JPH05283786A - 周波数安定化半導体レーザ光源 - Google Patents
周波数安定化半導体レーザ光源Info
- Publication number
- JPH05283786A JPH05283786A JP7457292A JP7457292A JPH05283786A JP H05283786 A JPH05283786 A JP H05283786A JP 7457292 A JP7457292 A JP 7457292A JP 7457292 A JP7457292 A JP 7457292A JP H05283786 A JPH05283786 A JP H05283786A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- frequency
- absorption
- output
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 吸収セルに封入された物質の吸収線を基準と
して半導体レーザの発振周波数を制御する周波数安定化
半導体レーザ光源において、周波数がずれたときにそれ
を戻すことのできる周波数範囲を広げる。 【構成】 半導体レーザ１の発振周波数が吸収セルの吸
収線内にあるかどうかを吸収線検出回路９により検出
し、その検出出力により可変利得増幅器１０の利得を制
御して変調度を変化させる。
して半導体レーザの発振周波数を制御する周波数安定化
半導体レーザ光源において、周波数がずれたときにそれ
を戻すことのできる周波数範囲を広げる。 【構成】 半導体レーザ１の発振周波数が吸収セルの吸
収線内にあるかどうかを吸収線検出回路９により検出
し、その検出出力により可変利得増幅器１０の利得を制
御して変調度を変化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ光源の周波
数安定化に利用する。特に、特定周波数の光を吸収する
物質を用いて半導体レーザの発振周波数を帰還制御する
周波数安定化半導体レーザ光源に関する。
数安定化に利用する。特に、特定周波数の光を吸収する
物質を用いて半導体レーザの発振周波数を帰還制御する
周波数安定化半導体レーザ光源に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例の周波数安定化半導体レー
ザ光源を示すブロック構成図であり、図６はその動作を
説明する図である。
ザ光源を示すブロック構成図であり、図６はその動作を
説明する図である。
【０００３】半導体レーザ２１は恒温槽内２２に配置さ
れる。この半導体レーザ２１には電流制御回路３０から
のバイアス電流と発振器２９からの変調信号とが入力さ
れ、その出力光は周波数変調された光となる。半導体レ
ーザ２１の出力は、二つのアイソレータ２３、２４を通
過して偏波保存光ファイバにより外部に出力される。二
つのアイソレータ２３、２４の間にはビームスプリッタ
２５が設けられ、半導体レーザ２１からの光を分岐して
吸収セル２６に入射する。吸収セル２６には特定の周波
数を吸収する物質が封入されており、その透過光は受光
素子２７により検出される。受光素子２７の検出出力は
同期検波回路２８により同期検波される。
れる。この半導体レーザ２１には電流制御回路３０から
のバイアス電流と発振器２９からの変調信号とが入力さ
れ、その出力光は周波数変調された光となる。半導体レ
ーザ２１の出力は、二つのアイソレータ２３、２４を通
過して偏波保存光ファイバにより外部に出力される。二
つのアイソレータ２３、２４の間にはビームスプリッタ
２５が設けられ、半導体レーザ２１からの光を分岐して
吸収セル２６に入射する。吸収セル２６には特定の周波
数を吸収する物質が封入されており、その透過光は受光
素子２７により検出される。受光素子２７の検出出力は
同期検波回路２８により同期検波される。
【０００４】半導体レーザ２１の発振周波数を掃引する
と、受光素子２７の検出信号には、図６に示すように、
吸収線の存在する周波数で透過光パワーが低下する吸収
信号が得られる。半導体レーザ２１は駆動電流に対応し
て発振周波数が変化し、この電流に変調をかけると出力
光が周波数変調される。この周波数変調された光が吸収
セルを通過するとき、吸収線の傾斜部で振幅変調に変換
される。
と、受光素子２７の検出信号には、図６に示すように、
吸収線の存在する周波数で透過光パワーが低下する吸収
信号が得られる。半導体レーザ２１は駆動電流に対応し
て発振周波数が変化し、この電流に変調をかけると出力
光が周波数変調される。この周波数変調された光が吸収
セルを通過するとき、吸収線の傾斜部で振幅変調に変換
される。
【０００５】すなわち、吸収が周波数とともに急激に大
きくなる周波数では、図６の波形ａ、ｃで示したような
周波数変調入射光に対して、同一周波数で振幅成分が大
きく変動する透過光ｅ、ｇが得られる。波形ｂで示すよ
うに周波数変調の中心周波数が吸収の中心周波数に一致
する場合には、その中心周波数の光が吸収されるものの
それから偏移した周波数は透過し、変調周波数の二倍の
周波数で振幅が変化する透過光ｆが得られる。波形ｄの
ように入射光の周波数が吸収線から外れている場合に
は、入射光に含まれる振幅変調成分ｈがそのまま透過す
る。
きくなる周波数では、図６の波形ａ、ｃで示したような
周波数変調入射光に対して、同一周波数で振幅成分が大
きく変動する透過光ｅ、ｇが得られる。波形ｂで示すよ
うに周波数変調の中心周波数が吸収の中心周波数に一致
する場合には、その中心周波数の光が吸収されるものの
それから偏移した周波数は透過し、変調周波数の二倍の
周波数で振幅が変化する透過光ｆが得られる。波形ｄの
ように入射光の周波数が吸収線から外れている場合に
は、入射光に含まれる振幅変調成分ｈがそのまま透過す
る。
【０００６】したがって、このような透過光を受光して
同期検波すれば、微分波形ｉが得られる。この微分波形
は吸収線の中心で零となり、周波数の高低に対し電圧が
正負となる周波数弁別特性をもつ。そこで、この微分波
形を半導体レーザ２１の駆動電流にフィードバックし、
その発振周波数を吸収線の中心周波数に制御する。
同期検波すれば、微分波形ｉが得られる。この微分波形
は吸収線の中心で零となり、周波数の高低に対し電圧が
正負となる周波数弁別特性をもつ。そこで、この微分波
形を半導体レーザ２１の駆動電流にフィードバックし、
その発振周波数を吸収線の中心周波数に制御する。
【０００７】具体的な一例をあげると、半導体レーザ２
１として１．５μｍ帯ＤＦＢ半導体レーザを用い、吸収
セル２６としてアセチレンガスが封入されたものを用
い、駆動電流を２ｋＨｚの正弦波で変調する。
１として１．５μｍ帯ＤＦＢ半導体レーザを用い、吸収
セル２６としてアセチレンガスが封入されたものを用
い、駆動電流を２ｋＨｚの正弦波で変調する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来例の
安定化方法は半導体レーザの安定化として一番簡単な方
法であるが、駆動電流を変調するので、出力も変調され
てしまう。例えばアセチレンガスの場合には吸収線幅の
半値全幅が５４０ＭＨｚなので、±２７０ＭＨｚの最大
周波数偏移で変調すると最も大きなＳ／Ｎが得られる
が、周波数偏移が大きいと、 （１）出力光のスペクトル線幅が広がる （２）瞬時周波数安定性がない （３）干渉計測には利用できない という問題が生じる。このため、実際には周波数偏移を
できるだけ小さくしなければならず、周波数ロックのキ
ャプチャレンジ・ロックレンジ、すなわち周波数がずれ
たときにそれを所望の周波数に戻すことのできる周波数
範囲は、ほぼ吸収線幅に限定されてしまう。
安定化方法は半導体レーザの安定化として一番簡単な方
法であるが、駆動電流を変調するので、出力も変調され
てしまう。例えばアセチレンガスの場合には吸収線幅の
半値全幅が５４０ＭＨｚなので、±２７０ＭＨｚの最大
周波数偏移で変調すると最も大きなＳ／Ｎが得られる
が、周波数偏移が大きいと、 （１）出力光のスペクトル線幅が広がる （２）瞬時周波数安定性がない （３）干渉計測には利用できない という問題が生じる。このため、実際には周波数偏移を
できるだけ小さくしなければならず、周波数ロックのキ
ャプチャレンジ・ロックレンジ、すなわち周波数がずれ
たときにそれを所望の周波数に戻すことのできる周波数
範囲は、ほぼ吸収線幅に限定されてしまう。
【０００９】本発明は、このような課題を解決し、周波
数ロックのキャプチャレンジ・ロックレンジが広い周波
数安定化半導体レーザ光源を提供することを目的とす
る。
数ロックのキャプチャレンジ・ロックレンジが広い周波
数安定化半導体レーザ光源を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の周波数安定化半
導体レーザ光源は、半導体レーザと、この半導体レーザ
の発振周波数を変調する変調手段と、特定周波数の光を
吸収する物質が封入された吸収セルと、この吸収セルに
半導体レーザの出力光を入射させる光学手段と、吸収セ
ルの透過光を検出する受光素子と、この受光素子の出力
を同期検波して吸収スペクトルの一次微分波形を出力す
る同期検波回路と、この一次微分波形にしたがって半導
体レーザの発振周波数を制御する制御手段とを備えた周
波数安定化半導体レーザ光源において、半導体レーザの
発振周波数が吸収セルの吸収線内にあるかどうかを検出
する吸収線検出手段と、この吸収線検出手段の出力によ
り変調手段による変調度を変化させる手段とを備えたこ
とを特徴とする。
導体レーザ光源は、半導体レーザと、この半導体レーザ
の発振周波数を変調する変調手段と、特定周波数の光を
吸収する物質が封入された吸収セルと、この吸収セルに
半導体レーザの出力光を入射させる光学手段と、吸収セ
ルの透過光を検出する受光素子と、この受光素子の出力
を同期検波して吸収スペクトルの一次微分波形を出力す
る同期検波回路と、この一次微分波形にしたがって半導
体レーザの発振周波数を制御する制御手段とを備えた周
波数安定化半導体レーザ光源において、半導体レーザの
発振周波数が吸収セルの吸収線内にあるかどうかを検出
する吸収線検出手段と、この吸収線検出手段の出力によ
り変調手段による変調度を変化させる手段とを備えたこ
とを特徴とする。
【００１１】変調度を変化させる手段は、半導体レーザ
の発振周波数が吸収セルの吸収線からはずれたときに変
調度を大きくする手段を含むことがよい。
の発振周波数が吸収セルの吸収線からはずれたときに変
調度を大きくする手段を含むことがよい。
【００１２】変調手段は発振器とこの発振器の出力を半
導体レーザの駆動電流に加算する加算器とを含み、変調
度を変化させる手段は発振器の出力を増幅する可変利得
増幅器を含むことが望ましい。
導体レーザの駆動電流に加算する加算器とを含み、変調
度を変化させる手段は発振器の出力を増幅する可変利得
増幅器を含むことが望ましい。
【００１３】吸収線検出手段は、吸収セルの入射光が分
岐して入力されるモニタ受光手段と、このモニタ受光手
段の出力と吸収セルの透過光を検出する受光素子の出力
とを比較する手段とを含むことが望ましい。
岐して入力されるモニタ受光手段と、このモニタ受光手
段の出力と吸収セルの透過光を検出する受光素子の出力
とを比較する手段とを含むことが望ましい。
【００１４】
【作用】半導体レーザの発振周波数が吸収セルの吸収線
内の周波数のときと外側の周波数のときとで、半導体レ
ーザの駆動電流の変調度を変化させる。特に、外側の周
波数のときには変調度を大きくする。変調度を大きくす
ると周波数偏移も大きくなる。このため、周波数ロック
のキャプチャレンジ・ロックレンジを広くできる。ま
た、吸収線内のときには変調度を小さくすれば、周波数
偏移が小さくなる。
内の周波数のときと外側の周波数のときとで、半導体レ
ーザの駆動電流の変調度を変化させる。特に、外側の周
波数のときには変調度を大きくする。変調度を大きくす
ると周波数偏移も大きくなる。このため、周波数ロック
のキャプチャレンジ・ロックレンジを広くできる。ま
た、吸収線内のときには変調度を小さくすれば、周波数
偏移が小さくなる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明実施例の周波数安定化半導体レ
ーザ光源を示すブロック構成図である。
ーザ光源を示すブロック構成図である。
【００１６】このレーザ光源は、半導体レーザ１と、こ
の半導体レーザ１の発振周波数を変調する変調手段とし
ての発振器６および加算器１１と、特定周波数の光を吸
収する物質が封入された吸収セル４と、この吸収セル４
に半導体レーザ１の出力光を入射させる光学手段として
のビームスプリッタ３と、吸収セル４の透過光を検出す
る受光素子５と、この受光素子５の出力を同期検波して
吸収スペクトルの一次微分波形を出力する同期検波回路
７と、この一次微分波形にしたがって半導体レーザ１の
発振周波数を制御する制御手段としての制御回路８およ
び半導体レーザ駆動回路１２とを備える。
の半導体レーザ１の発振周波数を変調する変調手段とし
ての発振器６および加算器１１と、特定周波数の光を吸
収する物質が封入された吸収セル４と、この吸収セル４
に半導体レーザ１の出力光を入射させる光学手段として
のビームスプリッタ３と、吸収セル４の透過光を検出す
る受光素子５と、この受光素子５の出力を同期検波して
吸収スペクトルの一次微分波形を出力する同期検波回路
７と、この一次微分波形にしたがって半導体レーザ１の
発振周波数を制御する制御手段としての制御回路８およ
び半導体レーザ駆動回路１２とを備える。
【００１７】半導体レーザ１の温度は温度制御回路１４
により制御されるとともに、その温度が温度モニタ回路
１３により監視される。温度モニタ回路１３の出力は制
御回路８に供給される。
により制御されるとともに、その温度が温度モニタ回路
１３により監視される。温度モニタ回路１３の出力は制
御回路８に供給される。
【００１８】ここで本実施例の特徴とするところは、半
導体レーザ１の発振周波数が吸収セル４の吸収線内にあ
るかどうかを検出する吸収線検出手段としてモニタ用の
受光素子２および吸収線検出回路９を備え、この吸収線
検出回路９の出力により変調手段による変調度を変化さ
せる手段として可変利得増幅器１０を備えたことにあ
る。
導体レーザ１の発振周波数が吸収セル４の吸収線内にあ
るかどうかを検出する吸収線検出手段としてモニタ用の
受光素子２および吸収線検出回路９を備え、この吸収線
検出回路９の出力により変調手段による変調度を変化さ
せる手段として可変利得増幅器１０を備えたことにあ
る。
【００１９】発振器６の出力を加算器１１により制御回
路８の出力に加算し、半導体レーザ駆動回路１２を介し
て半導体レーザ１に供給すると、半導体レーザ１の駆動
電流が変調されているため、その発振周波数が周波数変
調される。この周波数変調された出力光はビームスプリ
ッタ３により二つに分岐され、その一方が受光素子２に
入射し、他方が吸収セル４に入射する。吸収セル４の透
過光は受光素子５により受光され、同期検波回路７は発
振器６からの信号により受光素子５の出力を同期検波す
る。この同期検波により吸収セル４による吸収スペクト
ルの一次微分波形が得られ、これを制御回路８にフィー
ドバックする。
路８の出力に加算し、半導体レーザ駆動回路１２を介し
て半導体レーザ１に供給すると、半導体レーザ１の駆動
電流が変調されているため、その発振周波数が周波数変
調される。この周波数変調された出力光はビームスプリ
ッタ３により二つに分岐され、その一方が受光素子２に
入射し、他方が吸収セル４に入射する。吸収セル４の透
過光は受光素子５により受光され、同期検波回路７は発
振器６からの信号により受光素子５の出力を同期検波す
る。この同期検波により吸収セル４による吸収スペクト
ルの一次微分波形が得られ、これを制御回路８にフィー
ドバックする。
【００２０】受光素子２は吸収セル４の入射光をモニタ
し、吸収線検出回路９は、受光素子２の出力と吸収セル
４の透過光を受光する受光素子５の出力とを比較し、可
変利得増幅器１０の利得を制御する。
し、吸収線検出回路９は、受光素子２の出力と吸収セル
４の透過光を受光する受光素子５の出力とを比較し、可
変利得増幅器１０の利得を制御する。
【００２１】この動作について図２ないし図４を参照し
て説明する。図２は受光素子２、５のそれぞれの出力、
図３は吸収線検出回路９の出力、図４は吸収信号と一次
微分波形との関係を示す図である。
て説明する。図２は受光素子２、５のそれぞれの出力、
図３は吸収線検出回路９の出力、図４は吸収信号と一次
微分波形との関係を示す図である。
【００２２】半導体レーザ１の発振周波数が吸収線内の
周波数であるときには、図２に示すように受光素子５の
出力が大きく低下する。そこで、受光素子２の出力と受
光素子５の出力とを比較すれば吸収線を検出できる。単
純には、吸収線検出回路９で受光素子５の出力から受光
素子２の出力を減算し、その減算出力により可変利得増
幅器１０の利得を制御する。例えば、図３に示すよう
に、吸収があるときの受光素子５の出力と受光素子２の
出力との差を「０」とし、吸収がないときには差が正の
値になるとする。このとき、 （１）吸収線検出回路９の出力＝０のとき可変利得増幅
器１０の利得＝１ （２）吸収線検出回路９の出力＞０のとき可変利得増幅
器１０の利得＞１ のように制御する。
周波数であるときには、図２に示すように受光素子５の
出力が大きく低下する。そこで、受光素子２の出力と受
光素子５の出力とを比較すれば吸収線を検出できる。単
純には、吸収線検出回路９で受光素子５の出力から受光
素子２の出力を減算し、その減算出力により可変利得増
幅器１０の利得を制御する。例えば、図３に示すよう
に、吸収があるときの受光素子５の出力と受光素子２の
出力との差を「０」とし、吸収がないときには差が正の
値になるとする。このとき、 （１）吸収線検出回路９の出力＝０のとき可変利得増幅
器１０の利得＝１ （２）吸収線検出回路９の出力＞０のとき可変利得増幅
器１０の利得＞１ のように制御する。
【００２３】可変利得増幅器１０の利得が「１」とは可
変利得増幅器１０がないことと同等であり、半導体レー
ザ１の発振周波数を吸収線に制御する動作は従来からの
技術と同一である。
変利得増幅器１０がないことと同等であり、半導体レー
ザ１の発振周波数を吸収線に制御する動作は従来からの
技術と同一である。
【００２４】半導体レーザ１の発振周波数が吸収線の中
心周波数から外れた場合には、吸収線検出回路９の出力
により可変利得増幅器１０の利得が「１」より大きくな
り、変調度が大きくなる。変調度が大きいと周波数偏移
も大きくなるため、半導体レーザ１の発振周波数が吸収
線の中心周波数からある程度大きく外れても、周波数変
調されたことによって生じるスペクトルが吸収線内にあ
る限りその発振周波数を戻すことができる。すなわち、
周波数ロックのキャプチャレンジ・ロックレンジが広が
る。図４に変調度が大きいときと小さいときとの一次微
分波形を示す。
心周波数から外れた場合には、吸収線検出回路９の出力
により可変利得増幅器１０の利得が「１」より大きくな
り、変調度が大きくなる。変調度が大きいと周波数偏移
も大きくなるため、半導体レーザ１の発振周波数が吸収
線の中心周波数からある程度大きく外れても、周波数変
調されたことによって生じるスペクトルが吸収線内にあ
る限りその発振周波数を戻すことができる。すなわち、
周波数ロックのキャプチャレンジ・ロックレンジが広が
る。図４に変調度が大きいときと小さいときとの一次微
分波形を示す。
【００２５】半導体レーザ１の発振周波数が吸収線の中
心周波数にある場合は、吸収線検出回路９の出力により
可変利得増幅器１０の利得を「１」とし、変調度を小さ
くする。これにより出力光のスペクトル線幅を狭くで
き、瞬時周波数安定性が得られ、干渉計測にも利用でき
るようになる。
心周波数にある場合は、吸収線検出回路９の出力により
可変利得増幅器１０の利得を「１」とし、変調度を小さ
くする。これにより出力光のスペクトル線幅を狭くで
き、瞬時周波数安定性が得られ、干渉計測にも利用でき
るようになる。
【００２６】以上の動作において、電源投入時に半導体
レーザ１の温度が温度制御回路１４の制御温度付近にな
いときに制御回路８が動作すると、半導体レーザ１に電
流が過大に流れることがある。このような電流が流れる
と、安全回路により装置がシャットダウンしたり、最悪
の場合には半導体レーザ１が破損する。そこで、半導体
レーザ１の温度が制御温度付近から外れているときに
は、温度モニタ回路１３により制御回路８をオフにし、
半導体レーザ１の温度が制御温度付近になったときに制
御回路８をオンにする。
レーザ１の温度が温度制御回路１４の制御温度付近にな
いときに制御回路８が動作すると、半導体レーザ１に電
流が過大に流れることがある。このような電流が流れる
と、安全回路により装置がシャットダウンしたり、最悪
の場合には半導体レーザ１が破損する。そこで、半導体
レーザ１の温度が制御温度付近から外れているときに
は、温度モニタ回路１３により制御回路８をオフにし、
半導体レーザ１の温度が制御温度付近になったときに制
御回路８をオンにする。
【００２７】以上の実施例において、従来例で示したよ
うな恒温槽、光アイソレータについては示さなかった
が、従来例と同様にこれらを用いることがよい。
うな恒温槽、光アイソレータについては示さなかった
が、従来例と同様にこれらを用いることがよい。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の周波数安
定化半導体レーザ光源は、発振周波数が吸収セルの吸収
線内にあるかどうかを検出して変調度を変化させること
により、周波数ロックのキャプチャレンジ・ロックレン
ジを広くすることができる。また、この結果、外気変化
などの外乱に対する余裕を大きくすることができる。
定化半導体レーザ光源は、発振周波数が吸収セルの吸収
線内にあるかどうかを検出して変調度を変化させること
により、周波数ロックのキャプチャレンジ・ロックレン
ジを広くすることができる。また、この結果、外気変化
などの外乱に対する余裕を大きくすることができる。
【図１】本発明実施例の周波数安定化半導体レーザ光源
を示すブロック構成図。
を示すブロック構成図。
【図２】二つの受光素子の出力を示す図。
【図３】吸収線検出回路の出力を示す図。
【図４】吸収信号と一次微分波形との関係を示す図。
【図５】従来例の周波数安定化半導体レーザ光源を示す
ブロック構成図。
ブロック構成図。
【図６】従来例における吸収セルの吸収信号と吸収スペ
クトルの一次微分波形との関係を示す図。
クトルの一次微分波形との関係を示す図。
１、２１ 半導体レーザ ２、５、２７ 受光素子 ３、２５ ビームスプリッタ ４、２６ 吸収セル ６、２９ 発振器 ７、２８ 同期検波回路 ８ 制御回路 ９ 吸収線検出回路 １０ 可変利得増幅器 １１ 加算器 １２ 半導体レーザ駆動回路 １３ 温度モニタ回路 １４ 温度制御回路 ２２ 恒温槽 ３０ 電流制御回路 ２３、２４ アイソレータ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体レーザと、 この半導体レーザの発振周波数を変調する変調手段と、 特定周波数の光を吸収する物質が封入された吸収セル
と、 この吸収セルに前記半導体レーザの出力光を入射させる
光学手段と、 吸収セルの透過光を検出する受光素子と、 この受光素子の出力を同期検波して吸収スペクトルの一
次微分波形を出力する同期検波回路と、 この一次微分波形にしたがって前記半導体レーザの発振
周波数を制御する制御手段とを備えた周波数安定化半導
体レーザ光源において、 前記半導体レーザの発振周波数が前記吸収セルの吸収線
内にあるかどうかを検出する吸収線検出手段と、 この吸収線検出手段の出力により前記変調手段による変
調度を変化させる手段とを備えたことを特徴とする周波
数安定化半導体レーザ光源。 - 【請求項２】 変調度を変化させる手段は、半導体レー
ザの発振周波数が吸収セルの吸収線からはずれたときに
変調度を大きくする手段を含む請求項１記載の周波数安
定化半導体レーザ光源。 - 【請求項３】 変調手段は、発振器と、この発振器の出
力を半導体レーザの駆動電流に加算する加算器とを含
み、 変調度を変化させる手段は、前記発振器の出力を増幅す
る可変利得増幅器を含む請求項１記載の周波数安定化半
導体レーザ光源。 - 【請求項４】 吸収線検出手段は、 前記吸収セルの入射光が分岐して入力されるモニタ受光
手段と、 このモニタ受光手段の出力と前記受光素子の出力とを比
較する手段とを含む請求項１記載の周波数安定化半導体
レーザ光源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7457292A JPH05283786A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 周波数安定化半導体レーザ光源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7457292A JPH05283786A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 周波数安定化半導体レーザ光源 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283786A true JPH05283786A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13551051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7457292A Pending JPH05283786A (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 周波数安定化半導体レーザ光源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283786A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008211137A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Anritsu Corp | 波長安定化光源 |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP7457292A patent/JPH05283786A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008211137A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Anritsu Corp | 波長安定化光源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5777773A (en) | Optical frequency control system and method | |
| US4071751A (en) | Automatic optical bias control for light modulators | |
| JPH0118589B2 (ja) | ||
| US5544183A (en) | Variable wavelength light source | |
| US4101847A (en) | Laser control circuit | |
| US4745606A (en) | Dual-wavelength laser apparatus | |
| US5027362A (en) | Laser control method and circuitry | |
| CN111504911A (zh) | 一种基于稳频激光光声光谱的气体检测系统及方法 | |
| US4460249A (en) | Control system for an optical modulator | |
| JP2000261092A (ja) | 周波数安定化光源 | |
| JPH05283786A (ja) | 周波数安定化半導体レーザ光源 | |
| JP3783822B2 (ja) | 周波数安定化光源 | |
| JP2687557B2 (ja) | 周波数安定化半導体レーザー装置 | |
| JPH05275788A (ja) | 周波数安定化半導体レーザ装置 | |
| JPS61205848A (ja) | 小さな信号を測定するためのクリーブ結合キヤビテイ レーザー駆動システム | |
| JP2520740B2 (ja) | 波長可変安定化光源 | |
| JP2567897B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2514420B2 (ja) | レ―ザ光源の周波数安定化装置 | |
| CA1057841A (en) | Automatic optical bias control for light modulators | |
| KR950007488B1 (ko) | 레이저 종모드간의 2차 맥놀이 신호를 이용한 레이저주파수 및 출력을 안정화하는 방법 및 장치 | |
| JP2974063B2 (ja) | 自動周波数制御回路 | |
| JPS62162382A (ja) | 高安定化半導体レ−ザ光源 | |
| JP2852768B2 (ja) | リング共振ジャイロスコープにおける光ビームの周波数を制御する装置 | |
| JPH04158591A (ja) | 周波数安定化光源 | |
| JPH0786674A (ja) | コヒーレント光伝送装置 |