JPH05291690A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH05291690A JPH05291690A JP9558092A JP9558092A JPH05291690A JP H05291690 A JPH05291690 A JP H05291690A JP 9558092 A JP9558092 A JP 9558092A JP 9558092 A JP9558092 A JP 9558092A JP H05291690 A JPH05291690 A JP H05291690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- quantum well
- layer
- semiconductor laser
- laser device
- conduction band
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 量子井戸構造半導体レーザ装置の高温下にお
けるキャリアのオーバーフローを低減し、温度特性の良
好な半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 量子井戸構造半導体レーザ装置において、量
子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと障壁層の伝導帯下
端エネルギー２４と該井戸層の伝導帯下端エネルギー２
３との差Ｖ0との間に下記式（Ｉ）が成り立つため、量
子井戸内には量子準位として最低量子準位のみが存在す
る。よって、半導体レーザ装置を高温下で作動させた場
合でも、第２量子準位に対応する波長で発振することが
なく、キャリアのオーバーフローが抑制される。 【数１】 （式中、ｈはプランク定数、ｍ*は量子井戸内における
電子の有効質量を表す）。
けるキャリアのオーバーフローを低減し、温度特性の良
好な半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 量子井戸構造半導体レーザ装置において、量
子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと障壁層の伝導帯下
端エネルギー２４と該井戸層の伝導帯下端エネルギー２
３との差Ｖ0との間に下記式（Ｉ）が成り立つため、量
子井戸内には量子準位として最低量子準位のみが存在す
る。よって、半導体レーザ装置を高温下で作動させた場
合でも、第２量子準位に対応する波長で発振することが
なく、キャリアのオーバーフローが抑制される。 【数１】 （式中、ｈはプランク定数、ｍ*は量子井戸内における
電子の有効質量を表す）。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理装
置等に利用される半導体レーザ装置に関し、詳しくは、
量子井戸構造を有する半導体レーザ装置に関するもので
ある。
置等に利用される半導体レーザ装置に関し、詳しくは、
量子井戸構造を有する半導体レーザ装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体量子井戸構造の半導体レー
ザ装置は、低閾値、高効率であり、かつ温度による特性
の変化が小さいという優れた特性が理論的に予想されて
おり、近年、その研究開発が盛んに進められている。
ザ装置は、低閾値、高効率であり、かつ温度による特性
の変化が小さいという優れた特性が理論的に予想されて
おり、近年、その研究開発が盛んに進められている。
【０００３】量子井戸構造半導体レーザ装置の上記低閾
値等の優れた特性は、量子井戸構造においては電子が２
次元的に広がるため、量子井戸内に量子準位を生じ、３
次元のダブルヘテロ構造と比べて電子の状態密度が急峻
に立ち上がるため、電子を注入したときに生じる利得の
広がりが狭いということに起因していることが知られて
いる。一方、正孔は、電子に比べて質量が重いために量
子準位間のエネルギー差が小さいので、十分な量子効果
は見られない。したがって、量子井戸半導体レーザ装置
の特性には、主に電子の状態密度が影響する。量子井戸
構造半導体レーザ装置の上記したような電子の状態密度
の急峻な立ち上がりは、量子井戸内に存在する全ての電
子の量子準位において見られるため、従来は、量子井戸
内に存在する量子準位の数にはこだわらずに量子井戸構
造が作製されている。
値等の優れた特性は、量子井戸構造においては電子が２
次元的に広がるため、量子井戸内に量子準位を生じ、３
次元のダブルヘテロ構造と比べて電子の状態密度が急峻
に立ち上がるため、電子を注入したときに生じる利得の
広がりが狭いということに起因していることが知られて
いる。一方、正孔は、電子に比べて質量が重いために量
子準位間のエネルギー差が小さいので、十分な量子効果
は見られない。したがって、量子井戸半導体レーザ装置
の特性には、主に電子の状態密度が影響する。量子井戸
構造半導体レーザ装置の上記したような電子の状態密度
の急峻な立ち上がりは、量子井戸内に存在する全ての電
子の量子準位において見られるため、従来は、量子井戸
内に存在する量子準位の数にはこだわらずに量子井戸構
造が作製されている。
【０００４】しかし、現状の量子井戸構造では理論的に
予想されるようなよい特性が得られていない。特に加入
者系光通信用等の過酷な環境のもとで使用される民生機
器用半導体レーザ装置では、高温下でも発振動作するこ
とが重要な課題であるが、十分に高温な状態でもレーザ
発振でき、かつその光出力が飽和しないような特性が得
られないという問題があった。
予想されるようなよい特性が得られていない。特に加入
者系光通信用等の過酷な環境のもとで使用される民生機
器用半導体レーザ装置では、高温下でも発振動作するこ
とが重要な課題であるが、十分に高温な状態でもレーザ
発振でき、かつその光出力が飽和しないような特性が得
られないという問題があった。
【０００５】この原因は、高温になりレーザ発振の閾値
電流が増大すると、量子井戸構造に注入されたキャリア
が障壁層を越えてオーバーフローしてしまい、閾値電流
の増大が加速されるためと考えられる。
電流が増大すると、量子井戸構造に注入されたキャリア
が障壁層を越えてオーバーフローしてしまい、閾値電流
の増大が加速されるためと考えられる。
【０００６】この問題を解決するために、量子井戸構造
半導体レーザ装置の共振器端面を高反射率誘電体膜で覆
うことによって閾値電流密度を低減し、高温下でもレー
ザ発振を可能にする試みがなされている。
半導体レーザ装置の共振器端面を高反射率誘電体膜で覆
うことによって閾値電流密度を低減し、高温下でもレー
ザ発振を可能にする試みがなされている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法では、半導体レーザ装置の外部に出射される光出力
を十分に大きくすることが難しいという欠点がある。
方法では、半導体レーザ装置の外部に出射される光出力
を十分に大きくすることが難しいという欠点がある。
【０００８】本発明は、上記欠点を解決しようとするも
ので、量子井戸構造半導体レーザ装置の高温下における
キャリアのオーバーフローを低減し、温度特性の良好な
半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
ので、量子井戸構造半導体レーザ装置の高温下における
キャリアのオーバーフローを低減し、温度特性の良好な
半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置に
おいて、量子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと、障壁
層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導帯下端エネ
ルギーとの差Ｖ0との間に下記式〔Ｉ〕が成り立つよう
に、ＬzとＶ0が設定されていることを特徴とし、そのこ
とにより上記目的が達成される。
置は、化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ装置に
おいて、量子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと、障壁
層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導帯下端エネ
ルギーとの差Ｖ0との間に下記式〔Ｉ〕が成り立つよう
に、ＬzとＶ0が設定されていることを特徴とし、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【００１０】
【数２】
【００１１】（式中、ｈはプランク定数、ｍ*は量子井
戸内における電子の有効質量を表す）
戸内における電子の有効質量を表す）
【００１２】
【作用】一般に、量子井戸構造半導体レーザ装置では、
室温付近では閾値電流が低いためキャリアの注入量が少
なくてもレーザ光を発振し、量子井戸内に電子のエネル
ギー準位が２つ以上存在する場合でも、最低量子準位
（ｎ＝１）に対応する波長で発振する。ところが、温度
が高くなり閾値電流が増大すると、第２量子準位（ｎ＝
２）にもキャリアが注入され始め、ついにはｎ＝２に対
応する波長でレーザ光が発振される。このとき注入キャ
リアの分布は、フェルミ分布関数と電子の状態密度との
積となり、図５のグラフのような分布を示す。このグラ
フからわかるように、高温状態においては、高いエネル
ギーをもった電子の数が増加し、これらの電子が量子井
戸の障壁を乗り越えてオーバーフローするために閾値電
流の増大が加速される。
室温付近では閾値電流が低いためキャリアの注入量が少
なくてもレーザ光を発振し、量子井戸内に電子のエネル
ギー準位が２つ以上存在する場合でも、最低量子準位
（ｎ＝１）に対応する波長で発振する。ところが、温度
が高くなり閾値電流が増大すると、第２量子準位（ｎ＝
２）にもキャリアが注入され始め、ついにはｎ＝２に対
応する波長でレーザ光が発振される。このとき注入キャ
リアの分布は、フェルミ分布関数と電子の状態密度との
積となり、図５のグラフのような分布を示す。このグラ
フからわかるように、高温状態においては、高いエネル
ギーをもった電子の数が増加し、これらの電子が量子井
戸の障壁を乗り越えてオーバーフローするために閾値電
流の増大が加速される。
【００１３】本発明では、量子井戸構造半導体レーザ装
置において、量子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと障
壁層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導帯下端エ
ネルギーとの差Ｖ0との間に下記式（Ｉ）が成り立つた
め、量子井戸内には量子準位として最低量子準位のみが
存在する。よって、半導体レーザ装置を高温下で作動さ
せた場合でも、第２量子準位に対応する波長で発振する
ことがなく、キャリアのオーバーフローが抑制される。
置において、量子井戸を構成する井戸層の厚さＬzと障
壁層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導帯下端エ
ネルギーとの差Ｖ0との間に下記式（Ｉ）が成り立つた
め、量子井戸内には量子準位として最低量子準位のみが
存在する。よって、半導体レーザ装置を高温下で作動さ
せた場合でも、第２量子準位に対応する波長で発振する
ことがなく、キャリアのオーバーフローが抑制される。
【００１４】
【数３】
【００１５】（式中、ｈはプランク定数、ｍ*は量子井
戸内における電子の有効質量を表す）
戸内における電子の有効質量を表す）
【００１６】
【実施例】以下、本発明の半導体レーザ装置の実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００１７】図１は、ＩｎＰ系半導体材料を用い、通常
のエピタキシャル成長法によって形成した多重量子井戸
構造半導体レーザ装置の縦断面図である。この半導体レ
ーザ装置において、ｎ型ＩｎＰ基板８上には、ｎ型クラ
ッド層（ｎ型ＩｎＰ）１、第１ガイド層（ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、λg＝１．１μｍ、厚さ１５０ｎｍ）２、量子井戸
層（ＩｎＧａＡｓＰ、λg＝１．３７μｍ、厚さ８ｎ
ｍ）３と障壁層（ＩｎＧａＡｓＰ、λg＝１．１μｍ、
厚さ１２ｎｍ）４を複数積層してなる多重量子井戸構造
活性層７、第２ガイド層（ＩｎＧａＡｓＰ、λg＝１．
１μｍ、厚さ１５０ｎｍ）５、ｐ型クラッド層（ｐ型Ｉ
ｎＰ）６、およびｐ+型キャップ層（ｐ+型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、λg＝１．３μｍ）１１が積層形成されている。
のエピタキシャル成長法によって形成した多重量子井戸
構造半導体レーザ装置の縦断面図である。この半導体レ
ーザ装置において、ｎ型ＩｎＰ基板８上には、ｎ型クラ
ッド層（ｎ型ＩｎＰ）１、第１ガイド層（ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、λg＝１．１μｍ、厚さ１５０ｎｍ）２、量子井戸
層（ＩｎＧａＡｓＰ、λg＝１．３７μｍ、厚さ８ｎ
ｍ）３と障壁層（ＩｎＧａＡｓＰ、λg＝１．１μｍ、
厚さ１２ｎｍ）４を複数積層してなる多重量子井戸構造
活性層７、第２ガイド層（ＩｎＧａＡｓＰ、λg＝１．
１μｍ、厚さ１５０ｎｍ）５、ｐ型クラッド層（ｐ型Ｉ
ｎＰ）６、およびｐ+型キャップ層（ｐ+型ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、λg＝１．３μｍ）１１が積層形成されている。
【００１８】ｎ型クラッド層１からｐ+型キャップ層１
１までを連続的に成長させることによって基板８上に積
層形成された混晶層には、メサエッチングによってスト
ライプ部が形成されており、このストライプ部の両側
に、電流ブロック層としてｐ型ＩｎＰ層９とｎ型ＩｎＰ
層１０が積層され、該ストライプ部が埋め込まれてい
る。基板８側とブロック層１０側には、それぞれ電極１
２、１３が形成されている。
１までを連続的に成長させることによって基板８上に積
層形成された混晶層には、メサエッチングによってスト
ライプ部が形成されており、このストライプ部の両側
に、電流ブロック層としてｐ型ＩｎＰ層９とｎ型ＩｎＰ
層１０が積層され、該ストライプ部が埋め込まれてい
る。基板８側とブロック層１０側には、それぞれ電極１
２、１３が形成されている。
【００１９】図２は、上記半導体レーザ装置のエネルギ
ーバンド構造を示した図であり、上記活性層７において
は、多重量子井戸構造２７が形成されている。図中、２
１はｎ型クラッド層１の伝導帯下端エネルギー、２２は
第１ガイド層２の伝導帯下端エネルギー、２３は井戸層
３の伝導帯下端エネルギー、２４は障壁層の伝導帯下端
エネルギー、２５は第２ガイド層５の伝導帯下端エネル
ギー、２６はｐ型クラッド層６伝導帯下端エネルギー示
し、障壁層４の伝導帯下端エネルギー２４と井戸層３の
伝導帯下端エネルギー２３との差をＶ0で示している。
ーバンド構造を示した図であり、上記活性層７において
は、多重量子井戸構造２７が形成されている。図中、２
１はｎ型クラッド層１の伝導帯下端エネルギー、２２は
第１ガイド層２の伝導帯下端エネルギー、２３は井戸層
３の伝導帯下端エネルギー、２４は障壁層の伝導帯下端
エネルギー、２５は第２ガイド層５の伝導帯下端エネル
ギー、２６はｐ型クラッド層６伝導帯下端エネルギー示
し、障壁層４の伝導帯下端エネルギー２４と井戸層３の
伝導帯下端エネルギー２３との差をＶ0で示している。
【００２０】本発明においては、ｎ＝２以上の量子準位
が量子井戸内に存在しないようにするために、井戸層３
の厚さＬzと上記Ｖ0の間に下式〔Ｉ〕が成立するように
ＬzとＶ0が設定される。なお、Ｌbは井戸層どうしが結
合しない程度の厚さにすればよい。
が量子井戸内に存在しないようにするために、井戸層３
の厚さＬzと上記Ｖ0の間に下式〔Ｉ〕が成立するように
ＬzとＶ0が設定される。なお、Ｌbは井戸層どうしが結
合しない程度の厚さにすればよい。
【００２１】
【数４】
【００２２】（式中、ｈはプランク定数、ｍ*は量子井
戸内における電子の有効質量を示す）。
戸内における電子の有効質量を示す）。
【００２３】この式〔Ｉ〕が成立することにより、量子
井戸内には最低量子準位（ｎ＝１）のみが存在する。
井戸内には最低量子準位（ｎ＝１）のみが存在する。
【００２４】井戸層がＩｎＧａＡｓＰ（λg＝１．３μ
ｍ）で形成されている場合、ｍ*は０．０５ｍ0（ｍ0は
電子の静止質量を示す）である。この場合、上記式
〔Ｉ〕が成立するためのＬzおよびＶ0の値は、図３に示
したグラフの斜線部の範囲となる。
ｍ）で形成されている場合、ｍ*は０．０５ｍ0（ｍ0は
電子の静止質量を示す）である。この場合、上記式
〔Ｉ〕が成立するためのＬzおよびＶ0の値は、図３に示
したグラフの斜線部の範囲となる。
【００２５】上記実施例においては、Ｌz＝８ｎｍ、Ｖ0
＝５２ｍｅＶ、ｍ*＝０．０５ｍ0であるから、上記式
〔Ｉ〕が成り立ち、量子井戸内にはｎ＝１の量子準位の
みが存在する。
＝５２ｍｅＶ、ｍ*＝０．０５ｍ0であるから、上記式
〔Ｉ〕が成り立ち、量子井戸内にはｎ＝１の量子準位の
みが存在する。
【００２６】図４（ａ）は、８５℃における上記実施例
の半導体レーザ装置の電流−光出力特性を示したグラフ
である。このグラフから、この半導体レーザ装置は、高
温においても光出力が飽和せず、良好な電流−光出力特
性を示すことがわかる。図４（ｂ）は、Ｌz＝１５ｎｍ
であること以外は上記実施例と同様の構造である半導体
レーザ装置の８５℃における電流−光出力特性を示した
グラフである。このグラフから明らかなように、該半導
体レーザ装置においては、光出力が飽和し電流−光出力
特性が劣ることがわかる。
の半導体レーザ装置の電流−光出力特性を示したグラフ
である。このグラフから、この半導体レーザ装置は、高
温においても光出力が飽和せず、良好な電流−光出力特
性を示すことがわかる。図４（ｂ）は、Ｌz＝１５ｎｍ
であること以外は上記実施例と同様の構造である半導体
レーザ装置の８５℃における電流−光出力特性を示した
グラフである。このグラフから明らかなように、該半導
体レーザ装置においては、光出力が飽和し電流−光出力
特性が劣ることがわかる。
【００２７】上記実施例においては、半導体材料とし
て、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いたが、本発明
は、これに限定されず、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ材料、
ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系材料等の他の半導体材料を
用いた場合にも適用が可能である。
て、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ系材料を用いたが、本発明
は、これに限定されず、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ材料、
ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系材料等の他の半導体材料を
用いた場合にも適用が可能である。
【００２８】上記実施例においては、ガイド層の材料組
成を膜厚方向に均一に形成したが、該材料組成を膜厚方
向に変化させるように形成した構造、すなわちＧＲＩＮ
−ＳＣＨ（Graded Index Separate Confinement Hetero
structure）構造としても、本発明を適用することがで
きる。
成を膜厚方向に均一に形成したが、該材料組成を膜厚方
向に変化させるように形成した構造、すなわちＧＲＩＮ
−ＳＣＨ（Graded Index Separate Confinement Hetero
structure）構造としても、本発明を適用することがで
きる。
【００２９】本発明は活性層を単一量子井戸構造とした
場合にも適用することができる。
場合にも適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、高温においてもキャリ
アのオーバーフローが抑制されるので、光出力が飽和せ
ず、十分な光出力が得られ、かつ温度特性の良好な量子
井戸構造の半導体レーザ装置を提供することができる。
アのオーバーフローが抑制されるので、光出力が飽和せ
ず、十分な光出力が得られ、かつ温度特性の良好な量子
井戸構造の半導体レーザ装置を提供することができる。
【００３１】本発明の半導体レーザ装置は、光通信装置
用、光情報処理用、特に加入者系光通信用の半導体レー
ザ装置として好適に使用することができる。
用、光情報処理用、特に加入者系光通信用の半導体レー
ザ装置として好適に使用することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す縦断面図である。
【図２】図１の半導体レーザ装置におけるエネルギーバ
ンド構造を示す図である。
ンド構造を示す図である。
【図３】本発明の半導体レーザ装置において、電子の有
効質量が０．０５ｍ0である場合における井戸層の厚さ
Ｌzと障壁層の伝導帯下端エネルギーと井戸層の伝導帯
下端エネルギーとの差Ｖ0の値の範囲を示したグラフで
ある。
効質量が０．０５ｍ0である場合における井戸層の厚さ
Ｌzと障壁層の伝導帯下端エネルギーと井戸層の伝導帯
下端エネルギーとの差Ｖ0の値の範囲を示したグラフで
ある。
【図４】８５℃における半導体レーザ装置の電流−光出
力特性を示すグラフである。
力特性を示すグラフである。
【図５】量子井戸内に２つの量子準位が存在する半導体
レーザ装置において、高温下にて量子井戸内に電子を注
入した場合のキャリア分布を示すグラフである。
レーザ装置において、高温下にて量子井戸内に電子を注
入した場合のキャリア分布を示すグラフである。
３ 井戸層 ４ 障壁層 ２３ 井戸層の伝導帯下端エネルギー ２４ 障壁層の伝導帯下端エネルギー Ｌz 井戸層の厚さ Ｖ0 障壁層の伝導帯下端エネルギーと井戸層の伝導帯
下端エネルギーとの差
下端エネルギーとの差
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森岡 達也 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 松本 成人 神奈川県横浜市西区宮ケ谷34−２ 古河電 工株式会社社宅４−11
Claims (1)
- 【請求項１】化合物半導体量子井戸構造の半導体レーザ
装置において、量子井戸を構成する井戸層の厚さＬ
zと、障壁層の伝導帯下端エネルギーと該井戸層の伝導
帯下端エネルギーとの差Ｖ0との間に下記式〔Ｉ〕が成
り立つように、ＬzとＶ0が設定されていることを特徴と
する半導体レーザ装置。 【数１】 （式中、ｈはプランク定数、ｍ*は量子井戸内における
電子の有効質量を表す）。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9558092A JPH05291690A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体レーザ装置 |
| US08/048,887 US5375135A (en) | 1992-04-15 | 1993-04-15 | Semiconductor laser device |
| EP93302936A EP0566411B1 (en) | 1992-04-15 | 1993-04-15 | Semiconductor laser device |
| DE1993617140 DE69317140T2 (de) | 1992-04-15 | 1993-04-15 | Halbleiterlaservorrichtung |
| EP95115694A EP0695005B1 (en) | 1992-04-15 | 1993-04-15 | Semiconductor laser device |
| DE1993632065 DE69332065T2 (de) | 1992-04-15 | 1993-04-15 | Halbleiterlaservorrichtung |
| US08/629,655 US5657337A (en) | 1992-04-15 | 1996-04-09 | Semiconductor laser device having a resonator of a particular length for reducing threshold current density |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9558092A JPH05291690A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291690A true JPH05291690A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14141536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9558092A Pending JPH05291690A (ja) | 1992-04-15 | 1992-04-15 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291690A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020137422A1 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-02-18 | 三菱電機株式会社 | 光送信装置 |
-
1992
- 1992-04-15 JP JP9558092A patent/JPH05291690A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2020137422A1 (ja) * | 2018-12-25 | 2021-02-18 | 三菱電機株式会社 | 光送信装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3225942B2 (ja) | 半導体光素子、その製造方法及び半導体光学装置 | |
| JP3080831B2 (ja) | 多重量子井戸半導体レーザ | |
| JPH07235732A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05102604A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| EP0280281A2 (en) | Variable oscillation wavelength semiconductor laser device | |
| US5737353A (en) | Multiquantum-well semiconductor laser | |
| JP2677232B2 (ja) | 長波長半導体レーザおよびその製造方法 | |
| US6337870B1 (en) | Semiconductor laser having recombination layer stripes in current blocking structure | |
| JPH04350988A (ja) | 量子井戸構造発光素子 | |
| JP3658048B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2812273B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05291690A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US20040136427A1 (en) | Semiconductor optical device | |
| JP2748570B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3403915B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2630035B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JP3033333B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0945989A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| US6618419B1 (en) | Semiconductor laser | |
| JP2004111743A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH0728093B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2001332816A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP2000022203A (ja) | 発光ダイオード | |
| JPS6261383A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JP2007005642A (ja) | 半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980727 |