor |
-
1988
- 1988-09-27 JP JP63241614A patent/JPH0289338A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796014A (en) * | 1996-09-03 | 1998-08-18 | Nsk Ltd. | Torque sensor |
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