JPH0247829A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0247829A JPH0247829A JP19954488A JP19954488A JPH0247829A JP H0247829 A JPH0247829 A JP H0247829A JP 19954488 A JP19954488 A JP 19954488A JP 19954488 A JP19954488 A JP 19954488A JP H0247829 A JPH0247829 A JP H0247829A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体基板(ウェハ)上の所定部分に半導体
層を気相成長させるための気相成長装置に係り、特に抵
抗加熱方式の気相成長装置における反応ガス噴出用開口
部の配列に関する。
層を気相成長させるための気相成長装置に係り、特に抵
抗加熱方式の気相成長装置における反応ガス噴出用開口
部の配列に関する。
(従来の技術)
シリコンウェハ上の所定部分に半導体層を気相成長させ
るため気相成長方法のうちの1つであるシリコン選択成
長法は、セルフ・アライン・コンタクト(SAC)技術
やサブミクロン素子分離技術の面で注目されている。こ
のシリコン選択成長法の実施に際して使用される気相成
長装置は、従来、ランプ加熱方式あるいは高周波加熱方
式のものが用いられているが、小形化や高スループツト
化が困難であるという問題点があった。
るため気相成長方法のうちの1つであるシリコン選択成
長法は、セルフ・アライン・コンタクト(SAC)技術
やサブミクロン素子分離技術の面で注目されている。こ
のシリコン選択成長法の実施に際して使用される気相成
長装置は、従来、ランプ加熱方式あるいは高周波加熱方
式のものが用いられているが、小形化や高スループツト
化が困難であるという問題点があった。
そこで、小形化や高スループツト化を図るために、第4
図に示すような抵抗加熱方式の気相成長装置が提案され
ている。ここで、40はベースプレート、41は石英ベ
ルジャ、42はOリング、43は反応ガス導入口、44
はノズル、45は反応ガス排出口、46はベルジャ41
の外側の上面部および側面部に配設されたヒータ(抵抗
)、47はベルジャ41の内側の下部に配設されたヒー
タ、48は上記ヒータ47のカバーであり、ベルジャ4
1内のボート台49上にはボート50に載せられたウェ
ハ51が挿入され、上記ボート台49の上方は石英カバ
ー52により覆われている。
図に示すような抵抗加熱方式の気相成長装置が提案され
ている。ここで、40はベースプレート、41は石英ベ
ルジャ、42はOリング、43は反応ガス導入口、44
はノズル、45は反応ガス排出口、46はベルジャ41
の外側の上面部および側面部に配設されたヒータ(抵抗
)、47はベルジャ41の内側の下部に配設されたヒー
タ、48は上記ヒータ47のカバーであり、ベルジャ4
1内のボート台49上にはボート50に載せられたウェ
ハ51が挿入され、上記ボート台49の上方は石英カバ
ー52により覆われている。
しかし、上記第4図の気相成長装置によりシリコン選択
成長を行うと、ノズル44の開口から噴出する反応ガス
の流れが不均一であるので、ウェハ51上の成長速度の
不均一性が大きくなり、実用化は困難であった。
成長を行うと、ノズル44の開口から噴出する反応ガス
の流れが不均一であるので、ウェハ51上の成長速度の
不均一性が大きくなり、実用化は困難であった。
また、抵抗加熱方式の気相成長装置でウェハを回転移動
させながらシリコン選択成長を行うものも提案されてい
るが、これは上記ウェハ上での成長速度の均一性は改善
されるが、可動部分が存在するのでパーティクルが発生
するという問題があり、やはり実用化は困難であった。
させながらシリコン選択成長を行うものも提案されてい
るが、これは上記ウェハ上での成長速度の均一性は改善
されるが、可動部分が存在するのでパーティクルが発生
するという問題があり、やはり実用化は困難であった。
(発明が解決しようとする課題)
本発明は、上記したように従来提案されている抵抗加熱
方式の気相成長装置は、ウェハ上の成長速度の不均一性
が大きくなる、あるいは、ウェハを回転移動させながら
シリコン選択成長を行うもの抵抗加熱方式の気相成長装
置はパーティクルが発生するという問題点を解決すべく
なされたもので、小形化や高スループツト化が可能な抵
抗加熱方式でありながら、ウェハ上の成長速度を均一化
でき、気相成長膜の膜厚の均一性が向上し、ウェハを回
転移動させるための可動部分は存在しないのでパーティ
クルが発生することもない気相成長装置を提供すること
を目的とする。
方式の気相成長装置は、ウェハ上の成長速度の不均一性
が大きくなる、あるいは、ウェハを回転移動させながら
シリコン選択成長を行うもの抵抗加熱方式の気相成長装
置はパーティクルが発生するという問題点を解決すべく
なされたもので、小形化や高スループツト化が可能な抵
抗加熱方式でありながら、ウェハ上の成長速度を均一化
でき、気相成長膜の膜厚の均一性が向上し、ウェハを回
転移動させるための可動部分は存在しないのでパーティ
クルが発生することもない気相成長装置を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明は、抵抗加熱方式により半導体ウェハ上の所定部
分に半導体層を気相成長させる気相成長装置において、
それぞれ反応ガスを噴出するための複数個の開口部が配
列されて形成されており、上記開口部の開口径をr、開
口部配列において前記ウェハの気相成長面に垂直な方向
に添う各列における気相成長面に垂直な方向の開口部間
隔を1x、1個の開口部から反応ガス噴出方向に平行な
方向への距離がほぼ150mmの位置での反応ガス噴出
方向に垂直な市内における垂直方向の成長速度分布の標
準偏差をσxで表すと、r<lx≦2.7σxの関係を
満足するように設定されており、上記開口部配列におい
て上記各列間の気相成長面に・V行な成分の開口部間隔
の最大値をty。
分に半導体層を気相成長させる気相成長装置において、
それぞれ反応ガスを噴出するための複数個の開口部が配
列されて形成されており、上記開口部の開口径をr、開
口部配列において前記ウェハの気相成長面に垂直な方向
に添う各列における気相成長面に垂直な方向の開口部間
隔を1x、1個の開口部から反応ガス噴出方向に平行な
方向への距離がほぼ150mmの位置での反応ガス噴出
方向に垂直な市内における垂直方向の成長速度分布の標
準偏差をσxで表すと、r<lx≦2.7σxの関係を
満足するように設定されており、上記開口部配列におい
て上記各列間の気相成長面に・V行な成分の開口部間隔
の最大値をty。
1個の開口部から反応ガス噴出方向に平行な方向への距
離がほぼ150mmの位置での反応ガス噴出方向に垂直
な面内における水平方向の成長速度分布の標準偏差をσ
yで表すと、r<ly≦2.7σyの関係を満足するよ
うに設定されていることを特徴とする。
離がほぼ150mmの位置での反応ガス噴出方向に垂直
な面内における水平方向の成長速度分布の標準偏差をσ
yで表すと、r<ly≦2.7σyの関係を満足するよ
うに設定されていることを特徴とする。
(作用)
上記のように、r<lx≦2.7σxおよびr<ly≦
2.7σyの関係を満足するように設定しておくことに
よって、ウェハ上に選択成長するシリコン層の成長速度
の均一性が改善され、その膜厚の均一性は従来よりも改
善されることが確認された。
2.7σyの関係を満足するように設定しておくことに
よって、ウェハ上に選択成長するシリコン層の成長速度
の均一性が改善され、その膜厚の均一性は従来よりも改
善されることが確認された。
(実施例)
以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
る。
第1図に示す気相成長装置は、第4図を参照して前述し
た従来の気相成長装置に比べて、反応ガス噴出用開口部
の配列関係が異なり、その他は同じであるので第4図中
と同一符号を付している。
た従来の気相成長装置に比べて、反応ガス噴出用開口部
の配列関係が異なり、その他は同じであるので第4図中
と同一符号を付している。
即ち、第2図に示すように、それぞれ反応ガスを噴出す
るための゛複数個の開口部21・・・が両面に配列され
て形成されている複数個の反応ガス噴出用ノズル22・
・・が、前記石英ベルジャ41内のボート台49の中央
部を貫通して上方へ突出している。
るための゛複数個の開口部21・・・が両面に配列され
て形成されている複数個の反応ガス噴出用ノズル22・
・・が、前記石英ベルジャ41内のボート台49の中央
部を貫通して上方へ突出している。
また、それぞれ反応ガスを排気するための複数個の開口
部が片面側に配列されて形成されている複数個の第1の
反応ガス排気用ノズル23が、前記石英ベルジャ41内
のボート台49の一端側から突出している。
部が片面側に配列されて形成されている複数個の第1の
反応ガス排気用ノズル23が、前記石英ベルジャ41内
のボート台49の一端側から突出している。
また、それぞれ反応ガスを排気するための複数個の開口
部が片面側に配列されて形成されている複数個の第2の
反応ガス排気用ノズル24が、前記石英ベルジャ41内
のボート台49の他端側から突出している。
部が片面側に配列されて形成されている複数個の第2の
反応ガス排気用ノズル24が、前記石英ベルジャ41内
のボート台49の他端側から突出している。
上記反応ガス噴出用ノズル22や反応ガス排気用ノズル
23.24は、それぞれ石英ガラスで作られたパイプ状
のものであり、上記反応ガス噴出用ノズル22の一方の
開口部形成面と前記第1の反応ガス排気用ノズル23の
開口部形成面とが対向しており、上記反応ガス噴出用ノ
ズル22の他方の開口部形成面と前記第2の反応ガス排
気用ノズル24の開口部形成面とが対向している。
23.24は、それぞれ石英ガラスで作られたパイプ状
のものであり、上記反応ガス噴出用ノズル22の一方の
開口部形成面と前記第1の反応ガス排気用ノズル23の
開口部形成面とが対向しており、上記反応ガス噴出用ノ
ズル22の他方の開口部形成面と前記第2の反応ガス排
気用ノズル24の開口部形成面とが対向している。
そして、上記反応ガス噴出用ノズル22の一方の開口部
形成面と前記第1の反応ガス排気用ノズル23の開口部
形成面との間の空間に、反応ガス流に平行となるように
シリコンウェハ25群が例えば垂直状態に配置されてお
り、同様に、上記反応ガス噴出用ノズル22の他方の開
口部形成面と前記第2の反応ガス排気用ノズル24の開
口部形成向との間の空間に、反応ガス流に平行となるよ
うにシリコンウェハ25群が例えば垂直状態に配置され
ている。
形成面と前記第1の反応ガス排気用ノズル23の開口部
形成面との間の空間に、反応ガス流に平行となるように
シリコンウェハ25群が例えば垂直状態に配置されてお
り、同様に、上記反応ガス噴出用ノズル22の他方の開
口部形成面と前記第2の反応ガス排気用ノズル24の開
口部形成向との間の空間に、反応ガス流に平行となるよ
うにシリコンウェハ25群が例えば垂直状態に配置され
ている。
ここで、上記反応ガス噴出用ノズル22の開口部形成面
から反応ガス噴出方向に平行な方向への距離がほぼ15
0mmの位置に各ウェハ25の中心部が位置している。
から反応ガス噴出方向に平行な方向への距離がほぼ15
0mmの位置に各ウェハ25の中心部が位置している。
また、上記反応ガス噴出用開口部21・・・の開口径r
は5mmφ以下(例えば3mmφ)であり、この開口部
配列において前記ウェハ25の気相成長面に垂直な方向
に添う各列における気相成長面に垂直な方向の開口部間
隔をlx、1個の反応ガス噴出用開口部21から反応ガ
ス噴出方向に平行な方向への距離がほぼ150mmの位
置での反応ガス噴出方向に垂直な市内における垂直方向
の成長速度分布の標準偏差をσxで表すと、r<lx≦
2.7σxの関係を満足するように設定されている。
は5mmφ以下(例えば3mmφ)であり、この開口部
配列において前記ウェハ25の気相成長面に垂直な方向
に添う各列における気相成長面に垂直な方向の開口部間
隔をlx、1個の反応ガス噴出用開口部21から反応ガ
ス噴出方向に平行な方向への距離がほぼ150mmの位
置での反応ガス噴出方向に垂直な市内における垂直方向
の成長速度分布の標準偏差をσxで表すと、r<lx≦
2.7σxの関係を満足するように設定されている。
また、上記開口部配列において上記各列間の気相成長面
に平行な成分の開口部間隔の最大値をly、1個の反応
ガス噴出用開口部21から反応ガス噴出方向に平行な方
向への距離が150mmの位置での反応ガス噴出方向に
垂直な面内における水平方向の成長速度分布の標準偏差
をσyで表すと、r<ly≦2.7σyの関係を満足す
るように設定されている。
に平行な成分の開口部間隔の最大値をly、1個の反応
ガス噴出用開口部21から反応ガス噴出方向に平行な方
向への距離が150mmの位置での反応ガス噴出方向に
垂直な面内における水平方向の成長速度分布の標準偏差
をσyで表すと、r<ly≦2.7σyの関係を満足す
るように設定されている。
上記したような抵抗加熱方式の気相成長装置によって試
料であるシリコンウェハ25に選択気相成長を行う場合
、−例として、ベルジャ41の外側の上面部および側面
部に配設されたヒータ46およびベルジャ41の内側の
下部に配設されたヒータ47によってベルジャ41の内
部(反応室)を900℃に昇温し、圧力がITorr、
反応ガスの流量がH2/S iH2/C,l’2に対応
して、それぞれ1010.210.1 ()/m1n)
の条件で30分間の選択気相成長を行う。この場合、試
料であるシリコンウェハ25としては、面方位(100
)のP型シリコンウェハ上にシリコン酸化膜を1μm形
成し、このシリコン酸化膜にフォトリソグラフィにより
開口部を形成したものを用い、この開口部にのみシリコ
ン層を選択成長させた。
料であるシリコンウェハ25に選択気相成長を行う場合
、−例として、ベルジャ41の外側の上面部および側面
部に配設されたヒータ46およびベルジャ41の内側の
下部に配設されたヒータ47によってベルジャ41の内
部(反応室)を900℃に昇温し、圧力がITorr、
反応ガスの流量がH2/S iH2/C,l’2に対応
して、それぞれ1010.210.1 ()/m1n)
の条件で30分間の選択気相成長を行う。この場合、試
料であるシリコンウェハ25としては、面方位(100
)のP型シリコンウェハ上にシリコン酸化膜を1μm形
成し、このシリコン酸化膜にフォトリソグラフィにより
開口部を形成したものを用い、この開口部にのみシリコ
ン層を選択成長させた。
ところで、1個の反応ガス噴出用開口部から反応ガス噴
出方向に平行な方向の垂直面内における成長速度分布の
標準偏差σは、同一成長条件においては反応ガス噴出用
開口部からの距離が決まれば一意的に決まることが知ら
れており、1個の反応ガス噴出用開口部から反応ガス噴
出方向に平行な方向への距離がほぼ150mmの位置で
の反応ガス噴出方向に垂直な市内における垂直方向の成
長速度分布の標準偏差σx=10mmである。
出方向に平行な方向の垂直面内における成長速度分布の
標準偏差σは、同一成長条件においては反応ガス噴出用
開口部からの距離が決まれば一意的に決まることが知ら
れており、1個の反応ガス噴出用開口部から反応ガス噴
出方向に平行な方向への距離がほぼ150mmの位置で
の反応ガス噴出方向に垂直な市内における垂直方向の成
長速度分布の標準偏差σx=10mmである。
そこで、実施例では、r<lx≦2.7σxの関係を満
足するように、例えばlx−20mm(≦2.7σx=
27mm)に設定されている。
足するように、例えばlx−20mm(≦2.7σx=
27mm)に設定されている。
また、1個の反応ガス噴出用開口部から反応ガス噴出方
向に平行な方向への距離が150mmの位置での反応ガ
ス噴出方向に垂直な市内における水平方向の成長速度分
布の標準偏差σy−10mmであるので、実施例では、
r<ly≦2,7σyの関係を満足するように、例えば
ly−20mm(≦2.7σy−27mm)に設定され
ている。
向に平行な方向への距離が150mmの位置での反応ガ
ス噴出方向に垂直な市内における水平方向の成長速度分
布の標準偏差σy−10mmであるので、実施例では、
r<ly≦2,7σyの関係を満足するように、例えば
ly−20mm(≦2.7σy−27mm)に設定され
ている。
一方、比較例として、lx−30mm(≧2゜7+7X
−27mm) 、l y−30mm (≧2.70y=
27mm)に設定し、また、従来例として、lx−10
mm(≦2.7crx−27mm)、1y=30mm(
≧2− 7UY−27mm)に設定し、それぞれ上記実
施例と同様の条件で選択気相成長を行った。
−27mm) 、l y−30mm (≧2.70y=
27mm)に設定し、また、従来例として、lx−10
mm(≦2.7crx−27mm)、1y=30mm(
≧2− 7UY−27mm)に設定し、それぞれ上記実
施例と同様の条件で選択気相成長を行った。
上記したように選択成長させたシリコン層の膜厚の均一
性を測定した結果、実施例の場合には0.7μm±5%
、比較例の場合には0.6μm±30%、従来例の場合
には0.4μm±150%であった。ここで、膜厚が異
なるのは、反応ガス噴出用開口部の数や配列関係が違う
からであり、重要なことは、膜厚の均一性であり、実施
例の場合には大幅に均一化されている。
性を測定した結果、実施例の場合には0.7μm±5%
、比較例の場合には0.6μm±30%、従来例の場合
には0.4μm±150%であった。ここで、膜厚が異
なるのは、反応ガス噴出用開口部の数や配列関係が違う
からであり、重要なことは、膜厚の均一性であり、実施
例の場合には大幅に均一化されている。
この場合、上記実施例のように、反応ガス流にウェハ2
5表面が平行となるようにシリコンウニ1125群を配
置しておくことによって、膜厚の一層の均一化を達成で
きる。
5表面が平行となるようにシリコンウニ1125群を配
置しておくことによって、膜厚の一層の均一化を達成で
きる。
また、上記実施例のように、反応ガス噴出用開口部の配
列の分布の内側(範囲内)にシリコンウェハ25群が投
影されるようにシリコンウェハ25を配置しておくこと
によって、膜厚のより一層の均一化を達成できる。
列の分布の内側(範囲内)にシリコンウェハ25群が投
影されるようにシリコンウェハ25を配置しておくこと
によって、膜厚のより一層の均一化を達成できる。
なお、反応ガス流にウェハ表面が平行となるようにシリ
コンウェハ群を配置したり、反応ガス噴出用開口部の配
列の分布の内側(範囲内)にシリコンウェハが投影され
るようにシリコンウェハを配置したりしない場合でも、
膜厚の均一性として10%以内に改善されることが確認
された。
コンウェハ群を配置したり、反応ガス噴出用開口部の配
列の分布の内側(範囲内)にシリコンウェハが投影され
るようにシリコンウェハを配置したりしない場合でも、
膜厚の均一性として10%以内に改善されることが確認
された。
本発明では、反応ガス噴出用開口部の配列関係が重要で
あり、反応ガス噴出用のノズルが形成されているバイブ
の数や、反応ガス噴出用のノズルの形状がパイプ状であ
るか平板状であるかなどは聞届とならない。因みに、第
3図に示すような平板状のノズル30を用いた場合でも
、反応ガス噴出用開口部の配列関係を上記実施例と同様
に設定すれば、上記結果と同じく0.7μm±5%の均
一性が得られることが確認された。
あり、反応ガス噴出用のノズルが形成されているバイブ
の数や、反応ガス噴出用のノズルの形状がパイプ状であ
るか平板状であるかなどは聞届とならない。因みに、第
3図に示すような平板状のノズル30を用いた場合でも
、反応ガス噴出用開口部の配列関係を上記実施例と同様
に設定すれば、上記結果と同じく0.7μm±5%の均
一性が得られることが確認された。
[発明の効果]
上述したように本発明の気相成長装置によれば、小形化
や高スルーブツト化が可能な抵抗加熱方式でありながら
、ウェハ上の成長速度を均一化でき、気相成長膜の膜厚
の均一性が向上し、ウェハを回転移動させるための可動
部分は存在しないのでパーティクルが発生することもな
いなどの効果が得られる。
や高スルーブツト化が可能な抵抗加熱方式でありながら
、ウェハ上の成長速度を均一化でき、気相成長膜の膜厚
の均一性が向上し、ウェハを回転移動させるための可動
部分は存在しないのでパーティクルが発生することもな
いなどの効果が得られる。
第1図は本発明の気相成長装置の一実施例を概略的に示
す構成説明図、第2図は第1図中の反応ガス噴出用のノ
ズルおよび反応ガス排気用のノズルを取出して示す斜視
図、第3図は第2図の変形例を示す斜視図、第4図は従
来の気相成長装置を示す構成説明図である。 21・・・・・・反応ガス噴出用開口部、22・・・・
・・反応ガス噴出用ノズル、23.24・・・・・・反
応ガス排気用ノズル、25・・・・・・ウェハ 30・
・・・・・平板状のノズル、40・・・・・・ベースプ
レート、41・・・・・・石英ベルジャ、42・・・・
・・0リング、43・・・・・・反応ガス導入口、45
・・・・・・反応ガス排出口、46.47・・・・・・
ヒータ、48・・・・・・ヒーターカバー 49・・・
・・・ボート台、50・・・・・・ボート、51・・・
・・・ウェハ、52・・・・・・石英カバー 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第3図 第 図
す構成説明図、第2図は第1図中の反応ガス噴出用のノ
ズルおよび反応ガス排気用のノズルを取出して示す斜視
図、第3図は第2図の変形例を示す斜視図、第4図は従
来の気相成長装置を示す構成説明図である。 21・・・・・・反応ガス噴出用開口部、22・・・・
・・反応ガス噴出用ノズル、23.24・・・・・・反
応ガス排気用ノズル、25・・・・・・ウェハ 30・
・・・・・平板状のノズル、40・・・・・・ベースプ
レート、41・・・・・・石英ベルジャ、42・・・・
・・0リング、43・・・・・・反応ガス導入口、45
・・・・・・反応ガス排出口、46.47・・・・・・
ヒータ、48・・・・・・ヒーターカバー 49・・・
・・・ボート台、50・・・・・・ボート、51・・・
・・・ウェハ、52・・・・・・石英カバー 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第 図 第3図 第 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 抵抗加熱方式により半導体ウェハ上の所定部分に半導体
層を気相成長させる気相成長装置において、 それぞれ反応ガスを噴出するための複数個の開口部が配
列されて形成されており、 上記開口部の開口径をr、開口部配列において前記ウェ
ハの気相成長面に垂直な方向に添う各列における気相成
長面に垂直な方向の開口部間隔をlx、1個の開口部か
ら反応ガス噴出方向に平行な方向への距離がほぼ150
mmの位置での反応ガス噴出方向に垂直な面内における
垂直方向の成長速度分布の標準偏差をσxで表すと、r
<lx≦2.7σxの関係を満足するように設定されて
おり、 上記開口部配列において上記各列間の気相成長面に平行
な成分の開口部間隔の最大値をly、1個の開口部から
反応ガス噴出方向に平行な方向への距離がほぼ150m
mの位置での反応ガス噴出方向に垂直な面内における水
平方向の成長速度分布の標準偏差をσyで表すと、r<
ly≦2.7σyの関係を満足するように設定されてい
るとを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19954488A JPH0247829A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19954488A JPH0247829A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0247829A true JPH0247829A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16409593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19954488A Pending JPH0247829A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0247829A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042671A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2015015382A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19954488A patent/JPH0247829A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007042671A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-15 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2015015382A (ja) * | 2013-07-05 | 2015-01-22 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
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