JPH0529222A - 熱伝達方法および処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理物と載置台との間に伝熱媒体となる気
体を導入し、温度設定された被処理物の処理を行う際
に、気体導入当初の圧力異常を防止し、被処理物の均一
な処理を可能にする。 【構成】 載置台２とこの載置台２上に保持された被処
理物６との間隙に、伝熱媒体として気体を導入し、この
導入気体を介して被処理物６の温度調節を行いつつ、被
処理物６に対して減圧下で所定の処理を施す方法であ
る。伝熱媒体としての気体を導入する際、被処理物６と
載置台２との間隙内を一旦減圧状態とした後、この間隙
内に少量の気体を予備導入し、この気体の予備導入工程
に続いて、上記間隙内が所定の圧力に到達するまで気体
を導入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、熱伝達方法および処理
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体装置の製造工程において
は、例えばエッチング装置、アッシング装置、イオン注
入装置、スパッタ装置等の減圧下で半導体ウエハの処理
を行う各種処理装置が使用されている。これら各装置に
おいては、通常、対向配置された一対の電極（上部電極
および下部電極）のうち、載置台としても機能する下部
電極上に被処理物である半導体ウエハを配置し、真空中
や減圧雰囲気下にて電極間に直流電力やＲＦ電力を印加
することによって電極間にプラズマを発生させ、プラズ
マを利用して所望の処理が施される。

【０００３】上述したようなプラズマを利用した各種処
理装置では、処理工程中に半導体ウエハの温度が上昇す
ることにより、素子要素が溶融したり、物理的特性が変
化する等して、処理の均一性が低下することを防止する
ため、載置台側に冷却ジャケットを設けて、半導体ウエ
ハを冷却しながら処理を行っている。

【０００４】ところで、一般に載置台と半導体ウエハの
裏面間には、ウエハ裏面の粗さにより微小な空間が存在
し、減圧雰囲気下での処理においては上記空間内も減圧
状態とされる。このため、上述したような間接的な冷却
方法を採用した場合には、上記減圧された空間の存在に
よって熱伝達が著しく低下し、有効に半導体ウエハを冷
却することができないという問題がある。

【０００５】そこで、半導体ウエハの周縁部をクランプ
することによって、載置台と半導体ウエハ間に気密な空
間を形成し、この空間内に伝熱媒体として気体を導入す
ることにより、冷却効率の低下を防止することが提案さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の処理装置においては、載置台と半導体ウ
エハ間の空間に伝熱媒体としての気体を導入する際、そ
の導入量を流量調節のみによって制御していたため、上
記気体の導入当初の圧力が設定圧以上になりやすいとい
う難点があった。このように、気体の導入当初の圧力が
上昇すると、半導体ウエハのクランプ状態にずれが生
じ、ウエハの変形や傷が発生したり、気密状態が壊れて
しまう等の問題を招いてしまう。

【０００７】また、半導体ウエハの変形は、ウエハの中
央部と周縁部とで電極からの距離に差を生じさせること
となり、半導体ウエハの温度分布が不均一になりやすい
という問題も招いてしまう。

【０００８】本発明は、このような従来技術の課題に対
処するためになされたもので、ベース部材と被熱伝達体
との間に伝熱媒体となる気体を導入し、この気体を介し
て温度調節を行う際に、気体導入当初の圧力異常を防止
することを可能にした熱伝達方法を提供することを目的
としており、また本発明の他の目的は、被処理物と載置
台との間に伝熱媒体となる気体を導入し、温度設定され
た被処理物の処理を行う際に、気体導入当初の圧力異常
を防止し、被処理物の均一な処理を可能にした処理方法
を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の熱伝
達方法は、ベース部材上に被熱伝達体を配置する工程
と、前記被熱伝達体とベース部材との間の間隙を排気す
る工程と、前記間隙に伝熱媒体として少量の気体を予備
導入する工程と、前記間隙内の気体の圧力を制御しつ
つ、その圧力が所定の値に達するまで、該間隙内に前記
気体を導入する工程とを具備することを特徴としてい
る。

【００１０】また、本発明の処理方法は、載置台上に保
持された被処理物と該載置台との間隙に、伝熱媒体とし
て気体を導入し、この導入気体を介して前記被処理物の
温度調節を行いつつ、該被処理物に対して減圧下で所定
の処理を施す方法において、前記間隙内を一旦減圧状態
とし、この間隙内に少量の前記気体を予備導入する工程
と、この気体の予備導入工程に続いて、前記間隙内が所
定の圧力に到達するまで前記気体を導入する工程とを有
することを特徴としている。

【００１１】

【作用】本発明の熱伝達方法および処理方法において
は、ベース部材と被熱伝達体との間の間隙内に、あるい
は被処理物と載置台との間の間隙内に、これらの間の伝
熱媒体となる気体を導入する際に、まず気体の予備導入
工程として、減圧状態とされた間隙内に気体を供給して
いるため、気体の導入当初の間隙内の異常な圧力上昇を
防止することができる。これによって、本発明の処理方
法にあっては、被処理物の保持状態異常等を防止するこ
とができ、均一な処理を行うことが可能となると共に、
被処理物の変形や傷の発生等を防止することができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の処理方法を適用した一実施例
のプラズマエッチング装置について、図面を参照して説
明する。

【００１３】図１に示すように、真空容器１例えば金属
容器内には、下部電極を兼ねる例えばアルマイト被膜を
有するアルミニウム等からなる載置台２と、上部電極３
とが対向して配置されている。また、真空容器１には、
この真空容器１内を所定の真空状態例えば数mTorr 〜数
10Torrまで排気することが可能な排気系４が接続されて
いる。

【００１４】上記載置台２の上面には、絶縁性を有する
弾性フィルム５例えば厚さ25μm のカプトンフィルム
（ポリイミド系樹脂フィルム、商品名）が接触剤例えば
アクリル系接着剤（層厚：10μm 〜15μm ）により貼り
付けられている。この弾性フィルム５は、半導体ウエハ
６と下部電極を兼ねる載置台２との間のインピーダンス
を一定とするために設けられている。すなわち、半導体
ウエハ６と載置台２との間のインピーダンスは、両者の
間の間隔に依存するため、不均一となるが、両者の間に
絶縁性の高い弾性フィルム５を介在させることにより、
両者の間のインピーダンスは両者の面間の間隔よりも弾
性フィルム５により支配されるため、一定となるのであ
る。

【００１５】この弾性フィルム５上に被処理物例えば半
導体ウエハ６が載置される。そして、載置台２の外周側
には、例えばエアシリンダ等の駆動機構７によって昇降
可能とされたクランプリング８が配置されており、この
クランプリング８によって半導体ウエハ６を弾性フィル
ム５に押圧することにより、半導体ウエハ６は所定のク
ランプ荷重で載置台２に保持される。

【００１６】また、載置台２の上面は、半導体ウエハ６
の裏面との密着性をよくするため、半導体ウエハ６の周
縁にクランプリング８で加えたクランプ荷重が、半導体
ウエハ６の周辺部での固定による等分布荷重として加わ
ったと仮定した時の半導体ウエハ６の変形曲面とほぼ同
一の曲面で凸状に形成されている。

【００１７】上記載置台２は、半導体ウエハ６を冷却可
能に保持するものであり、載置台２内部には冷却ジャケ
ット９が内蔵されている。冷却ジャケット９には、冷却
媒体の導入管１０と排出管１１とが接続されており、冷
却ジャケット９内部に冷却媒体例えば冷却水を導入管１
０および排出管１１を介して循環させることによって、
半導体ウエハ６の冷却が行われる。

【００１８】ここで、載置台２の上面に配置された弾性
フィルム５と半導体ウエハ６との間には、微視的に見る
とウエハ裏面の表面粗さにより微小な空間が必然的に形
成される。そして、上記微小空間内に載置台２と半導体
ウエハ６との間の伝熱媒体となる気体を導入するための
ガス導入管１２が、載置台２の中央部を貫通して設けら
れている。このガス導入管１２は、真空容器１外に配置
された圧力調整機構１３を介してガス供給源１４に接続
されている。

【００１９】上記圧力調整機構１３内の主配管１５に
は、ガス供給源１４側に、導入ガスの流量を調整する流
量調節器１６が介挿されており、さらに主開閉弁１７お
よび圧力ゲージ１８を介して載置台２側のガス導入管１
２に接続されている。また、上記主配管１５の主開閉弁
１７と圧力ゲージ１８間には、副配管１９が接続されて
おり、この副配管１９は副開閉弁２０および圧力調整弁
２１を介して真空ポンプ２２に接続されている。上記圧
力調整弁２１は、圧力ゲージ１８によって計測された弾
性フィルム５と半導体ウエハ６間の微小空間内の圧力に
応じて、予め記憶された制御プログラムにより自動的に
コンピュータ制御がコントローラ２３によって制御さ
れ、また主開閉弁１７と副開閉弁２０とが連動するよう
に構成されている。

【００２０】上記伝熱媒体用ガスとしては、通常、例え
ば窒素、ヘリウム、アルゴン等の不活性ガス等が用いら
れるが、半導体ウエハの処理に用いられる反応ガス等を
用いることも可能であり、特にガスの種類に限定される
ものではない。

【００２１】また、前述した上部電極３は、真空空間に
よる断熱を防止するために容器状に構成されており、ま
た反応ガス供給管２４が接続されている。上部電極３の
下部電極との対向面、すなわち下部表面には図示しない
微細な小孔が設けられており、この微細な小孔から処理
ガス、例えばアルゴンガス等が真空容器１内に流出可能
とされている。

【００２２】そして、上部電極３に接続された図示しな
い高周波電源例えば380kH,13.56MHz等の高周波によっ
て、上部電極３と下部電極である載置台２との間にプラ
ズマが生成されるよう構成されている。なお、この実施
例における載置台２は、電気的に接地されている。載置
台２を電気的に接地することなく電圧を印加してもよ
い。例えば上下電極２、３間に位相の異なる電力を印加
してもよい。

【００２３】次に、上記構成のエッチング装置における
エッチング処理工程を図２を参照して説明する。

【００２４】すなわち、まず真空容器１内を所定の真空
状態まで排気した後（図２-100）、載置台２上に半導体
ウエハ６を配置し、クランプリング８により所定のクラ
ンプ荷重で半導体ウエハ６を押圧保持する（図２-11
0）。

【００２５】次に、載置台２上に配置された弾性フィル
ム５と半導体ウエハ６間の微小空間内に、ガス導入管１
２から伝熱媒体となる気体を導入する。この伝熱媒体用
ガスの導入は、以下の手順に従って行われる。

【００２６】まず、伝熱媒体用ガスの予備導入工程（図
２-120）を行う。なお、ガスの導入に先立って、ガス供
給源１４から例えば0.7kg/cm² 〜1.0kg/cm² 程度の圧力
で供給される伝熱媒体用ガスを、流量調節器１６によっ
て所定流量例えば 0〜20SCCM程度に調整する。

【００２７】すなわち、まず主開閉弁１７を閉状態と
し、副開閉弁２０および圧力調整弁２１を開状態として
真空ポンプ２２を作動させ、上記微小空間内を減圧状態
とする（図２-121）。次に、上記排気を継続した状態
で、主開閉弁１７を開状態とすることにより、主配管１
５を介してガス導入管１２から徐々に上記微小空間内
に、伝熱媒体用ガスを導入する（図２-122）。このガス
の予備導入にあたっては、上記微小空間内に徐々に伝熱
媒体用ガスが供給されるように、排気量を調整する。次
に、上記微小空間内の圧力がある程度まで上昇したとこ
ろで、伝熱媒体用ガスの導入工程（図２-130）を行う。

【００２８】すなわち、副開閉弁２０および圧力調整弁
２１を閉状態とし、所定流量に調整された伝熱媒体用ガ
スを、ガス導入管１２から微小空間内に導入する（図２
-131）。また、このガス導入工程に移行した時点で、圧
力調整弁２１の動作を圧力ゲージ１８による制御に切り
替える。つまり、圧力ゲージ１８によって計測している
微小空間内の圧力が所定圧まで到達すると、圧力調整弁
２１が開状態とされ、伝熱媒体用ガスを所定の流量で圧
力調整機構１３側に供給しつづけた状態で、微小空間内
の圧力が所定圧に維持される。

【００２９】次に、上記ガス導入工程によって微小空間
内の圧力が所定圧に到達したところで、上部電極３に所
定のＲＦ電力を印加することによって、上部電極３と下
部電極を兼ねる載置台２と間にプラズマを生成し、所定
のエッチング処理を行う（図２-140）。このエッチング
処理工程中において、半導体ウエハ６は形成されたプラ
ズマに晒されたり、エッチングされることによって温度
が上昇するが、微小空間内に導入された伝熱媒体用ガス
を介して、半導体ウエハ６と載置台２との間で熱の伝達
が行われ、冷却ジャケット９内に循環された冷却水によ
って載置台２が冷却され、この載置台２によってウエハ
６が所定の温度内に維持される。

【００３０】また、半導体ウエハ６の周縁部は、クラン
プリング８により弾性フィルム５を介して載置台２に押
し付けられているため、伝熱媒体用ガスは上記微小空間
内に封入された状態となるが、処理の進行等に伴って伝
熱媒体用ガスが漏れ、設定圧以下となると、圧力調整弁
２１が閉状態となって、伝熱媒体用ガスが設定圧まで供
給される。このようにして、上記微小空間内の圧力はた
えず所定の圧力、例えば 0.5Torr〜20Torrの範囲から選
択された圧力に維持される。

【００３１】ここで、上記微小空間内に導入する気体の
圧力は、半導体ウエハ６と載置台２上面との距離が、半
導体ウエハ６全面においてほぼ均等となるように設定す
る。これは、熱伝達量がその距離によって決定されるた
めである。つまり、伝熱媒体用ガスの導入圧をあまり大
きく設定すると、ガス導入管１２が配置された半導体ウ
エハ６中央部付近の距離のみが大きくなり、半導体ウエ
ハ６の温度分布の均一性が低下するためである。具体的
な設定圧としては、熱伝導率が飽和する導入ガス圧以下
の値、例えば20Torr程度で飽和する場合10Torr程度の値
とすることが好ましい。この場合、好ましい距離の値は
20μm 〜 200μm である。

【００３２】このように、上記実施例のエッチング処理
工程においては、載置台２上に配置された弾性フィルム
５と半導体ウエハ６間の微小空間内に伝熱媒体用ガスを
導入する際に、ガスの予備導入工程として、減圧された
空間内に伝熱媒体用ガスを予備供給することにより、微
小空間内へのガスの急激な突入、すなわち突入ガスの発
生を防止している。そして、上記ガスの予備導入工程が
終了した後に、設定圧まで伝熱媒体用ガスを導入してい
るため、上記微小空間内の急激な圧力上昇を防止し、徐
々に圧力上昇させながら設定圧まで伝熱媒体用ガスを導
入することが可能となる。

【００３３】その結果、突入ガスによる半導体ウエハ６
のクランプ状態のずれ等を防止することができ、ウエハ
の変形や傷の発生等を招くことがなくなる。また、半導
体ウエハ６の処理時のクランプ状態の安定性が高まるた
め、半導体ウエハ６の温度分布の均一性の向上を図るこ
とが可能となる。

【００３４】そして、載置台２と半導体ウエハ６間の微
小空間内への伝熱媒体用ガスの導入量を圧力によって制
御していると共に、その圧力を一定に維持しているた
め、載置台２と半導体ウエハ６間の熱伝達状態を処理工
程中、良好にかつ一定に保つことができる。これによっ
て、半導体ウエハ６の冷却を効率よく、かつ安定に行う
ことが可能となり、安定した処理すなわちエッチング処
理を効率よく行うことが可能となる。

【００３５】次に、他の実施例について説明する。図３
はローダ・アンローダ部を具備するプラズマエッチング
−アッシング装置を示す斜視図、図４は図３に示すプラ
ズマエッチング−アッシング装置の構成を示す図であ
る。

【００３６】図３および図４に示すプラズマエッチング
−アッシング装置は、半導体ウエハを収納する収納部３
２と、この収納部３２から半導体ウエハを搬入出するた
めの搬送部３３と、この搬送部３３からの半導体ウエハ
を位置合せするアライメント部３４と、このアライメン
ト部３４で位置合わせされた半導体ウエハをエッチング
／アッシングする処理部３５と、これら各部の動作設定
およびモニタを行う操作部３６とから構成されている。
なお、収納部３２と搬送部３３とアライメント部３４と
により、ローダ・アンローダ部を構成している。

【００３７】まず、ローダ・アンローダ部について説明
すると、収納部３２には、図４に示すように、半導体ウ
エハ３１を厚さ方向に所定の間隔に複数枚、例えば25枚
収納可能なウエハカセット３７と、このウエハカセット
３７が載置されるカセット載置台３８が配置されてい
る。カセット載置台３８は、図示しない昇降機構により
上下動可能とされている。なお、昇降機構は、防塵対策
のためにカセット載置台３８よりも常に下方に位置する
のが望ましい。

【００３８】搬送部３３には、収納部３２、アライメン
ト部３４および処理部３５の相互間で半導体ウエハの搬
送を行う多関節ロボット３９が設けられている。この多
関節ロボット３９は、図示しないウエハ保持機構例えば
真空吸着機構を備えたアーム４０を具備しており、この
アーム４０は半導体ウエハへの重金属汚染を防止するた
めの材料、例えばセラミックや石英ガラスにより形成さ
れている。多関節ロボット３９は 1点を中心に回転自在
であり、また水平一軸方向に移動可能である。アライメ
ント部３４には、バキュームチャック４１が設けられて
いる。このバキュームチャック４１は、円盤状チャック
と円環状チャックとから構成されており、かつウエハ外
周端部を検出するセンサー例えば透過センサーを有して
いる。処理部３５には、その中で半導体ウエハがエッチ
ング処理される第１の処理室４２と、この第１の処理室
４２に半導体ウエハを搬送するための導入側ロードロッ
ク室４３および中間ロードロック室４４と、この中間ロ
ードロック室４４に接続された第２の処理室４５とが配
置されている。第２の処理室４５は、第１の処理室４２
で処理された半導体ウエハに対し、さらに等方性エッチ
ングおよびレジストのアッシング等の処理を行うもので
ある。

【００３９】導入側ロードロック室４３のアライメント
部３４の側の側面には、半導体ウエハの搬入のための入
口を開閉する開閉機構４６ａが設けられ、第１の処理室
４２の側の側面には、同様に半導体ウエハの搬入のため
の入口を開閉する開閉機構４６ｂが設けられている。導
入側ロードロック室４３には、アライメント部３４から
第１の処理室４２への半導体ウエハの受け渡しを行うハ
ンドリングアーム４７ａが設けられている。

【００４０】また、中間ロードロック室４４の第１の処
理室４２の側の側面には、半導体ウエハ搬出のための出
口を開閉する開閉機構４８ａが設けられ、第２の処理室
４５の側の側面には、同様に半導体ウエハの搬出のため
の出口を開閉する開閉機構４８ｂが設けられている。そ
して、中間ロードロック室４４には、第１の処理室４２
から第２の処理室４５への半導体ウエハの受け渡しを行
うハンドリングアーム４７ｂが設けられている。各ロー
ドロック室４３、４４には、図示しない真空排気機構例
えばロータリーポンプが接続され、さらに不活性ガス例
えば窒素ガスを導入可能な図示しないパージ機構が設け
られている。

【００４１】第１の処理室４２は、例えばアルミニウム
により構成され、その表面はアルマイト加工されてお
り、かつ円筒状に形成されている。なお、第１の処理室
４２の内部機構およびガス導入機構は、図１に示すエッ
チング装置と同様の構成を有している。

【００４２】第２の処理室４５は、図５に示すように構
成されている。すなわち、円筒状の処理容器６０の上部
には、一対の平行平板型電極６８ａ、６８ｂが相互に対
向配置され、このうち電極６８ａは、整合回路を介して
例えば13.56MHzで発振する高周波電源６９に接続されて
いる。他方の電極６８ｂは接地されている。

【００４３】処理容器６０の内部には、例えば真空チャ
ック等により半導体ウエハを吸着保持する載置台６３が
配置されている。載置台６３は、温度制御装置６４によ
り制御されるヒータ６５と、冷却装置６６により制御さ
れる冷却水循環配管６７を内蔵している。また、載置台
６３は昇降機構７３により上下動可能とされている。処
理容器６０の上端には、ガス流量調整器７１を介して処
理ガス供給源７２が接続されている。また、処理容器６
０の下部には、載置台６３の中央部から周辺へガスが流
れるように、排気孔（図示せず）が設けられており、こ
れに排気装置６１が接続されている。さらに、処理容器
６０の下部には、パージガス供給源（図示せず）が接続
されている。

【００４４】以上のように構成された各機構の動作およ
び半導体ウエハの処理状態を監視するために、操作部３
６が設けられている。この操作部３６は、マイクロコン
トローラからなる図示しない制御部、メモリー部および
入出力部から構成され、そのソフトウエアは、例えばＣ
言語によりプログラムされている。

【００４５】なお、上記実施例においては、本発明の処
理方法をエッチング処理工程に適用した例について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ばプラズマＣＶＤ工程、イオン注入工程、スパッタ工程
等の減圧下で処理を行う各種半導体の製造工程に対して
有効であり、上記エッチング処理工程と同様な効果を得
ることができる。また、被処理体は半導体に限らず、ア
モルファスSiへの液晶素子駆動回路であるＴＦＴ回路の
形成に用いてもよい。

【００４６】さらに、上記実施例においては、被処理物
を均一に冷却する例について説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではなく、熱制御であればよく、すな
わち被処理物を均一に加熱する場合にも適用可能であ
る。例えば、図６に示すように、処理により発生する反
応生成物が容器内表面に付着するのを防止するため、通
常、ヒータ８１により容器内壁を加熱しているが、その
際、露出する電極８２ａ、８２ｂにも反応生成物が付着
するのを防止するため、容器内壁を介して電極８２ａ、
８２ｂを加熱している。このとき、加熱を効率よく行う
ため、容器内壁と電極８２ａ、８２ｂとの間にガス導入
管８３を通してガスを導入することができる。この場合
の電極の加熱を均一に行い、かつ電極のずれや破損を防
止するため、本発明を適用することができる。

【００４７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、被
処理物と載置台との間に伝熱媒体となる気体を導入して
処理を施す際に、気体導入当初の圧力異常を防止するこ
とができ、これによって被処理物に対して均一な状態で
処理を施すことが可能となる。よって、処理品質の向上
が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の処理方法を適用したエッチング装置の
一構成例を示す図である。

【図２】図１に示すエッチング装置を用いたエッチング
処理工程を示す図である。

【図３】本発明の処理方法を適用した他の実施例のロー
ダ・アンローダ部を具備するプラズマエッチング−アッ
シング装置を示す斜視図である。

【図４】図３に示すプラズマエッチング−アッシング装
置の構成を示す図である。

【図５】図３に示すプラズマエッチング−アッシング装
置における処理室の構成を示す図である。

【図６】内壁が加熱される真空容器を有する装置を示す
図である。

【符号の説明】

１……真空容器 ２……載置台 ３……上部電極 ５……弾性フィルム ６……半導体ウエハ ８……クランプリング ９……冷却ジャケット １２……ガス導入管 １３……圧力調整機構 １４……ガス供給源 １５……主配管 １６……流量調節器 １８……圧力ゲージ １９……副配管 ２１……圧力調整弁 ２２……真空ポンプ

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベース部材上に被熱伝達体を配置する工
   程と、前記被熱伝達体とベース部材との間の間隙を排気
   する工程と、前記間隙に伝熱媒体として少量の気体を予
   備導入する工程と、前記間隙内の気体の圧力を制御しつ
   つ、その圧力が所定の値に達するまで、該間隙内に前記
   気体を導入する工程とを具備することを特徴とする熱伝
   達方法。
2. 【請求項２】 載置台上に保持された被処理物と該載置
   台との間隙に、伝熱媒体として気体を導入し、この導入
   気体を介して前記被処理物の温度調節を行いつつ、該被
   処理物に対して減圧下で所定の処理を施す方法におい
   て、 前記間隙内を一旦減圧状態とし、この間隙内に少量の前
   記気体を予備導入する工程と、この気体の予備導入工程
   に続いて、前記間隙内が所定の圧力に到達するまで前記
   気体を導入する工程とを有することを特徴とする処理方
   法。
3. 【請求項３】 載置台上に保持された被処理物と該載置
   台との間隙に、伝熱媒体として気体を導入し、この導入
   気体を介して前記被処理物の温度調節を行いつつ、該被
   処理物に対して減圧下で所定の処理を施す方法におい
   て、 前記間隙内を一旦減圧状態とし、この間隙内からの排気
   を継続しつつ該間隙内に少量の前記気体を予備導入する
   工程と、前記間隙からの排気量を制御することにより、
   この間隙内の気体の圧力を制御しつつ、その圧力が所定
   の値に達するまで、該間隙内に前記気体を導入する工程
   とを有することを特徴とする処理方法。