JPH05258830A - 回路の接続方法 - Google Patents
回路の接続方法Info
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- JPH05258830A JPH05258830A JP4055800A JP5580092A JPH05258830A JP H05258830 A JPH05258830 A JP H05258830A JP 4055800 A JP4055800 A JP 4055800A JP 5580092 A JP5580092 A JP 5580092A JP H05258830 A JPH05258830 A JP H05258830A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/325—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by abutting or pinching, i.e. without alloying process; mechanical auxiliary parts therefor
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-
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
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- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 少なくとも、一方の基板が可撓性基板で、か
つ突出電極が回路端子部のように極めてアスペクト比の
大きな場合における絶縁性接着剤を用いた回路の接続方
法を提供する。 【構成】 可撓性基板１に形成された多数の平行回路よ
りなる回路３と、相対峙する回路６との接着剤４による
接続において、一方の回路３は伸び率１０％以上の可撓
性基板１に形成された回路幅７０μｍ以下、ピッチ１５
０μｍ以下の平行回路であり、当該回路と相対峙する回
路６との間に導電粒子を０〜１．０体積％含有した絶縁
性接着剤４を介在させて両回路３，６を位置合わせし、
加熱加圧下で接着剤４を硬化する。
つ突出電極が回路端子部のように極めてアスペクト比の
大きな場合における絶縁性接着剤を用いた回路の接続方
法を提供する。 【構成】 可撓性基板１に形成された多数の平行回路よ
りなる回路３と、相対峙する回路６との接着剤４による
接続において、一方の回路３は伸び率１０％以上の可撓
性基板１に形成された回路幅７０μｍ以下、ピッチ１５
０μｍ以下の平行回路であり、当該回路と相対峙する回
路６との間に導電粒子を０〜１．０体積％含有した絶縁
性接着剤４を介在させて両回路３，６を位置合わせし、
加熱加圧下で接着剤４を硬化する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、相対峙する回路もしく
は電極を電気的及び機械的に接続する回路の接続方法に
関する。
は電極を電気的及び機械的に接続する回路の接続方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の小形薄形化に伴い、これらに
用いる回路類は高密度、高精細化している。これら微細
回路の接続は、例えば接着剤中に粒径７〜３０μｍ程度
の導電粒子を１〜１０体積％含有した異方導電性接着剤
を用いる方法が知られている。
用いる回路類は高密度、高精細化している。これら微細
回路の接続は、例えば接着剤中に粒径７〜３０μｍ程度
の導電粒子を１〜１０体積％含有した異方導電性接着剤
を用いる方法が知られている。
【０００３】しかしながら、従来の方法では、導電粒子
が隣接する回路間を覆って存在すると、回路間の短絡
（ショート）が発生し、７本／ｍｍ以上といった最近の
高密度回路の接続には対応できなくなっている。
が隣接する回路間を覆って存在すると、回路間の短絡
（ショート）が発生し、７本／ｍｍ以上といった最近の
高密度回路の接続には対応できなくなっている。
【０００４】そこで、例えば特開昭６０−２６２４３０
号公報に示すものでは、紫外線（ＵＶ）等による硬化性
の絶縁性接着剤をガラス基板回路上に介在させて、半導
体素子上の突起電極と対向させ、接着剤を加圧下で硬化
するようにしている。
号公報に示すものでは、紫外線（ＵＶ）等による硬化性
の絶縁性接着剤をガラス基板回路上に介在させて、半導
体素子上の突起電極と対向させ、接着剤を加圧下で硬化
するようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開昭６０−２６２４３０号公報に示される方法は、接着
剤中に導電粒子を含有しないので、隣接回路間のリーク
は改良されるものの、接続すべき回路の基板をガラスや
シリコンといった硬質基板同士に限定しないと十分な接
続信頼性が得られない。また、突出電極の接続面形状は
円や正方形などのアスペクト比（長径／短径の比）が１
に近いか、あるいは長方形等の場合でもこの比が３以下
程度であり、長径の大きさも微細化に対応するため２０
０μｍ以下とする必要があるなど電極形状に制約があ
る。
開昭６０−２６２４３０号公報に示される方法は、接着
剤中に導電粒子を含有しないので、隣接回路間のリーク
は改良されるものの、接続すべき回路の基板をガラスや
シリコンといった硬質基板同士に限定しないと十分な接
続信頼性が得られない。また、突出電極の接続面形状は
円や正方形などのアスペクト比（長径／短径の比）が１
に近いか、あるいは長方形等の場合でもこの比が３以下
程度であり、長径の大きさも微細化に対応するため２０
０μｍ以下とする必要があるなど電極形状に制約があ
る。
【０００６】すなわち、硬質基板同士に限定される理由
は、多数の突出電極の高さがバラツキを有するため、高
さの大きな電極は容易に接続すべき回路面に接触可能だ
が、高さの低い電極は接触不可能であるため、接続時の
圧力により硬質基板間で突出電極を変形させて、多数の
電極を平担化させて接続する必要があるからである。こ
の時、電極形状は、アスペクト比の小さい方が好まし
い。これは、圧力が極部的に集中出来るので変形が容易
であること、また電極と回路との接触部以外へ接着剤を
流動排除し易いことなどにより接続信頼性の向上が可能
なためである。
は、多数の突出電極の高さがバラツキを有するため、高
さの大きな電極は容易に接続すべき回路面に接触可能だ
が、高さの低い電極は接触不可能であるため、接続時の
圧力により硬質基板間で突出電極を変形させて、多数の
電極を平担化させて接続する必要があるからである。こ
の時、電極形状は、アスペクト比の小さい方が好まし
い。これは、圧力が極部的に集中出来るので変形が容易
であること、また電極と回路との接触部以外へ接着剤を
流動排除し易いことなどにより接続信頼性の向上が可能
なためである。
【０００７】以上の理由により、従来技術では例えばＴ
ＡＢ（Tape Automated Bonding）やＦＰＣ（Flexible P
rinted Circuit）のような、絶縁された多数の平行電極
（回路）を一括して他の回路と接続する用途に適用する
ことは極めて困難な状況にあった。
ＡＢ（Tape Automated Bonding）やＦＰＣ（Flexible P
rinted Circuit）のような、絶縁された多数の平行電極
（回路）を一括して他の回路と接続する用途に適用する
ことは極めて困難な状況にあった。
【０００８】本発明は、上記の如き従来の課題に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、少なくとも
一方の基板が可撓性であり、かつ突出電極が回路端子部
のように極めてアスペクト比の大きい場合における、絶
縁性接着剤を用いた回路の接続方法を提供することにあ
る。
なされたもので、その目的とするところは、少なくとも
一方の基板が可撓性であり、かつ突出電極が回路端子部
のように極めてアスペクト比の大きい場合における、絶
縁性接着剤を用いた回路の接続方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、絶縁基板に形成された多数の回路と相対
峙する回路とを接着剤によって接続する回路の接続方法
において、少なくとも一方の回路は回路幅７０μｍ以
下、ピッチ１５０μｍ以下で、破断伸び率が１０％以上
の可撓性基板上に形成され、当該回路と相対峙する回路
との間に絶縁性接着剤を介在させて両回路を位置合せ
し、接続部の長さＬと回路幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ）を４０
以上として、加圧下で上記接着剤を硬化することを特徴
とする。
成するために、絶縁基板に形成された多数の回路と相対
峙する回路とを接着剤によって接続する回路の接続方法
において、少なくとも一方の回路は回路幅７０μｍ以
下、ピッチ１５０μｍ以下で、破断伸び率が１０％以上
の可撓性基板上に形成され、当該回路と相対峙する回路
との間に絶縁性接着剤を介在させて両回路を位置合せ
し、接続部の長さＬと回路幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ）を４０
以上として、加圧下で上記接着剤を硬化することを特徴
とする。
【００１０】本発明を以下図面を参照しながら説明す
る。
る。
【００１１】図１は、本発明の回路接続方法を示す断面
模式図である。可撓性基板１は、破断伸び率（以下伸び
率という）１０％以上の膜状物であり、例えばポリイミ
ドやポリエチレンテレフタレート及びその他のプラスチ
ックフィルムである。特にポリイミドは機械的強度が大
きいことや、熱膨脹率が一般的に５０×１０-6／℃以下
と比較的小さいので、回路接続時の熱膨脹により相対峙
する回路とのズレ（以下回路ズレという）が少ない。こ
れらの可撓性基板１の引張弾性率は、１０００ｋｇ／ｍ
ｍ2 以下が好ましい。
模式図である。可撓性基板１は、破断伸び率（以下伸び
率という）１０％以上の膜状物であり、例えばポリイミ
ドやポリエチレンテレフタレート及びその他のプラスチ
ックフィルムである。特にポリイミドは機械的強度が大
きいことや、熱膨脹率が一般的に５０×１０-6／℃以下
と比較的小さいので、回路接続時の熱膨脹により相対峙
する回路とのズレ（以下回路ズレという）が少ない。こ
れらの可撓性基板１の引張弾性率は、１０００ｋｇ／ｍ
ｍ2 以下が好ましい。
【００１２】伸び率が１０％以上である理由は、接続時
の加圧により多数の回路間の平担性を得るためのクッシ
ョン機的な作用を得るためである。伸び率は大きい方が
可撓性が大きいので好ましいが、伸び率が大きくなると
前述の回路ズレも一般的に大きくなってしまうため、伸
び率１５〜１５０％が好ましく、同様な理由から２０〜
〜９０％とすることが更に好ましい。ここで本発明の伸
び率や弾性率は、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２によるものとす
る。
の加圧により多数の回路間の平担性を得るためのクッシ
ョン機的な作用を得るためである。伸び率は大きい方が
可撓性が大きいので好ましいが、伸び率が大きくなると
前述の回路ズレも一般的に大きくなってしまうため、伸
び率１５〜１５０％が好ましく、同様な理由から２０〜
〜９０％とすることが更に好ましい。ここで本発明の伸
び率や弾性率は、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２によるものとす
る。
【００１３】可撓性基板１の厚みは、２０〜１３０μｍ
が強度及び価格面から好ましい。
が強度及び価格面から好ましい。
【００１４】接着剤２は、可撓性基板１と回路３との接
着を目的とするもので、必要に応じて取捨される。接着
剤２の有る場合は、前記可撓性基板１と同様、接続時の
回路の平坦性が得易いことから好ましく、接着剤２の無
い場合は回路の高密度化や耐熱性の向上が可能となる。
着を目的とするもので、必要に応じて取捨される。接着
剤２の有る場合は、前記可撓性基板１と同様、接続時の
回路の平坦性が得易いことから好ましく、接着剤２の無
い場合は回路の高密度化や耐熱性の向上が可能となる。
【００１５】回路３の材質は特に限定しないが、経済性
の点からＣｕが好ましい。また、表面が粗化等により凹
凸が形成されたり、Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕ，半田などのメッ
層等の被覆層の存在により、回路の表面が粗さ０．１〜
１０μｍ程度に凹凸化すると、他の接続すべき回路との
接触が容易となり好ましい。
の点からＣｕが好ましい。また、表面が粗化等により凹
凸が形成されたり、Ｓｎ，Ｚｎ，Ａｕ，半田などのメッ
層等の被覆層の存在により、回路の表面が粗さ０．１〜
１０μｍ程度に凹凸化すると、他の接続すべき回路との
接触が容易となり好ましい。
【００１６】回路３の製法は特に問わないが、電解法は
前述の表面粗化を得易く、圧延法やアディティブ法は回
路の高精細品が得易いので、これらの特徴により適宜選
択する。
前述の表面粗化を得易く、圧延法やアディティブ法は回
路の高精細品が得易いので、これらの特徴により適宜選
択する。
【００１７】回路３の高さＨは、可撓性基板１の厚みＴ
以下とすることが好ましい。この比（Ｈ／Ｔ）は、可撓
性基板１の伸び率が大きな程小さく出来るが、０．２〜
０．９、更に好ましくは０．３〜０．８とすることが接
続時の回路ズレと高さの平担性を両立できるので好まし
い。
以下とすることが好ましい。この比（Ｈ／Ｔ）は、可撓
性基板１の伸び率が大きな程小さく出来るが、０．２〜
０．９、更に好ましくは０．３〜０．８とすることが接
続時の回路ズレと高さの平担性を両立できるので好まし
い。
【００１８】Ｐを回路ピッチ、Ｗを回路の頂部の幅とす
ると、本発明ではＷ＝７０μｍ以下、Ｐ＝１５０μｍ以
下、より好ましくはＷ＝４５μｍ以下、Ｐ＝９０μｍが
適用できる。
ると、本発明ではＷ＝７０μｍ以下、Ｐ＝１５０μｍ以
下、より好ましくはＷ＝４５μｍ以下、Ｐ＝９０μｍが
適用できる。
【００１９】なお、図１には示していないが、回路頂部
と基板側の底部の幅が等しいものや、頂部の幅が底部よ
り大の場合であっても、本発明は実施可能である。
と基板側の底部の幅が等しいものや、頂部の幅が底部よ
り大の場合であっても、本発明は実施可能である。
【００２０】Ｗが７０μｍより大きいと、接続時の余剰
の接着剤の排除が不十分となり、Ｐが１５０μｍより大
きいと、スペース部における接着性が不十分となる。
の接着剤の排除が不十分となり、Ｐが１５０μｍより大
きいと、スペース部における接着性が不十分となる。
【００２１】本発明は、これらの値がより小さくなって
も適用できる点が特徴である。
も適用できる点が特徴である。
【００２２】接続部の長さＬは、図２に模式的に示した
ように、回路の長さ方向で接着剤の形成される距離とす
る。すなわち、接続前における接着剤４の形成される長
さか、または接続後における回路の対峙する距離であ
り、両者で異なる場合は距離の短かい方を採用する。こ
こで、回路幅との比、すなわち（Ｌ／Ｗ）を４０以上、
好ましくは６０以上とすることが、接続部における接触
点が増加し好ましい。
ように、回路の長さ方向で接着剤の形成される距離とす
る。すなわち、接続前における接着剤４の形成される長
さか、または接続後における回路の対峙する距離であ
り、両者で異なる場合は距離の短かい方を採用する。こ
こで、回路幅との比、すなわち（Ｌ／Ｗ）を４０以上、
好ましくは６０以上とすることが、接続部における接触
点が増加し好ましい。
【００２３】（Ｌ／Ｗ）は大きい方が好ましいが、実装
面積が拡大してしまうため、上限は３００程度である。
この比は６０〜２００が好ましく、６５〜１５０とする
ことが更に好ましい。
面積が拡大してしまうため、上限は３００程度である。
この比は６０〜２００が好ましく、６５〜１５０とする
ことが更に好ましい。
【００２４】絶縁性接着剤４は、回路３，６のどちらか
に塗布すればよく、またフィルム状の場合はどちらかに
貼付けても良い。フィルム状の場合には、図１に示した
ように回路３，６に貼付けずに、位置合わせをしながら
両回路を一度に接続することも可能である。
に塗布すればよく、またフィルム状の場合はどちらかに
貼付けても良い。フィルム状の場合には、図１に示した
ように回路３，６に貼付けずに、位置合わせをしながら
両回路を一度に接続することも可能である。
【００２５】絶縁性接着剤４は、前述のように液状でも
固形でも良いが、フィルム状であると、液状の場合に比
べ塗布工程が不要であり、又一定厚みの連続テープ状で
の入手が可能なことから、製造工程を自動化し易いので
好ましい。
固形でも良いが、フィルム状であると、液状の場合に比
べ塗布工程が不要であり、又一定厚みの連続テープ状で
の入手が可能なことから、製造工程を自動化し易いので
好ましい。
【００２６】絶縁性接着剤４の材料としては、接着シー
ト等に用いられる熱可塑性材料や、熱や光により硬化性
を示す材料が広く適用できる。接続後の耐熱性や耐湿性
に優れることから、硬化性材料の適用が好ましい。中で
もエポキシ系接着剤は、短時間での硬化が可能で、接続
作業性が良く、また分子構造上、接着性に優れる等の特
徴から好ましく適用できる。
ト等に用いられる熱可塑性材料や、熱や光により硬化性
を示す材料が広く適用できる。接続後の耐熱性や耐湿性
に優れることから、硬化性材料の適用が好ましい。中で
もエポキシ系接着剤は、短時間での硬化が可能で、接続
作業性が良く、また分子構造上、接着性に優れる等の特
徴から好ましく適用できる。
【００２７】エポキシ系接着剤は、例えば高分子量エポ
キシ樹脂、固形エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂、及び
ウレタンやポリエステル、ＮＢＲ等で変性したエポキシ
樹脂などを主成分とし、これに潜在性硬化剤やカップリ
ング剤及び他のポリマーなどの各種変性剤、触媒等を添
加した系から成るものが一般的である。これらの接着剤
は、室温近辺で粘着性を有すると、回路の位置合せ後の
仮固定が簡単で好ましい。
キシ樹脂、固形エポキシ樹脂と液状エポキシ樹脂、及び
ウレタンやポリエステル、ＮＢＲ等で変性したエポキシ
樹脂などを主成分とし、これに潜在性硬化剤やカップリ
ング剤及び他のポリマーなどの各種変性剤、触媒等を添
加した系から成るものが一般的である。これらの接着剤
は、室温近辺で粘着性を有すると、回路の位置合せ後の
仮固定が簡単で好ましい。
【００２８】厚みは、接続すべき相方の回路高さを考慮
して、接続後に回路間のスペース部を充填できる程度に
決定するが、５〜４０μｍが一般的である。
して、接続後に回路間のスペース部を充填できる程度に
決定するが、５〜４０μｍが一般的である。
【００２９】ここに本発明でいうエポキシ樹脂は、１分
子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、各
種の材料が適用できる。
子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物であり、各
種の材料が適用できる。
【００３０】また、潜在性硬化剤は、エポキシ樹脂の共
存下で３０℃以下で１ヶ月以上の保存性を有し、加熱下
で急速硬化するものをいう。
存下で３０℃以下で１ヶ月以上の保存性を有し、加熱下
で急速硬化するものをいう。
【００３１】潜在化の手段は特に限定しないが、例えば
室温ではエポキシ樹脂に溶解しないが、融点近辺まで加
熱することで溶解して急激に反応する、例えばホウ素醋
塩，ヒドラジド、３級アミン，イミダゾール，ジシアン
ジアミド等やこれらの誘導体，アミンイミド等の熱分解
型硬化剤，モレキュラーシーブ封入型及びマイクロカプ
セル型等がある。これらは、単独もしくは２種以上混合
して使用することもできる。
室温ではエポキシ樹脂に溶解しないが、融点近辺まで加
熱することで溶解して急激に反応する、例えばホウ素醋
塩，ヒドラジド、３級アミン，イミダゾール，ジシアン
ジアミド等やこれらの誘導体，アミンイミド等の熱分解
型硬化剤，モレキュラーシーブ封入型及びマイクロカプ
セル型等がある。これらは、単独もしくは２種以上混合
して使用することもできる。
【００３２】以上の中では、マイクロカプセル型硬化剤
が好ましく適用できる。マイクロカプセル型硬化剤は、
硬化剤よりなる核材の実質的な全表面が被覆層により覆
われてなる。マイクロカプセル型硬化剤の核材である硬
化剤は、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボン酸無水
物、チオール、アルコール、フェノール、イソシアネー
ト、第三級アミン、ホウ素錯塩、無機酸、ヒドラジド化
合物及びイミダゾール化合物など、及びこれらの変性物
が採用できる。
が好ましく適用できる。マイクロカプセル型硬化剤は、
硬化剤よりなる核材の実質的な全表面が被覆層により覆
われてなる。マイクロカプセル型硬化剤の核材である硬
化剤は、脂肪族アミン、芳香族アミン、カルボン酸無水
物、チオール、アルコール、フェノール、イソシアネー
ト、第三級アミン、ホウ素錯塩、無機酸、ヒドラジド化
合物及びイミダゾール化合物など、及びこれらの変性物
が採用できる。
【００３３】これらの中では、速硬化性で接着作業性に
優れ、またイオン重合型で触媒的に作用するので化学当
量的な考慮の少なくてよい第三級アミン、ホウ素錯塩、
ヒドラジド化合物及びイミダゾール化合物が好ましく、
中でも誘導体の種類により活性化温度を広範囲に制御し
易いイミダゾール化合物及びその変性物がより好ましく
用いられる。これらは単独若しくは２種以上の混合体と
して使用される。
優れ、またイオン重合型で触媒的に作用するので化学当
量的な考慮の少なくてよい第三級アミン、ホウ素錯塩、
ヒドラジド化合物及びイミダゾール化合物が好ましく、
中でも誘導体の種類により活性化温度を広範囲に制御し
易いイミダゾール化合物及びその変性物がより好ましく
用いられる。これらは単独若しくは２種以上の混合体と
して使用される。
【００３４】絶縁性接着剤４は、可能な限り低温硬化性
の物が好ましく、この時紫外線（ＵＶ）を併用すること
も可能である。
の物が好ましく、この時紫外線（ＵＶ）を併用すること
も可能である。
【００３５】硬化後の接着剤の伸び率は，１０％以下、
より好ましくは１〜５％とすることが接続後の可撓性基
板１の変形による剥離を防止できるので好ましい。
より好ましくは１〜５％とすることが接続後の可撓性基
板１の変形による剥離を防止できるので好ましい。
【００３６】絶縁性接着剤４には、隣接回路との絶縁性
を損わない程度の導電粒子を必要に応じて少量含有する
ことが出来る。
を損わない程度の導電粒子を必要に応じて少量含有する
ことが出来る。
【００３７】この時、導電粒子の最大粒径は、隣接回路
の間隙未満とする必要があり、平均粒径で１０μｍ以下
が好ましく、０．５〜７μｍとすることが更に好まし
い。０．５μｍ未満では分散性が低下してリークが発生
し易く、１０μｍをこすと接続部の電極間の距離が増大
し、各々信頼性が低下する傾向にある。
の間隙未満とする必要があり、平均粒径で１０μｍ以下
が好ましく、０．５〜７μｍとすることが更に好まし
い。０．５μｍ未満では分散性が低下してリークが発生
し易く、１０μｍをこすと接続部の電極間の距離が増大
し、各々信頼性が低下する傾向にある。
【００３８】接着剤中への添加量は０．０１〜１．０体
積％であり、好ましくは０．８体積％以下、さらに好ま
しくは０．１体積％以下である。
積％であり、好ましくは０．８体積％以下、さらに好ま
しくは０．１体積％以下である。
【００３９】平均粒径や添加量を、従来の異方導電性接
着剤で多用されているものに比べて小径で少量とする理
由は、本発明の導電粒子は回路の凹凸形成材として補助
的に作用すれば良く、更に添加量が少ないと接着剤中へ
の粒子の分散性も向上し、隣接回路間の絶縁性が得易い
為である。
着剤で多用されているものに比べて小径で少量とする理
由は、本発明の導電粒子は回路の凹凸形成材として補助
的に作用すれば良く、更に添加量が少ないと接着剤中へ
の粒子の分散性も向上し、隣接回路間の絶縁性が得易い
為である。
【００４０】基板５は、前述の可撓性基板１と同様な可
撓性基板でも良いが、可撓性基板１よりも剛性である
と、本発明で得た接続構造体が変形し難く強固となるの
で好ましい。基板５としては、ガラス，セラミック，樹
脂及びこれらの複合体などが例示できる。
撓性基板でも良いが、可撓性基板１よりも剛性である
と、本発明で得た接続構造体が変形し難く強固となるの
で好ましい。基板５としては、ガラス，セラミック，樹
脂及びこれらの複合体などが例示できる。
【００４１】また回路６は、回路３と同様なものや、透
明導電膜に多用されるＩＴＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｔ
ａ，半田など各種材料が適用可能である。
明導電膜に多用されるＩＴＯ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｔ
ａ，半田など各種材料が適用可能である。
【００４２】次に接続の方法を説明する。
【００４３】例えば図１のように、回路３，６の間に絶
縁性接着剤４を介在させ、回路３と６を位置合わせし、
可撓性基板１と基板５を加熱加圧する。この時、温度は
５０〜２００℃程度、圧力は５〜１００kgf/cm2 程度で
ある。加熱加圧により、絶縁性接着剤５は粘度が著しく
低下し、回路３と６との一部もしくは全部が接触し、回
路３，６間で導通可能となる。従ってこの時、導通状態
の検査を接着剤が未硬化の状態で行うことも出来る。
縁性接着剤４を介在させ、回路３と６を位置合わせし、
可撓性基板１と基板５を加熱加圧する。この時、温度は
５０〜２００℃程度、圧力は５〜１００kgf/cm2 程度で
ある。加熱加圧により、絶縁性接着剤５は粘度が著しく
低下し、回路３と６との一部もしくは全部が接触し、回
路３，６間で導通可能となる。従ってこの時、導通状態
の検査を接着剤が未硬化の状態で行うことも出来る。
【００４４】加圧により、余剰の絶縁性接着剤５は回路
間のスペースを経て、さらに接続部の長さＬ部分の外側
にはみ出す。
間のスペースを経て、さらに接続部の長さＬ部分の外側
にはみ出す。
【００４５】加熱の継続により、絶縁性接着剤５は硬化
に至り、回路３，６の強固な接続が可能となる。
に至り、回路３，６の強固な接続が可能となる。
【００４６】端部にはみ出した接着剤は、接着の補強や
接続部の防湿材として作用するので、必要に応じて除去
すればよい。
接続部の防湿材として作用するので、必要に応じて除去
すればよい。
【００４７】図３に、上記の如くして得られた構造体の
断面模式図を示す。
断面模式図を示す。
【００４８】
【作用】本発明で、可撓性基板の伸び率を１０％以上と
し、合わせて回路幅７０μｍ以下でその高さを可撓性基
板の厚み以下とすることで、回路高さのバラツキを可撓
性基板の変形により吸収可能となり、接続時の信頼性が
向上する。
し、合わせて回路幅７０μｍ以下でその高さを可撓性基
板の厚み以下とすることで、回路高さのバラツキを可撓
性基板の変形により吸収可能となり、接続時の信頼性が
向上する。
【００４９】また、回路幅を７０μｍ以下と微細化する
ことで、接続時における回路接触部以外への接着剤の流
出を促進させて、接続回路の良好な接触を得る。この
時、回路のアスペクト比が４０以上と大きいので、回路
の長さ方向での接触確率が増加し、接続信頼性が向上す
る。
ことで、接続時における回路接触部以外への接着剤の流
出を促進させて、接続回路の良好な接触を得る。この
時、回路のアスペクト比が４０以上と大きいので、回路
の長さ方向での接触確率が増加し、接続信頼性が向上す
る。
【００５０】更に、本発明においては、接着剤中に隣接
回路との絶縁性を損わない程度に導電粒子を極少量添加
することが可能であり、この場合の導電粒子は回路上の
微小凹凸形成材として作用するので接触確率が向上し、
また回路表面の汚染層を破壊する等により良好な回路の
接触ができるので、更に接続信頼性の向上が可能とな
る。
回路との絶縁性を損わない程度に導電粒子を極少量添加
することが可能であり、この場合の導電粒子は回路上の
微小凹凸形成材として作用するので接触確率が向上し、
また回路表面の汚染層を破壊する等により良好な回路の
接触ができるので、更に接続信頼性の向上が可能とな
る。
【００５１】また、接着剤はエボキシ樹脂と潜在性硬化
剤を必要成分とするフィルム状であることから、使用ま
での長期保存と、短時間硬化の両立が可能で、微小接続
部の強度や耐環境性が向上する。
剤を必要成分とするフィルム状であることから、使用ま
での長期保存と、短時間硬化の両立が可能で、微小接続
部の強度や耐環境性が向上する。
【００５２】また、接続部外にはみ出して硬化した接着
剤は、機械的補強及び防湿層として作用する。
剤は、機械的補強及び防湿層として作用する。
【００５３】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比しなが
ら説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。 ［実施例１〜３及び比較例１］ユーピレックスＳ（宇部
興産（株）製ポリイミドフィルム，厚み２５μｍ，伸び
率３０％，引張弾性率900kg/cm2 ）上に、接着剤層を介
して高さ１８μｍのＣｕ回路（Ｗ＝３０μｍ、Ｐ＝７０
μｍ、表面に０．５μｍのＳｎめっき）を有するＦＰＣ
と、この回路と相対峙する厚み２０００ＡのＩＴＯ回路
を形成したガラス基板（厚み１．１ｍｍ）を準備した。
ら説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。 ［実施例１〜３及び比較例１］ユーピレックスＳ（宇部
興産（株）製ポリイミドフィルム，厚み２５μｍ，伸び
率３０％，引張弾性率900kg/cm2 ）上に、接着剤層を介
して高さ１８μｍのＣｕ回路（Ｗ＝３０μｍ、Ｐ＝７０
μｍ、表面に０．５μｍのＳｎめっき）を有するＦＰＣ
と、この回路と相対峙する厚み２０００ＡのＩＴＯ回路
を形成したガラス基板（厚み１．１ｍｍ）を準備した。
【００５４】ビスフェノールＡ型固形エポキシ樹脂（エ
ポキシ当量４．０００）／液状エポキシノボラック樹脂
（エポキシ当量１７８）／マイクロカプセル型硬化剤
（旭化成工業（株）製ＨＸ−３７２１：イミダゾール系
硬化剤を核とし、表面をポリウレタン系材料で被覆した
硬化剤を液状ビスフェノール系エポキシ中に分散したマ
スターバッチ）の比を、３０／５０／２０とした絶縁性
接着剤中に、ニッケル２８７（インターナショナルニッ
ケル社製，平均粒径２〜４μｍ）の含有量を、０（実施
例１），０．０９体積％（実施例２），０．４体積％
（実施例３）及び２．０体積％（比較例１）と変化させ
て、剥離処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム上に形成した、厚み１５μｍの接着フィル
ムを用意した。
ポキシ当量４．０００）／液状エポキシノボラック樹脂
（エポキシ当量１７８）／マイクロカプセル型硬化剤
（旭化成工業（株）製ＨＸ−３７２１：イミダゾール系
硬化剤を核とし、表面をポリウレタン系材料で被覆した
硬化剤を液状ビスフェノール系エポキシ中に分散したマ
スターバッチ）の比を、３０／５０／２０とした絶縁性
接着剤中に、ニッケル２８７（インターナショナルニッ
ケル社製，平均粒径２〜４μｍ）の含有量を、０（実施
例１），０．０９体積％（実施例２），０．４体積％
（実施例３）及び２．０体積％（比較例１）と変化させ
て、剥離処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）フィルム上に形成した、厚み１５μｍの接着フィル
ムを用意した。
【００５５】この接着フィルムの硬化（２００℃−１０
分）後の伸び率は２．６〜３．５％であった。
分）後の伸び率は２．６〜３．５％であった。
【００５６】上記接着フィルムを、ガラス基板上に幅２
ｍｍで回路と直交するように仮接着し、ＰＥＴフィルム
を除去し、次いで前記ＦＰＣの回路とガラス回路とを顕
微鏡下で位置合わせした。接着フィルムの粘着性によ
り、位置合わせ後の仮固定が容易であった。
ｍｍで回路と直交するように仮接着し、ＰＥＴフィルム
を除去し、次いで前記ＦＰＣの回路とガラス回路とを顕
微鏡下で位置合わせした。接着フィルムの粘着性によ
り、位置合わせ後の仮固定が容易であった。
【００５７】その後、１７０℃、３０kgf/cm2 、３０秒
間の加熱加圧により、両回路を接続部の長さ２ｍｍで接
続し、熱衝撃試験後の接続部の抵抗を評価した。
間の加熱加圧により、両回路を接続部の長さ２ｍｍで接
続し、熱衝撃試験後の接続部の抵抗を評価した。
【００５８】結果を表１に示したが、接続抵抗は接続体
のガラス基板回路をコモンとし、可撓性基板の回路を他
の端子として、６０℃の加熱下でマルチメータにより測
定した。１接続体中の２００電極のなかに、３ｋΩ（配
線抵抗を含む）以上のある場合をオープン（×）とし、
３ｋΩ未満を良好（○）とした。
のガラス基板回路をコモンとし、可撓性基板の回路を他
の端子として、６０℃の加熱下でマルチメータにより測
定した。１接続体中の２００電極のなかに、３ｋΩ（配
線抵抗を含む）以上のある場合をオープン（×）とし、
３ｋΩ未満を良好（○）とした。
【００５９】また、絶縁抵抗は、隣接回路間をハイメグ
オームメータで測定し、１０ＭΩ未満をショートとして
（×）で示し、１０ＭΩ以上は（○）で示した。
オームメータで測定し、１０ＭΩ未満をショートとして
（×）で示し、１０ＭΩ以上は（○）で示した。
【００６０】同表に示す如く、各実施例とも信頼性試験
後においても良好な接続抵抗と絶縁性を示した。
後においても良好な接続抵抗と絶縁性を示した。
【００６１】しかし、比較例１は、従来の異方導電フィ
ルムによる接続のため、回路間のショートが発生した。
ルムによる接続のため、回路間のショートが発生した。
【００６２】
【表１】 ［実施例４〜６］実施例１のＦＰＣを、カプトンＫ（ト
ーレ・デュポン（株）製，ポリイミドフィルム，厚み７
５μｍ，伸び８５％、引長弾性率４００ｋｇ／ｍｍ2 ）
を用い、接着剤を介して高さ２５μｍのＣｕ回路（Ｗ＝
３０μｍ，Ｐ＝９０μｍ，表面にＺｎベースの防錆処
理）を形成した。相対峙する回路として、厚さ１．１ｍ
ｍのガラス基板上にＣｒを下地とし、その上にＩＴＯ回
路を構成した回路板を用意した。
ーレ・デュポン（株）製，ポリイミドフィルム，厚み７
５μｍ，伸び８５％、引長弾性率４００ｋｇ／ｍｍ2 ）
を用い、接着剤を介して高さ２５μｍのＣｕ回路（Ｗ＝
３０μｍ，Ｐ＝９０μｍ，表面にＺｎベースの防錆処
理）を形成した。相対峙する回路として、厚さ１．１ｍ
ｍのガラス基板上にＣｒを下地とし、その上にＩＴＯ回
路を構成した回路板を用意した。
【００６３】実施例１〜３と同様な評価を行い、結果を
表１に示した。
表１に示した。
【００６４】本実施例においても、良好な接続体がえら
れた。 ［実施例７〜９］実施例１のＦＰＣ基材を、ＭＣＦ−５
０００Ｉ（日立化成工業（株）製，ポリイミド／Ｃｕの
２層構造体，ポリイミドの伸び率２０％，引張弾性率８
００kg／ｍｍ2 ，厚み２５μｍ，Ｃｕ高さ１８μｍ）と
し、その他の構成及び評価は実施例４〜６と同様とし
た。可撓性基板とＣｕ間に接着剤のない、いわゆる２層
ＦＰＣの場合も良好な接続特性を示した。 ［実施例１０］ユーピレックスＲ（宇部興産（株）製ポ
リイミドフィルム，厚み２５μｍ，伸び率１３０％，引
張弾性率３８０kg／ｍｍ2 ）を可撓性基板とし、接着剤
層を介してＣｕ高さ１８μｍの回路（Ｗ＝６０μｍ，Ｐ
＝１４０μｍ）を用意した。接着フィルムとして、エポ
キシ樹脂（エポキシ当量４７０）とポリビニルブチラー
ル樹脂（酢酸ビニル成分２．０重量％，平均重合度５０
０）およびＨＸ−３７２１（前出）との比を６０：２
０：２０とし、ポリテトラフルオロエチレン基材上に厚
みが２０μｍの接着フィルムを形成した。このフィルム
の硬化後（２００℃−１０分）の伸び率は４．５％であ
った。相対峙する回路は、ガラス基板上にＩＴＯで構成
し、接続幅を３ｍｍとした以外は、実施例１と同様に回
路の接続と評価を行った。結果を表１に示した。各実施
例とも良好な接続特性であった。 ［比較例２］実施例１０の回路を、Ｗ＝90μｍ，Ｐ＝２
００μｍと変更した以外は、実施例１０と同様な接続及
び評価を行った。結果を表１に示した。本例は回路幅が
広く、回路の接触部以外に接着剤が十分排除されなかっ
たので、評価時の加熱により接着剤が熱膨脹し、回路オ
ープンとなった。 ［実施例１１］実施例１０の可撓性基板同士を、実施例
１０と同様に接続評価した。表１に示したように、可撓
性基板同士でも、良好な接続特性を得た。
れた。 ［実施例７〜９］実施例１のＦＰＣ基材を、ＭＣＦ−５
０００Ｉ（日立化成工業（株）製，ポリイミド／Ｃｕの
２層構造体，ポリイミドの伸び率２０％，引張弾性率８
００kg／ｍｍ2 ，厚み２５μｍ，Ｃｕ高さ１８μｍ）と
し、その他の構成及び評価は実施例４〜６と同様とし
た。可撓性基板とＣｕ間に接着剤のない、いわゆる２層
ＦＰＣの場合も良好な接続特性を示した。 ［実施例１０］ユーピレックスＲ（宇部興産（株）製ポ
リイミドフィルム，厚み２５μｍ，伸び率１３０％，引
張弾性率３８０kg／ｍｍ2 ）を可撓性基板とし、接着剤
層を介してＣｕ高さ１８μｍの回路（Ｗ＝６０μｍ，Ｐ
＝１４０μｍ）を用意した。接着フィルムとして、エポ
キシ樹脂（エポキシ当量４７０）とポリビニルブチラー
ル樹脂（酢酸ビニル成分２．０重量％，平均重合度５０
０）およびＨＸ−３７２１（前出）との比を６０：２
０：２０とし、ポリテトラフルオロエチレン基材上に厚
みが２０μｍの接着フィルムを形成した。このフィルム
の硬化後（２００℃−１０分）の伸び率は４．５％であ
った。相対峙する回路は、ガラス基板上にＩＴＯで構成
し、接続幅を３ｍｍとした以外は、実施例１と同様に回
路の接続と評価を行った。結果を表１に示した。各実施
例とも良好な接続特性であった。 ［比較例２］実施例１０の回路を、Ｗ＝90μｍ，Ｐ＝２
００μｍと変更した以外は、実施例１０と同様な接続及
び評価を行った。結果を表１に示した。本例は回路幅が
広く、回路の接触部以外に接着剤が十分排除されなかっ
たので、評価時の加熱により接着剤が熱膨脹し、回路オ
ープンとなった。 ［実施例１１］実施例１０の可撓性基板同士を、実施例
１０と同様に接続評価した。表１に示したように、可撓
性基板同士でも、良好な接続特性を得た。
【００６５】
【発明の効果】以上詳述したように、絶縁された多数の
平行回路を一括して他の回路と接続する超微細回路の接
続が可能となった。
平行回路を一括して他の回路と接続する超微細回路の接
続が可能となった。
【図１】本発明になる回路接続方法を示す断面模式図。
【図２】本発明になる回路接続方法を示す平面透視によ
る模式図。
る模式図。
【図３】本発明になる回路接続方法により得られた構造
体の断面模式図。
体の断面模式図。
１ 可撓性基板 ２ 接着剤 ３ 回路 ４ 絶縁性接着剤 ５ 基板 ６ 回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 共久 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 山口 豊 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館研究所内 (72)発明者 伊藤 達夫 茨城県下館市大字五所宮1150番地 日立化 成工業株式会社五所宮工場内
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁基板に形成された多数の回路と相対
峙する回路とを接着剤によって接続する回路の接続方法
において、少なくとも一方の回路は回路幅７０μｍ以
下、ピッチ１５０μｍ以下で、破断伸び率が１０％以上
の可撓性基板上に形成され、当該回路と相対峙する回路
との間に絶縁性接着剤を介在させて両回路を位置合せ
し、接続部の長さＬと回路幅Ｗとの比（Ｌ／Ｗ）を４０
以上として、加圧下で上記接着剤を硬化することを特徴
とする回路の接続方法。 - 【請求項２】 上記可撓性基板上に形成される上記回路
高さが可撓性基板の厚み以下であることを特徴とする請
求項１に記載の回路の接続方法。 - 【請求項３】 上記絶縁性接着剤がエポキシ樹脂と潜在
性硬化剤を主成分とするフィルム状であることを特徴と
する請求項１または２に記載の回路の接続方法。 - 【請求項４】 上記絶縁性接着剤がエポキシ樹脂と潜在
性硬化剤を主成分とし、さらに導電粒子を０．０１〜
１．０体積％含有してなるフィルム状であることを特徴
とする請求項１または２に記載の回路の接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055800A JP2995993B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 回路の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4055800A JP2995993B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 回路の接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05258830A true JPH05258830A (ja) | 1993-10-08 |
| JP2995993B2 JP2995993B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=13008996
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4055800A Expired - Lifetime JP2995993B2 (ja) | 1992-03-16 | 1992-03-16 | 回路の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2995993B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000049432A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続部材 |
| JP2002129127A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 絶縁性接着剤、異方導電接着剤、ヒートシールコネクタ、及びヒートシールコネクタの製造方法 |
| JP2004328000A (ja) * | 2004-04-30 | 2004-11-18 | Sony Chem Corp | 接続材料 |
| JP2006140052A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Three M Innovative Properties Co | 熱硬化性接着フィルム付きコネクタ及びそれを用いた接続方法 |
| US7084512B2 (en) | 2001-11-21 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit substrate and its manufacturing method |
| JP2006227622A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Lg Electronics Inc | コネクターを含むプラズマディスプレイ装置 |
| JP2006245453A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Three M Innovative Properties Co | フレキシブルプリント回路基板の他の回路基板への接続方法 |
| US7413452B2 (en) | 2003-10-24 | 2008-08-19 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Interconnector, method for manufacturing a plasma display device using the same, and a plasma display device with the same |
| KR100969899B1 (ko) * | 1999-09-14 | 2010-07-13 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | Ｃｏｇ 실장품 및 접속재료 |
| KR100969898B1 (ko) * | 1999-09-14 | 2010-07-13 | 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 | 접속재료 |
| JP2012199262A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 回路基板、接続構造体及び回路基板の接続方法 |
-
1992
- 1992-03-16 JP JP4055800A patent/JP2995993B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000049432A (ja) * | 1998-07-30 | 2000-02-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 接続部材 |
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| JP2002129127A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-09 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 絶縁性接着剤、異方導電接着剤、ヒートシールコネクタ、及びヒートシールコネクタの製造方法 |
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| JP2004328000A (ja) * | 2004-04-30 | 2004-11-18 | Sony Chem Corp | 接続材料 |
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| JP2006227622A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Lg Electronics Inc | コネクターを含むプラズマディスプレイ装置 |
| US8011989B2 (en) | 2005-02-17 | 2011-09-06 | Lg Electronics Inc. | Method of making a plasma display panel with a novel connection structure |
| JP2006245453A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Three M Innovative Properties Co | フレキシブルプリント回路基板の他の回路基板への接続方法 |
| JP2012199262A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Seiko Epson Corp | 回路基板、接続構造体及び回路基板の接続方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2995993B2 (ja) | 1999-12-27 |
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