JPH0526294B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0526294B2
JPH0526294B2 JP61229969A JP22996986A JPH0526294B2 JP H0526294 B2 JPH0526294 B2 JP H0526294B2 JP 61229969 A JP61229969 A JP 61229969A JP 22996986 A JP22996986 A JP 22996986A JP H0526294 B2 JPH0526294 B2 JP H0526294B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
primary particle
particle beam
ion
scanning
sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61229969A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6386340A (ja
Inventor
Haruhisa Mori
Tadayuki Kojima
Satoshi Hasui
Hiroshi Oomori
Shuji Kikuchi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP61229969A priority Critical patent/JPS6386340A/ja
Priority to US07/102,448 priority patent/US4785188A/en
Priority to EP87402184A priority patent/EP0263032B1/en
Priority to DE8787402184T priority patent/DE3771982D1/de
Priority to KR1019870010878A priority patent/KR910007835B1/ko
Publication of JPS6386340A publication Critical patent/JPS6386340A/ja
Publication of JPH0526294B2 publication Critical patent/JPH0526294B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 一次粒子線照射装置であつて、所定幅または所
定領域に亘つて走査される一次粒子線が照射され
るターゲツトと、該ターゲツト表面近傍に設けら
れた指向性を有する二次粒子センサとをそなえ、
該二次粒子センサの出力によつて該一次粒子線の
照射位置が検出されるように構成されており、該
検出結果に応じて該走査系のインターロツクを行
つたりあるいは該走査用の信号（スキヤンシグナ
ル）を調整するなどして、該ターゲツト上におけ
る該一次粒子線の走査幅および走査範囲（半径方
向における照射位置）が高精度に補正され、各タ
ーゲツトに対するドーズの均一性ならびにその再
現性が確保される。
〔産業上の利用分野〕
本発明は一次粒子線照射装置に関し、特にイオ
ンビームなどの一次粒子線をある幅で走査しなが
ら回転デイスク上に設けられた半導体ウエーハな
どのターゲツトに照射してイオン注入などを行う
一次粒子線照射装置に関する。
〔従来の技術〕
第５図ａは、従来技術におけるイオンビーム照
射装置の全体構成に例示するもので、１０および
１１は二重に形成された外側および内側の箱体で
あつて、該二重の箱体１０，１１の間にはイオン
加速用の直流電源１２（例えば0Vから120乃至
175KVの範囲で調整される）が接続される。１
５はイオン発生源（プラズマ発生装置）であつて
該イオン発生源１５にはプラズマ発生用の電源装
置１３が接続され、また該電源装置１３の箱体と
該内側の箱体１１との間には例えば25〜80KVの
直流電源１４が接続されている。１６はイオン引
出し用の電極であつて例えば箱体１１と同じ電位
に設定され、これによつて該イオン発生源１５と
該引出し電極１６との間に該直流電源１４にもと
づく強電界が発生する。その結果、該イオン発生
源１５において発生したプラズマイオンのビーム
は該引出し電極１６を通して引出され、次いで該
イオンビームを第５図ａにおいて上下方向に対向
するように配置した（第５図ａ中にはそのうちの
一方のみが示される）一対の円弧状のマグネツト
１７の間〓を通し、該間隙に形成される磁場の作
用によつて該イオンビームの進行方向を曲折させ
る。この場合、該イオンを構成する元素の種類
（すなわち該イオンの重さ）によつて該曲折の度
合が異る（軽いイオンほど強く曲る）ため、所望
の元素に対応するイオンビームのみが所定の進行
経路を通つてスリツト１８を通過し、更に該二重
の箱体１０および１１の間に設けられた加速管１
９内で上記直流電源１２にもとづく強電界により
加速されて、所定のターゲツト（例えば箱体２０
内において回転デイスク２３上に載置された半導
体ウエーハ２４）に向つて照射される。なお、該
加速管１９箱体２０及びイオン発生源１５から加
速管１９に到るイオンビームの通路はすべて真空
容器として形成される。
この場合、該イオンビームが、該回転デイスク
２３上においてその円周方向に沿つて載置された
複数個のウエーハ２４（第５図ｂ参照）の表面全
体に照射されるためには、該イオンビームを所定
幅（例えば第５図ｂに示されるように該半導体ウ
エーハ２４を含み、該半導体ウエーハ２４の幅を
少し超えた幅Ｌ）に亘つて照射する（したがつて
デイスク２３の回転によつて、その照射領域は第
５図ｂにおいて点線斜線で示す領域Ｓとなる。）
必要があり、そのための手段として、回転デイ
スク２３を該所定幅Ｌだけ往復動させる。該イ
オンビームを該所定幅Ｌだけ往復動させるように
該ターゲツト上で該イオンビームの走査を繰返す
ことが考えられる。この場合、一般的には後者
の方が該走査を高速に行うことができる。
第６図は、該後者の手段によつて該イオンビ
ームの走査を行う場合において、該イオンビーム
が該加速管１９を通過したあと、該ターゲツト上
に照射させるにあたつて、上記走査を行わせるた
めの具体的構成を例示するもので、２１は該イオ
ンビームを所定の角度範囲θに亘つて周期的に往
復動させるための走査用マグネツト、２２は該走
査用マグネツト２１によつて上述したようにその
進行方向を曲げられたイオンビームを一定の方向
に平行に向ける（それによつて該イオンビーム
を、回転デイスク２３上においてリング２５によ
り装着された各ウエーハ２４の領域を含む上記所
定の走査幅Ｌの範囲で往復動させる）ためのマグ
ネツトである。ここで該マグネツト２１および２
２は何れも上記マグネツト１７と同様に第６図に
おいて例えばその上下方向において対向する一対
のマグネツトにより構成され、該マグネツト２１
は、該一対のマグネツト間の間隙（該間隙をイオ
ンビームが通過する）に生ずる磁場の強さが周期
的に変化するように所定の走査信号（スキヤンシ
グナル）により励磁され、それにより該イオンビ
ームを所定の角度範囲θに亘つて繰返し走査させ
る。またマグネツト２２は、その一対のマグネツ
トの間隙に生ずる磁場の強さは一定とされている
が、上記マグネツト２１によつて所定の角度範囲
θに亘つて往復動するように種々の角度で曲折さ
れたイオンビームを、第６図の例ではすべて元の
方向に向けるために、該マグネツト２２の間隙に
生ずる磁場の向きを該マグネツト２１の間隙に生
ずる磁場の向きと逆になるようにし、更にその形
状を第６図に示すように下方に行くしたがつて幅
広くなるように例えば三角形に形成して、その結
果該曲折されたすべてのイオンビームを所定の方
向に平行に向けるようにする。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら上述したようなイオンビーム照射
装置においては、該回転デイスク２３上の照射領
域Ｓの内周側と外周側とにおいて（デイスク半径
方向において）注入される面積に差を生じ、した
がつて注入時間を等しくした場合、該内周側にお
けるイオン注入量の方が該外周側におけるイオン
注入量よりも多くなつて該注入量が不均一となり
その補正をする必要が生ずることになる。また、
該イオンビーム走査系全体に不可避的に生ずる非
直線性に起因して、該イオンビームの照射位置を
該走査用マグネツトの磁場強度（したがつてスキ
ヤンシグナル）などと対応させて完全に直線的に
制御することができず、そのために該イオンビー
ムを走査して注入すべき照射範囲（第５図に幅Ｌ
および領域Ｓによつて示される）が半径方向にお
いて位置的にずれることになり、これまたイオン
注入量に対する誤差の原因となつてその補正をす
る必要が生ずるという問題点があつた。
かかる問題点に対し従来技術においては、デイ
スク半径方向の注入面積差や走査系の非直線性を
補正するため、例えばテスト用のウエーハを用い
てその半径方向に対するイオン注入量（例えばシ
ート抵抗によつて測定する）のマツプをとり、こ
れにもとづいて予めプログラムされた所定のスキ
ヤンシグナルによつて上記走査用マグネツトの磁
場強度あるいは磁場の変化量をソフト的に補正す
るような手段がとられている。
しかしながらかかる手段をとつたとしても、現
実に各ウエーハに照射されるイオンビームの照射
位置（厳密には装置の動作毎に異る）は何等検出
されておらず、したがつて厳密には各装置動作毎
に異る上記注入面積差や走査系の非直線性にもと
づくドーズの不均一性を十分に補正し切ることが
できなかつたのである。
本発明は、かかる問題点を解決するためになさ
れたもので、ターゲツト上に照射されるイオンビ
ームの照射位置を、該ターゲツト表面近傍に設け
られた指向性を有する二次粒子センサの出力によ
つて常時検出し、該検出結果にもとづいて該走査
系に対する所定の補正を行う（例えば上記磁場の
強度あるいは磁場の変化量を制御するスキヤンシ
グナルを調整する）という着想にもとづいて、上
記イオンビームの走査幅および走査範囲（半径方
向における照射位置）を、各装置動作毎に精度よ
く所定の走査幅および所定の照射位置となるよう
にし、それによつて各ウエーハに対するイオンビ
ームのドーズの均一性およびその再現性を向上す
るようにしたものである。なお本発明は上記した
ような従来技術によるソフト的な補正を行つた上
で、それに付加して実施することによつて、その
補正をより完全なものとしうることはいうまでも
ない。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点を解決する手段として、本発明にお
いては、回転デイスクの円周方向に沿つて配置さ
れたターゲツトと、回転デイスクの半径方向にお
いて、ターゲツトの幅を含む所定幅に亘つて一次
粒子線が走査され、その所定幅の領域の片端また
は両端近傍に設けられた指向性を有する二次粒子
センサとをそなえ、二次粒子センサの出力によつ
て一次粒子線の照射位置が検出されるようにした
一次粒子線照射装置が提供される。
〔作 用〕
上記構成によれば、該指向性を有する二次粒子
センサによつて、該センサの設置された位置に対
応するターゲツト部分（デイスクまたはウエー
ハ）に照射された一次粒子線に起因して生ずる二
次粒子（該一次粒子線の反射または該一次粒子線
の照射にもとづいて該照射位置におけるターゲツ
ト材料がスパツタすることにより生ずる）が選択
的に検出され、それにより該一次粒子線を走査さ
せるスキヤンシグナルと該一次粒子線の照射位置
との対応関係が所望の対応関係となつているか否
かが常時検出される。そしてその検出結果に応じ
て所定の補正を行うように該走査系を制御する
（例えば上記走査用の磁場を形成するための予め
プログラムされたスキヤンシグナルの調整を行う
など）ことによつて、該一次粒子線の走査幅およ
び半径方向における照射位置が高精度に調整さ
れ、各ターゲツト（ウエーハ）に対するドーズの
均一性ならびにその再現性が確保される。
〔実施例〕
第１図は本発明の１実施例としての一次粒子線
照射装置の構成を示すもので、上記したように加
速管１９により加速されたイオンビームは、走査
用マグネツト２１およびそれに後続して配置され
たマグネツト２２の間隙を通過して該ウエーハ２
４を含む該デイスク２３上の所定領域に照射され
る。なお該走査用マグネツト２１は、スキヤンシ
グナル発生器７から供給される上述したような予
めプログラムされたスキヤンシグナルによつて励
磁され、所定の走査用磁場が形成される。
３は指向性を有する二次粒子センサであつて、
第１図に示される実施例においては、該ウエーハ
２４の各端部に隣接するデイスク２３の部分（し
たがつて所定幅Ｌを有する照射領域の各端部近
傍）に１個づつ計２個設けられている。該二次粒
子センサは所定の筒状カバー３１内に該カバー３
１とは絶縁して（例えば該カバー３１をガラス製
とする）設けられた電極３２を有し、第２図に示
されるようにその側面からみると傾斜して配置さ
れている。なお第１図は上面からみた図である。
いま、上記イオンビーム（一次イオンビーム）
が所定のターゲツト（該ウエーハ２４を含む所定
のデイスク領域）に照射されると、該照射された
ターゲツト部分から所謂二次粒子（二次イオン）
が放出される。なおこの二次粒子（二次イオン）
としては、該照射された一次イオンが該ターゲツ
ト部分で反射して生じたもの、および該一次イオ
ンの照射にもとづいて該照射装置におけるターゲ
ツト材料がスパツタすることにより生じたものが
含まれる。なお該スパツタして生ずるターゲツト
材料としては、該照射装置におけるデイスクの材
料（例えばアルミニウム）およびウエーハの材料
（例えばシリコン）を含み、その何れとなるかは
該二次粒子センサの設置される位置によつて異
る。
ここで該二次粒子センサ３は上述したように筒
状のカバー３１が設けられており、したがつて該
筒状のカバー３１内に設けられた電極３２は、該
二次粒子センサ３の設置された位置に対応するタ
ーゲツト部分（第２図の符号ａ参照）から放出さ
れる二次イオンのみが流入する（すなわち指向性
を有する）ことになる。換言すれば該二次粒子セ
ンサ３は、一次イオンビームが所定のターゲツト
部分ａに照射されたことによつて生ずる二次イオ
ンのみを取り込むことになり、所謂指向性を有す
ることになる。
このようにして該二次粒子センサ３の電極３２
に取り込まれた二次イオン（この場合プラスイオ
ンとする）は、所定のバイアス電源４１（例えば
−10V乃至−100Vの負のバイアス電圧を該電極
３２に印加する）からのバイアス電圧にもとづい
て、該バイアス電源４１および抵抗４２を通つて
アース側に引込まれ、外抵抗４２の両端には該引
込まれる二次イオンの量に比例した電圧降下を生
ずる。なお該デイスク２３も通常アース電位とさ
れる。
５はモニタスコープであつてそのＸ軸側入力と
しては上記スキヤンシグナル発生器７から上述し
たスキヤンシグナルが供給され、一方そのＹ軸側
入力としては該バイアス電源４１と抵抗４２の接
続点の電位が供給される。したがつて該モニタス
コープ５には、第３図に示すように、走査用マグ
ネツト２１を励磁するスキヤンシグナルＢの値を
横軸とし（該スキヤンシグナルの変化に応じて該
走査用マグネツト２１の磁場強度が変化してイオ
ンビームの照射位置が変化する）、該スキヤンシ
グナルＢの各値に対応する二次イオンセンサ出力
Ｓを縦軸とした画面が画かれる。換言すれば該第
３図の画面は、該スキヤンシグナルの値をそれぞ
れB1′およびB2′としたときに、該二次イオンセン
サの出力Ｓにピークが生ずる（すなわち該イオン
ビームが該二次粒子センサ３の設置位置に対応す
るターゲツト部分ａに照射されており、該二次粒
子センサ３に取り込まれる二次イオンがピークに
なる）ことを示している。６はピーク位置検出器
であつて該ピーク位置に対応する該スキヤンシグ
ナルの値B1′およびB2′を検出する。更に８は比較
回路であつて、該スキヤンシグナル値B1′および
B2′をそれぞれ、そのとき上記スキヤンシグナル
発生器７から供給されているスキヤンシグナルの
値と比較し、該スキヤンシグナル値B1′および
B2′と、該二次粒子センサ３の出力が本来ピーク
となるべきスキヤンシグナルの値（すなわち該イ
オンビームが本来、該二次粒子センサ設置位置に
対応するターゲツト部分を照射すべきスキヤンシ
グナルの値）とが一致するか否かが常時判別され
る。そして該比較回路８からの出力Ｃによつてそ
れらの不一致が検出されたときには、該走査系を
インターロツクするとか、あるいはそれらが一致
するまで所定のフイードバツク手段によつて該ス
キヤンシグナル発生器７から出力されるスキヤン
シグナルの値を調整してその走査幅あるいはその
走査位置のずれを補正するようにされる。そして
例えば第３図に示されるように、該ピーク位置に
対応する該スキヤンシグナルの値がB1′および
B2′であるのに対し、該二次粒子センサの出力が
本来ピークとなるべきスキヤンシグナル値がB1
およびB2であるとすれば、該スキヤンシグナル
発生器７から出力されるスキヤンシグナルの値
B1およびB2を増大させて、これらの値を上記
B1′およびB2′に一致させるように補正する。
上記第１図に示される実施例においては、該二
次粒子センサ３が所定の走査領域幅の両端近傍に
それぞれ１個づつ計２個設けられているが、その
設置個数は特に限定されるものではなく、例えば
該走査領域の片端近傍のみに１個設けることもで
きる。また第４図に示される実施例においては、
該走査領域の両端近傍に、該イオンビームの走査
方向に沿つて例えばビーム径程度離してそれぞれ
２個の二次粒子センサ３′および３″が配置されて
いる。そして上記両端近傍における各内側の二次
粒子センサ３′および各外側の二次粒子センサ
３″によつて検出される各二次イオン出力が、上
記と同様に、それぞれバイアス電源４１′と抵抗
４２′とからなる回路およびバイアス電源４１″と
抵抗４２″とからなる回路を介して、二現象モニ
タスコープ５′のY1軸側入力およびY2軸側入力と
して供給される。そして該二現象モニタスコープ
５′のＸ軸側入力としては上記第１図の実施例と
同様に、そのとき該スキヤンシグナル発生器７か
ら出力されるスキヤンシグナルが供給される。こ
のようにすれば、該二現象モニタスコープ５′に
は、上記スキヤンシグナルの値Ｂを横軸とし、そ
れぞれ該二次イオンセンサ３′および３″の出力を
縦軸とする互いに接近した２つの波形が画かれる
ことになり、したがつて、該スキヤンシグナルの
値が該２つの波形の各ピーク部分の交点に対応す
る値B1′およびB2′となつたとき、該イオンビーム
が該走査領域の各端部近傍にそれぞれ配置された
該２個の二次粒子センサ３′および３″の中間位置
を照射しているものと判断して、上記と同様の補
正を行うことができ、このような交点検出によつ
て上記ピーク位置の検出をより正確に行うことが
できる。
更に該二次粒子センサを該走査領域内において
線状又は面状に複数個並べ、各二次粒子センサの
出力をそれぞれ所定のモニタ装置（例えば上記各
実施例）に示したようなモニタ回路または単なる
比較回路など）でモニタすることにより、該イオ
ンビームの照射位置を逐次検出し、同時に該イオ
ンビームの強度分布をも検出して、更に高精度の
補正を行うことも可能である。
また上記各実施例においては、ターゲツトに照
射される一次粒子線がイオンビームである場合に
ついて説明したが、本発明の対象となる該一次粒
子線は電子ビームであつてもよく、更に中性ビー
ムであつてもよい。この場合、該中性ビームは上
述のようにして走査されたイオンビームを例えば
浮遊ガス内を通過させるなどの手段によつて中性
化すればよく、このようにして生じた中性ビーム
が所定のターゲツトに照射される場合にも、該照
射されたターゲツト部分において発生する二次イ
オンが該二次イオンセンサ３によつて検出され、
上記各実施例と同様にして、該中性ビームの照射
位置を検出することができるとともに、該中性ビ
ームのビーム量をも該二次イオンセンサの出力に
よつて電気的に検出することができ、該照射位置
あるいは該ビーム量に対し所定の補正を行うこと
ができる。
〔発明の効果〕
本発明によればターゲツト上における一次粒子
線の走査幅および走査範囲（照射位置）が所望の
状態となるように常時高精度に走査系の補正をす
ることができ、各ターゲツト（ウエーハ）に対す
るドーズの均一性およびその再現性を顕著に向上
することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の１実施例としての一次粒子
線照射装置の構成を示す図、第２図は、第１図に
おける二次粒子センサ近傍の構成を示す側面図、
第３図は、第１図におけるモニタスコープの画面
の１例を説明する図、第４図は、本発明の他の実
施例としての一次粒子線照射装置において、第１
図の装置と異る部分の構成を示す図、第５図は、
従来技術における一次粒子線照射装置の構成を例
示する図、第６図は、第５図における加速管以降
の内部構成を詳細に示す図である。 （符号の説明）、１５…イオン発生源、１７…
円弧状マグネツト、１９…加速管、２１…走査用
マグネツト、２３…回転デイスク、２４…ターゲ
ツト（ウエーハ）、３，３′，３″…二次粒子セン
サ（二次イオンセンサ）、４１，４１′，４１″…
バイアス電源、４２，４２′，４２″…抵抗、５，
５′…モニタスコープ、６…ピーク位置検出器、
７…スキヤンシグナル発生器、８…比較回路。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 回転デイスクの円周方向に沿つて配置された
    ターゲツトと、 該回転デイスクの半径方向において、該ターゲ
    ツトの幅を含む所定幅に亘つて一次粒子線が走査
    され、その所定幅の領域の片端または両端近傍に
    設けられた指向性を有する二次粒子センサとをそ
    なえ、 該二次粒子センサの出力によつて該一次粒子線
    の照射位置が検出されることを特徴とする一次粒
    子線照射装置。 ２ 該一次粒子線がイオンビームまたは電子ビー
    ムである特許請求の範囲第１項記載の一次粒子線
    照射装置。 ３ 該一次粒子線が中性ビームである特許請求の
    範囲第１項記載の一次粒子線照射装置。 ４ 該二次粒子センサとして二次イオンセンサが
    設けられる、特許請求の範囲第１項記載の一次粒
    子線照射装置。 ５ 該ターゲツトが、回転デイスクの円周方向に
    沿つて配置された複数のウエーハである、特許請
    求の範囲第１項記載の一次粒子線照射装置。 ６ 該指向性を有する二次粒子センサは、二次イ
    オン流入用のバイアス電位が付与された電極に筒
    状のカバーが取付けられており、所定の照射位置
    において発生する二次イオンを選択的に検出する
    ものである、特許請求の範囲第１項記載の一次粒
    子線照射装置。
JP61229969A 1986-09-30 1986-09-30 一次粒子線照射装置 Granted JPS6386340A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61229969A JPS6386340A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 一次粒子線照射装置
US07/102,448 US4785188A (en) 1986-09-30 1987-09-29 Primary particle beam irradiation apparatus and method of irradiation thereof
EP87402184A EP0263032B1 (en) 1986-09-30 1987-09-30 Primary particle beam irradiation apparatus and method of irradiation thereof
DE8787402184T DE3771982D1 (de) 1986-09-30 1987-09-30 Primaer-teilchen-bestrahlungsvorrichtung und verfahren zur bestrahlung derselben.
KR1019870010878A KR910007835B1 (ko) 1986-09-30 1987-09-30 1차입자 비임 조사장치 및 그의 조사방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61229969A JPS6386340A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 一次粒子線照射装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6386340A JPS6386340A (ja) 1988-04-16
JPH0526294B2 true JPH0526294B2 (ja) 1993-04-15

Family

ID=16900545

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61229969A Granted JPS6386340A (ja) 1986-09-30 1986-09-30 一次粒子線照射装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4785188A (ja)
EP (1) EP0263032B1 (ja)
JP (1) JPS6386340A (ja)
KR (1) KR910007835B1 (ja)
DE (1) DE3771982D1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL9000822A (nl) * 1990-04-09 1991-11-01 Philips Nv Werkwijze voor bestraling van een object met een geladen deeltjesbundel en inrichting voor uitvoering van de werkwijze.
JP2648642B2 (ja) * 1990-04-17 1997-09-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 巾広ビームでイオンインプランテーションを行なう方法及び装置
JP2969788B2 (ja) * 1990-05-17 1999-11-02 日新電機株式会社 イオンビームの平行度測定方法、走査波形整形方法およびイオン注入装置
US5311028A (en) * 1990-08-29 1994-05-10 Nissin Electric Co., Ltd. System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions
US5572038A (en) * 1993-05-07 1996-11-05 Varian Associates, Inc. Charge monitor for high potential pulse current dose measurement apparatus and method
US5859437A (en) * 1997-03-17 1999-01-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation Intelligent supervision system with expert system for ion implantation process
US6061115A (en) * 1998-11-03 2000-05-09 International Business Machines Incorporation Method of producing a multi-domain alignment layer by bombarding ions of normal incidence
US6519018B1 (en) 1998-11-03 2003-02-11 International Business Machines Corporation Vertically aligned liquid crystal displays and methods for their production
US6313896B1 (en) 1999-08-31 2001-11-06 International Business Machines Corporation Method for forming a multi-domain alignment layer for a liquid crystal display device
US7358484B2 (en) * 2005-09-29 2008-04-15 Tokyo Electron Limited Hyperthermal neutral beam source and method of operating
US20100086711A1 (en) * 2007-02-14 2010-04-08 Asahi Kasei Chemicals Corporation Stretched laminated film and bag
US8378317B1 (en) * 2011-09-07 2013-02-19 Gtat Corporation Ion implant apparatus and method of ion implantation

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57123639A (en) * 1981-01-23 1982-08-02 Agency Of Ind Science & Technol Method for monitoring ion current for ion implantation apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3585397A (en) * 1968-10-04 1971-06-15 Hughes Aircraft Co Programmed fine ion implantation beam system
JPS55124936A (en) * 1979-03-22 1980-09-26 Hitachi Ltd Control method of beam current in ion drive
JPS5856332A (ja) * 1981-09-30 1983-04-04 Hitachi Ltd マスクの欠陥修正方法
JPS599843A (ja) * 1982-07-07 1984-01-19 Akashi Seisakusho Co Ltd 走査型電子顕微鏡およびその類似装置における２次荷電粒子検出装置
US4539217A (en) * 1984-06-27 1985-09-03 Eaton Corporation Dose control method
JPS6139356A (ja) * 1984-07-30 1986-02-25 Hitachi Ltd イオン打込装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57123639A (en) * 1981-01-23 1982-08-02 Agency Of Ind Science & Technol Method for monitoring ion current for ion implantation apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
EP0263032A1 (en) 1988-04-06
KR910007835B1 (ko) 1991-10-02
JPS6386340A (ja) 1988-04-16
US4785188A (en) 1988-11-15
DE3771982D1 (de) 1991-09-12
EP0263032B1 (en) 1991-08-07
KR880004550A (ko) 1988-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2699170B2 (ja) イオンビーム走査方法および装置
US4939371A (en) Charged particle beam device
EP0431757A2 (en) Ion implanter scanning mechanism
JPH0526294B2 (ja)
US6403972B1 (en) Methods and apparatus for alignment of ion beam systems using beam current sensors
US20110147586A1 (en) Charged Particle Beam Device
JPS62234859A (ja) 電子収集アッセンブリ
EP1964149B1 (en) Ion beam angle measurement systems and methods employing varied angle slot arrays for ion implantation systems
US6376136B1 (en) Charged beam exposure method
US5117111A (en) Electron beam measuring apparatus
JP2000195453A (ja) 荷電粒子線装置
JPH0353439A (ja) 電子光学鏡筒
JP2005005151A (ja) 荷電粒子線装置
JPH025346A (ja) イオン注入装置およびイオンビームの調整方法
JP2765043B2 (ja) イオンビームの平行度測定方法
JP2540306B2 (ja) イオン注入装置
JP2582152B2 (ja) 偏向系描画フィールドの歪補正方法
JPH05102019A (ja) アライメントマーク位置検出装置
US9455115B2 (en) Method of adjusting a stigmator in a particle beam apparatus and a Particle beam system
JPH0291507A (ja) 微細パターンの測定装置
JPS62172649A (ja) 集束イオンビ−ム装置
JPH0696715A (ja) イオン打込装置
JPH06236841A (ja) 電子線描画装置
JP2000208395A (ja) 基板検査装置及び基板検査方法
JPH01316933A (ja) 電子ビーム露光装置の電子ビーム補正方法