JPH05283513A - 試料保持装置 - Google Patents

試料保持装置

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JPH05283513A
JPH05283513A JP7690092A JP7690092A JPH05283513A JP H05283513 A JPH05283513 A JP H05283513A JP 7690092 A JP7690092 A JP 7690092A JP 7690092 A JP7690092 A JP 7690092A JP H05283513 A JPH05283513 A JP H05283513A
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JP
Japan
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sample
conductor
film
insulating film
anodic oxide
Prior art date
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Pending
Application number
JP7690092A
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English (en)
Inventor
Taku Inoue
卓 井上
Kenjiro Koizumi
建次郎 小泉
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Nippon Steel Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Industries Ltd
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Publication date
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Priority to JP7690092A priority Critical patent/JPH05283513A/ja
Publication of JPH05283513A publication Critical patent/JPH05283513A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 アルミニウム合金からなる導電体1の表面
に、陽極酸化による陽極酸化被膜2が形成されている試
料台30を備えている試料保持装置。 【効果】 導電体1の全表面に隈無く一様な陽極酸化被
膜2を形成することができ、耐電圧特性および試料吸着
力を大幅に向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は試料保持装置に関し、よ
り詳細には、半導体デバイスの製造など、主として電子
工業の分野において、試料を保持する際に用いられる静
電チャック方式の試料保持装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の試料保持装置は、導電体上に絶
縁膜が形成されて構成されており、この導電体とシリコ
ンウェハ等の被吸着物との間に直流電圧を印加すること
により、前記絶縁膜上に前記シリコンウェハ等を静電気
的に吸着保持するものである。静電チャック方式の試料
保持装置には種々のタイプがあり、その代表的なものと
しては、セラミックス(絶縁体)の内部に金属板電極
(導電体)が埋設されているタイプ、あるいは金属板電
極の表面に合成樹脂フィルム(絶縁体)が貼付されたタ
イプなどがある。
【0003】種々あるタイプのうち、導電体上にセラミ
ックス溶射により絶縁膜が形成された試料保持装置が、
実開昭64−11542号公報に開示されている。図2
は、この公報開示の試料保持装置を示す概略断面図であ
り、導電体(金属円盤電極)1の全表面がセラミック溶
射膜20で被覆されている。14は導電体1に接続され
た電圧印加用の端子、8は内部に通流孔9が設けられた
水冷ジャケットである。より具体的には、導電体1の母
材としてアルミニウムが用いられ、これにセラミック溶
射膜20としてアルミナを主成分とするセラミックスが
溶射され、溶射膜を研磨処理してセラミックス溶射膜2
0の膜厚を300〜500μmとしたものがあげられ
る。
【0004】図3は試料保持装置の使用状態を示す概略
断面図で、試料台押え12により固定された表面に絶縁
膜を有する試料台10の上にシリコンウエハ11が保持
されている。試料台10には試料突き上げピン用孔5が
設けられており、シリコンウエハ11に対する加工が終
了すると、この孔5を通してウエハ11を試料突き上げ
ピン13が下から突き上げてシリコンウエハ11が試料
台10から外され、次の工程へ送られるようになってい
る。
【0005】図4は図3の試料台10の拡大断面図であ
る。図3および図4に示されているように、試料台10
には試料突き上げピン用孔5が設けられており、また、
端部には角部6が存在する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記試料台10におい
て、導電体1上にセラミックス溶射膜20を形成する場
合、以下の問題点がある。セラミックス溶射を行なう場
合、緻密でかつ耐電圧性に優れた溶射膜を形成するに
は、溶射吹き付け角度が溶射面に対して可能な限り垂直
でなければならない。ところが、図4に示したように、
導電体1には角部6が存在する。導電体1に対してセラ
ミックス溶射を行なう場合、特にこの角部6において溶
射吹き付け角度を前記垂直に保つことが困難となり、溶
射付着率が低くなる。その結果、膜質が緻密でなくな
り、溶射不良となって角部6近傍に耐電圧不良部が発生
しやすくなるという問題点があった。また、試料台10
に設けられている試料突き上げピン用孔5の内側面に一
様に溶射するのも難しく、試料突き上げピン用孔5の内
側全面に溶射被覆することができず、溶射不良が生じる
という問題点があった。
【0007】これらの問題点を解決するには、図5に示
したように、角部6に丸みをつけたり(図5(a))、
試料突き上げピン用孔5の溶射被覆できない部位に接着
剤等により絶縁性部材7を固着させたり(図5(b))
する手段を取ることができる。確かに、角部6に丸みを
つけると、前記垂直な溶射が可能となるし、また、試料
突き上げピン用孔5の前記部位に絶縁性部材7を設ける
と、試料突き上げピン用孔5の内側面が耐電圧不良とな
るのを回避することができ、試料台10の耐電圧特性を
著しく向上させることができる。しかし、これらの手段
を取ると、その分、試料台10の製作工数・コストが増
加するという問題点が生ずる。
【0008】つまり、セラミックス溶射により絶縁膜を
形成するタイプの試料台10は、該タイプ以外の従来の
試料台と比べれば、製作工数が少なくてすみ、吸着面の
耐熱性および耐久性に優れ、静電吸着力が大きいなどの
利点を有しているが、上記したように、角部6および試
料突き上げピン用孔5の内側面に溶射不良が生じるとい
う問題点を抱え、該問題点を解決するために、前記丸み
および前記絶縁部材7を形成する等の手段を取ると、該
手段により、製作工数・コストの増加などの新たな問題
点が生ずる。
【0009】また、セラミックス溶射によって絶縁膜を
形成する場合には、セラミックス溶射により導電体1の
表面にセラミックス溶射膜20を形成した後、該溶射膜
20の表面に存在している細かな穴を埋めるために、エ
ポキシ系のアラルダイト、SiO2 系あるいは水ガラス
系の樹脂を前記溶射膜20の表面に塗布または吹き付け
る含浸封孔処理を施し、そして、その後に、前記溶射膜
20の表面を研磨する必要があった。
【0010】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、容易にかつ再現性よく形成された絶縁膜によって導
電体の全表面が一様に被覆された試料台を備え、優れた
耐電圧特性を有する試料保持装置を提供することを目的
としている。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係る試料保持装置は、表面に絶縁被膜を有す
る導電体によって構成された試料台に載置された試料
と、前記導電体との間に直流電圧を印加することによっ
て、前記試料台に前記試料を吸着する試料保持装置にお
いて、前記導電体がアルミニウム合金、前記絶縁膜がア
ルミニウム合金の陽極酸化膜で形成されていることを特
徴としている。
【0012】
【作用】本発明に係る試料保持装置の試料台を構成する
導電体の表面は、アルミニウムを適正な条件下で陽極酸
化することで得られる絶縁膜、別名、硬質陽極酸化膜と
言われている硬くて緻密なアルミナ膜で被覆されてい
る。該アルミナ膜は、膜表面を適正な方法で封孔処理す
ることにより耐電圧特性のすぐれた絶縁膜となる。ま
た、前記陽極酸化によって絶縁膜が形成される場合に
は、電解液中での電気化学反応で形成されるので、導電
体の全面にわたって一様に絶縁膜が形成され、セラミッ
クス溶射によって絶縁膜が形成される場合のように、角
部あるいは試料突き上げピン用孔の内側面等に膜形成不
良・耐電圧不良が生じることはない。さらに、前記陽極
酸化膜の膜厚は50μm程度で、セラミックス溶射膜の
膜厚300μm程度と比べると、著しく薄い。これによ
り、膜厚が薄く形成される分、試料と導電体上面との間
に形成される静電容量が大きくなり、試料吸着面の吸着
力が強化される。
【0013】
【実施例】以下、本発明に係る試料保持装置の実施例を
図面に基づいて説明する。図1は実施例に係る試料保持
装置の試料台を概略的に示した断面図である。
【0014】図中30は試料台を示し、試料台30は以
下のように構成されている。1は導電体を示しており、
導電体1はアルミニウム合金(Al5083)で形成さ
れており、その厚さは約15mmである。また、導電体
1の試料吸着面3の直径は、吸着保持する試料(通常
は、シリコンウエハ)の直径に応じて決められ、例え
ば、前記試料が6インチSiウエハであれば、試料吸着
面3の直径は6インチかあるいはそれよりも若干(数m
m)小さめの値に設定される。
【0015】導電体1の全表面は陽極酸化被膜2で被覆
されている。導電体1の円周端部には、電極固定用張り
出し部4が形成され、内部には試料を冷却するための冷
媒路15が形成され、また、導電体1の所定箇所には、
図示したような試料突き上げピン用孔5が複数個形成さ
れている。
【0016】上記試料台30において、導電体1の表面
に陽極酸化皮膜2を形成する場合は、以下のように行な
う。導電体1を陽極酸化する前に、先ず、導電体1の試
料吸着面3を研磨しておく。導電体1の陽極酸化は、以
下の条件で行なわれる。 電流密度:10cm2 当たり3A〜6A 処理温度:0。C以下(0。〜マイナス3ないし4。) 電解液:15%のH2 SO4 上記条件で陽極酸化が行なわれた後、該陽極酸化により
形成された陽極酸化皮膜2の表面に存在している細かい
孔を埋める目的で、約100。CのNiアセテ−ト水溶
液を用いて封孔処理を行なう。
【0017】上記の過程にしたがって導電体1を陽極酸
化すると、研磨した試料吸着面3にアルミナを主成分と
する一様な誘電体絶縁層を形成することができるのみな
らず、試料突き上げピン用孔5の内側面を含めて導電体
1の全表面に陽極酸化皮膜2を形成することができる。
【0018】ここで、実施例に係る陽極酸化により陽極
酸化被膜2を形成する場合と、従来のセラミックス溶射
によりセラミックス溶射膜20を形成する場合とにおけ
る特質を比べてみる。
【0019】絶縁層の膜厚:試料吸着面3に形成される
絶縁膜の膜厚は、セラミックス溶射の場合は300〜5
00μm程度であるが、陽極酸化の場合は50μm程度
である。したがって、陽極酸化の場合には、前記絶縁膜
を薄く形成できる分、試料吸着面3の吸着力が強くな
る。
【0020】絶縁被膜層の一様性:セラミックス溶射の
場合は、図4に示したように、角部6に溶射不良が生じ
たり、試料突き上げピン用孔5の内側面に溶射被覆でき
ない部分が生じたりして、図5に示したような手段を講
じなければならなかったが、陽極酸化の場合は、上記し
たような15%の硫酸の電解液中で陽極酸化皮膜2が形
成されるので、導電体1の全表面に隈無く一様な絶縁膜
が形成される。したがって、実施例に係る陽極酸化の場
合は、電極固定用張り出し部4の形状を対向する電極押
えの形状に合わせた形とすることができ、従来のよう
に、角部6に強いて丸みを付ける必要はない。しかし、
試料台30の使用時、角部6には平坦部に比べ電界が集
中するため、出来るだけ角部は無い方が好ましく、若干
の丸みがある方が良いのは言うまでもない。
【0021】表面研磨:セラミックス溶射の場合は、試
料吸着面に形成された溶射膜を含浸封孔処理した後、該
膜の表面を研磨しなければならなかったが、陽極酸化の
場合は、一様な膜が形成されるので表面研磨する必要が
ない。
【0022】以上説明したように実施例に係る試料台3
0は、陽極酸化により、導電体1の全表面に隈無く硬質
酸化膜といわれる硬くて緻密なアルミナの陽極酸化被膜
2が一様に形成されるので、従来の試料台に比べて、著
しく優れた耐電圧特性および試料吸着力を有するものと
なる。
【0023】
【発明の効果】以上詳述したように本発明に係る試料保
持装置にあっては、陽極酸化、つまり、電解液中での電
気化学反応で試料台を構成する導電体の全表面にアルミ
ナを主成分とする絶縁膜が一様に形成されるので、該絶
縁膜を容易に再現性よく形成することができ、かつ、耐
電圧特性および試料吸着力を大幅に向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る試料保持装置の実施例における試
料台を示した概略断面図である。
【図2】従来の試料保持装置を示した概略断面図であ
る。
【図3】従来の試料保持装置の使用状態を示す概略断面
図である。
【図4】従来の試料台を概略的に示した一部拡大断面図
である。
【図5】(a)、(b)は、溶射不良対策を施した従来
の試料台の一部を概略的に示した拡大断面図である。
【符合の説明】
1 導電体 2 陽極酸化被膜 3 試料吸着面 5 試料突き上げピン用孔 30 試料台

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 表面に絶縁被膜を有する導電体によって
    構成された試料台に載置された試料と、前記導電体との
    間に直流電圧を印加することによって、前記試料台に前
    記試料を吸着する試料保持装置において、前記導電体が
    アルミニウム合金、前記絶縁膜がアルミニウム合金の陽
    極酸化膜で形成されていることを特徴とする試料保持装
    置。
JP7690092A 1992-03-31 1992-03-31 試料保持装置 Pending JPH05283513A (ja)

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JP7690092A JPH05283513A (ja) 1992-03-31 1992-03-31 試料保持装置

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JP7690092A JPH05283513A (ja) 1992-03-31 1992-03-31 試料保持装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273164A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Ngk Insulators Ltd 電極埋設品及びその製造方法
JPH1032239A (ja) * 1996-07-12 1998-02-03 Toto Ltd 静電チャックステージ及びその製造方法
JPH1064984A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Sony Corp ウエハステージ
WO2004112123A1 (ja) * 2003-06-17 2004-12-23 Creative Technology Corporation 双極型静電チャック

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07273164A (ja) * 1994-03-29 1995-10-20 Ngk Insulators Ltd 電極埋設品及びその製造方法
JPH1032239A (ja) * 1996-07-12 1998-02-03 Toto Ltd 静電チャックステージ及びその製造方法
JPH1064984A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Sony Corp ウエハステージ
WO2004112123A1 (ja) * 2003-06-17 2004-12-23 Creative Technology Corporation 双極型静電チャック
JPWO2004112123A1 (ja) * 2003-06-17 2006-09-28 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック
US7567421B2 (en) 2003-06-17 2009-07-28 Creative Technology Corporation Bipolar electrostatic chuck
JP4532410B2 (ja) * 2003-06-17 2010-08-25 株式会社クリエイティブ テクノロジー 双極型静電チャック

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