JPH05291310A - 電荷転送装置 - Google Patents
電荷転送装置Info
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- JPH05291310A JPH05291310A JP4093027A JP9302792A JPH05291310A JP H05291310 A JPH05291310 A JP H05291310A JP 4093027 A JP4093027 A JP 4093027A JP 9302792 A JP9302792 A JP 9302792A JP H05291310 A JPH05291310 A JP H05291310A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 abstract 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 abstract 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
-
- H—ELECTRICITY
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
-
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/62—Detection or reduction of noise due to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 垂直レジスタの最大取扱い電荷量を減少させ
ることなく、信号電荷の転送効率を向上させる。 【構成】 垂直転送部分が、Ｐ型のシリコン基板１にＮ
型の不純物拡散領域帯による垂直レジスタ２が形成さ
れ、この垂直レジスタ２上にゲート絶縁膜３を介して４
枚の転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４を１組とする転
送段が垂直方向（Ｙ方向）に配列されて構成され、各転
送段の各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に夫々位相
の異なる駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４を印加す
ることにより、垂直レジスタ２内の信号電荷を出力部側
に順次転送するＣＣＤイメージセンサにおいて、各転送
電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に、各転送電極Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３及びＧ４の付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ４
に応じた値を有する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を接
続して構成する。
ることなく、信号電荷の転送効率を向上させる。 【構成】 垂直転送部分が、Ｐ型のシリコン基板１にＮ
型の不純物拡散領域帯による垂直レジスタ２が形成さ
れ、この垂直レジスタ２上にゲート絶縁膜３を介して４
枚の転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４を１組とする転
送段が垂直方向（Ｙ方向）に配列されて構成され、各転
送段の各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に夫々位相
の異なる駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４を印加す
ることにより、垂直レジスタ２内の信号電荷を出力部側
に順次転送するＣＣＤイメージセンサにおいて、各転送
電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に、各転送電極Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３及びＧ４の付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ４
に応じた値を有する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を接
続して構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電荷転送部分がＣＣＤ
で構成された電荷転送装置に関し、特にＣＣＤイメージ
センサやＣＣＤリニアセンサ等に用いて好適なものであ
る。
で構成された電荷転送装置に関し、特にＣＣＤイメージ
センサやＣＣＤリニアセンサ等に用いて好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】電荷転送部分がＣＣＤで構成されたもの
として、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＣＤリニアセンサ及
びＣＣＤ遅延線等があげられる。
として、ＣＣＤイメージセンサ、ＣＣＤリニアセンサ及
びＣＣＤ遅延線等があげられる。
【０００３】その中で、例えばインターライン方式のＣ
ＣＤイメージセンサは、図９に示すように、フォトダイ
オードで構成された受光部２１が水平及び垂直方向にマ
トリクス状に配列され、夫々共通の垂直ライン上の受光
部２１に対応して共通に設けられた垂直レジスタ２２
と、各垂直レジスタ２２に対して共通に設けられた水平
レジスタ２３が設けられて構成されている。
ＣＤイメージセンサは、図９に示すように、フォトダイ
オードで構成された受光部２１が水平及び垂直方向にマ
トリクス状に配列され、夫々共通の垂直ライン上の受光
部２１に対応して共通に設けられた垂直レジスタ２２
と、各垂直レジスタ２２に対して共通に設けられた水平
レジスタ２３が設けられて構成されている。
【０００４】そして、電荷蓄積期間において受光部２１
で蓄積された信号電荷を、次の読出し期間において、垂
直レジスタ２２に読出し、水平ブランキング期間におい
て、信号電荷を行ごとに転送し、垂直レジスタ２２の最
終段に蓄積されている信号電荷を水平レジスタ２３に転
送する。そして、次の水平出力期間（テレビジョンの１
水平走査期間に相当する）において、水平レジスタ２３
上の信号電荷を順次出力部２４側に転送し、出力部２４
から撮像信号Ｓとして取り出すという動作を行う。
で蓄積された信号電荷を、次の読出し期間において、垂
直レジスタ２２に読出し、水平ブランキング期間におい
て、信号電荷を行ごとに転送し、垂直レジスタ２２の最
終段に蓄積されている信号電荷を水平レジスタ２３に転
送する。そして、次の水平出力期間（テレビジョンの１
水平走査期間に相当する）において、水平レジスタ２３
上の信号電荷を順次出力部２４側に転送し、出力部２４
から撮像信号Ｓとして取り出すという動作を行う。
【０００５】特に、上記垂直レジスタ２２は、例えば４
枚の転送電極を１組とする転送段が垂直方向に配列さ
れ、各転送電極に互いに位相の異なる駆動パルスを印加
することにより、受光部２１から垂直レジスタ２２に読
み出された信号電荷を水平レジスタ２３側に転送する。
枚の転送電極を１組とする転送段が垂直方向に配列さ
れ、各転送電極に互いに位相の異なる駆動パルスを印加
することにより、受光部２１から垂直レジスタ２２に読
み出された信号電荷を水平レジスタ２３側に転送する。
【０００６】また、最近では、信号電荷の転送効率を向
上させるために、各転送電極に同じ値の抵抗を接続し、
各転送電極と垂直レジスタ２２との間に形成される付加
容量との時定数により、各転送電極に印加される駆動パ
ルス（方形パルス）の波形をなまらせるようにしてい
る。
上させるために、各転送電極に同じ値の抵抗を接続し、
各転送電極と垂直レジスタ２２との間に形成される付加
容量との時定数により、各転送電極に印加される駆動パ
ルス（方形パルス）の波形をなまらせるようにしてい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、各転送電極
を垂直レジスタ２２上に形成する場合、受光部２１間の
配線形成領域を利用して行われるが、４枚の転送電極を
全て同じパターンで形成することは不可能である。そこ
で、配線形成上、どうしても各転送電極における垂直レ
ジスタ２２との接触面積にばらつきが生じる。
を垂直レジスタ２２上に形成する場合、受光部２１間の
配線形成領域を利用して行われるが、４枚の転送電極を
全て同じパターンで形成することは不可能である。そこ
で、配線形成上、どうしても各転送電極における垂直レ
ジスタ２２との接触面積にばらつきが生じる。
【０００８】例えば、図１０に示すように、駆動パルス
Ｖ１及びＶ３が印加される転送電極Ｇ１及びＧ３が、駆
動パルスＶ２及びＶ４が印加される転送電極Ｇ２及びＧ
４よりも幅広に形成されて垂直レジスタ２２との接触面
積が大きい場合、転送電極Ｇ１及びＧ３の付加容量が転
送電極Ｇ２及びＧ４の付加容量よりも大きくなり、時定
数の関係から駆動パルスＶ１及びＶ３が、駆動パルスＶ
２及びＶ４よりもなまった波形になる。
Ｖ１及びＶ３が印加される転送電極Ｇ１及びＧ３が、駆
動パルスＶ２及びＶ４が印加される転送電極Ｇ２及びＧ
４よりも幅広に形成されて垂直レジスタ２２との接触面
積が大きい場合、転送電極Ｇ１及びＧ３の付加容量が転
送電極Ｇ２及びＧ４の付加容量よりも大きくなり、時定
数の関係から駆動パルスＶ１及びＶ３が、駆動パルスＶ
２及びＶ４よりもなまった波形になる。
【０００９】従って、図１１に示すように、例えばｔ1
時において、転送電極Ｇ１に印加される駆動パルスＶ１
が下がり切らないうちに、隣接する転送電極Ｇ４に印加
される駆動パルスＶ４が立ち上がり、またｔ2 時におい
て、転送電極Ｇ２に印加される駆動パルスＶ２が下がり
切らないうちに、隣接する転送電極Ｇ１に印加される駆
動パルスＶ１が立ち上がることになり、垂直レジスタ２
２での最大取扱い電荷量が減少し、特性の劣化を引き起
こすという問題がある。
時において、転送電極Ｇ１に印加される駆動パルスＶ１
が下がり切らないうちに、隣接する転送電極Ｇ４に印加
される駆動パルスＶ４が立ち上がり、またｔ2 時におい
て、転送電極Ｇ２に印加される駆動パルスＶ２が下がり
切らないうちに、隣接する転送電極Ｇ１に印加される駆
動パルスＶ１が立ち上がることになり、垂直レジスタ２
２での最大取扱い電荷量が減少し、特性の劣化を引き起
こすという問題がある。
【００１０】本発明は、このような課題に鑑み成された
もので、その目的とするところは、電荷転送領域の最大
取扱い電荷量を減少させることなく、信号電荷の転送効
率を向上させることができる電荷転送装置を提供するこ
とにある。
もので、その目的とするところは、電荷転送領域の最大
取扱い電荷量を減少させることなく、信号電荷の転送効
率を向上させることができる電荷転送装置を提供するこ
とにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、基体１に形成
された電荷転送領域２上に、所定枚数の転送電極Ｇ１，
Ｇ２，Ｇ３及びＧ４を１組とする転送段が多段に配列さ
れ、各転送段の各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に
夫々位相の異なる駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４
を印加することにより、電荷転送領域２内の信号電荷ｅ
を出力部側に順次転送する電荷転送装置において、各転
送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に、各転送電極Ｇ１，
Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ
４に応じた値を有する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を
接続して構成する。
された電荷転送領域２上に、所定枚数の転送電極Ｇ１，
Ｇ２，Ｇ３及びＧ４を１組とする転送段が多段に配列さ
れ、各転送段の各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に
夫々位相の異なる駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４
を印加することにより、電荷転送領域２内の信号電荷ｅ
を出力部側に順次転送する電荷転送装置において、各転
送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に、各転送電極Ｇ１，
Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ
４に応じた値を有する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を
接続して構成する。
【００１２】
【作用】上述の本発明の構成によれば、各転送電極Ｇ
１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ
３及びＧ４の付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ４に応じ
た値を有する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を接続する
ようにしたので、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４
に印加される駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４のな
まり具合いをほぼ同じにすることができる。このことか
ら、例えば駆動パルスＶ１が印加される転送電極Ｇ１の
上記駆動パルスＶ１が下がり切らないうちに、その隣接
する転送電極Ｇ４に印加される駆動パルスＶ４が立ち上
がるという不都合がなくなり、電荷転送領域２の最大取
扱い電荷量を減少させることなく、信号電荷ｅの転送効
率を向上させることができる。
１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ
３及びＧ４の付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及びＣ４に応じ
た値を有する抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を接続する
ようにしたので、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４
に印加される駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４のな
まり具合いをほぼ同じにすることができる。このことか
ら、例えば駆動パルスＶ１が印加される転送電極Ｇ１の
上記駆動パルスＶ１が下がり切らないうちに、その隣接
する転送電極Ｇ４に印加される駆動パルスＶ４が立ち上
がるという不都合がなくなり、電荷転送領域２の最大取
扱い電荷量を減少させることなく、信号電荷ｅの転送効
率を向上させることができる。
【００１３】
【実施例】以下、図１〜図８を参照しながら本発明の実
施例を説明する。図１は、本実施例に係るＣＣＤイメー
ジセンサの特にその垂直転送部分の原理構造を示す概略
構成図である。
施例を説明する。図１は、本実施例に係るＣＣＤイメー
ジセンサの特にその垂直転送部分の原理構造を示す概略
構成図である。
【００１４】本例に係る垂直転送部分の構成は、図示す
るように、例えばＰ型のシリコン基板１にＮ型の不純物
拡散領域帯による垂直レジスタ２が形成され、この垂直
レジスタ２上にゲート絶縁膜３を介して４枚の転送電極
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４を１組とする転送段が垂直方
向（Ｙ方向）に配列されて構成されている。
るように、例えばＰ型のシリコン基板１にＮ型の不純物
拡散領域帯による垂直レジスタ２が形成され、この垂直
レジスタ２上にゲート絶縁膜３を介して４枚の転送電極
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４を１組とする転送段が垂直方
向（Ｙ方向）に配列されて構成されている。
【００１５】そして、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及び
Ｇ４は、その形成パターンにより、夫々垂直レジスタ２
との接触面積が異なる場合が生じる。図示の例では、各
転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の垂直レジスタ２と
の接触面積を夫々Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４とすると、Ａ
１＞Ａ２＞Ａ３＞Ａ４の場合を想定している。従って、
各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の付加容量Ｃ１，
Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、Ｃ１＞Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ４の関係と
なる。
Ｇ４は、その形成パターンにより、夫々垂直レジスタ２
との接触面積が異なる場合が生じる。図示の例では、各
転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の垂直レジスタ２と
の接触面積を夫々Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４とすると、Ａ
１＞Ａ２＞Ａ３＞Ａ４の場合を想定している。従って、
各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の付加容量Ｃ１，
Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は、Ｃ１＞Ｃ２＞Ｃ３＞Ｃ４の関係と
なる。
【００１６】このような場合において、本例では、各転
送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に夫々値の異なる抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を接続する。各抵抗の大小関係
は、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４である。これらの抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の値は、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，
Ｇ３及びＧ４の夫々の時定数Ｃ１・Ｒ１、Ｃ２・Ｒ２、
Ｃ３・Ｒ３、Ｃ４・Ｒ４がほぼ同一となるように設定す
る。
送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に夫々値の異なる抵抗
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４を接続する。各抵抗の大小関係
は、Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４である。これらの抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４の値は、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，
Ｇ３及びＧ４の夫々の時定数Ｃ１・Ｒ１、Ｃ２・Ｒ２、
Ｃ３・Ｒ３、Ｃ４・Ｒ４がほぼ同一となるように設定す
る。
【００１７】その結果、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及
びＧ４の入力端子φ１，φ２，φ３及びφ４に、図２Ａ
で示すような、夫々位相の異なる方形の駆動パルスＶ
１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４を印加すると、上記時定数によ
り、駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４はほぼ同じ割
合でなまり、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の
波形は、図２Ｂに示すようになる。一般に、信号電荷の
転送効率は、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の
例えば高レベルから低レベルに切り替わる期間に依存し
ており、その切り替わる期間が長いほど転送効率が良く
なる。
びＧ４の入力端子φ１，φ２，φ３及びφ４に、図２Ａ
で示すような、夫々位相の異なる方形の駆動パルスＶ
１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４を印加すると、上記時定数によ
り、駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４はほぼ同じ割
合でなまり、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の
波形は、図２Ｂに示すようになる。一般に、信号電荷の
転送効率は、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の
例えば高レベルから低レベルに切り替わる期間に依存し
ており、その切り替わる期間が長いほど転送効率が良く
なる。
【００１８】従って、本例においては、各駆動パルスＶ
１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４が付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及
びＣ４と付加抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４による時定
数によって波形がなまり、例えば高レベルから低レベル
に切り替わる期間が方形のパルス波形の場合よりも長く
なり、信号電荷の転送効率が向上する。
１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４が付加容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３及
びＣ４と付加抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４による時定
数によって波形がなまり、例えば高レベルから低レベル
に切り替わる期間が方形のパルス波形の場合よりも長く
なり、信号電荷の転送効率が向上する。
【００１９】また、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及び
Ｖ４がほぼ同じ割合でなまることから、例えば図２Ｂの
ｔ2 時において、駆動パルスＶ１が下がり切らないうち
に、転送パルスＶ４が立ち上がるという現象が確率的に
少なくなる。しかも、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及
びＶ４の出力タイミングを容易に予測することができる
ため、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の例えば
立ち上がりから立ち下がりまでの最適な期間を容易に設
定することができ、上記現象を完全になくすことが可能
となる。
Ｖ４がほぼ同じ割合でなまることから、例えば図２Ｂの
ｔ2 時において、駆動パルスＶ１が下がり切らないうち
に、転送パルスＶ４が立ち上がるという現象が確率的に
少なくなる。しかも、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及
びＶ４の出力タイミングを容易に予測することができる
ため、各駆動パルスＶ１，Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の例えば
立ち上がりから立ち下がりまでの最適な期間を容易に設
定することができ、上記現象を完全になくすことが可能
となる。
【００２０】ここで、図２Ｂで示す各駆動パルスＶ１，
Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の印加によって信号電荷がどのよう
に転送されるかを図３に基いて説明する。
Ｖ２，Ｖ３及びＶ４の印加によって信号電荷がどのよう
に転送されるかを図３に基いて説明する。
【００２１】まず、ｔ0 時において、駆動パルスＶ１及
びＶ２が高レベルであることから、転送電極Ｇ１及びＧ
２下に連続するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷
ｅはこのポテンシャル井戸に転送・蓄積される。
びＶ２が高レベルであることから、転送電極Ｇ１及びＧ
２下に連続するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷
ｅはこのポテンシャル井戸に転送・蓄積される。
【００２２】次のｔ1 時において、駆動パルスＶ３が高
レベルになることから、転送電極Ｇ３下のポテンシャル
が深くなって、転送電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３下に連続す
るポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポテ
ンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ0 からｔ1 時にか
けて駆動パルスＶ３の高レベルへの切り替え期間が転送
電極Ｇ３の時定数により長くなっているため、信号電荷
ｅは、転送電極Ｇ１及びＧ２から転送電極Ｇ３下にわた
って効率よく転送される。
レベルになることから、転送電極Ｇ３下のポテンシャル
が深くなって、転送電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３下に連続す
るポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポテ
ンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ0 からｔ1 時にか
けて駆動パルスＶ３の高レベルへの切り替え期間が転送
電極Ｇ３の時定数により長くなっているため、信号電荷
ｅは、転送電極Ｇ１及びＧ２から転送電極Ｇ３下にわた
って効率よく転送される。
【００２３】次に、ｔ2 時において、駆動パルスＶ１が
低レベルになることから、転送電極Ｇ１下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ２及びＧ３下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ1 からｔ 2 時にかけて駆動パルスＶ
１の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ１の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ１下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ２及びＧ３下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
低レベルになることから、転送電極Ｇ１下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ２及びＧ３下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ1 からｔ 2 時にかけて駆動パルスＶ
１の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ１の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ１下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ２及びＧ３下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
【００２４】次に、ｔ3 時において、駆動パルスＶ４が
高レベルになることから、転送電極Ｇ４下のポテンシャ
ルが深くなって、転送電極Ｇ２、Ｇ３及びＧ４下に連続
するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポ
テンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ2 からｔ3 時に
かけて駆動パルスＶ４の高レベルへの切り替え期間が転
送電極Ｇ４の時定数により長くなっているため、信号電
荷ｅは、転送電極Ｇ２及びＧ３から転送電極Ｇ４下にわ
たって効率よく転送される。
高レベルになることから、転送電極Ｇ４下のポテンシャ
ルが深くなって、転送電極Ｇ２、Ｇ３及びＧ４下に連続
するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポ
テンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ2 からｔ3 時に
かけて駆動パルスＶ４の高レベルへの切り替え期間が転
送電極Ｇ４の時定数により長くなっているため、信号電
荷ｅは、転送電極Ｇ２及びＧ３から転送電極Ｇ４下にわ
たって効率よく転送される。
【００２５】次に、ｔ4 時において、駆動パルスＶ２が
低レベルになることから、転送電極Ｇ２下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ３及びＧ４下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ3 からｔ 4 時にかけて駆動パルスＶ
２の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ２の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ２下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ３及びＧ４下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
低レベルになることから、転送電極Ｇ２下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ３及びＧ４下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ3 からｔ 4 時にかけて駆動パルスＶ
２の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ２の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ２下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ３及びＧ４下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
【００２６】次に、ｔ5 時において、駆動パルスＶ１が
高レベルになることから、転送電極Ｇ１下のポテンシャ
ルが深くなって、転送電極Ｇ３、Ｇ４及びＧ１下に連続
するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポ
テンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ4 からｔ5 時に
かけて駆動パルスＶ１の高レベルへの切り替え期間が転
送電極Ｇ１の時定数により長くなっているため、信号電
荷ｅは、転送電極Ｇ３及びＧ４から転送電極Ｇ１下にわ
たって効率よく転送される。
高レベルになることから、転送電極Ｇ１下のポテンシャ
ルが深くなって、転送電極Ｇ３、Ｇ４及びＧ１下に連続
するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポ
テンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ4 からｔ5 時に
かけて駆動パルスＶ１の高レベルへの切り替え期間が転
送電極Ｇ１の時定数により長くなっているため、信号電
荷ｅは、転送電極Ｇ３及びＧ４から転送電極Ｇ１下にわ
たって効率よく転送される。
【００２７】次に、ｔ6 時において、駆動パルスＶ３が
低レベルになることから、転送電極Ｇ３下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ４及びＧ１下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ5 からｔ 6 時にかけて駆動パルスＶ
３の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ３の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ３下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ４及びＧ１下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
低レベルになることから、転送電極Ｇ３下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ４及びＧ１下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ5 からｔ 6 時にかけて駆動パルスＶ
３の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ３の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ３下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ４及びＧ１下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
【００２８】次に、ｔ7 時において、駆動パルスＶ２が
高レベルになることから、転送電極Ｇ２下のポテンシャ
ルが深くなって、転送電極Ｇ４、Ｇ１及びＧ２下に連続
するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポ
テンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ6 からｔ7 時に
かけて駆動パルスＶ２の高レベルへの切り替え期間が転
送電極Ｇ２の時定数により長くなっているため、信号電
荷ｅは、転送電極Ｇ４及びＧ１から転送電極Ｇ２下にわ
たって効率よく転送される。
高レベルになることから、転送電極Ｇ２下のポテンシャ
ルが深くなって、転送電極Ｇ４、Ｇ１及びＧ２下に連続
するポテンシャル井戸が形成され、信号電荷ｅはこのポ
テンシャル井戸に転送・蓄積される。ｔ6 からｔ7 時に
かけて駆動パルスＶ２の高レベルへの切り替え期間が転
送電極Ｇ２の時定数により長くなっているため、信号電
荷ｅは、転送電極Ｇ４及びＧ１から転送電極Ｇ２下にわ
たって効率よく転送される。
【００２９】次に、ｔ8 時において、駆動パルスＶ４が
低レベルになることから、転送電極Ｇ４下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ１及びＧ２下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ7 からｔ 8 時にかけて駆動パルスＶ
４の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ４の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ４下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ１及びＧ２下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
低レベルになることから、転送電極Ｇ４下のポテンシャ
ルが浅くなり、信号電荷ｅは、転送電極Ｇ１及びＧ２下
に連続形成されているポテンシャル井戸に転送・蓄積さ
れる。このとき、ｔ7 からｔ 8 時にかけて駆動パルスＶ
４の低レベルへの切り替え期間が転送電極Ｇ４の時定数
により長くなっているため、転送電極Ｇ４下にあった信
号電荷ｅは、転送電極Ｇ１及びＧ２下に連続形成されて
いるポテンシャル井戸に効率よく転送される。
【００３０】上記一連の動作により、１つの転送段にあ
った信号電荷ｅが隣の転送段に転送されることになる。
そして、上記一連の動作を繰り返すことにより、垂直レ
ジスタ２上の信号電荷ｅを水平レジスタ（図示せず）側
に順次転送する。
った信号電荷ｅが隣の転送段に転送されることになる。
そして、上記一連の動作を繰り返すことにより、垂直レ
ジスタ２上の信号電荷ｅを水平レジスタ（図示せず）側
に順次転送する。
【００３１】次に、上記実施例に係る構成を実際のＣＣ
Ｄイメージセンサに適用した場合について図４〜図８を
参照しながら説明する。
Ｄイメージセンサに適用した場合について図４〜図８を
参照しながら説明する。
【００３２】図４は、本実施例に係るＣＣＤイメージセ
ンサの特にその垂直転送部分を一部破断して示す斜視図
である。この図において、４は受光部を示す。また、図
１と対応するものについては同符号を記す。
ンサの特にその垂直転送部分を一部破断して示す斜視図
である。この図において、４は受光部を示す。また、図
１と対応するものについては同符号を記す。
【００３３】このＣＣＤイメージセンサの垂直転送部分
は、図示するように、駆動パルスＶ１が印加される第１
の転送電極Ｇ１と駆動パルスＶ３が印加される第３の転
送電極Ｇ３が夫々同じパターンで形成され、駆動パルス
Ｖ２が印加される第２の転送電極Ｇ２と駆動パルスＶ４
が印加される第４の転送電極Ｇ４が夫々同じパターンで
形成され、上記第１及び第３の転送電極Ｇ１及びＧ３
は、その配線幅が第２及び第４の転送電極Ｇ２及びＧ４
の配線幅よりも狭く、また、垂直レジスタ２との接触面
積が広く形成されている。このことから、第１及び第３
の転送電極Ｇ１及びＧ３は、その配線抵抗及び垂直レジ
スタ２との付加容量による時定数が第２及び第４の転送
電極Ｇ２及びＧ４よりも大きくなる。
は、図示するように、駆動パルスＶ１が印加される第１
の転送電極Ｇ１と駆動パルスＶ３が印加される第３の転
送電極Ｇ３が夫々同じパターンで形成され、駆動パルス
Ｖ２が印加される第２の転送電極Ｇ２と駆動パルスＶ４
が印加される第４の転送電極Ｇ４が夫々同じパターンで
形成され、上記第１及び第３の転送電極Ｇ１及びＧ３
は、その配線幅が第２及び第４の転送電極Ｇ２及びＧ４
の配線幅よりも狭く、また、垂直レジスタ２との接触面
積が広く形成されている。このことから、第１及び第３
の転送電極Ｇ１及びＧ３は、その配線抵抗及び垂直レジ
スタ２との付加容量による時定数が第２及び第４の転送
電極Ｇ２及びＧ４よりも大きくなる。
【００３４】従って、本例では、第１及び第３の転送電
極Ｇ１及びＧ３に接続する抵抗Ｒ１及びＲ３の値を互い
に同じにし（Ｒ１＝Ｒ３）、第２及び第４の転送電極Ｇ
２及びＧ４に接続する抵抗Ｒ２及びＲ４の値を互いに同
じにし（Ｒ２＝Ｒ４）、更に、抵抗Ｒ１及びＲ３の値を
抵抗Ｒ２及びＲ４よりも小さくして構成する（Ｒ１，Ｒ
３＜Ｒ２，Ｒ４）。
極Ｇ１及びＧ３に接続する抵抗Ｒ１及びＲ３の値を互い
に同じにし（Ｒ１＝Ｒ３）、第２及び第４の転送電極Ｇ
２及びＧ４に接続する抵抗Ｒ２及びＲ４の値を互いに同
じにし（Ｒ２＝Ｒ４）、更に、抵抗Ｒ１及びＲ３の値を
抵抗Ｒ２及びＲ４よりも小さくして構成する（Ｒ１，Ｒ
３＜Ｒ２，Ｒ４）。
【００３５】ここで、一つの実験例を示す。図４の構成
において、第１及び第３の転送電極Ｇ１及びＧ３のみに
同じ値の抵抗を接続した場合をサンプル１、各転送電極
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に同じ値の抵抗を接続した場
合をサンプル２、第２及び第４の転送電極Ｇ２及びＧ４
のみに同じ値の抵抗を接続した場合をサンプル３とし
て、各サンプル１，２及び３における信号電荷の転送残
り量を測定すると、図５に示すように、サンプル１は、
接続される抵抗の値に関係なく、転送残り量が多いこと
から、この構成を採用することはできない。
において、第１及び第３の転送電極Ｇ１及びＧ３のみに
同じ値の抵抗を接続した場合をサンプル１、各転送電極
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４に同じ値の抵抗を接続した場
合をサンプル２、第２及び第４の転送電極Ｇ２及びＧ４
のみに同じ値の抵抗を接続した場合をサンプル３とし
て、各サンプル１，２及び３における信号電荷の転送残
り量を測定すると、図５に示すように、サンプル１は、
接続される抵抗の値に関係なく、転送残り量が多いこと
から、この構成を採用することはできない。
【００３６】一方、サンプル２とサンプル３について
は、接続される抵抗の値を上げるにしたがって、転送残
り量が減り、転送効率の向上がみられる。しかし、取扱
い電荷量の変化をみた場合、図６に示すように、サンプ
ル２は、抵抗値２０Ωくらいから取扱い電荷量が減少す
るのに対し、サンプル３は、抵抗値６０Ωくらいから減
少傾向にあり、９０Ωくらいから基準の取扱い電荷量１
０００ｍＶよりも減少することがわかる。
は、接続される抵抗の値を上げるにしたがって、転送残
り量が減り、転送効率の向上がみられる。しかし、取扱
い電荷量の変化をみた場合、図６に示すように、サンプ
ル２は、抵抗値２０Ωくらいから取扱い電荷量が減少す
るのに対し、サンプル３は、抵抗値６０Ωくらいから減
少傾向にあり、９０Ωくらいから基準の取扱い電荷量１
０００ｍＶよりも減少することがわかる。
【００３７】このことから、付加容量の小さい第２及び
第４の転送電極Ｇ２及びＧ４に値の大きい抵抗を接続
し、付加容量の大きい第１及び第３の転送電極Ｇ１及び
Ｇ３に値の小さい抵抗を接続すれば、取扱い電荷量を犠
牲にせずに、転送効率を大きく向上させることができる
ことがわかる。
第４の転送電極Ｇ２及びＧ４に値の大きい抵抗を接続
し、付加容量の大きい第１及び第３の転送電極Ｇ１及び
Ｇ３に値の小さい抵抗を接続すれば、取扱い電荷量を犠
牲にせずに、転送効率を大きく向上させることができる
ことがわかる。
【００３８】図４で示す実施例では、第１及び第３の転
送電極Ｇ１及びＧ３に値が２０Ωの抵抗Ｒ１及びＲ３を
接続し、第２及び第４の転送電極Ｇ２及びＧ４に値が６
０Ωの抵抗Ｒ２及びＲ４を接続して構成した。
送電極Ｇ１及びＧ３に値が２０Ωの抵抗Ｒ１及びＲ３を
接続し、第２及び第４の転送電極Ｇ２及びＧ４に値が６
０Ωの抵抗Ｒ２及びＲ４を接続して構成した。
【００３９】ところで、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及
びＧ４への抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４の接続は、Ｃ
ＣＤイメージセンサを例にとると、そのイメージエリア
の周辺部における配線引き回し用の領域で行うことが好
ましい。即ち、図７に示すように、受光部がマトリクス
状に配列されたイメージエリア１１内における垂直レジ
スタ上の各転送電極は、イメージエリア１１の周辺部に
おける配線引き回し領域にて、対応する入力端子φ１，
φ２，φ３及びφ４と配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び
１２ｄを介して電気的に接続されるわけだが、ここで上
記各配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び１２ｄを以下のよ
うに構成する。
びＧ４への抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４の接続は、Ｃ
ＣＤイメージセンサを例にとると、そのイメージエリア
の周辺部における配線引き回し用の領域で行うことが好
ましい。即ち、図７に示すように、受光部がマトリクス
状に配列されたイメージエリア１１内における垂直レジ
スタ上の各転送電極は、イメージエリア１１の周辺部に
おける配線引き回し領域にて、対応する入力端子φ１，
φ２，φ３及びφ４と配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び
１２ｄを介して電気的に接続されるわけだが、ここで上
記各配線１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び１２ｄを以下のよ
うに構成する。
【００４０】各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４から
延びる配線層（通常、多結晶シリコン層が用いられる）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び１２ｄと入力端子φ１，φ
２，φ３及びφ４のインナー側を同じ線幅及び長さを有
する抵抗線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄで電気的
に接続する。
延びる配線層（通常、多結晶シリコン層が用いられる）
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ及び１２ｄと入力端子φ１，φ
２，φ３及びφ４のインナー側を同じ線幅及び長さを有
する抵抗線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３ｄで電気的
に接続する。
【００４１】そして、各配線層１２ａ，１２ｂ，１２ｃ
及び１２ｄと各抵抗線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３
ｄとを例えばＡｌ配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ及び１４
ｄにて接続する。このとき、Ａｌ配線１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ及び１４ｄと抵抗線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び
１３ｄとの各接続位置ａ，ｂ，ｃ及びｄを各転送電極Ｇ
１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の付加容量に応じて適宜選定す
ることによって、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４
に付加容量に応じた抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４が接
続されたことと等価になる。
及び１２ｄと各抵抗線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び１３
ｄとを例えばＡｌ配線１４ａ，１４ｂ，１４ｃ及び１４
ｄにて接続する。このとき、Ａｌ配線１４ａ，１４ｂ，
１４ｃ及び１４ｄと抵抗線１３ａ，１３ｂ，１３ｃ及び
１３ｄとの各接続位置ａ，ｂ，ｃ及びｄを各転送電極Ｇ
１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４の付加容量に応じて適宜選定す
ることによって、各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４
に付加容量に応じた抵抗Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４が接
続されたことと等価になる。
【００４２】各転送電極Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４が図
４の構成を有する場合、第１及び第３の転送電極Ｇ１及
びＧ３に関しては、Ａｌ配線１４ａ及び１４ｃにおける
抵抗線１３ａ及び１３ｃとの接続位置ａ及びｃを夫々入
力端子φ１及びφ３のインナー側に設定して、各抵抗Ｒ
１及びＲ３の値を小さくし、第２及び第４の転送電極Ｇ
２及びＧ４に関しては、Ａｌ配線１４ｂ及び１４ｄにお
ける抵抗線１３ｂ及び１３ｄとの接続位置ｂ及びｄを夫
々配線層１２ｂ及び１２ｄ側に設定して、各抵抗Ｒ２及
びＲ４の値を大きくする。
４の構成を有する場合、第１及び第３の転送電極Ｇ１及
びＧ３に関しては、Ａｌ配線１４ａ及び１４ｃにおける
抵抗線１３ａ及び１３ｃとの接続位置ａ及びｃを夫々入
力端子φ１及びφ３のインナー側に設定して、各抵抗Ｒ
１及びＲ３の値を小さくし、第２及び第４の転送電極Ｇ
２及びＧ４に関しては、Ａｌ配線１４ｂ及び１４ｄにお
ける抵抗線１３ｂ及び１３ｄとの接続位置ｂ及びｄを夫
々配線層１２ｂ及び１２ｄ側に設定して、各抵抗Ｒ２及
びＲ４の値を大きくする。
【００４３】上記の方法によれば、簡単に各転送電極Ｇ
１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４にその付加容量に応じた抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を接続することができる。
１，Ｇ２，Ｇ３及びＧ４にその付加容量に応じた抵抗Ｒ
１，Ｒ２，Ｒ３及びＲ４を接続することができる。
【００４４】上記例では、ＣＣＤイメージセンサに適用
した例を示したが、その他、ＣＣＤリニアセンサやＣＣ
Ｄ遅延線にも適用させることができる。
した例を示したが、その他、ＣＣＤリニアセンサやＣＣ
Ｄ遅延線にも適用させることができる。
【００４５】
【発明の効果】本発明に係る電荷転送装置によれば、電
荷転送領域の最大取扱い電荷量を減少させることなく、
信号電荷の転送効率を向上させることができる。
荷転送領域の最大取扱い電荷量を減少させることなく、
信号電荷の転送効率を向上させることができる。
【図１】本実施例に係るＣＣＤイメージセンサの特にそ
の垂直転送部分の原理構造を示す概略構成図。
の垂直転送部分の原理構造を示す概略構成図。
【図２】Ａは、本実施例の入力端子に供給される駆動パ
ルス（方形パルス）を示す波形図。Ｂは、本実施例にお
ける実際の駆動パルスの波形図。
ルス（方形パルス）を示す波形図。Ｂは、本実施例にお
ける実際の駆動パルスの波形図。
【図３】本実施例に係る信号電荷の転送動作を示す動作
概念図。
概念図。
【図４】本実施例に係る転送電極の実際の形成パターン
例を一部破断して示す斜視図。
例を一部破断して示す斜視図。
【図５】各サンプルの抵抗値に対する転送残り量の変化
を示す特性図。
を示す特性図。
【図６】サンプル１及び２の抵抗値に対する取扱い電荷
量の変化を示す特性図。
量の変化を示す特性図。
【図７】本実施例に係るイメージエリア周辺部の構成を
示す概略平面図。
示す概略平面図。
【図８】本実施例に係る抵抗の接続方法（形成方法）を
示す説明図。
示す説明図。
【図９】ＣＣＤイメージセンサの一般的な構成を示す概
略平面図。
略平面図。
【図１０】従来例に係るＣＣＤイメージセンサの垂直転
送部分を示す概略構成図。
送部分を示す概略構成図。
【図１１】従来例の不都合点を示す波形図。
Ｇ１〜Ｇ４ 転送電極 Ｃ１〜Ｃ４ 付加容量 Ｒ１〜Ｒ４ 付加抵抗 Ｖ１〜Ｖ４ 駆動パルス １ 基板 ２ 垂直レジスタ ３ ゲート絶縁膜
Claims (1)
- 【請求項１】 基体に形成された電荷転送領域上に、所
定枚数の転送電極を１組とする転送段が多段に配列さ
れ、各転送段の各転送電極に夫々位相の異なる駆動パル
スを印加することにより、上記電荷転送領域内の信号電
荷を出力部側に順次転送する電荷転送装置において、 上記各転送電極に、各転送電極の付加容量に応じた値を
有する抵抗が接続されていることを特徴とする電荷転送
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09302792A JP3208595B2 (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 電荷転送装置 |
| KR1019930005933A KR100317726B1 (ko) | 1992-04-13 | 1993-04-09 | 전하전송장치및이를포함하는고체이미지감지장치 |
| US08/291,493 US5414467A (en) | 1992-04-13 | 1994-08-17 | Charge transfer device wherein the time constant between the clock means and the transfer gate electrodes are substantially equal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09302792A JP3208595B2 (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 電荷転送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291310A true JPH05291310A (ja) | 1993-11-05 |
| JP3208595B2 JP3208595B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=14071015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09302792A Expired - Lifetime JP3208595B2 (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | 電荷転送装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5414467A (ja) |
| JP (1) | JP3208595B2 (ja) |
| KR (1) | KR100317726B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004510332A (ja) * | 2000-09-22 | 2004-04-02 | オイペク オイロペーシェ ゲゼルシャフト フューア ライストゥングスハルプライター エムベーハー | 可制御半導体部品 |
| JP2008271448A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sony Corp | 転送パルス供給回路及び固体撮像装置 |
| JP2010063176A (ja) * | 2009-12-14 | 2010-03-18 | Sony Corp | 容量性負荷を有する半導体装置を駆動する駆動方法および駆動装置、並びに電子機器 |
| US7750964B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-07-06 | Sony Corporation | Method and apparatus for driving a semiconductor device including driving of signal charges within and outside an effective transfer period |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20240267652A1 (en) * | 2023-02-07 | 2024-08-08 | BAE Systems Imaging Solutions Inc. | Image sensor with stacked ccd and cmos architecture |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5518151A (en) * | 1978-07-26 | 1980-02-08 | Canon Inc | Input device of photo electric conversion information |
| NL8203870A (nl) * | 1982-10-06 | 1984-05-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
| US4617471A (en) * | 1983-12-27 | 1986-10-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Image sensing device |
| FR2582136B1 (fr) * | 1985-05-14 | 1987-06-26 | Labo Electronique Physique | Dispositif a transfert de charges muni d'organes selfiques |
| JPH02266537A (ja) * | 1989-04-07 | 1990-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 電荷転送素子 |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP09302792A patent/JP3208595B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-09 KR KR1019930005933A patent/KR100317726B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1994
- 1994-08-17 US US08/291,493 patent/US5414467A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US8009218B2 (en) | 2005-09-30 | 2011-08-30 | Sony Corporation | Method for driving semiconductor device having capacitive load, method and apparatus for driving load, and electronic apparatus |
| JP2008271448A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Sony Corp | 転送パルス供給回路及び固体撮像装置 |
| KR101404446B1 (ko) * | 2007-04-24 | 2014-06-09 | 소니 주식회사 | 전송 펄스 공급 회로 및 고체 촬상 장치 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3208595B2 (ja) | 2001-09-17 |
| US5414467A (en) | 1995-05-09 |
| KR930022853A (ko) | 1993-11-24 |
| KR100317726B1 (ko) | 2002-06-20 |
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