SU1027653A1 - Устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу - Google Patents
Устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу Download PDFInfo
- Publication number
- SU1027653A1 SU1027653A1 SU823385147A SU3385147A SU1027653A1 SU 1027653 A1 SU1027653 A1 SU 1027653A1 SU 823385147 A SU823385147 A SU 823385147A SU 3385147 A SU3385147 A SU 3385147A SU 1027653 A1 SU1027653 A1 SU 1027653A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- input
- output
- unit
- inputs
- pulse
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ПО ФОТООТВЕТУ, источник лазерного из чени , выход которого собдинен с периым входом блока сканировани , выход которого подключен к входу оптической системы, выход которой св зан с попупроводтисовой структурой , выход которой соединен с входом усилител , выход которого подключен к первому входу видеоконтрол1 ного блока, первьтй и второй выходь генератора си хроимпупьсов сс)единены с вторым и третьим входами блока сканировани соответственно , отпичающеес тем, что, с целью повышетш быстродействи , в него ведены первый н второй ждущий мультивибраторы, первый и второй формй1Х)ватели импульсов, блок совпадени , формирователь метки, к 4мутатор и импульсный вольтметр, причем входы первого и второго ждущих мультивибраторов подключены к первому и второму выходам генератора синхроимпульсов и второму и третьему входам видеоконтрольного блока соответственно, выходы Первого и второго ждущих мультивибраторов соедитены через первый и второй фо н«пфоватепи импульсов с первым и вторым входами блока совпадени соответственно, выход которого сое (Л динен с управл ющим Ьходом коммутатора и через формирователь метки - с четвертым входом видеоконтрольного блока, первый вход которого подключен к сигнальному входу коммутатора, выход которого подключен к входу импульгсного вольтметра.
Description
Изобретение относитс к иэмеритепьгной технике и может быть использовано
О
в эпектронной промышленности дп неразрушающего контрол и анализа полупроводниковых структур.
Известно устройство дл бесконтакт1ЮГО измерени потенциалов, содержащее электронную оптическую систему дл сканировани пуча, исследуемую инте грапьную схему (ИС), камеру, систему механической фиксации ИС в камере, коллектор вторичных электронов и спектрометр , В этом устройстве измер ющим зондом служит электронный луч растрового электронного микроскопа (РЭМ). Электронный луч, направленный на измер емук точку, создает поток вторичньтх электронов, электроны проход т через сетку коллектора вторичных эпектрочрв, попадают на электроды, размещенные за коллектором и направл ютс в спектрометр дл -определени энергии рассе нных вторичных электронов 1 J
К недостаткам указанного устройства относ тс необходимость создани в камере с исследуемой ИС высокого ваку ума и возникновение повреждений ИС в процессе облучени высокоэнергетичес- КИМ пучком электронов.
Наиболее близким к предлагаемому но технической с тцности вл етс лазерный сканирующий микроскоп дл анализа полупроводниковых структур микроэлектроники , содержащий источник лазерного излучени , систему сканировани , оптическую систему, исследуемую полупроводниковую структуру, усилитель и видеоконтрольное устройство (ВКУ).Ана:ш полупроводниковых структур может производитьс визуально по фотоответному изображению в режиме Модул ци ркости , при этом сигнал фотоответа подаетс на модул тор электронно-лучевой трубки ВКУ, и количественно в режиме Модул ци отклонени , при этом сигна фотоответа складываетс с сигналом кадровой развертки и подаетс в канал вертикального отклонени ВКУ. При отключении кадровой развертки имеет мест режим Линейное сканирование, позвол ющий получить информацию о топологии и величине фотоотвега вдоль одйой строки 2.
Недостатками известного устройства вл ютс низка производительность v ,. точность контрол при измерении величины фотоответного сигнала в заданной точке поверхности структуры. Это.вызва но тем, что измерение прр Еэводйтс с
применением значительного числа ручных операций. Так, например, дл измерени фотонапр жени в заданной точке необходимо выделить выбранную точку на
фотоответном изображении в режиме Модул ци ркости, затем в ретсиме Ли1юйное сканирование получить на экране ВКУ осциллограмму одной строки фотоответного изображени , содержащую заданную точку и, выделив местонахожде:ние заданной точки на осциллограмме, произвести в ней измерение фотоответного напр жени путем сравдани с амплитудой калибровочного сигнала. Точность таких измерений по осциллографическому изображению не превышает +10%.
Цель изобретени - повыщение быстро- действи контрол при измерении величины фотонапр жени в заданной точке .поверх-
ности полупровойниковой структуры.
Дл достижени указанной цели в устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу, содержащее источник лазерного излучени , выход которого соединен с первым входом блока
сканировани , выход которого подключен к к входу оптической системы, выход которой св зан с полупроводниковой структурой , вь1хоц которой соединен с входом
усилител , выход которого подключен к первому входу видеоконтропьного блока, первый и второй выходы генератора с:инхроимпупьсов соединены с вторым и третьим входами блока сканировани соответственно , введены первый и второй ждущий мультивибраторы, первый и вто{мэй формирователи импульсов, блок совпадени , формирователь метки, коммутатор и импульсный вольтметр, причем
входы первого и второго ждущих мультивибраторов подключены к первому и второму выходам генератора синхроимпульсов и второму и третьему входам видеоконтрольного блока соответственно, выходы первого и второго ждущих мультивибраторов соединены через первый и второй формирователи импульсов с первым и вторым входами Яблока совпадени соответственно , выход которого соединен с
управл ющим входом коммутатора и через 4юрмироватепь метки - с четвертым входом видеоконтродьного блока, первый вход которого подключен к сигнальному входу коммутатора, выход которого подключен к . входу импульсного вольтметра .
, На чертеже представлена структурйа скема предлагаемого устройства. Лазерный пуч источника 1 пазерного излучени направл етс на бпок 2 сканировани , с которого поступает в оптическую систему 3, а затем на исспедуемую попупроводниковую структуру 4. Выход иссгаедуемой полупроводниковой структуры 4 соединен с входом усилител 5 фотонапр жени , выход которого соединен с первым входомвицеоконтропьного блока (ВКБ) 6. Синхронна работа всего устройства задаетс генератором 7 синхроимпульсов , первый и второй выходы которого соединены соответственно с первыми и вторыми входами синхронизации блока 2 сканировани , блока 6 и блока 8 управлени , состо щего из первого и второго ждущих мультивибраторов 9 и 1О, первого и второго формирователей 11 и 12 импульсов и блока 13 совпадени . Выход блока 8 управлени соединен с входом формирсжател 14 метки и с входом коммутатора 15, второй вход соединен с выходом усилител 5, а выход электронного коммутато ра 15 соедиией с входом импульсного . вольтметра 16. Выход формировател 14 метки соединен с вторым сигнальным входом блока 6. Устройство работает следующим образом . Лазерный луч от источника 1 лазерного излучени развр1 чиваетс в растр блоком 2 сканировада , фокусируетс оптичесхой системой 3 и сканирует по поверхности исследуемой полупроводниковой структуры 4, в результате чего возникает наведейное фотонапр жение. Сигнал наведенного фотонапр жени усиливаетс ускпителем 5 фотонапр жени и поступает на первый сигнальный вход ВКБ 6. . Развертывание по строкам фотоответного изображени на экране ВКБ 6 и построч ное сканирование лазерным пучом поверхностИ исследуемой полупроводниковой стр туры 4 производитс синхронно путем подача на первые и вторые входы синхронизации блока.2 сканировани и ВКБ 6 синхроимпульсов соответственно с первого и второго выходов генератора 7 синхроимпульсов . При этом с первого выхода генератора 7 синхроимпульсов снимают строчные синхроимпульсы, а с второго выхода - кадровые синхроимпуль сь. Синхроимпульсы с первого и второго выходов генератора 7 синхроимпульсов поступают соответственно на первый и второй входы блока 8 управлени . Блок 8 управлени предназначен дл запуска формировател 14 метки, электронного коммутатора 15 и управлени перемещением метки по экрану ВКБ 6. Дл этого поступающие на первый вход блока 8 управлени строчные синхроимпульсы запускают ждуШий мультивибратор 9, формирующий импульсы с длительностью, регулируемой в пределах длительности одной строки, задним фронтом которых запускаетс формирователь 11 импуль COJ3. Аналогично псютупающие. на второй вход блока 8 управлени кадровые синхроимпульсы запускают ждущий мультивибратор 1О, формирующий импульсы с длительностью, регулируемой в пределах длительности одного кадра, задним фронтом которых запускаетс формирователь 12импульсов, формирующий импульсы длительностью равной длительности одной строки. С формирователей 11 и 12 импульсов импульсы поступают соответственно на первый и второй входы блока 13совпадени . В мсмент поступлени , импульсов одновременно на два входа блока 13 совпадени m его выходе формируетс импульс. Регулировкой длитепьгности {{мпульсов ждущих мультивибраторов 9 и Ю и, следовательно, регулировкой задержки запуска формирователей 11 и 12 импульсов относитепьно начала соответственно строки и кадра получают на выходе блока 13 совпадени импульсы с . заданной задержкой относительно начала развертывани изображени на экране ВКБ 6, которые сиедуют с частотой кадров. Импульсы с выхода блока 8 управлени одновременно посту пают на формирователь 14 метки и ва перный вход электронного коммутатора 15. С выхода формировател 14 метки импульсы поступают на второй вход ВКБ 6 и на телевизионном экране высвечЕваетс ркостна метка. Одновременно электронный коммутатор 15 подкшочает к выходу усилител 5 фотонапр жени импульсный вольтметр 16, который иэмер ет мгновенное значение напр жени , соответствующее фотонапр жению.в точке., высвечивани ркостной меткой.Дл измере ни фотонапр жени в заданной точке попу проводниковой структуры 4 необходимо подключить импульсный вольтметр 16 в момент прохождени пазерного пуча по соответствующей точке на поверхности полупроводниковой структуры 4. Так как сканирование поверхности полупроводш ковой структуры 4 производитс синхро но с разверткой фотоотвегного изображени на экране ВКБ 6, дл измерени фотонапр жени в заданной точке необходи10 МО с помощью бпока 8 управ пешет, регупиру задержку запуска формироватеп 14 метки, совместить ркоствую метку с заданной точкой на фотоответном изображении , при этом импупьсы с выхода бпока 8 управпени одновременно подключат через эпектронный коммутатор 1 импупьсный вольтметр 16 к выходу усипитепн 5 фотонапр жени , и измеренное |импупьсным вольтметром 16 мгновенное значение напр жени будет соответство вать фотонапр жению в выбранной точке на фотоответном изображении. С цепью контрол или анализа полупроводниковой структур. по фотоответу измер ют фотонапр жение в заданных контрольных точе на фотоответном изображении исспедуемой структуры и сравнивают его со значени ми фотонапр жени , полученными в тех же точках пл эталонной полупроводниковой стрзгктуры. По результатам количественного сравнени в контрольных точках суд т о ка3 честве исследуемой структуры или о наличии дефекта и его местонахождении. Высока производительность контрол и точность совмещени с заданной точкой поверхности полупроводниковой структуры позвол ет использовать данное устройство дл покапиэации мест микроплазмы , каналов утечки и различнь1Х неоднородностей в -переходах. Использование предлагаемого устройства возможно на этапах изготовлени кремниевых пластин, полупроводниковых приборов и интегральных схем. Контроль полупроводниковых материалов позвол ет отбраковать дефектные пластины на ранних стади производства полупроводнир новых щзиборов, а контроль и анализ : полупроводниковых приборов позволит обеспечить повышение выхода годных изделий и повысит технико-экономические показатели производства за счет совершенствовани технологии производства.
Claims (1)
- УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР ПО ФОТООТВЕТУ, содержащее источник лазерного излучения, выход которого соединен с первым входом блока сканирования, выход которого подключен к входу оптической системы, выход которой связан с полупроводниковой структурой, выход которой соединен с входом усилителя, выход которого подключен к первому входу видеоконтрольного блока, первый и второй выходы генератора синхроимпульсов соединены с вторым и третьим входами блока сканирования со- ответственно, отличающееся тем, что, с целью повышения быстродействия, в него введены первый и второй ждущий мультивибраторы, первый и второй формирователи импульсов, блок совпадения, формирователь метки, коммутатор и импульсный вольтметр, причем . входы первого и второго ждущих мультивибраторов подключены к первому и второму выходам генератора синхроимпульсов и второму и третьему входам видеоконтрольного блока соответственно, выходы первого и второго ждущих мультивибраторов соединены через первый и второй формирователи импульсов с первым и вторым входами блока совпадения соответственно, выход которого соединен с управляющим входом коммутатора и через формирователь метки - с четвертым входом видеоконтрольного блока, первый вход которого подключен к сигнальному входу коммутатора, выход которого подключен к входу импульсного вольтметра.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823385147A SU1027653A1 (ru) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU823385147A SU1027653A1 (ru) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1027653A1 true SU1027653A1 (ru) | 1983-07-07 |
Family
ID=20993503
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU823385147A SU1027653A1 (ru) | 1982-02-02 | 1982-02-02 | Устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1027653A1 (ru) |
-
1982
- 1982-02-02 SU SU823385147A patent/SU1027653A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
1. За вка DE № 29О2495, ки. G О1 R 31/28, 23.01.79. 2. Эпектронна техника. 1978, сер. 7, вып. 1, с. 5О. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4223220A (en) | Method for electronically imaging the potential distribution in an electronic component and arrangement for implementing the method | |
US3549999A (en) | Method and apparatus for testing circuits by measuring secondary emission electrons generated by electron beam bombardment of the pulsed circuit | |
US4220854A (en) | Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and apparatus for implementing the method | |
US4220853A (en) | Method for the contactless measurement of the potential waveform in an electronic component and arrangement for implementing the method | |
JPH04500126A (ja) | 単数もしくは複数の測定点で迅速に信号のスペクトル分析を行うための方法と装置 | |
JPH033185B2 (ru) | ||
GB2188220A (en) | Streak camera | |
SU1027653A1 (ru) | Устройство дл контрол полупроводниковых структур по фотоответу | |
JP3661633B2 (ja) | 電子ビームテストシステム及び電子ビームテスト方法 | |
US3456189A (en) | Synchronized random sampling oscilloscope | |
EP0050475B1 (en) | Scanning-image forming apparatus using photo electric signal | |
US4748407A (en) | Method and apparatus for measuring time dependent signals with a particle probe | |
US3039056A (en) | Testing of semiconductors | |
US6839646B2 (en) | Electron beam test system and electron beam test method | |
JPH0262806B2 (ru) | ||
JPS61176810A (ja) | 寸法計測装置 | |
JP2575750B2 (ja) | 静電偏向器とストロボ電子ビーム装置 | |
GB688648A (en) | Improvements in or relating to spectrographs | |
JPH05256917A (ja) | 電子ビームテスタシステム | |
JPS6237938A (ja) | 電子デバイスの試験装置 | |
JPH0230652B2 (ja) | Kosokukurikaeshiparusuhikarikeisokusochi | |
JPS59177846A (ja) | 電子ビ−ム装置 | |
JPS6235218B2 (ru) | ||
JPS5951540A (ja) | 電圧コントラストの像表示装置 | |
JPS6016062B2 (ja) | 走査形電子顕微鏡 |