JPH05256917A - 電子ビームテスタシステム - Google Patents

電子ビームテスタシステム

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Publication number
JPH05256917A
JPH05256917A JP3295350A JP29535091A JPH05256917A JP H05256917 A JPH05256917 A JP H05256917A JP 3295350 A JP3295350 A JP 3295350A JP 29535091 A JP29535091 A JP 29535091A JP H05256917 A JPH05256917 A JP H05256917A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
electron
difference
tester
image
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3295350A
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Inventor
Hiroyuki Tanaka
浩幸 田中
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】電子ビームテスタで半導体装置の故障解析を実
施する際、良品と不良品との電位分布像を比較して行う
が、その為には毎回真空系から被測定半導体装置を出し
入れせねばならず、解析に時間を要する。 【構成】本発明は二つの真空系1,6及び二つの電子ビ
ーム系2,7を有し、それぞれの2次電子検出器出力信
号11,12の差分を取り差分出力信号13を生成し、
画像処理装置17のCRTに差分画像を表示する。 【効果】本発明により、実時間で二つの被測定半導体装
置の電位分布像の差分画像が観察可能になり、解析時間
を短縮できる効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電子ビームテスタにか
し、特に実時間差分画像電子ビームテスタシステムに関
する。
【0002】
【従来の技術】従来の電子ビームテスタは図2に示す様
に真空系1、電子銃2、XYステージ5、2次電子検出
器3、電子ビームパルス発生器15、画像信号処理装置
17、被測定半導体装置4、LSIテスタ20を有して
いる。
【0003】次に動作について説明する。LSIテスタ
20により被測定半導体装置4を動作させ、同時にLS
Iテスタ20からのトリガ信号16と同期してパルス電
子ビームを被測定半導体装置4のチップ表面に走査し、
放出された2次電子を2次電子検出器3で検出して画像
信号処理装置17で電位分布像をCRT上に表示させ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】この従来の電子ビーム
テスタでは、半導体装置の故障解析において、良品の電
位分布像と不良品の電位分布像を比較する際、一回一回
被測定半導体装置を真空系から出し入れして、良品と不
良品の電位分布像をそれぞれ写真かメモリ上に記録して
比較を行わなければならないため、解析に時間を要する
というような問題点があった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の電子ビームテス
タシステムは、図1に示すように、二つの真空系1,6
及び二つの電子ビーム系2,7を有し、それぞれのパル
ス電子ビームをLSIテスタ20と同期させて同一周
期、同一パルス幅で走査させてそれぞれの2次電子検出
器3,8からの検出器出力信号11,12を差動増幅器
14により差分を取って差分出力信号13を生成し、実
時間で二つの被測定半導体装置4,9の電位分布像の差
分画像が観察可能な画像信号処理装置17を備えてい
る。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例の電子ビームテスタシステ
ムのブロック図である。二つの独立した真空系1,6は
同一の構造であり、同一の電子銃2,7、2次電子検出
器3,8、XYステージが設けてあり、かつテストパタ
ーン信号19、電子ビームパルス発生器15、XYステ
ージコントロール信号18は共通に用いている。例えば
被測定半導体装置4に不良品サンプルを被測定半導体装
置9に良品サンプルを用いて両者を比較しながら半導体
装置の故障解析を実施する際、LSIテスタ20のテス
トパタン信号19により二つの被測定半導体装置を並列
に動作させながらトリガ信号16に同期したパルス電子
ビームを照射し、試料表面から放出される2次電子をそ
れぞれの2次電子検出器3,8で検出し、その検出器出
力信号11,12の差分を差動増幅器14によって取
り、その差分出力13を画像信号処理装置17のCRT
上に差分電位分布像として表示する。
【0007】本発明の電子ビームテスタシステムによ
り、良品と不良品の電位分布像を実時間で差分画像とし
て観察可能となり、半導体装置の故障解析時間を非常に
短縮できる。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、二つの真
空系及び二つの電子ビーム系を有し、それぞれのパルス
の電子ビームをLSIテスタと同期させて同一周期・同
一パルス幅で操作させてそれぞれの2次電子検出器から
の出力信号の差分を取ることにより実時間で二つの被測
定半導体装置の電位分布像の差分画像観察可能となり、
半導体装置の故障解析の時間を短縮できるという効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のブロック図。
【図2】従来技術のブロック図。
【符号の説明】
1 真空系 2 電子銃 3 2次電子検出器 4 被測定半導体装置 5 XYステージ 6 真空系 7 電子銃 8 2次電子検出器 9 被測定半導体装置 10 XYステージ 11 検出器出力 12 検出器出力 13 差分出力 14 差動増幅器 15 電子ビームパルス発生器 16 トリガ信号 17 画像信号処理装置 18 XYステージコントロール信号 19 テストパタン信号 20 LSIテスタ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電子ビーム系、2次電子検出器、被測定
    試料を載置するXYステージを内包した真空系と、電子
    ビームパルス発生器と、LSIテスタと、画像信号処理
    装置とを備えた電子ビームテスタシステムにおいて、前
    記真空系を2つ備え、それぞれの真空系のパルス電子ビ
    ームをLSIテスタと同期させて同一周期・同一パルス
    幅で非測定試料表面上を走査させてそれぞれの2次電子
    検出器からの出力信号の差分を取り、この差分出力を画
    像信号処理装置により2つの被測定試料の電位分布像の
    差分画像として表示することを特徴とする電子ビームテ
    スタシステム。
JP3295350A 1991-11-12 1991-11-12 電子ビームテスタシステム Withdrawn JPH05256917A (ja)

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JPH05256917A true JPH05256917A (ja) 1993-10-08

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JP (1) JPH05256917A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815960B2 (en) 2001-08-27 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Electron beam test system and electron beam test method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6815960B2 (en) 2001-08-27 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Electron beam test system and electron beam test method

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Effective date: 19990204