JPH05281362A - 放射線検出器 - Google Patents
放射線検出器Info
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- JPH05281362A JPH05281362A JP4108972A JP10897292A JPH05281362A JP H05281362 A JPH05281362 A JP H05281362A JP 4108972 A JP4108972 A JP 4108972A JP 10897292 A JP10897292 A JP 10897292A JP H05281362 A JPH05281362 A JP H05281362A
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- scintillator
- scintillators
- radiation detector
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
Abstract
(57)【要約】
【目的】 放射線の入射位置を高い分解能で弁別するこ
とができ、かつ、容易に製作することができる放射線検
出器を提供する。 【構成】 ２次元的に密着配置されたシンチレータ群１
０に、光電子増倍管２０1 〜２０4 が光学的に結合され
ている。各シンチレータが対向する面の所要領域に光学
的反射材３０が被着されている。反射材３０が被着され
る面積を前記各シンチレータの配列順序に関連して変化
させることにより、光電子増倍管２０1 〜２０4 の光電
面に導かれる光を、ガンマ線の入射位置に応じて変化さ
せる。各光電子増倍管２０1 〜２０4 の出力を比較する
ことによって、ガンマ線の入射位置を検出する。
とができ、かつ、容易に製作することができる放射線検
出器を提供する。 【構成】 ２次元的に密着配置されたシンチレータ群１
０に、光電子増倍管２０1 〜２０4 が光学的に結合され
ている。各シンチレータが対向する面の所要領域に光学
的反射材３０が被着されている。反射材３０が被着され
る面積を前記各シンチレータの配列順序に関連して変化
させることにより、光電子増倍管２０1 〜２０4 の光電
面に導かれる光を、ガンマ線の入射位置に応じて変化さ
せる。各光電子増倍管２０1 〜２０4 の出力を比較する
ことによって、ガンマ線の入射位置を検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、被検体に投与されて
関心部位に蓄積された放射性同位元素（ＲＩ）からの放
出された放射線（ガンマ線）を検出し、関心部位のＲＩ
分布の断層像を得るための装置、例えばホジトロンＣＴ
装置やシングルフォトンＥＣＴ装置などに用いられる放
射線検出器に関する。
関心部位に蓄積された放射性同位元素（ＲＩ）からの放
出された放射線（ガンマ線）を検出し、関心部位のＲＩ
分布の断層像を得るための装置、例えばホジトロンＣＴ
装置やシングルフォトンＥＣＴ装置などに用いられる放
射線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の放射線検出器は、被検体から放
出されたガンマ線を入射して発光するシンチレータと、
前記シンチレータの発光をパルス状の電気信号に変換す
る光電子増倍管とから構成されている。このような放射
線検出器では、従来、シンチレータと光電子増倍管とが
一対一に対応するものがあったが、近年、複数のシンチ
レータにそれよりも少ない数の光電子増倍管を結合し、
これらの光電子増倍管の出力比からガンマ線の入射位置
を決定するという方式を採ることによって、分解能を高
めている。そこで、従来より、シンチレータの発光を複
数個の光電子増倍管に適正に分配するための構造を備え
た種々の放射線検出器が提案されている。以下、図を参
照して従来の放射線検出器の構成を説明する。
出されたガンマ線を入射して発光するシンチレータと、
前記シンチレータの発光をパルス状の電気信号に変換す
る光電子増倍管とから構成されている。このような放射
線検出器では、従来、シンチレータと光電子増倍管とが
一対一に対応するものがあったが、近年、複数のシンチ
レータにそれよりも少ない数の光電子増倍管を結合し、
これらの光電子増倍管の出力比からガンマ線の入射位置
を決定するという方式を採ることによって、分解能を高
めている。そこで、従来より、シンチレータの発光を複
数個の光電子増倍管に適正に分配するための構造を備え
た種々の放射線検出器が提案されている。以下、図を参
照して従来の放射線検出器の構成を説明する。
【０００３】Ａ．第１従来例（特公平２−１４６６６号
公報参照） 図５を参照する。この放射線検出器は、４個のシンチレ
ータ１1 ，１2 ，１3，１4 からなるシンチレータ群１
と、２個の光電子増倍管２1 ，２2 から構成されてい
る。シンチレータ群１の内、内側のシンチレータ１2 ，
１3 の境界はシリコーングリスなどで光学的に結合され
ており、また、外側のシンチレータ１1 ，１2 の境界お
よびシンチレータ１3 ，１4 の境界は反射材によって光
学的に遮蔽されている。各シンチレータ１1 〜１4 の境
界を上述のように構成することにより、ガンマ線の入射
位置に応じて、光電子増倍管２1 ，２2 の出力比が変化
するようにしている。
公報参照） 図５を参照する。この放射線検出器は、４個のシンチレ
ータ１1 ，１2 ，１3，１4 からなるシンチレータ群１
と、２個の光電子増倍管２1 ，２2 から構成されてい
る。シンチレータ群１の内、内側のシンチレータ１2 ，
１3 の境界はシリコーングリスなどで光学的に結合され
ており、また、外側のシンチレータ１1 ，１2 の境界お
よびシンチレータ１3 ，１4 の境界は反射材によって光
学的に遮蔽されている。各シンチレータ１1 〜１4 の境
界を上述のように構成することにより、ガンマ線の入射
位置に応じて、光電子増倍管２1 ，２2 の出力比が変化
するようにしている。
【０００４】Ｂ．第２従来例（特公表６２−５００９５
７号公報参照） 図６を参照する。この放射線検出器は、多数のスリット
３によって区画されたシンチレータ群４と、このシンチ
レータ群４に光学的に結合される４個の光電子増倍管５
1 ，５2 ，５3 ，５4 とから構成されている。各スリッ
ト３内には反射材が埋め込まれている。この放射線検出
器では、各スリットの長さを内側から外側にいくに従っ
て、長くなるように調節することによって、ガンマ線の
入射位置を弁別している。
７号公報参照） 図６を参照する。この放射線検出器は、多数のスリット
３によって区画されたシンチレータ群４と、このシンチ
レータ群４に光学的に結合される４個の光電子増倍管５
1 ，５2 ，５3 ，５4 とから構成されている。各スリッ
ト３内には反射材が埋め込まれている。この放射線検出
器では、各スリットの長さを内側から外側にいくに従っ
て、長くなるように調節することによって、ガンマ線の
入射位置を弁別している。
【０００５】Ｃ．第３従来例（特開平３−１８５３８５
号公報参照） 図７を参照する。この放射線検出器は、複数個のシンチ
レータの互いの結合面を粗面および／または鏡面とし、
これらの結合面間を空気層を介在して光学的に結合した
シンチレータ群６と、このシンチレータ群６に結合され
る４個の光電子増倍管７1 ，７2 ，７3 ，７4 とから構
成されている。この放射線検出器では、向かい合う２つ
のシンチレータの面状態によって、シンチレータ間の光
の透過率が変化することを利用して、ガンマ線の入射位
置を弁別している。
号公報参照） 図７を参照する。この放射線検出器は、複数個のシンチ
レータの互いの結合面を粗面および／または鏡面とし、
これらの結合面間を空気層を介在して光学的に結合した
シンチレータ群６と、このシンチレータ群６に結合され
る４個の光電子増倍管７1 ，７2 ，７3 ，７4 とから構
成されている。この放射線検出器では、向かい合う２つ
のシンチレータの面状態によって、シンチレータ間の光
の透過率が変化することを利用して、ガンマ線の入射位
置を弁別している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た各従来例の場合には、次のような問題がある。第１従
来例によれば、光電子増倍管に対してシンチレータの配
列が１次元的であるので、シンチレータの本数に対する
光電子増倍管の数が多くなり、それだけ放射線検出器の
製作コストが嵩むという問題点がある。また、２個の光
電子増倍管を使って、ガンマ線の４種類の入射位置しか
弁別できないので、分解能が低いという問題点もある。
た各従来例の場合には、次のような問題がある。第１従
来例によれば、光電子増倍管に対してシンチレータの配
列が１次元的であるので、シンチレータの本数に対する
光電子増倍管の数が多くなり、それだけ放射線検出器の
製作コストが嵩むという問題点がある。また、２個の光
電子増倍管を使って、ガンマ線の４種類の入射位置しか
弁別できないので、分解能が低いという問題点もある。
【０００７】第２従来例によれば、シンチレータを加工
して作成したスリット内に反射材を均一に埋め込む必要
性があるが、この種の作業は煩雑である上に困難でもあ
る。また、高分解能を得ようとした場合、シンチレータ
に細かなピッチでスリットを形成しなければならず、こ
の際、シンチレータが破損しやすいという問題点もあ
る。
して作成したスリット内に反射材を均一に埋め込む必要
性があるが、この種の作業は煩雑である上に困難でもあ
る。また、高分解能を得ようとした場合、シンチレータ
に細かなピッチでスリットを形成しなければならず、こ
の際、シンチレータが破損しやすいという問題点もあ
る。
【０００８】第３従来例によれば、各シンチレータの表
面を様々に変える必要があるが、この種の表面加工は煩
雑であるので、放射線検出器の製作コストが嵩むという
問題点がある。
面を様々に変える必要があるが、この種の表面加工は煩
雑であるので、放射線検出器の製作コストが嵩むという
問題点がある。
【０００９】この発明は、このような事情に鑑みてなさ
れたものであって、放射線の入射位置を高い分解能で弁
別することができ、かつ、容易に製作することができる
放射線検出器を提供することを目的としている。
れたものであって、放射線の入射位置を高い分解能で弁
別することができ、かつ、容易に製作することができる
放射線検出器を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するために、次のような構成をとる。すなわち、こ
の発明は、２次元的に密着配置された複数本のシンチレ
ータと、前記シンチレータ群に対して光学的に結合さ
れ、かつ前記シンチレータの本数よりも少ない複数本の
光電子増倍管を備えた放射線検出器において、前記各シ
ンチレータが対向する面の所要領域に光学的反射材を被
着し、かつ前記反射材が被着される面積を前記各シンチ
レータの配列順序に関連して変化させたものである。
達成するために、次のような構成をとる。すなわち、こ
の発明は、２次元的に密着配置された複数本のシンチレ
ータと、前記シンチレータ群に対して光学的に結合さ
れ、かつ前記シンチレータの本数よりも少ない複数本の
光電子増倍管を備えた放射線検出器において、前記各シ
ンチレータが対向する面の所要領域に光学的反射材を被
着し、かつ前記反射材が被着される面積を前記各シンチ
レータの配列順序に関連して変化させたものである。
【００１１】
【作用】この発明の作用は次のとおりである。２次元的
に密着配置された複数本のシンチレータの内の一つにガ
ンマ線が入射すると、そのシンチレータはガンマ線を吸
収し発光する。発生した光はそのシンチレータ内を分散
し、反射材が塗布されていない境界面を通って隣接する
シンチレータ内に入射して分散し、さらに隣接するシン
チレータに入射する。各シンチレータの対向する面に塗
布されている反射材の面積は、各シンチレータの配列順
序に関連して変化させ、隣接するシンチレータに入射す
る光量が、前記ガンマ線が入射したシンチレータの位置
に応じて変化するように決定してある。したがって、前
記シンチレータ群に光学的に結合された各光電子増倍管
の出力比は、ガンマ線の入射位置に応じて変化する。
に密着配置された複数本のシンチレータの内の一つにガ
ンマ線が入射すると、そのシンチレータはガンマ線を吸
収し発光する。発生した光はそのシンチレータ内を分散
し、反射材が塗布されていない境界面を通って隣接する
シンチレータ内に入射して分散し、さらに隣接するシン
チレータに入射する。各シンチレータの対向する面に塗
布されている反射材の面積は、各シンチレータの配列順
序に関連して変化させ、隣接するシンチレータに入射す
る光量が、前記ガンマ線が入射したシンチレータの位置
に応じて変化するように決定してある。したがって、前
記シンチレータ群に光学的に結合された各光電子増倍管
の出力比は、ガンマ線の入射位置に応じて変化する。
【００１２】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
説明する。図１はこの発明に係る放射線検出器の一実施
例の外観斜視図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図であ
る。
説明する。図１はこの発明に係る放射線検出器の一実施
例の外観斜視図、図２は図１のＡ−Ａ矢視断面図であ
る。
【００１３】この実施例に係る放射線検出器は、Ｘ方向
に６個、Ｙ方向に８個の合成４８個のシンチレータを２
次元的に密着配置したシンチレータ群１０と、このシン
チレータ群１０に対して光学的に結合された４個の光電
子増倍管２０1 ，２０2 ，２０3 ，２０4 とから構成さ
れている。シンチレータとしては、例えば、Ｂｉ4 Ｇｅ
3 Ｏ12（ＢＧＯ）、Ｇｄ2 ＳｉＯ5 （ＧＳＯ）、Ｎａ
Ｉ、ＢａＦ2 、ＣｓＦなどの無機結晶が用いられる。前
記各シンチレータが対向する面の所要領域に光学的反射
材３０が被着され、その被着面積は各シンチレータの配
列順序に関連して変化している。反射材３０としては、
例えば、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、アルミニウ
ムなどが用いられる。
に６個、Ｙ方向に８個の合成４８個のシンチレータを２
次元的に密着配置したシンチレータ群１０と、このシン
チレータ群１０に対して光学的に結合された４個の光電
子増倍管２０1 ，２０2 ，２０3 ，２０4 とから構成さ
れている。シンチレータとしては、例えば、Ｂｉ4 Ｇｅ
3 Ｏ12（ＢＧＯ）、Ｇｄ2 ＳｉＯ5 （ＧＳＯ）、Ｎａ
Ｉ、ＢａＦ2 、ＣｓＦなどの無機結晶が用いられる。前
記各シンチレータが対向する面の所要領域に光学的反射
材３０が被着され、その被着面積は各シンチレータの配
列順序に関連して変化している。反射材３０としては、
例えば、硫酸バリウム、酸化マグネシウム、アルミニウ
ムなどが用いられる。
【００１４】図２に示すように、例えばＸ方向に配列さ
れたシンチレータ１０i1〜１０i6（ｉは１〜８までの任
意数）が対向する面に、反射材３０を塗布する部分と塗
布しない部分との割合は、Ｘ方向に配列された光電子増
倍管２０1 （２０3 ）と光電子増倍管２０2 （２０4 ）
の出力比が、一定の割合で変化するように実験的に定め
られる。光電子増倍管２０1 の出力をＰ1 、光電子増倍
管２０2 の出力をＰ2とすると、この実施例では（Ｐ1
−Ｐ2 ）／（Ｐ1 ＋Ｐ2 ）がシンチレータ１０i1〜１０
i6の位置に応じて一定の割合で変化するように、反射材
３０の塗布面積を決定した。
れたシンチレータ１０i1〜１０i6（ｉは１〜８までの任
意数）が対向する面に、反射材３０を塗布する部分と塗
布しない部分との割合は、Ｘ方向に配列された光電子増
倍管２０1 （２０3 ）と光電子増倍管２０2 （２０4 ）
の出力比が、一定の割合で変化するように実験的に定め
られる。光電子増倍管２０1 の出力をＰ1 、光電子増倍
管２０2 の出力をＰ2とすると、この実施例では（Ｐ1
−Ｐ2 ）／（Ｐ1 ＋Ｐ2 ）がシンチレータ１０i1〜１０
i6の位置に応じて一定の割合で変化するように、反射材
３０の塗布面積を決定した。
【００１５】反射材３０を塗布する部分と塗布しない部
分との割合は、シンチレータの幅Ｗ、高さＨに応じて異
なるが、例えば、幅Ｗが３．７ｍｍ、高さＨが３０ｍｍ
の場合、シンチレータの対向する面全体に対して反射材
３０を塗布する割合は、図２のシンチレータ１０i1と１
０i2との間は９０〜１００％、１０i2と１０i3との間は
３０〜４０％、１０i3と１０i4との間は０〜５％、１０
i4と１０i5との間は３０〜４０％、１０i5と１０i6との
間は９０〜１００％が適当であった。
分との割合は、シンチレータの幅Ｗ、高さＨに応じて異
なるが、例えば、幅Ｗが３．７ｍｍ、高さＨが３０ｍｍ
の場合、シンチレータの対向する面全体に対して反射材
３０を塗布する割合は、図２のシンチレータ１０i1と１
０i2との間は９０〜１００％、１０i2と１０i3との間は
３０〜４０％、１０i3と１０i4との間は０〜５％、１０
i4と１０i5との間は３０〜４０％、１０i5と１０i6との
間は９０〜１００％が適当であった。
【００１６】Ｙ方向に配列されたシンチレータ１０1j〜
１０8j（ｊは１〜６までの任意数）の場合も同様に、Ｙ
方向に配列された光電子増倍管２０1 （２０2 ）と光電
子増倍管２０3 （２０4 ）の出力比が一定の割合で変化
するように、各シンチレータ１０1j〜１０8jの対向面に
反射材３０を適宜な割合で被着する。
１０8j（ｊは１〜６までの任意数）の場合も同様に、Ｙ
方向に配列された光電子増倍管２０1 （２０2 ）と光電
子増倍管２０3 （２０4 ）の出力比が一定の割合で変化
するように、各シンチレータ１０1j〜１０8jの対向面に
反射材３０を適宜な割合で被着する。
【００１７】各シンチレータの対向面に所要の面積で反
射材３０を塗布する手法は特に限定しないが、例えば、
硫酸バリウムなどの粉末を、バインダーとなる合成樹脂
に混ぜ合わせた反射材塗料を作成し、シンチレータの対
向面に所要の領域が開口したマスクをあてがい、その上
からスプレーで前記反射材塗料を塗布し、乾燥させるこ
とによって容易に作成することができる。この実施例で
は、硫酸バリウムを用いて、厚みが０．１〜０．２ｍｍ
の反射材３０を形成した。反射材料として、アルミニウ
ムを用いる場合には、蒸着によって反射材３０を形成し
てもよい。
射材３０を塗布する手法は特に限定しないが、例えば、
硫酸バリウムなどの粉末を、バインダーとなる合成樹脂
に混ぜ合わせた反射材塗料を作成し、シンチレータの対
向面に所要の領域が開口したマスクをあてがい、その上
からスプレーで前記反射材塗料を塗布し、乾燥させるこ
とによって容易に作成することができる。この実施例で
は、硫酸バリウムを用いて、厚みが０．１〜０．２ｍｍ
の反射材３０を形成した。反射材料として、アルミニウ
ムを用いる場合には、蒸着によって反射材３０を形成し
てもよい。
【００１８】なお、各シンチレータが対向してない外表
面は、光電子増倍管との光学結合面を除き、図２に示す
ように、反射材３０で覆われている。ただし、図１で
は、説明の都合上、外表面の反射材３０を省略して描い
てある。
面は、光電子増倍管との光学結合面を除き、図２に示す
ように、反射材３０で覆われている。ただし、図１で
は、説明の都合上、外表面の反射材３０を省略して描い
てある。
【００１９】次に、図２を参照して上述した実施例の作
用を説明する。いま、シンチレータ１０i3にガンマ線が
入射したとする。このガンマ線は、シンチレータ１０i3
内で吸収されて発光する。この光は、シンチレータ１０
i3に塗布された反射材３０によって反射を繰り返しなが
ら、光電子増倍管２０1 の光電面に導かれる。このと
き、反射材３０が塗布されていない領域を介して、シン
チレータ１０i3内の光の一部が、隣接するシンチレータ
１０i2 ,１０i4にも拡散する。シンチレータ１０i3 ,１
０i4の界面は、シンチレータ１０i2 ,１０i3の界面に比
べて、反射材３０が塗布されていない部分が多くあるの
で、シンチレータ１０i3内の光は、シンチレータ１０i4
の方へ多く拡散し、相当量の光が光電子増倍管２０2 の
光電面にも導かれる。その結果、ガンマ線の入射位置に
応じた分布をもった光量が、各光電子増倍管２０1 ，２
０2 に導かれる。一方、ガンマ線が、一番端のシンチレ
ータ１０i1に入射した場合には、シンチレータ１０i1 ,
１０i2の対向面で、反射材３０が塗布されていない領域
が少ないので、ほとんどの光が光電子増倍管２０1 に導
かれる。
用を説明する。いま、シンチレータ１０i3にガンマ線が
入射したとする。このガンマ線は、シンチレータ１０i3
内で吸収されて発光する。この光は、シンチレータ１０
i3に塗布された反射材３０によって反射を繰り返しなが
ら、光電子増倍管２０1 の光電面に導かれる。このと
き、反射材３０が塗布されていない領域を介して、シン
チレータ１０i3内の光の一部が、隣接するシンチレータ
１０i2 ,１０i4にも拡散する。シンチレータ１０i3 ,１
０i4の界面は、シンチレータ１０i2 ,１０i3の界面に比
べて、反射材３０が塗布されていない部分が多くあるの
で、シンチレータ１０i3内の光は、シンチレータ１０i4
の方へ多く拡散し、相当量の光が光電子増倍管２０2 の
光電面にも導かれる。その結果、ガンマ線の入射位置に
応じた分布をもった光量が、各光電子増倍管２０1 ，２
０2 に導かれる。一方、ガンマ線が、一番端のシンチレ
ータ１０i1に入射した場合には、シンチレータ１０i1 ,
１０i2の対向面で、反射材３０が塗布されていない領域
が少ないので、ほとんどの光が光電子増倍管２０1 に導
かれる。
【００２０】図３は、光電子増倍管２０1 〜２０4 の出
力に基づいて、ガンマ線の入射位置を検出する位置検出
部の概略構成を示したブロック図である。同図に示すよ
うに、ガンマ線のＸ方向の入射位置を検出するために、
光電子増倍管２０1 の出力Ｐ1 と光電子増倍管２０3 の
出力Ｐ3 とが加算器４１に入力されるとともに、光電子
増倍管２０2 の出力Ｐ2 と光電子増倍管２０4 の出力Ｐ
4とが加算器４２に入力される。両加算器４１，４２の
各加算出力Ｐ1 ＋Ｐ3 と、Ｐ2 ＋Ｐ4 とが位置弁別回路
５１に入力され、両加算出力の比に基づき、ガンマ線の
Ｘ方向の入射位置が求められる。同様に、ガンマ線のＹ
方向の入射位置を検出するために、光電子増倍管２０1
の出力Ｐ1 と光電子増倍管２０2 の出力Ｐ2とが加算器
４３に入力されるとともに、光電子増倍管２０3 の出力
Ｐ3 と光電子増倍管２０4 の出力Ｐ4 とが加算器４４に
入力される。両加算器４３，４４の各加算出力Ｐ1 ＋Ｐ
2 と、Ｐ3 ＋Ｐ4 とが位置弁別回路５２に入力され、両
加算出力の比に基づき、ガンマ線のＹ方向の入射位置が
求められる。
力に基づいて、ガンマ線の入射位置を検出する位置検出
部の概略構成を示したブロック図である。同図に示すよ
うに、ガンマ線のＸ方向の入射位置を検出するために、
光電子増倍管２０1 の出力Ｐ1 と光電子増倍管２０3 の
出力Ｐ3 とが加算器４１に入力されるとともに、光電子
増倍管２０2 の出力Ｐ2 と光電子増倍管２０4 の出力Ｐ
4とが加算器４２に入力される。両加算器４１，４２の
各加算出力Ｐ1 ＋Ｐ3 と、Ｐ2 ＋Ｐ4 とが位置弁別回路
５１に入力され、両加算出力の比に基づき、ガンマ線の
Ｘ方向の入射位置が求められる。同様に、ガンマ線のＹ
方向の入射位置を検出するために、光電子増倍管２０1
の出力Ｐ1 と光電子増倍管２０2 の出力Ｐ2とが加算器
４３に入力されるとともに、光電子増倍管２０3 の出力
Ｐ3 と光電子増倍管２０4 の出力Ｐ4 とが加算器４４に
入力される。両加算器４３，４４の各加算出力Ｐ1 ＋Ｐ
2 と、Ｐ3 ＋Ｐ4 とが位置弁別回路５２に入力され、両
加算出力の比に基づき、ガンマ線のＹ方向の入射位置が
求められる。
【００２１】上述した実施例では、シンチレータ群１０
内の光を直接、光電子増倍管２０1〜２０4 に導いた
が、各光電面に局所的な感度ムラがあると、入射光量と
光電子増倍管２０1 〜２０4 の出力との関係に変動が生
じるので、ガンマ線の入射位置の検出精度が低下する。
このような場合、図４に示すように、シンチレータ群１
０内の光を、例えば透過性アクリル樹脂板などから構成
されたライトガイド６０を介して光電子増倍管２０1 〜
２０4 に導いてもよい。ライトガイド６０を用いること
により、光電子増倍管２０1 〜２０4 の各光電面に入射
する光が分散されるので、光電面の局所的な感度ムラが
抑制され、ガンマ線の入射位置の検出精度が向上する。
内の光を直接、光電子増倍管２０1〜２０4 に導いた
が、各光電面に局所的な感度ムラがあると、入射光量と
光電子増倍管２０1 〜２０4 の出力との関係に変動が生
じるので、ガンマ線の入射位置の検出精度が低下する。
このような場合、図４に示すように、シンチレータ群１
０内の光を、例えば透過性アクリル樹脂板などから構成
されたライトガイド６０を介して光電子増倍管２０1 〜
２０4 に導いてもよい。ライトガイド６０を用いること
により、光電子増倍管２０1 〜２０4 の各光電面に入射
する光が分散されるので、光電面の局所的な感度ムラが
抑制され、ガンマ線の入射位置の検出精度が向上する。
【００２２】なお、上述した実施例では、４８個のシン
チレータと４個の光電子増倍管を光学的に結合して構成
された放射線検出器を例に採って説明したが、この発明
は、これに限定されず、シンチレータや光電子増倍管の
数は任意に設定できることはいうまでもない。
チレータと４個の光電子増倍管を光学的に結合して構成
された放射線検出器を例に採って説明したが、この発明
は、これに限定されず、シンチレータや光電子増倍管の
数は任意に設定できることはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、複数本のシンチレータが各々対向する面の
所要領域に光学的反射材を被着し、かつ前記反射材が被
着される面積を前記各シンチレータの配列順序に関連し
て変化させているので、反射材の被着面積を各シンチレ
ータごとに細かく変化させることにより、ガンマ線の入
射位置を精度よく検出することができる。また、各シン
チレータの対向する面に反射材を被着するいう構成は、
従来例で説明したような、シンチレータにスリットを形
成して、そのスリットに反射材を埋め込むものや、シン
チレータの表面を鏡面、あるいは粗面に加工するものに
比較して、その製作が容易であるので、高分解能の放射
線検出器を容易かつ低コストで実現することもできる。
明によれば、複数本のシンチレータが各々対向する面の
所要領域に光学的反射材を被着し、かつ前記反射材が被
着される面積を前記各シンチレータの配列順序に関連し
て変化させているので、反射材の被着面積を各シンチレ
ータごとに細かく変化させることにより、ガンマ線の入
射位置を精度よく検出することができる。また、各シン
チレータの対向する面に反射材を被着するいう構成は、
従来例で説明したような、シンチレータにスリットを形
成して、そのスリットに反射材を埋め込むものや、シン
チレータの表面を鏡面、あるいは粗面に加工するものに
比較して、その製作が容易であるので、高分解能の放射
線検出器を容易かつ低コストで実現することもできる。
【図１】この発明の一実施例に係る放射線検出器の外観
斜視図である。
斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】位置検出部の概略構成を示したブロック図であ
る。
る。
【図４】この発明の別実施例に係る放射線検出器の外観
斜視図である。
斜視図である。
【図５】第１従来例の外観斜視図である。
【図６】第２従来例の外観斜視図である。
【図７】第３従来例の外観斜視図である。
１０…シンチレータ群 ２０1 〜２０4 …光電子増倍管 ３０…反射材 ４１〜４４…加算器 ５１，５２…位置弁別回路 ６０…ライトガイド
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１２月２１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】なお、上述した実施例では、４８個のシン
チレータと４個の光電子増倍管を光学的に結合して構成
された放射線検出器を例に採って説明したが、この発明
は、これに限定されず、シンチレータや光電子増倍管の
数は任意に設定できることはいうまでもない。また、各
シンチレータ１０ｉｊ（ｉは１〜８までの任意数、ｊは
１〜６までの任意数）の反射材３０を被着させる部分
に、被着する反射材３０の厚みと略同じ深さの凹部を予
め設けておき、その凹部に反射材３０を被着して、シン
チレータ群１０を形成し、反射材３０を被着する各シン
チレータ１０ｉｊの対向する面同士を密着するようにし
てもよい。
チレータと４個の光電子増倍管を光学的に結合して構成
された放射線検出器を例に採って説明したが、この発明
は、これに限定されず、シンチレータや光電子増倍管の
数は任意に設定できることはいうまでもない。また、各
シンチレータ１０ｉｊ（ｉは１〜８までの任意数、ｊは
１〜６までの任意数）の反射材３０を被着させる部分
に、被着する反射材３０の厚みと略同じ深さの凹部を予
め設けておき、その凹部に反射材３０を被着して、シン
チレータ群１０を形成し、反射材３０を被着する各シン
チレータ１０ｉｊの対向する面同士を密着するようにし
てもよい。
Claims (1)
- 【請求項１】 ２次元的に密着配置された複数本のシン
チレータと、前記シンチレータ群に対して光学的に結合
され、かつ前記シンチレータの本数よりも少ない複数本
の光電子増倍管を備えた放射線検出器において、前記各
シンチレータが対向する面の所要領域に光学的反射材を
被着し、かつ前記反射材が被着される面積を前記各シン
チレータの配列順序に関連して変化させたことを特徴と
する放射線検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4108972A JP2565278B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 放射線検出器 |
| US08/009,117 US5329124A (en) | 1992-03-31 | 1993-01-26 | Radiation detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4108972A JP2565278B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281362A true JPH05281362A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2565278B2 JP2565278B2 (ja) | 1996-12-18 |
Family
ID=14498324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4108972A Expired - Lifetime JP2565278B2 (ja) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | 放射線検出器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5329124A (ja) |
| JP (1) | JP2565278B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999063573A1 (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-09 | Hamamatsu Photonics K. K. | Photomultiplier unit and radiation sensor |
| JP2006084309A (ja) * | 2004-09-15 | 2006-03-30 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
| JP2008523381A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-03 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 相互作用深度感度を持つ画素化検出器 |
| JP2009264751A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-12 | Furukawa Co Ltd | シンチレータの製造方法、シンチレータ、シンチレータ用塗布液、これを調製する方法 |
| JP2013007569A (ja) * | 2011-06-22 | 2013-01-10 | Toshiba Corp | 核医学イメージング装置、シンチレータアレイ及びシンチレータアレイ製造方法 |
| KR20130096199A (ko) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 다이이치 고교 세이야쿠 가부시키가이샤 | 수크로오스 방향족 모노카르본산 에스테르 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100192489B1 (ko) * | 1995-12-26 | 1999-06-15 | 구본준 | 용기를 갖는 습식에치 장치의 에치 종말점 측정방법 |
| US6344649B2 (en) * | 1997-11-26 | 2002-02-05 | General Electric Company | Scintillator for a multi-slice computed tomograph system |
| EP1093150A4 (en) * | 1998-06-01 | 2007-05-02 | Hamamatsu Photonics Kk | photomultiplier |
| US7180074B1 (en) * | 2001-06-27 | 2007-02-20 | Crosetto Dario B | Method and apparatus for whole-body, three-dimensional, dynamic PET/CT examination |
| US7132664B1 (en) * | 2002-11-09 | 2006-11-07 | Crosetto Dario B | Method and apparatus for improving PET detectors |
| US7019297B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-03-28 | Cti Pet Systems, Inc. | Detector array using internalized light sharing and air coupling |
| US7408164B2 (en) * | 2003-05-20 | 2008-08-05 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Detector array utilizing air gaps as a reflector between array elements |
| JP4525123B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-08-18 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器およびその製造方法 |
| CA2584292A1 (en) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Eklin Medical Systems, Inc. | Polychromic digital radiography detector with patterned mask for single-exposure energy-sensitive x-ray imaging |
| DE102005049228B4 (de) * | 2005-10-14 | 2014-03-27 | Siemens Aktiengesellschaft | Detektor mit einem Array von Photodioden |
| JP4804173B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2011-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光電子増倍管および放射線検出装置 |
| FR2922319B1 (fr) * | 2007-10-10 | 2013-08-02 | Commissariat Energie Atomique | Scintillateur pour dispositif d'imagerie, module scintillateur, dispositif d'imagerie avec un tel scintillateur et procede de fabrication d'un scintillateur |
| KR101070527B1 (ko) * | 2009-04-24 | 2011-10-05 | 서울대학교산학협력단 | 빛 퍼짐을 이용한 상호작용깊이 측정장치, 측정방법 및 이를 이용한 양전자 방출 단층촬영장치 |
| US8357903B2 (en) * | 2010-10-19 | 2013-01-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Segmented detector array |
| EP3030154B1 (en) | 2013-08-07 | 2020-01-01 | Koninklijke Philips N.V. | Pet system with crystal and detector unit spacing |
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| JPH03185385A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4108972A patent/JP2565278B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-01-26 US US08/009,117 patent/US5329124A/en not_active Expired - Lifetime
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| KR20130096199A (ko) | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 다이이치 고교 세이야쿠 가부시키가이샤 | 수크로오스 방향족 모노카르본산 에스테르 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5329124A (en) | 1994-07-12 |
| JP2565278B2 (ja) | 1996-12-18 |
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