JPH05281150A - Ｉｃリード検査方法 - Google Patents
Ｉｃリード検査方法Info
- Publication number
- JPH05281150A JPH05281150A JP4080757A JP8075792A JPH05281150A JP H05281150 A JPH05281150 A JP H05281150A JP 4080757 A JP4080757 A JP 4080757A JP 8075792 A JP8075792 A JP 8075792A JP H05281150 A JPH05281150 A JP H05281150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- inspection
- inspection stage
- image
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は表面実装型ＩＣのリードを検査する
ＩＣリード検査方法に関し、許容範囲内にあるＩＣを確
実に判別することを目的とする。 【構成】 検査ステージ２２上に、液状部材２３を塗布
し、ＩＣ２４を載置する。そして、リング照明部２５に
より照明を行い、検査ステージ２２の下方からＣＣＤカ
メラ２６により撮像して、取り込まれた画像を処理して
ＩＣ２４のリード２４ａの良否を判別する。
ＩＣリード検査方法に関し、許容範囲内にあるＩＣを確
実に判別することを目的とする。 【構成】 検査ステージ２２上に、液状部材２３を塗布
し、ＩＣ２４を載置する。そして、リング照明部２５に
より照明を行い、検査ステージ２２の下方からＣＣＤカ
メラ２６により撮像して、取り込まれた画像を処理して
ＩＣ２４のリード２４ａの良否を判別する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面実装型ＩＣのリー
ドを検査するＩＣリード検査方法に関する。
ドを検査するＩＣリード検査方法に関する。
【０００２】近年、表面実装型の半導体装置（ＩＣ）の
平坦性はファインピッチ化、多ピン化によりユーザーよ
り高い信頼性、高精度なＩＣリードの品質が要求され益
々厳しくなってきており、レーザー、光学系を使用した
ＩＣリード検査が行われる。検査は、ＩＣリードのピッ
チや実装基板に載置したときの浮き等を測定する。
平坦性はファインピッチ化、多ピン化によりユーザーよ
り高い信頼性、高精度なＩＣリードの品質が要求され益
々厳しくなってきており、レーザー、光学系を使用した
ＩＣリード検査が行われる。検査は、ＩＣリードのピッ
チや実装基板に載置したときの浮き等を測定する。
【０００３】このため、ＩＣリードの許容範囲内にある
良品状態を確実に判別することが必要である。
良品状態を確実に判別することが必要である。
【０００４】
【従来の技術】図４に、従来のＩＣリード検査装置の構
成図を示す。図４において、検査対象のＩＣは、表面実
装型で、例えばＱＦＰ（Quad Flat Pakage）のＩＣ１１
であり、リード１１ａがパッケージの４方向より延出
し、先端が折曲された、いわゆるガルウィング形状のも
のである。
成図を示す。図４において、検査対象のＩＣは、表面実
装型で、例えばＱＦＰ（Quad Flat Pakage）のＩＣ１１
であり、リード１１ａがパッケージの４方向より延出
し、先端が折曲された、いわゆるガルウィング形状のも
のである。
【０００５】このＩＣ１１は、透明な検査ステージ１２
上に載置され、検査ステージ１２の下方にはＣＣＤカメ
ラ１３及び画像処理部１４が配置される。
上に載置され、検査ステージ１２の下方にはＣＣＤカメ
ラ１３及び画像処理部１４が配置される。
【０００６】また、検査ステージ１２の上方には、鉛直
方向に照明部１５ａが設置されると共に、斜め方向（例
えば４５°）に照明部１５ｂが設置される。
方向に照明部１５ａが設置されると共に、斜め方向（例
えば４５°）に照明部１５ｂが設置される。
【０００７】このようなＩＣ検査装置は、照明部１５ａ
による鉛直方向からの照明で得られるＣＣＤカメラ１３
の画像、及び照明部１５ｂによる斜め方向からの照明で
得られるＣＣＤカメラ１３からの画像を画像処理部１４
により二値化して画像処理を行う。
による鉛直方向からの照明で得られるＣＣＤカメラ１３
の画像、及び照明部１５ｂによる斜め方向からの照明で
得られるＣＣＤカメラ１３からの画像を画像処理部１４
により二値化して画像処理を行う。
【０００８】すなわち、照明部１５ａにより得られる画
像で、ＩＣ１１のリード１１ａのピッチが測定され、リ
ード変形を生じているか否かを判別する。
像で、ＩＣ１１のリード１１ａのピッチが測定され、リ
ード変形を生じているか否かを判別する。
【０００９】また、照明部１５ｂにより得られる画像の
鮮明度等で、ＩＣ１１のリード１１ａにおける検査ステ
ージ１２面の浮き量等を仮想的に計測して判別する。こ
の場合、全リード１１ａを計測するために位置を変え
て、２つの位置より行われる。これにより、リード１１
ａの0.10〜0.13mm程度の浮き量を測定することができ
る。
鮮明度等で、ＩＣ１１のリード１１ａにおける検査ステ
ージ１２面の浮き量等を仮想的に計測して判別する。こ
の場合、全リード１１ａを計測するために位置を変え
て、２つの位置より行われる。これにより、リード１１
ａの0.10〜0.13mm程度の浮き量を測定することができ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＩＣの多ピ
ン、ファインピッチ化に伴い、リード、浮き量の測定も
より高精度化が求められ、浮き量±１０μm 以下の測定
精度が必要となってきている。従って、不良品であるに
も拘らず良品と判別する場合が生じ、良品と不良品の狭
間にある微妙なＩＣを確実に判別することができないと
いう問題がある。
ン、ファインピッチ化に伴い、リード、浮き量の測定も
より高精度化が求められ、浮き量±１０μm 以下の測定
精度が必要となってきている。従って、不良品であるに
も拘らず良品と判別する場合が生じ、良品と不良品の狭
間にある微妙なＩＣを確実に判別することができないと
いう問題がある。
【００１１】また、検査は検査ステージ１２上の、あく
まで非接触の仮想平面上で行っており、実際の半田ペー
スト等で凹凸を有する実装基板上での実装状態と若干異
なるものであると共に、リード変形量の測定を主眼とし
ていることから、上述のように撮像処理を繰り返して行
うことから時間を要し、量産体系で行うには不向きであ
るという問題がある。
まで非接触の仮想平面上で行っており、実際の半田ペー
スト等で凹凸を有する実装基板上での実装状態と若干異
なるものであると共に、リード変形量の測定を主眼とし
ていることから、上述のように撮像処理を繰り返して行
うことから時間を要し、量産体系で行うには不向きであ
るという問題がある。
【００１２】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、許容範囲内にあるＩＣを確実に判別するＩＣリ
ード検査方法を提供することを目的とする。
もので、許容範囲内にあるＩＣを確実に判別するＩＣリ
ード検査方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題は、表面実装の
ためのリードを有する半導体装置を検査ステージ上に位
置させ、該リードの該検査ステージに対する仮想実装状
態を検査するＩＣリード検査方法において、前記検査ス
テージ上に、液状部材を塗布して前記半導体装置を載置
し、載置された該半導体装置を照明手段により照明し、
該検査ステージの下方より、該半導体装置の前記リード
の該検査ステージに対する状態を撮像し、該撮像された
画像により、該リードの良否を判別することにより解決
される。
ためのリードを有する半導体装置を検査ステージ上に位
置させ、該リードの該検査ステージに対する仮想実装状
態を検査するＩＣリード検査方法において、前記検査ス
テージ上に、液状部材を塗布して前記半導体装置を載置
し、載置された該半導体装置を照明手段により照明し、
該検査ステージの下方より、該半導体装置の前記リード
の該検査ステージに対する状態を撮像し、該撮像された
画像により、該リードの良否を判別することにより解決
される。
【００１４】
【作用】上述のように、表面実装型の半導体装置（Ｉ
Ｃ）を検査ステージ上に載置するにあたり、液状部材を
介在させている。この液状部材は、実装基板上の半田ペ
ースト等と同様の役割を果たすことから、実際上の実装
状態と近似した形でＩＣリードの検査を行うことが可能
となる。
Ｃ）を検査ステージ上に載置するにあたり、液状部材を
介在させている。この液状部材は、実装基板上の半田ペ
ースト等と同様の役割を果たすことから、実際上の実装
状態と近似した形でＩＣリードの検査を行うことが可能
となる。
【００１５】すなわち、リード変形（浮き量）の許容範
囲内の量で液状部材の塗布厚さを設定すれば、液状部材
内に位置するリードは検査ステージ上に直接に接触され
ている状態で撮像されることになる。
囲内の量で液状部材の塗布厚さを設定すれば、液状部材
内に位置するリードは検査ステージ上に直接に接触され
ている状態で撮像されることになる。
【００１６】従って、リードが液状部材内に位置するか
否かを画像で判別することにより、一度の撮像で簡易か
つ確実に、また短時間でＩＣリードの検査を行うことが
可能となる。
否かを画像で判別することにより、一度の撮像で簡易か
つ確実に、また短時間でＩＣリードの検査を行うことが
可能となる。
【００１７】
【実施例】図１に、本発明の一実施例の構成図を示す。
図１はＩＣ検査装置２１の概略を示したもので、透明な
検査ステージ２２上には、液状部材２３として例えばフ
ッ素系不活性液体が塗布され、表面実装型のリード２４
ａを有するＩＣ２４が載置される。
図１はＩＣ検査装置２１の概略を示したもので、透明な
検査ステージ２２上には、液状部材２３として例えばフ
ッ素系不活性液体が塗布され、表面実装型のリード２４
ａを有するＩＣ２４が載置される。
【００１８】この液状部材２３は、ＩＣ２４のリード２
４ａの変形量（浮き量）の許容範囲を例えば±１０μm
とすると、該量と同じ１０μm の厚さで塗布される。従
って、許容範囲が±５μm であれば、液状部材２３の厚
さも５μm に設定される。
４ａの変形量（浮き量）の許容範囲を例えば±１０μm
とすると、該量と同じ１０μm の厚さで塗布される。従
って、許容範囲が±５μm であれば、液状部材２３の厚
さも５μm に設定される。
【００１９】また、検査ステージ２２の下方には、照明
手段であるリング照明部２５を配置され、リング照明部
２５の下方に例えばＣＣＤカメラ２６及び画像処理部２
７が配置される。なお、２８はＩＣ２４を吸着して搬送
するＩＣ搬送部である。
手段であるリング照明部２５を配置され、リング照明部
２５の下方に例えばＣＣＤカメラ２６及び画像処理部２
７が配置される。なお、２８はＩＣ２４を吸着して搬送
するＩＣ搬送部である。
【００２０】ここで、図２に、図１のリードの載置状態
を説明するための図を示す。図２（Ａ）に示すように、
検査ステージ２２上に、例えば厚さ１０μm で塗布され
た液状部材２３にＩＣ２４が載置される。このとき、Ｉ
Ｃ２４のリード２４ａの何れかに浮き等のリード変形を
生じさせている場合、該液状部材２３内に当該リード２
４ａが位置すれば許容範囲の良品状態となる。
を説明するための図を示す。図２（Ａ）に示すように、
検査ステージ２２上に、例えば厚さ１０μm で塗布され
た液状部材２３にＩＣ２４が載置される。このとき、Ｉ
Ｃ２４のリード２４ａの何れかに浮き等のリード変形を
生じさせている場合、該液状部材２３内に当該リード２
４ａが位置すれば許容範囲の良品状態となる。
【００２１】すなわち、液状部材２３内にリード２４ａ
が位置することは、下方から観察すれば、当該リード２
４ａが検査ステージ２２上に直接接触している状態に観
察されるものである。従って、リード２４ａが許容範囲
内にあるか否かを撮像することによって判別することが
できる。
が位置することは、下方から観察すれば、当該リード２
４ａが検査ステージ２２上に直接接触している状態に観
察されるものである。従って、リード２４ａが許容範囲
内にあるか否かを撮像することによって判別することが
できる。
【００２２】そこで、図１及び図２におけるＩＣリード
検査装置２１の動作について説明する。まず、フッ素系
不活性液体２３が塗布された検査ステージ２２上に、Ｉ
Ｃ搬送部２８により真空吸着されたＩＣ２４が載置され
る。そして、リング照明部２５により照明が行われ、Ｃ
ＣＤカメラ２６により撮像される。
検査装置２１の動作について説明する。まず、フッ素系
不活性液体２３が塗布された検査ステージ２２上に、Ｉ
Ｃ搬送部２８により真空吸着されたＩＣ２４が載置され
る。そして、リング照明部２５により照明が行われ、Ｃ
ＣＤカメラ２６により撮像される。
【００２３】ＣＣＤカメラ２６による撮像は、ＩＣ２４
のリード２４ａが、検査ステージ２２上に直接接触して
いる場合、及び、フッ素系不活性液体２３内に位置して
いる場合には、その接触部分の輪郭が鮮明な画像として
得られる。また、リード２４ａが、フッ素系不活性液体
２３の上方に位置している場合には、その影像の輪郭が
不鮮明な、又は欠けた画像として得られる。
のリード２４ａが、検査ステージ２２上に直接接触して
いる場合、及び、フッ素系不活性液体２３内に位置して
いる場合には、その接触部分の輪郭が鮮明な画像として
得られる。また、リード２４ａが、フッ素系不活性液体
２３の上方に位置している場合には、その影像の輪郭が
不鮮明な、又は欠けた画像として得られる。
【００２４】これら画像を画像処理部２７により計測し
て、リード変形が許容範囲内か否かを判別する。処理
は、図示しないが、例えば、ＣＣＤカメラ２６からの画
像が、画像入力回路に取り込まれ、画像メモリに格納さ
れる。格納された画像は、二値化回路で設定パラメータ
に基づいて二値化される。そして、この二値化画像と、
予め記憶されている基準画像データとを比較して、許容
範囲以上に浮いているリードを判別するものである。
て、リード変形が許容範囲内か否かを判別する。処理
は、図示しないが、例えば、ＣＣＤカメラ２６からの画
像が、画像入力回路に取り込まれ、画像メモリに格納さ
れる。格納された画像は、二値化回路で設定パラメータ
に基づいて二値化される。そして、この二値化画像と、
予め記憶されている基準画像データとを比較して、許容
範囲以上に浮いているリードを判別するものである。
【００２５】ここで、図３に、本発明の取り込み画像を
説明するための図を示す。図３（Ａ）は、表面実装型の
ＩＣのうち、ＱＦＰ（Quad Flat Pakage）型のものを示
しており、図３（Ｂ）はＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chi
p Carrier ）型のもの、図３（Ｃ）はＰＧＡ（Pin Grid
Array-package）型のものを示したものである。
説明するための図を示す。図３（Ａ）は、表面実装型の
ＩＣのうち、ＱＦＰ（Quad Flat Pakage）型のものを示
しており、図３（Ｂ）はＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chi
p Carrier ）型のもの、図３（Ｃ）はＰＧＡ（Pin Grid
Array-package）型のものを示したものである。
【００２６】例えば、図３（Ａ）において、破線ａで示
された部分が許容範囲以上に浮いたリード２４ａが存在
することを意味している。
された部分が許容範囲以上に浮いたリード２４ａが存在
することを意味している。
【００２７】このように、１度の撮像で簡易にリード欠
陥を短時間で確実に判別することができ、しかも、実装
基板上への実装状態に近似した状態で検査を行うことが
でき、量産体系に組み込むことが可能となる。
陥を短時間で確実に判別することができ、しかも、実装
基板上への実装状態に近似した状態で検査を行うことが
でき、量産体系に組み込むことが可能となる。
【００２８】なお、上記実施例では、照明手段を検査ス
テージ２２の下方に位置させて照明する場合を示した
が、検査対象がＱＦＰのようにリードがパッケージに遮
られない表面実装型のＩＣであれば、検査ステージ２２
の斜め上方より照明を行っても同様の効果を有するもの
である。
テージ２２の下方に位置させて照明する場合を示した
が、検査対象がＱＦＰのようにリードがパッケージに遮
られない表面実装型のＩＣであれば、検査ステージ２２
の斜め上方より照明を行っても同様の効果を有するもの
である。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、検査対象
の半導体装置を載置させる検査ステージ上に液状部材を
塗布することにより、短時間かつ簡易に、許容範囲内の
ＩＣを確実に判別することができ、高信頼性を得ること
ができる。
の半導体装置を載置させる検査ステージ上に液状部材を
塗布することにより、短時間かつ簡易に、許容範囲内の
ＩＣを確実に判別することができ、高信頼性を得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施例の構成図である。
【図２】図１のリードの載置状態を説明するための図で
ある。
ある。
【図３】本発明の取り込む画像を説明するための図であ
る。
る。
【図４】従来のＩＣリード検査装置の構成図である。
２１ ＩＣリード検査装置 ２２ 検査ステージ ２３ 液状部材 ２４ ＩＣ ２４ａ リード ２５ リング照明部 ２６ ＣＣＤカメラ ２７ 画像処理部 ２８ ＩＣ搬送部
Claims (3)
- 【請求項１】 表面実装のためのリード（２４ａ）を有
する半導体装置（２４）を検査ステージ（２２）上に位
置させ、該リード（２４ａ）の該検査ステージ（２２）
に対する仮想実装状態を検査するＩＣリード検査方法に
おいて、 前記検査ステージ（２２）上に、液状部材（２３）を塗
布して前記半導体装置（２４）を載置する工程と、 載置された該半導体装置（２４）を照明手段（２５）に
より照明する工程と、該検査ステージ（２２）の下方よ
り、該半導体装置（２４）の前記リード（２４ａ）の該
検査ステージ（２２）に対する状態を撮像する工程と、 該撮像された画像により、該リード（２４ａ）の良否を
判別する工程と、 を含むことを特徴とするＩＣリード検査方法。 - 【請求項２】 前記照明手段（２５）により、前記検査
ステージ（２２）の下方よりリング照明することを特徴
とする請求項１記載のＩＣリード検査方法。 - 【請求項３】 前記照明手段（２５）により、前記検査
ステージ（２２）の斜め上方より照明することを特徴と
する請求項１記載のＩＣリード検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080757A JPH05281150A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Ｉｃリード検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4080757A JPH05281150A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Ｉｃリード検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05281150A true JPH05281150A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13727288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4080757A Pending JPH05281150A (ja) | 1992-04-02 | 1992-04-02 | Ｉｃリード検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05281150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021124374A (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-30 | 株式会社 コアーズ | 測定装置及び測定方法 |
-
1992
- 1992-04-02 JP JP4080757A patent/JPH05281150A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021124374A (ja) * | 2020-02-05 | 2021-08-30 | 株式会社 コアーズ | 測定装置及び測定方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4688939A (en) | Method and apparatus for inspecting articles | |
| KR100281881B1 (ko) | 인쇄회로기판의크림솔더검사장치및검사방법 | |
| JP3414967B2 (ja) | バンプ検査方法 | |
| JP4228778B2 (ja) | パターン検査装置 | |
| US6775899B1 (en) | Method for inspecting printing state and substrate | |
| JPH05281150A (ja) | Ｉｃリード検査方法 | |
| JP2954332B2 (ja) | 画像入力方法およびその装置 | |
| JP3225067B2 (ja) | リード測定方法 | |
| JPS635243A (ja) | Ｉｃリード曲り検出方法 | |
| JP2000009452A (ja) | 表面の凹凸検査方法および装置 | |
| JPH09264722A (ja) | 外観検査方法およびその装置 | |
| US5940681A (en) | Method and apparatus for automatically checking position data of J-leads | |
| JP2002310936A (ja) | 外観検査方法および外観検査装置 | |
| JPH0658729A (ja) | 半田付け状態検査装置 | |
| JP2946570B2 (ja) | コプラナリティ測定装置 | |
| JPS6326510A (ja) | 実装部品検査装置 | |
| JPH09265536A (ja) | 外観検査装置および被検査部の照明方法 | |
| JPH10267627A (ja) | リードフレームの検査方法及び装置 | |
| JPS6336543A (ja) | 半導体装置の自動検査方法及び検査装置 | |
| KR0144334B1 (ko) | 집적 회로의 리드 검사 장치 | |
| JPH03192800A (ja) | プリント基板の部品実装認識方法 | |
| JP2004361329A (ja) | パターン検査方法および装置 | |
| JPH08122273A (ja) | 半導体装置の検査方法 | |
| JP2008249611A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3444228B2 (ja) | 半導体装置のリード検査装置 |