JPH05283727A - 太陽電池モジュール - Google Patents
太陽電池モジュールInfo
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- JPH05283727A JPH05283727A JP4105986A JP10598692A JPH05283727A JP H05283727 A JPH05283727 A JP H05283727A JP 4105986 A JP4105986 A JP 4105986A JP 10598692 A JP10598692 A JP 10598692A JP H05283727 A JPH05283727 A JP H05283727A
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- JP
- Japan
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- solar cell
- cell module
- coated
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高湿度の環境でも、出力低下が少なく、安定
に性能を発揮する太陽電池モジュールを提供することを
目的とする。 【構成】 導電性基体上に、裏面電極層、光電変換部材
としての半導体層、透明導電層及び集電電極を少なくと
も形成してなる光起電力素子１０１の光照射側表面が、
フッ素樹脂フィルム１０４で被覆された太陽電池モジュ
ールにおいて、該フッ素樹脂フィルム１０４の少なくと
も一方の面を、透明な無機化合物１０５でコーティング
したことを特徴とする。
に性能を発揮する太陽電池モジュールを提供することを
目的とする。 【構成】 導電性基体上に、裏面電極層、光電変換部材
としての半導体層、透明導電層及び集電電極を少なくと
も形成してなる光起電力素子１０１の光照射側表面が、
フッ素樹脂フィルム１０４で被覆された太陽電池モジュ
ールにおいて、該フッ素樹脂フィルム１０４の少なくと
も一方の面を、透明な無機化合物１０５でコーティング
したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、太陽電池モジュールに
係わり、より詳しくは、太陽電池モジュールの表面被覆
材に関する。
係わり、より詳しくは、太陽電池モジュールの表面被覆
材に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＣＯ2の増加による温室効果で地
球の温暖化が生じることが予測され、クリーンなエネル
ギーの要求がますます高まっている。また、ＣＯ2を排
出しない原子力発電も、依然として放射性廃棄物処理の
問題が解決されておらず、より安全性の高いクリーンな
エネルギーが望まれている。
球の温暖化が生じることが予測され、クリーンなエネル
ギーの要求がますます高まっている。また、ＣＯ2を排
出しない原子力発電も、依然として放射性廃棄物処理の
問題が解決されておらず、より安全性の高いクリーンな
エネルギーが望まれている。
【０００３】将来期待されているクリーンなエネルギー
の中でも、特に太陽電池はそのクリーンさと安全性と取
扱い易さから期待が大きい。
の中でも、特に太陽電池はそのクリーンさと安全性と取
扱い易さから期待が大きい。
【０００４】各種太陽電池の中で、非晶質シリコンや多
結晶シリコン，銅インジウムセレナイドなどの化合物半
導体は、薄膜で大面積に製造でき、製造コストも安価に
なると予想され、熱心に研究されている。
結晶シリコン，銅インジウムセレナイドなどの化合物半
導体は、薄膜で大面積に製造でき、製造コストも安価に
なると予想され、熱心に研究されている。
【０００５】更に、太陽電池の中でも、耐候性、耐衝撃
性、可とう性に優れていることから、基板材にステンレ
ス等の金属基板を用いる場合がある。ステンレス基板な
どの金属基板は電解研磨などの特殊な処理をのぞいて、
ガラス基板などに比較して平坦性が劣り、その上に薄膜
の光起電力素子を形成する場合には、欠陥が発生し易
く、耐候性に問題があった。
性、可とう性に優れていることから、基板材にステンレ
ス等の金属基板を用いる場合がある。ステンレス基板な
どの金属基板は電解研磨などの特殊な処理をのぞいて、
ガラス基板などに比較して平坦性が劣り、その上に薄膜
の光起電力素子を形成する場合には、欠陥が発生し易
く、耐候性に問題があった。
【０００６】これら光起電力素子は、一般的に金属基板
上に裏面電極層、光電変換層としての半導体層、透明導
電層、集電電極が形成された構成である。また、金属基
板に形成した光起電力素子を用いた太陽電池モジュール
を作製する場合には、軽量という特徴を生かすために、
光入射側の表面をフッ素樹脂などの材料で被覆する場合
が多い。
上に裏面電極層、光電変換層としての半導体層、透明導
電層、集電電極が形成された構成である。また、金属基
板に形成した光起電力素子を用いた太陽電池モジュール
を作製する場合には、軽量という特徴を生かすために、
光入射側の表面をフッ素樹脂などの材料で被覆する場合
が多い。
【０００７】上記構成の従来の太陽電池モジュール、す
なわち、金属基体上に形成した光起電力素子を複数個接
続し、耐候性と透光性を有した樹脂で被覆した太陽電池
モジュールには、光照射の下で温湿度サイクル試験を行
うと、水分の影響により出力が低下するという問題があ
る。そこで、光照射の下での温湿度サイクル試験でも、
出力が低下しないモジュール構成あるいは材料の開発が
強く望まれている。
なわち、金属基体上に形成した光起電力素子を複数個接
続し、耐候性と透光性を有した樹脂で被覆した太陽電池
モジュールには、光照射の下で温湿度サイクル試験を行
うと、水分の影響により出力が低下するという問題があ
る。そこで、光照射の下での温湿度サイクル試験でも、
出力が低下しないモジュール構成あるいは材料の開発が
強く望まれている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の従来
の欠点を解決し、高湿度の環境でも、出力低下が少な
く、安定に性能を発揮する太陽電池モジュールを提供す
ることを目的とする。
の欠点を解決し、高湿度の環境でも、出力低下が少な
く、安定に性能を発揮する太陽電池モジュールを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記従来の
欠点を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、表面被覆材
の表面を無機化合物でコーティングすることによって、
外部から太陽電池モジュールヘの透湿を抑え、高湿度の
環境での出力低下を低減できることを見いだした。
欠点を解決すべく、鋭意研究を重ねた結果、表面被覆材
の表面を無機化合物でコーティングすることによって、
外部から太陽電池モジュールヘの透湿を抑え、高湿度の
環境での出力低下を低減できることを見いだした。
【００１０】本発明の太陽電池モジュールは、導電性基
体上に、裏面電極層、光電変換部材としての半導体層、
透明導電層、集電電極を少なくとも形成してなる光起電
力素子の光照射側表面がフッ素樹脂フィルムで被覆され
た太陽電池モジュールにおいて、該フッ素樹脂フィルム
の少なくとも一方の面を無機化合物でコーティングした
ことを特徴とする。
体上に、裏面電極層、光電変換部材としての半導体層、
透明導電層、集電電極を少なくとも形成してなる光起電
力素子の光照射側表面がフッ素樹脂フィルムで被覆され
た太陽電池モジュールにおいて、該フッ素樹脂フィルム
の少なくとも一方の面を無機化合物でコーティングした
ことを特徴とする。
【００１１】
【作用】以下に、本発明の作用と共に発明の構成を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１に、本発明の太陽電池モジュール例の
概略断面図を示した。図１において、１００は裏面補強
板、１０１は直並列化された光起電力素子、１０２は接
着層、１０３は無機化合物をコーティングしたフッ素樹
脂フィルム、１０４はフッ素樹脂フィルム、１０５は無
機化合物層である。
概略断面図を示した。図１において、１００は裏面補強
板、１０１は直並列化された光起電力素子、１０２は接
着層、１０３は無機化合物をコーティングしたフッ素樹
脂フィルム、１０４はフッ素樹脂フィルム、１０５は無
機化合物層である。
【００１３】図１（ａ）は、光入射側とは反対側に無機
化合物層をコーティングしたフッ素樹脂フィルムで表面
被覆をした太陽電池モジュールを示し、（ｂ）は光入射
側に無機化合物をコーティングしたフッ素樹脂フィルム
を使用した場合の太陽電池モジュールを示している。も
ちろん、両面を無機化合物でコーティングしたフッ素樹
脂フィルムで太陽電池を被覆することも可能である。
化合物層をコーティングしたフッ素樹脂フィルムで表面
被覆をした太陽電池モジュールを示し、（ｂ）は光入射
側に無機化合物をコーティングしたフッ素樹脂フィルム
を使用した場合の太陽電池モジュールを示している。も
ちろん、両面を無機化合物でコーティングしたフッ素樹
脂フィルムで太陽電池を被覆することも可能である。
【００１４】図１に示したように、フッ素樹脂フィルム
の表面の少なくとも一方の面をコーティングすることに
より、外部からの水分の侵入を抑え、太陽電池の出力低
下を低減することが可能となる。従って、高湿度雰囲気
での光照射でも太陽電池の出力は安定して得ることがで
きる。
の表面の少なくとも一方の面をコーティングすることに
より、外部からの水分の侵入を抑え、太陽電池の出力低
下を低減することが可能となる。従って、高湿度雰囲気
での光照射でも太陽電池の出力は安定して得ることがで
きる。
【００１５】本発明の無機化合物としては、例えば酸化
珪素、窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸
化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少な
くとも１種類以上のものが使用される。
珪素、窒化珪素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸
化マグネシウム及び酸化ジルコニアから選択される少な
くとも１種類以上のものが使用される。
【００１６】本発明の太陽電池モジュールに用いるフッ
素樹脂フィルムに無機化合物をコーティングするのは、
フッ素樹脂の濡れ性が悪いために、一般の方法（例えば
塗布など）では困難であるが、プラズマＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition）法、あるいはスパッタ法などの
方法を採用することでフッ素樹脂表面にもコーティング
することが可能になる。
素樹脂フィルムに無機化合物をコーティングするのは、
フッ素樹脂の濡れ性が悪いために、一般の方法（例えば
塗布など）では困難であるが、プラズマＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition）法、あるいはスパッタ法などの
方法を採用することでフッ素樹脂表面にもコーティング
することが可能になる。
【００１７】これらの無機化合物のコーティングをスパ
ッタ法で行う場合、上記無機化合物のターゲットを用い
スパッタ蒸着して、あるいは上記無機化合物を構成する
金属をターゲットにして反応性ガスの雰囲気でスパッタ
してフッ素樹脂上に薄膜コーティングを行う。スパッタ
リングは通常アルゴン雰囲気下で行うが、上記無機化合
物が酸化物の場合には、反応性ガスには、例えば酸素ガ
スを、窒化物の場合には、例えば窒素ガスあるいはアン
モニアガスを、炭化物の場合には、例えばメタンガスあ
るいはアセチレンガスなどをアルゴンガスに添加して行
う。フッ素樹脂とコーティング膜の密着性を高めるため
に、スパッタリング時に水素ガスを少量導入するのが好
ましい。
ッタ法で行う場合、上記無機化合物のターゲットを用い
スパッタ蒸着して、あるいは上記無機化合物を構成する
金属をターゲットにして反応性ガスの雰囲気でスパッタ
してフッ素樹脂上に薄膜コーティングを行う。スパッタ
リングは通常アルゴン雰囲気下で行うが、上記無機化合
物が酸化物の場合には、反応性ガスには、例えば酸素ガ
スを、窒化物の場合には、例えば窒素ガスあるいはアン
モニアガスを、炭化物の場合には、例えばメタンガスあ
るいはアセチレンガスなどをアルゴンガスに添加して行
う。フッ素樹脂とコーティング膜の密着性を高めるため
に、スパッタリング時に水素ガスを少量導入するのが好
ましい。
【００１８】プラズマＣＶＤ法で無機化合物をコーティ
ングするには、酸化珪素は珪素元素と酸素元素を含有す
るガスから、窒化珪素は珪素元素と窒素元素を含むガス
から、炭化珪素は珪素元素と炭素元素を含有するガスか
ら、アルミナはアルミニウム元素と酸素元素を含有する
ガスあるいはガス状にしたものから、酸化チタンはチタ
ン元素と酸素元素を含有するガスあるいはガス状にした
ものから、酸化ジルコニアはジルコニア元素と酸素元素
を含有するガスあるいはガス状にしたものから、ＲＦ
（ラジオ）波あるいはマイクロ波のような高周波放電で
プラズマ化して、フツ素樹脂上に無機化合物のコーティ
ングを施す。
ングするには、酸化珪素は珪素元素と酸素元素を含有す
るガスから、窒化珪素は珪素元素と窒素元素を含むガス
から、炭化珪素は珪素元素と炭素元素を含有するガスか
ら、アルミナはアルミニウム元素と酸素元素を含有する
ガスあるいはガス状にしたものから、酸化チタンはチタ
ン元素と酸素元素を含有するガスあるいはガス状にした
ものから、酸化ジルコニアはジルコニア元素と酸素元素
を含有するガスあるいはガス状にしたものから、ＲＦ
（ラジオ）波あるいはマイクロ波のような高周波放電で
プラズマ化して、フツ素樹脂上に無機化合物のコーティ
ングを施す。
【００１９】上記プラズマＣＶＤの具体的な原料ガスと
しては、珪素元素を含む原料では、例えばＳｉＨ4、Ｓ
ｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2など、酸素元素を含む原料では、
例えばＯ2、Ｎ2Ｏなど、窒素元素を含む原料では、例え
ばＮ2、ＮＨ3など、炭素元素を含む原料では、例えばＣ
Ｈ4、Ｃ2Ｈ2など、アルミニウムを含む原料では、例え
ばＡｌ（ＯＣ2Ｈ5）3，Ａｌ（Ｃ2Ｈ5）3、ＡｌＣｌ3な
ど、チタニウムを含む原料では、例えばＴｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4，Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ9）4、ＴｉＣｌ4など、ジルコ
ニアを含む原料では、例えばＺｒ（Ｏ2Ｃ5Ｈ2）4などが
使用できる。室温で液状の原料を使用する場合は、例え
ば加熱、あるいは不活性ガスでバブリングして、ガス化
して使用する。コーティング膜の原料ガスに水素が含ま
れてない場合は水素ガスを混合することが望ましい。
しては、珪素元素を含む原料では、例えばＳｉＨ4、Ｓ
ｉ2Ｈ6、ＳｉＨ2Ｃｌ2など、酸素元素を含む原料では、
例えばＯ2、Ｎ2Ｏなど、窒素元素を含む原料では、例え
ばＮ2、ＮＨ3など、炭素元素を含む原料では、例えばＣ
Ｈ4、Ｃ2Ｈ2など、アルミニウムを含む原料では、例え
ばＡｌ（ＯＣ2Ｈ5）3，Ａｌ（Ｃ2Ｈ5）3、ＡｌＣｌ3な
ど、チタニウムを含む原料では、例えばＴｉ（ＯＣ
2Ｈ5）4，Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ9）4、ＴｉＣｌ4など、ジルコ
ニアを含む原料では、例えばＺｒ（Ｏ2Ｃ5Ｈ2）4などが
使用できる。室温で液状の原料を使用する場合は、例え
ば加熱、あるいは不活性ガスでバブリングして、ガス化
して使用する。コーティング膜の原料ガスに水素が含ま
れてない場合は水素ガスを混合することが望ましい。
【００２０】本発明の太陽電池モジュールの作製方法
は、一例として、裏面補強板に接着シートで挟んだ光起
電力素子を載せ、フッ素樹脂フィルムをかぶせ、減圧下
で１Ｋｇ／ｃｍ2程度の圧力を加えて、所定時間加熱し
てラミネートして作製する方法がとられる。
は、一例として、裏面補強板に接着シートで挟んだ光起
電力素子を載せ、フッ素樹脂フィルムをかぶせ、減圧下
で１Ｋｇ／ｃｍ2程度の圧力を加えて、所定時間加熱し
てラミネートして作製する方法がとられる。
【００２１】フッ素樹脂フィルムとしては、例えばＥＴ
ＦＥ（四フッ化エチレンーエチレン共重合体），ＰＣＴ
ＦＥ（三フッ化塩化エチレン樹脂），ＰＦＡ（四フッ化
エチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体），ＦＥＰ（四フッ化エチレン―六フッ化プロピレン
共重合体），ＰＶＤＦ（フッ化ビリニデン樹脂），ＰＶ
Ｆ（フツ化ビニル樹脂）などが使用される。
ＦＥ（四フッ化エチレンーエチレン共重合体），ＰＣＴ
ＦＥ（三フッ化塩化エチレン樹脂），ＰＦＡ（四フッ化
エチレンーパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合
体），ＦＥＰ（四フッ化エチレン―六フッ化プロピレン
共重合体），ＰＶＤＦ（フッ化ビリニデン樹脂），ＰＶ
Ｆ（フツ化ビニル樹脂）などが使用される。
【００２２】本発明の太陽電池モジュールのフッ素樹脂
フィルムの接着層としては、例えば酢酸ビニルーエチレ
ン共重合体（ＥＶＡ）、ＰＶＢ（ポリピニルブチラー
ル）、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素化ポリイ
ミド樹脂、アクリル樹脂などの透明な樹脂を主成分とす
る接着剤を使用する。上記接着剤には、架橋剤が含有さ
れ、接着剤の光劣化を抑制するために、紫外線吸収剤が
含有されていることが望ましい。
フィルムの接着層としては、例えば酢酸ビニルーエチレ
ン共重合体（ＥＶＡ）、ＰＶＢ（ポリピニルブチラー
ル）、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素化ポリイ
ミド樹脂、アクリル樹脂などの透明な樹脂を主成分とす
る接着剤を使用する。上記接着剤には、架橋剤が含有さ
れ、接着剤の光劣化を抑制するために、紫外線吸収剤が
含有されていることが望ましい。
【００２３】さらに、太陽電池モジュールの光電変換効
率の低下を少なくするために、上記接着剤層の光透過率
は、４００ｎｍ以上の波長領域で、８０％以上であるこ
とが好ましい。また、入射光の反射によるロスを少なく
するためには、接着剤層の屈折率は、１．４〜２．０の
範囲であることが好ましい。
率の低下を少なくするために、上記接着剤層の光透過率
は、４００ｎｍ以上の波長領域で、８０％以上であるこ
とが好ましい。また、入射光の反射によるロスを少なく
するためには、接着剤層の屈折率は、１．４〜２．０の
範囲であることが好ましい。
【００２４】本発明の太陽電池モジュールに用いる光起
電力素子としては、一例として図２の概略断面図に示し
た構成になっている。図２において、２００は導電性基
体、２０１は裏面電極層、２０２は光電変換部材として
の半導体層、２０３は透明導電層、２０４は集電電極で
ある。２０１の裏面電極層は２００の導電性基体で兼ね
ることもできる。
電力素子としては、一例として図２の概略断面図に示し
た構成になっている。図２において、２００は導電性基
体、２０１は裏面電極層、２０２は光電変換部材として
の半導体層、２０３は透明導電層、２０４は集電電極で
ある。２０１の裏面電極層は２００の導電性基体で兼ね
ることもできる。
【００２５】導電性基体２００としては、例えばステン
レススチール，アルミニウム，銅，チタン，カーボンシ
ート，亜鉛メッキ鋼板等、及び導電層が形成してあるポ
リイミド，ポリエステル，ポリエチレンナフタライド，
エポキシなどの樹脂フィルムやセラミックス等が挙げら
れる。
レススチール，アルミニウム，銅，チタン，カーボンシ
ート，亜鉛メッキ鋼板等、及び導電層が形成してあるポ
リイミド，ポリエステル，ポリエチレンナフタライド，
エポキシなどの樹脂フィルムやセラミックス等が挙げら
れる。
【００２６】半導体層２０２としては、例えば非晶質シ
リコン、結晶シリコン、銅インジウムセレナイドなどの
化合物半導体等が好適に用いられ、半導体層の構成とし
ては、ｐｉｎ接合、ｐｎ接合、ショットキー型接合が用
いられる。
リコン、結晶シリコン、銅インジウムセレナイドなどの
化合物半導体等が好適に用いられ、半導体層の構成とし
ては、ｐｉｎ接合、ｐｎ接合、ショットキー型接合が用
いられる。
【００２７】非晶質シリコンを用いる場合は、例えばシ
ランガスなどのプラズマＣＶＤにより形成する、多結晶
シリコンの場合は、例えば溶融シリコンのシート化ある
いは非晶質シリコンの熱処理により形成する、ＣｕＩｎ
Ｓｅ2／ＣｄＳの場合は、例えば電子ビーム蒸着やスパ
ッタリング，電析（電解液の電気分解による析出）など
の方法で形成する。
ランガスなどのプラズマＣＶＤにより形成する、多結晶
シリコンの場合は、例えば溶融シリコンのシート化ある
いは非晶質シリコンの熱処理により形成する、ＣｕＩｎ
Ｓｅ2／ＣｄＳの場合は、例えば電子ビーム蒸着やスパ
ッタリング，電析（電解液の電気分解による析出）など
の方法で形成する。
【００２８】また、半導体層は、少なくとも裏面電極層
２０１と透明導電層２０３にサンドイッチされた構造に
なっている。
２０１と透明導電層２０３にサンドイッチされた構造に
なっている。
【００２９】裏面電極層２０１には、金属層あるいは金
属酸化物、あるいは金属層と金属酸化物層の複合層が用
いられる。金属層の材質としては、例えばＴｉ，Ｃｒ，
Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕなどが用いら
れ、金属酸化物層としては、例えばＺｎＯ，ＴｉＯ2、
ＳｎＯ2などが採用される。上記金属層および金属酸化
物層の形成方法としては、例えば抵抗加熱蒸着，電子ビ
ーム蒸着，スパッタリング法などがあげられる。
属酸化物、あるいは金属層と金属酸化物層の複合層が用
いられる。金属層の材質としては、例えばＴｉ，Ｃｒ，
Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕなどが用いら
れ、金属酸化物層としては、例えばＺｎＯ，ＴｉＯ2、
ＳｎＯ2などが採用される。上記金属層および金属酸化
物層の形成方法としては、例えば抵抗加熱蒸着，電子ビ
ーム蒸着，スパッタリング法などがあげられる。
【００３０】透明導電層２０３に用いる材料としては、
例えばＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴ
Ｏ），ＺｎＯ，ＴｉＯ2、Ｃｄ2ＳｎＯ4、高濃度不純物
ドープした結晶性半導体層などがあり、その形成方法と
しては、例えば抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，ス
パッタリング法，スプレー法，ＣＶＤ法，不純物拡散法
などがある。
例えばＩｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴ
Ｏ），ＺｎＯ，ＴｉＯ2、Ｃｄ2ＳｎＯ4、高濃度不純物
ドープした結晶性半導体層などがあり、その形成方法と
しては、例えば抵抗加熱蒸着法，電子ビーム蒸着法，ス
パッタリング法，スプレー法，ＣＶＤ法，不純物拡散法
などがある。
【００３１】光起電力素子は、まず導電性基体２００上
に、裏面電極層２０１、半導体層２０２、透明導電層２
０３を順次形成した後、集電電極を形成して作製する。
集電用グリッド電極の材料としては、例えばＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ，Ａｕ，
Ｐｄ等の金属及び銀ペーストなどの導電性ペーストが用
いられる。
に、裏面電極層２０１、半導体層２０２、透明導電層２
０３を順次形成した後、集電電極を形成して作製する。
集電用グリッド電極の材料としては、例えばＴｉ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ，Ａｕ，
Ｐｄ等の金属及び銀ペーストなどの導電性ペーストが用
いられる。
【００３２】グリッド電極の形成方法には、例えばマス
クパターンを用いたスパッタリング、抵抗加熱、ＣＶＤ
の蒸着方法、あるいは全面に金属層を蒸着した後にエッ
チングしてパターニングする方法、光ＣＶＤにより直接
グリッド電極パターンを形成する方法、グリッド電極パ
ターンのネガパターンのマスクを形成した後にメッキに
より形成する方法、導電性ペーストを印刷して形成する
方法などがある。グリッド電極材に銀を使用しない場合
にはグリッド電極と集電バスバーを接着する導電性接着
剤に銀ペーストが用いられる。
クパターンを用いたスパッタリング、抵抗加熱、ＣＶＤ
の蒸着方法、あるいは全面に金属層を蒸着した後にエッ
チングしてパターニングする方法、光ＣＶＤにより直接
グリッド電極パターンを形成する方法、グリッド電極パ
ターンのネガパターンのマスクを形成した後にメッキに
より形成する方法、導電性ペーストを印刷して形成する
方法などがある。グリッド電極材に銀を使用しない場合
にはグリッド電極と集電バスバーを接着する導電性接着
剤に銀ペーストが用いられる。
【００３３】導電性ペーストは、通常、例えば銀、金、
銅、ニッケル、カーボンなどの微粉末金属をバインダー
ポリマーに分散させたものが使用される。バインダーポ
リマーとしては、例えばポリエステル、エポキシ、アク
リル、アルキド、ポリビニルアセテート、ゴム、ウレタ
ン、フェノール等の樹脂がある。
銅、ニッケル、カーボンなどの微粉末金属をバインダー
ポリマーに分散させたものが使用される。バインダーポ
リマーとしては、例えばポリエステル、エポキシ、アク
リル、アルキド、ポリビニルアセテート、ゴム、ウレタ
ン、フェノール等の樹脂がある。
【００３４】本発明の太陽電池モジュールの背面材とし
ては必要に応じて、例えば各種絶縁性樹脂、セラミック
ス、ガラス、絶縁被覆した金属基板、アルミニウムラミ
ネートフィルム、無機化合物をコーティングしたフッ素
樹脂フィルムなどが用いられる。
ては必要に応じて、例えば各種絶縁性樹脂、セラミック
ス、ガラス、絶縁被覆した金属基板、アルミニウムラミ
ネートフィルム、無機化合物をコーティングしたフッ素
樹脂フィルムなどが用いられる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明す
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
る。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるもので
はない。
【００３６】（実施例１） （無機化合物のコーティング）図３のプラズマＣＶＤ装
置を用い、ＥＴＦＥフッ素樹脂フィルムに窒化珪素膜の
コーテイングを行った。。
置を用い、ＥＴＦＥフッ素樹脂フィルムに窒化珪素膜の
コーテイングを行った。。
【００３７】処理方法は、以下の通りである。まず、プ
ラズマ処理装置の送りロール３０７側にコイル状のＥＴ
ＦＥ樹脂フィルム３００を装着し、２００℃に加熱し、
１０-6Ｔｏｒｒの真空度まで排気した後、ガス導入管３
０６からＳｉＨ4ガスを６ｓｃｃｍ，ＮＨ3ガスを１７２
ｓｃｃｍ，Ｈ2ガスを５４ｓｃｃｍの流量で導入し、堆
積室３０５内の圧力を０．２Ｔｏｒｒに調節した。次
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源３０４から３００ワ
ットの出力を供給して放電し、プラズマを発生させた。
同時に、巻取りロール３０８でコイル状のＥＴＦＥ樹脂
フィルムを巻取りながら、窒化珪素膜をＥＴＦＥ樹脂フ
ィルム上に１μｍコーティングした。
ラズマ処理装置の送りロール３０７側にコイル状のＥＴ
ＦＥ樹脂フィルム３００を装着し、２００℃に加熱し、
１０-6Ｔｏｒｒの真空度まで排気した後、ガス導入管３
０６からＳｉＨ4ガスを６ｓｃｃｍ，ＮＨ3ガスを１７２
ｓｃｃｍ，Ｈ2ガスを５４ｓｃｃｍの流量で導入し、堆
積室３０５内の圧力を０．２Ｔｏｒｒに調節した。次
に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源３０４から３００ワ
ットの出力を供給して放電し、プラズマを発生させた。
同時に、巻取りロール３０８でコイル状のＥＴＦＥ樹脂
フィルムを巻取りながら、窒化珪素膜をＥＴＦＥ樹脂フ
ィルム上に１μｍコーティングした。
【００３８】（光起電力素子の作製）アモルフアスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）光起電力素子を作製した。以下、図２
を参照して、作製手順を説明する。
コン（ａ−Ｓｉ）光起電力素子を作製した。以下、図２
を参照して、作製手順を説明する。
【００３９】洗浄した０．１２５ｍｍ厚のステンレス基
体２００上に、スパッタ法によって裏面電極２０１とし
て、Ａｌ膜厚５００ｎｍ、ＺｎＯ膜厚５００ｎｍを順次
形成した。ついで、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ4
とＰＨ3とＨ2からｎ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＨ2から
ｉ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結
晶μｃ−Ｓｉ層を形成し、ｎ層膜厚１５ｎｍ／ｉ層膜厚
４００ｎｍ／ｐ層膜厚１０ｎｍ／ｎ層膜厚１０ｎｍ／ｉ
層膜厚８０ｎｍ／ｐ層膜厚１０ｎｍの積層構成の半導体
層２０２を形成した。次に、透明導電２０３として、Ｏ
2雰囲気下でＩｎを抵抗加熱法で蒸着することによっ
て、Ｉｎ2Ｏ3を７０ｎｍ形成した。
体２００上に、スパッタ法によって裏面電極２０１とし
て、Ａｌ膜厚５００ｎｍ、ＺｎＯ膜厚５００ｎｍを順次
形成した。ついで、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ4
とＰＨ3とＨ2からｎ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＨ2から
ｉ型ａ−Ｓｉ層を、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結
晶μｃ−Ｓｉ層を形成し、ｎ層膜厚１５ｎｍ／ｉ層膜厚
４００ｎｍ／ｐ層膜厚１０ｎｍ／ｎ層膜厚１０ｎｍ／ｉ
層膜厚８０ｎｍ／ｐ層膜厚１０ｎｍの積層構成の半導体
層２０２を形成した。次に、透明導電２０３として、Ｏ
2雰囲気下でＩｎを抵抗加熱法で蒸着することによっ
て、Ｉｎ2Ｏ3を７０ｎｍ形成した。
【００４０】続いて、銀ペースト（Dupont Inc製#550
4）をスクリーン印刷機で格子状に印刷した後、１２５
℃で熱処理をして集電電極２０４を形成し、アモルファ
スシリコン光起電力素子を作製した。
4）をスクリーン印刷機で格子状に印刷した後、１２５
℃で熱処理をして集電電極２０４を形成し、アモルファ
スシリコン光起電力素子を作製した。
【００４１】（太陽電池のモジュールの作製）上記窒化
珪素でコーティングしたＥＴＦＥ樹脂フィルムから所定
の大きさ切り出し、太陽電池モジュールの表面被覆材と
して使用した。透明な接着剤として架橋剤と紫外線吸収
剤を添加して成形したシート状のＥＶＡを用いた。背面
材としては、絶縁処理した亜鉛鋼板を用いた。
珪素でコーティングしたＥＴＦＥ樹脂フィルムから所定
の大きさ切り出し、太陽電池モジュールの表面被覆材と
して使用した。透明な接着剤として架橋剤と紫外線吸収
剤を添加して成形したシート状のＥＶＡを用いた。背面
材としては、絶縁処理した亜鉛鋼板を用いた。
【００４２】前記方法で作製した光起電力素子を所望の
出力が得られるように直並列接続した後に、図１（ａ）
の構成で、すなわちＥＴＦＥ樹脂フイルムの窒化珪素コ
ーティング層が、接着層ＥＶＡ１０２に接触するように
配置して、光入射側からＥＴＦＥフィルム１０３／ＥＶ
Ａ１０２／光起電力素子１０１／ＥＶＡ１０２／絶縁処
理した亜鉛鋼板１００の順に重ねた後、真空ラミネータ
ーに入れ、１Ｔｏｒｒ程度に真空排気し大気圧の圧力を
かけた状態で、１４０℃で３０分間加熱して太陽電池の
表面被覆を施した。ただし、太陽電池の出力端子は、あ
らかじめ背面材の亜鉛鋼板に出力端子用の孔を開けてお
いて取り出しておいた。
出力が得られるように直並列接続した後に、図１（ａ）
の構成で、すなわちＥＴＦＥ樹脂フイルムの窒化珪素コ
ーティング層が、接着層ＥＶＡ１０２に接触するように
配置して、光入射側からＥＴＦＥフィルム１０３／ＥＶ
Ａ１０２／光起電力素子１０１／ＥＶＡ１０２／絶縁処
理した亜鉛鋼板１００の順に重ねた後、真空ラミネータ
ーに入れ、１Ｔｏｒｒ程度に真空排気し大気圧の圧力を
かけた状態で、１４０℃で３０分間加熱して太陽電池の
表面被覆を施した。ただし、太陽電池の出力端子は、あ
らかじめ背面材の亜鉛鋼板に出力端子用の孔を開けてお
いて取り出しておいた。
【００４３】（評価試験）表面被覆した太陽電池モジュ
ールの評価試験を以下の方法で行なった。環境試験機に
て、１００ｍＷ／ｃｍ2の光を照射しながら、低温側は
−４０℃、高温側は８５℃、相対湿度８５％の条件で、
温湿度サイクル試験を１０サイクル行い、試験前後の光
起電力素子のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の光照射
下の出力を１０サンプル測定し比較評価した。
ールの評価試験を以下の方法で行なった。環境試験機に
て、１００ｍＷ／ｃｍ2の光を照射しながら、低温側は
−４０℃、高温側は８５℃、相対湿度８５％の条件で、
温湿度サイクル試験を１０サイクル行い、試験前後の光
起電力素子のＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の光照射
下の出力を１０サンプル測定し比較評価した。
【００４４】試験後の太陽電池モジュールの平均の出力
低下は、４％以下であった。これに対して、窒化珪素の
コーティングを行わなかった未処理のＥＴＦＥ樹脂フイ
ルムを用いて表面被覆した太陽電池モジュールを上記同
一の試験を行った場合には、試験後の平均の出力低下は
１５％以上となった。
低下は、４％以下であった。これに対して、窒化珪素の
コーティングを行わなかった未処理のＥＴＦＥ樹脂フイ
ルムを用いて表面被覆した太陽電池モジュールを上記同
一の試験を行った場合には、試験後の平均の出力低下は
１５％以上となった。
【００４５】（実施例２） （無機化合物のコーティング）図３の構成のマグネトロ
ンスパッタ装置を用いて、ＰＣＴＦＥ樹脂フィルム上に
酸化珪素膜をコーティングした。ターゲット材３０２に
は二酸化珪素をもちいた。先ず、ＰＣＴＦＥ樹脂フィル
ムを２５０℃に加熱し、１０-6Ｔｏｒｒの真空度まで排
気した後、ガス導入管３０６からをＡｒガス６ｓｃｃ
ｍ，Ｏ2ガス２ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスを１ｓｃｃｍの流量で
流し、スパッタ処理室３０５内の圧力を５ｍＴｏｒｒに
調節した。次に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源から２
００ワット供給して、２μｍ厚の酸化珪素のコーテイン
グを施した。
ンスパッタ装置を用いて、ＰＣＴＦＥ樹脂フィルム上に
酸化珪素膜をコーティングした。ターゲット材３０２に
は二酸化珪素をもちいた。先ず、ＰＣＴＦＥ樹脂フィル
ムを２５０℃に加熱し、１０-6Ｔｏｒｒの真空度まで排
気した後、ガス導入管３０６からをＡｒガス６ｓｃｃ
ｍ，Ｏ2ガス２ｓｃｃｍ、Ｈ2ガスを１ｓｃｃｍの流量で
流し、スパッタ処理室３０５内の圧力を５ｍＴｏｒｒに
調節した。次に、１３．５６ＭＨｚの高周波電源から２
００ワット供給して、２μｍ厚の酸化珪素のコーテイン
グを施した。
【００４６】（光起電力素子の作製）実施例１と同様に
して光起電力素子を作製した。
して光起電力素子を作製した。
【００４７】（太陽電池のモジュールの作製）太陽電池
モジュールの被覆は、図１（ｂ）の構成でＰＣＴＦＥフ
ィルム／ＥＶＡ／グラスファイバーシート／ＥＶＡ／光
起電力素子／ＥＶＡ／グラスファイバーシート／ＥＶＡ
／絶縁処理した亜鉛鋼板の順に積み重ね、実施例１と同
様の方法で太陽電池モジュールを作製した。
モジュールの被覆は、図１（ｂ）の構成でＰＣＴＦＥフ
ィルム／ＥＶＡ／グラスファイバーシート／ＥＶＡ／光
起電力素子／ＥＶＡ／グラスファイバーシート／ＥＶＡ
／絶縁処理した亜鉛鋼板の順に積み重ね、実施例１と同
様の方法で太陽電池モジュールを作製した。
【００４８】（評価試験）被覆した太陽電池モジュール
の評価試験方法も実施例１と同様とした。試験後の太陽
電池モジュールの平均の出力低下は、２％以下であっ
た。これに対して、酸化珪素のコーティングを行わなか
った未処理のＰＣＴＦＥ樹脂フィルムを用いて表面被覆
した太陽電池モジュールを上記同一の試験を行った場合
には、試験後の平均の出力低下は８％以上であった。
の評価試験方法も実施例１と同様とした。試験後の太陽
電池モジュールの平均の出力低下は、２％以下であっ
た。これに対して、酸化珪素のコーティングを行わなか
った未処理のＰＣＴＦＥ樹脂フィルムを用いて表面被覆
した太陽電池モジュールを上記同一の試験を行った場合
には、試験後の平均の出力低下は８％以上であった。
【００４９】（実施例３） （無機化合物のコーティング）図４に示した概略構成の
マイクロ波放電プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＦＥＰ樹
脂フィルムの片面にアルミナのコーティングを行った。
マイクロ波放電プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＦＥＰ樹
脂フィルムの片面にアルミナのコーティングを行った。
【００５０】コーティング方法は、以下の通りである。
まず、ＦＥＰ樹脂フィルムを２００℃に加熱し、１０-6
Ｔｏｒｒの真空度まで排気した後、ガス導入管４０６か
ら、Ａｒガス１００ｓｃｃｍでＡｌ（ＯＣ2Ｈ5）3をバ
ブリングしたガスと、Ｏ2ガス３００ｓｃｃｍを導入
し、堆積室４０５の内圧を０．１Ｔｏｒｒに保った。次
に、マイクロ波電源４０４からマイクロ波導波管４０３
と導入窓４０２を通して３００ワットのマイクロ波を導
入して放電させ、ＦＥＰフィルム４０１上にマイクロ波
プラズマＣＶＤでアルミナを１μｍコーティングした。
まず、ＦＥＰ樹脂フィルムを２００℃に加熱し、１０-6
Ｔｏｒｒの真空度まで排気した後、ガス導入管４０６か
ら、Ａｒガス１００ｓｃｃｍでＡｌ（ＯＣ2Ｈ5）3をバ
ブリングしたガスと、Ｏ2ガス３００ｓｃｃｍを導入
し、堆積室４０５の内圧を０．１Ｔｏｒｒに保った。次
に、マイクロ波電源４０４からマイクロ波導波管４０３
と導入窓４０２を通して３００ワットのマイクロ波を導
入して放電させ、ＦＥＰフィルム４０１上にマイクロ波
プラズマＣＶＤでアルミナを１μｍコーティングした。
【００５１】（光起電力素子の作製）本実施例では、半
導体層が多結晶シリコンの光起電力素子を作製した。ま
ず、スパッタ法にてＣｒをコーティングしたステンレス
基板上に、液相成長法にて水素ガス雰囲気中の炉内で、
純度６ＮのＳｎにＳｂドープのＳｉを溶かした溶液を、
１０００℃から９００℃まで毎分２℃の速度で降温し
て、毎分０．４ミクロンの速度で、約３０ミクロンの多
結晶シリコン膜を成長させた。続いて、プラズマＣＶＤ
法で、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結晶μｃ−Ｓｉ
層を堆積して接合を形成した後、膜厚６０ｎｍのＩＴＯ
を抵抗加熱法で蒸着し、更に集電電極としてＣｒ（膜厚
５０ｎｍ）／Ａｇ（１μｍ）／Ｃｒ（５０ｎｍ）を電子
ビームによるマスク蒸着によって形成し、光起電力素子
を作製した。
導体層が多結晶シリコンの光起電力素子を作製した。ま
ず、スパッタ法にてＣｒをコーティングしたステンレス
基板上に、液相成長法にて水素ガス雰囲気中の炉内で、
純度６ＮのＳｎにＳｂドープのＳｉを溶かした溶液を、
１０００℃から９００℃まで毎分２℃の速度で降温し
て、毎分０．４ミクロンの速度で、約３０ミクロンの多
結晶シリコン膜を成長させた。続いて、プラズマＣＶＤ
法で、ＳｉＨ4とＢＦ3とＨ2からｐ型微結晶μｃ−Ｓｉ
層を堆積して接合を形成した後、膜厚６０ｎｍのＩＴＯ
を抵抗加熱法で蒸着し、更に集電電極としてＣｒ（膜厚
５０ｎｍ）／Ａｇ（１μｍ）／Ｃｒ（５０ｎｍ）を電子
ビームによるマスク蒸着によって形成し、光起電力素子
を作製した。
【００５２】（太陽電池のモジュールの作製）表面被覆
する太陽電池モジュールの構成は、図１（ａ）において
ＦＥＰ樹脂フィルム１０３／透明な弗素化ポリイミド系
接着剤１０２／光起電力素子１０１／透明な弗素化ポリ
イミド系接着剤１０２／ポリエステルフィルムでラミネ
ートしたアルミ箔１００の構成にして、表面被覆は、実
施例１と同様な手順で行なった。
する太陽電池モジュールの構成は、図１（ａ）において
ＦＥＰ樹脂フィルム１０３／透明な弗素化ポリイミド系
接着剤１０２／光起電力素子１０１／透明な弗素化ポリ
イミド系接着剤１０２／ポリエステルフィルムでラミネ
ートしたアルミ箔１００の構成にして、表面被覆は、実
施例１と同様な手順で行なった。
【００５３】（評価試験）被覆した太陽電池モジュール
の評価試験方法は実施例１と同様とした。試験後の太陽
電池モジュールの平均の出力低下は、３％以下であっ
た。これに対して、アルミナのコーティングを行わなか
った未処理のＦＥＰ樹脂フイルムを用いて表面被覆した
太陽電池モジュールを上記同一の試験を行った場合に
は、試験後の平均の出力低下は１１％以上であった。
の評価試験方法は実施例１と同様とした。試験後の太陽
電池モジュールの平均の出力低下は、３％以下であっ
た。これに対して、アルミナのコーティングを行わなか
った未処理のＦＥＰ樹脂フイルムを用いて表面被覆した
太陽電池モジュールを上記同一の試験を行った場合に
は、試験後の平均の出力低下は１１％以上であった。
【００５４】以上述べたように、実施例１、２、３の太
陽電池モジュールの評価試験とコーティング未処理の樹
脂フィルムで被覆した太陽電池モジュールの評価試験の
結果から、本発明の無機コーティングした樹脂フィルム
を使用して表面被覆をすることによって、高湿度下環境
においても太陽電池性能低下は大幅に抑えられることが
わかる。
陽電池モジュールの評価試験とコーティング未処理の樹
脂フィルムで被覆した太陽電池モジュールの評価試験の
結果から、本発明の無機コーティングした樹脂フィルム
を使用して表面被覆をすることによって、高湿度下環境
においても太陽電池性能低下は大幅に抑えられることが
わかる。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、高湿度の環境において
も、出力低下が極めて少ない太陽電池モジュールを提供
することができる。したがって、本発明の構成を採用す
ることによって、長期間の屋外環境にも安定した出力性
能を発揮することが可能な太陽電池モジュールを提供す
ることが可能となる。
も、出力低下が極めて少ない太陽電池モジュールを提供
することができる。したがって、本発明の構成を採用す
ることによって、長期間の屋外環境にも安定した出力性
能を発揮することが可能な太陽電池モジュールを提供す
ることが可能となる。
【図１】本発明の太陽電池モジュールの概略断面図の一
例である。
例である。
【図２】本発明の太陽電池モジュールを形成する光起電
力素子の概略断面図の一例である。
力素子の概略断面図の一例である。
【図３】フッ素樹脂フィルムに無機化合物をコーティン
グするためのＲＦプラズマＣＶＤ装置（あるいはスパッ
タ装置）を示す概念図である。
グするためのＲＦプラズマＣＶＤ装置（あるいはスパッ
タ装置）を示す概念図である。
【図４】フッ素樹脂フィルムに無機化合物をコーティン
グするためのマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を示す概念
図である。
グするためのマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を示す概念
図である。
１００ 背面材、 １０１ 光起電力素子、 １０２ 接着層、 １０３ 無機化合物をコーティングしたフッ素樹脂フィ
ルム、 １０４ フッ素樹脂フィルム、 １０５ 無機化合物層、 ２００ 導電性基体、 ２０１ 裏面電極層、 ２０２ 半導体層、 ２０３ 透明導電層、 ２０４ 集電電極、 ３００，４００ コイル状フッ素樹脂フィルム、 ３０１，４０１ フッ素樹脂フイルム、 ３０２ カソード電極（ターゲット）、 ３０３ アノード（アース）電極、 ３０４ 高周波電源、 ３０５，４０５ プラズマ処理室、 ３０６，４０６ ガス供給管、 ３０７，４０７ 送りロール、 ３０８，４０８ 巻き取りロール、 ３０９，４０９ プラズマ、 ４０２ マイクロ波導入窓、 ４０３ マイクロ波導波管、 ４０４ マイクロ波電源。
ルム、 １０４ フッ素樹脂フィルム、 １０５ 無機化合物層、 ２００ 導電性基体、 ２０１ 裏面電極層、 ２０２ 半導体層、 ２０３ 透明導電層、 ２０４ 集電電極、 ３００，４００ コイル状フッ素樹脂フィルム、 ３０１，４０１ フッ素樹脂フイルム、 ３０２ カソード電極（ターゲット）、 ３０３ アノード（アース）電極、 ３０４ 高周波電源、 ３０５，４０５ プラズマ処理室、 ３０６，４０６ ガス供給管、 ３０７，４０７ 送りロール、 ３０８，４０８ 巻き取りロール、 ３０９，４０９ プラズマ、 ４０２ マイクロ波導入窓、 ４０３ マイクロ波導波管、 ４０４ マイクロ波電源。
Claims (3)
- 【請求項１】 導電性基体上に、裏面電極層、光電変換
部材としての半導体層、透明導電層及び集電電極を少な
くとも形成してなる光起電力素子の光照射側表面が、フ
ッ素樹脂フィルムで被覆された太陽電池モジュールにお
いて、該フッ素樹脂フィルムの少なくとも一方の面を、
透明な無機化合物でコーティングしたことを特徴とする
太陽電池モジュール。 - 【請求項２】 前記無機化合物は、酸化珪素、窒化珪
素、炭化珪素、アルミナ、酸化チタン、酸化マグネシウ
ム及び酸化ジルコニアから選択される少なくとも１種類
の無機化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の太
陽電池モジュール。 - 【請求項３】 前記無機化合物は、プラズマＣＶＤ法ま
たはスパッタ法によりコーティングされたことを特徴と
する請求項１または２記載の太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04105986A JP3112339B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 太陽電池モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04105986A JP3112339B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 太陽電池モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283727A true JPH05283727A (ja) | 1993-10-29 |
| JP3112339B2 JP3112339B2 (ja) | 2000-11-27 |
Family
ID=14422061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04105986A Expired - Fee Related JP3112339B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 太陽電池モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3112339B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1040815C (zh) * | 1993-08-31 | 1998-11-18 | 佳能株式会社 | 一种光电转换器件 |
| JP2002520820A (ja) * | 1998-07-03 | 2002-07-09 | イソボルタ・エスターライヒツシエ・イゾリールシユトツフベルケ・アクチエンゲゼルシヤフト | 光起電モジユールとその製造方法 |
| US7253355B2 (en) | 2001-12-20 | 2007-08-07 | Rwe Schott Solar Gmbh | Method for constructing a layer structure on a substrate |
| JP2009212424A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池用保護フィルム |
| JP4498490B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2010-07-07 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池のカバーフィルム、およびそれを用いた太陽電池モジュール |
| KR101049223B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2011-07-13 | 한국기계연구원 | 투명 전극을 갖는 태양 전지 |
| JP2012064767A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2013187236A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | 富士電機株式会社 | 太陽電池モジュールおよび接着層 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP04105986A patent/JP3112339B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1040815C (zh) * | 1993-08-31 | 1998-11-18 | 佳能株式会社 | 一种光电转换器件 |
| JP2002520820A (ja) * | 1998-07-03 | 2002-07-09 | イソボルタ・エスターライヒツシエ・イゾリールシユトツフベルケ・アクチエンゲゼルシヤフト | 光起電モジユールとその製造方法 |
| JP4498490B2 (ja) * | 1999-04-19 | 2010-07-07 | 大日本印刷株式会社 | 太陽電池のカバーフィルム、およびそれを用いた太陽電池モジュール |
| US7253355B2 (en) | 2001-12-20 | 2007-08-07 | Rwe Schott Solar Gmbh | Method for constructing a layer structure on a substrate |
| JP2009212424A (ja) * | 2008-03-06 | 2009-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 太陽電池用保護フィルム |
| JP2012064767A (ja) * | 2010-09-16 | 2012-03-29 | Fuji Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| KR101049223B1 (ko) * | 2010-12-20 | 2011-07-13 | 한국기계연구원 | 투명 전극을 갖는 태양 전지 |
| WO2012086885A1 (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 한국기계연구원 | 투명 전극을 갖는 태양 전지 |
| WO2013187236A1 (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | 富士電機株式会社 | 太陽電池モジュールおよび接着層 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3112339B2 (ja) | 2000-11-27 |
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