JPH0524959A - Manufacture of ceramic circuit board - Google Patents

Manufacture of ceramic circuit board

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JPH0524959A
JPH0524959A JP3186668A JP18666891A JPH0524959A JP H0524959 A JPH0524959 A JP H0524959A JP 3186668 A JP3186668 A JP 3186668A JP 18666891 A JP18666891 A JP 18666891A JP H0524959 A JPH0524959 A JP H0524959A
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ceramic
etching
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gas
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康史 正木
Riyuuji Ootani
隆児 大谷
Takahiro Miyano
孝広 宮野
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Abstract

PURPOSE:To improve the adhesive strength of a metallic film by forming the metallic film by vapor deposition on the surface of a ceramic in which superfine recessed and projected parts are formed on the surface of crystalline particles by ion beam etching treatment. CONSTITUTION:The inside of an ion chamber CH is evacuated into high vacuum, and after that, a mixed reactive gas of CF4 and O2 is introduced therein from a gas introducing port 11 for a chemical ion etching gun to maintain its vacuum degree to a prescribed one. A ceramic board 1 such as Al2O3 set immediately below the chemical ion etching gun 2 is irradiated with ion beams, and the surface of the substrate 1 is subjected to chemical ion etching to form superfine recessed and projected parts on each crystalline particle of the ceramic as well as to clean the surface of the substrate. Next, a board holder 5 is moved to a place immediately below a metallic target 3 such as Cu, and an Ar gas is introduced from a gas introducing port 12 for sputtering. Then, its vacuum degree is held to a prescribed one, and sputtering is executed to deposit and form a metallic film on the surface of the ceramic substrate 1, by which a ceramic circuit board can be obtd.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、セラミック基板の表
面に金属膜が形成されてなるセラミック回路基板を製造
する方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic circuit board in which a metal film is formed on the surface of a ceramic board.

【０００２】[0002]

【従来の技術】セラミック回路基板として、セラミック
基板の表面に金属膜を設けた基板がある。セラミックと
金属は性状が大きく異なるため元来接合性が良くない。
したがって、このセラミック回路基板においては、セラ
ミック基板と金属膜の密着力が一番の問題である。2. Description of the Related Art As a ceramic circuit board, there is a board in which a metal film is provided on the surface of a ceramic board. Since the properties of ceramics and metals are very different, the bondability is originally poor.
Therefore, in this ceramic circuit board, the most important problem is the adhesion between the ceramic board and the metal film.

【０００３】発明者らは、セラミック基板の表面にスパ
ッタリングにより銅膜を形成（Ｃｕメタライズ）する方
法を提案している。金属膜の密着力はかなり向上するが
十分ではない。さらに密着力を増す方法として、セラミ
ック基板表面に凹凸を形成（粗化）する方法がある。ア
ンカー効果や接合面積の増大で金属膜の密着力を向上さ
せるのである。具体的には、酸・アルカリによるエッチ
ングでセラミック基板表面に凹凸を形成した後、金属膜
を形成するのである（特開昭６１−２５１５８９号公
報）。しかし、この方法は、セラミック回路基板の高周
波特性を劣化させるという問題がある。The inventors have proposed a method of forming a copper film (Cu metallization) on the surface of a ceramic substrate by sputtering. Although the adhesion of the metal film is considerably improved, it is not sufficient. As a method of further increasing the adhesion, there is a method of forming (roughening) irregularities on the surface of the ceramic substrate. The adhesion effect of the metal film is improved by the anchor effect and the increase of the bonding area. Specifically, a metal film is formed after forming irregularities on the surface of the ceramic substrate by etching with an acid / alkali (Japanese Patent Laid-Open No. 61-251589). However, this method has a problem that the high frequency characteristics of the ceramic circuit board are deteriorated.

【０００４】セラミック基板表面の結晶粒が酸・アルカ
リにより侵食・溶解され、エッチング前後で表面状態が
大きく変化し、表面粗さが大きくなってしまう。図１２
はエッチング前のセラミック基板表面部分を示し、図１
３はエッチング後のセラミック基板表面部分を示す。表
面粗さが大きくなることで金属膜の密着力は増すが、表
面粗さが大きくなると電送損失が増大してしまうのであ
る。The crystal grains on the surface of the ceramic substrate are eroded and dissolved by the acid / alkali, the surface condition largely changes before and after etching, and the surface roughness becomes large. 12
Shows the surface portion of the ceramic substrate before etching, and FIG.
Reference numeral 3 shows the surface portion of the ceramic substrate after etching. Although the adhesion of the metal film increases as the surface roughness increases, the transmission loss increases as the surface roughness increases.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記事情
に鑑み、高周波特性を損なうことなく金属膜の密着力を
向上させられるセラミック回路基板の製造方法を提供す
ることを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a ceramic circuit board capable of improving the adhesion of a metal film without damaging the high frequency characteristics.

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、請求項１〜３記載の発明のセラミック回路基板の製
造方法は、イオンビームエッチング処理により結晶粒表
面に超微細な凹凸が形成されているセラミック表面に、
金属膜を蒸着により形成するようにするようにしてい
る。In order to solve the above-mentioned problems, in the method for manufacturing a ceramic circuit board according to the present invention, an ultrafine unevenness is formed on the crystal grain surface by ion beam etching treatment. On the ceramic surface,
The metal film is formed by vapor deposition.

【０００７】請求項２記載の発明のセラミック回路基板
の製造方法は、加えて、イオンビームエッチング処理
が、反応性ガスを用いた化学反応を伴うエッチング処理
（化学的イオンエッチング処理）によっている。このエ
ッチング処理は、イオン等とエッチングされる材料間の
化学反応生成物がガス化して材料表面より脱離しエッチ
ングが進行するというものである。この場合、下記の化
学的イオンエッチング処理が併用されていてもよい。In the method for manufacturing a ceramic circuit board according to the second aspect of the present invention, the ion beam etching process is an etching process (chemical ion etching process) involving a chemical reaction using a reactive gas. In this etching process, a chemical reaction product between ions and the material to be etched is gasified and desorbed from the surface of the material so that the etching proceeds. In this case, the following chemical ion etching treatment may be used together.

【０００８】請求項３記載の発明のセラミック回路基板
の製造方法は、加えて、イオンビームエッチング処理
が、イオンビームをセラミック基板表面に斜め方向から
照射することでなされているものである。この場合、イ
オンビーム照射中、セラミック基板を回転させることは
有用である。この発明で使う基板は、基板全体がセラミ
ックで出来ている（例えば、アルミナ基板）ものを使う
が、これに限らず、表面のみがセラミックである基板も
利用可能である。セラミック表面は研磨されていてもよ
いし、研磨されていなくてもよい。In the method for manufacturing a ceramic circuit board according to a third aspect of the present invention, in addition, the ion beam etching treatment is performed by irradiating the surface of the ceramic substrate with an ion beam from an oblique direction. In this case, it is useful to rotate the ceramic substrate during the ion beam irradiation. The substrate used in the present invention is a substrate whose entire substrate is made of ceramic (for example, an alumina substrate), but is not limited to this, and a substrate whose surface is only ceramic can be used. The ceramic surface may or may not be polished.

【０００９】セラミック表面に蒸着で形成する金属膜と
しては、スパッタリング等のＰＶＤ法による銅蒸着膜が
例示される。イオンビームエッチング処理としては、前
記の化学的イオンエッチング処理、あるいは、化学反応
を伴なわないエッチング処理（物理的イオンエッチング
処理）、さらには、化学的イオンエッチング処理および
物理的イオンエッチング処理の併用処理が挙げられる。An example of the metal film formed on the ceramic surface by vapor deposition is a copper vapor deposition film formed by a PVD method such as sputtering. As the ion beam etching treatment, the chemical ion etching treatment described above, an etching treatment not accompanied by a chemical reaction (physical ion etching treatment), or a combination of the chemical ion etching treatment and the physical ion etching treatment is performed. Is mentioned.

【００１０】[0010]

【作用】この発明では、セラミック表面にイオンビーム
エッチングを照射することにより、セラミック表面には
結晶粒径より小さな超微細な凹凸が付けるだけであり、
湿式エッチングの場合のように表面粗さが大きくなって
しまうことはない。つまり、図１にみるように、結晶粒
表面に超微細の凹凸が付くだけなのである。セラミック
表面が、図２にみるように、研磨されていても、図３に
みるように、超微細の凹凸が付くし、超微細の凹凸であ
るがため、平滑性や寸法精度を損なうこともない。セラ
ミック表面の凹凸で金属膜の密着力は向上し、結晶粒の
大きさに比べて遙に微細な凹凸であるため、セラミック
基板表面の表面粗さに与える影響は非常に小さく高周波
特性を損なうこともない。In the present invention, by irradiating the ceramic surface with ion beam etching, the ceramic surface only has ultrafine irregularities smaller than the crystal grain size.
The surface roughness does not become large as in the case of wet etching. That is, as shown in FIG. 1, the surface of the crystal grain is merely provided with ultrafine irregularities. As shown in FIG. 3, even if the ceramic surface is polished as shown in FIG. 2, it has ultra-fine irregularities, and since it is ultra-fine irregularities, smoothness and dimensional accuracy may be impaired. Absent. The unevenness of the ceramic surface improves the adhesion of the metal film, and since the unevenness is much smaller than the size of the crystal grains, the effect on the surface roughness of the ceramic substrate surface is very small and the high frequency characteristics are impaired. Nor.

【００１１】イオンビームエッチング処理が化学的イオ
ンエッチング処理である場合は、照射損傷が少なく、エ
ッチング速度が速いという利点がある。イオンビームを
セラミック表面に斜めに照射する場合、イオンが直接当
たる部分と当たらない部分ができる。イオンが直接当た
る凸部分はエッチングされるが、凹部分は陰になって殆
どエッチングされない。図４にみるように、破線部分が
削られてセラミック表面の平滑性が向上し、高周波特性
が研磨基板に近い良いものとなる。勿論、超微細な凹凸
は同時に十分に形成されていて、金属膜の密着力は非常
に良いものとなる。When the ion beam etching process is a chemical ion etching process, there are advantages that irradiation damage is small and the etching rate is high. When the ceramic surface is obliquely irradiated with the ion beam, there are portions where the ions directly hit and portions where the ions did not hit. The convex portion where the ions directly hit is etched, but the concave portion is shaded and is hardly etched. As shown in FIG. 4, the broken line portion is shaved to improve the smoothness of the ceramic surface, and the high frequency characteristics are close to those of the polished substrate. Of course, the ultra-fine irregularities are simultaneously formed sufficiently, and the adhesion of the metal film becomes very good.

【００１２】[0012]

【実施例】以下、この発明の実施例を、図面を参照しな
がら詳しく説明する。 −実施例１− 図５および図６は、この発明のセラミック回路基板の製
造装置の要部構成をあらわしており、図５はイオンビー
ムエッチング処理時の状態を示し、図６は金属膜形成時
の状態を示す。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. -Embodiment 1-FIGS. 5 and 6 show an essential configuration of a ceramic circuit board manufacturing apparatus of the present invention. FIG. 5 shows a state during ion beam etching, and FIG. Indicates the state of.

【００１３】図５および図６の装置においては、１はア
ルミナ基板（セラミック基板）、２はイオンガン、３は
Ｃｕターゲット、４はシャッタ、５は移動可能な基板ホ
ルダーをそれぞれ示す。イオンガン２は、通常、カウフ
マン型を用いるが、イオン種等によりその型を選ぶ必要
がある。また、アルミナ基板１への照射面積を考えて、
イオンガン２の口径を選ぶようにする。In the apparatus shown in FIGS. 5 and 6, 1 is an alumina substrate (ceramic substrate), 2 is an ion gun, 3 is a Cu target, 4 is a shutter, and 5 is a movable substrate holder. The Kaufman type is usually used for the ion gun 2, but it is necessary to select the type depending on the ion species. Also, considering the irradiation area on the alumina substrate 1,
Select the diameter of the ion gun 2.

【００１４】−エッチング工程− まず、イオンチャンバーＣＨ内を１×１０-5Ｔｏｒｒ以
下まで真空排気する。続いて、イオンガン用のガス導入
口１１からＡｒガスを導入し、チャンバーＣＨ内の真空
度が４×１０-4に保たれるようにする。アルミナ基板１
はイオンガン２の直下に位置しており、イオンガン２よ
りＡｒイオンビームが照射される。-Etching Step-First, the inside of the ion chamber CH is evacuated to 1 × 10 -5 Torr or less. Subsequently, Ar gas is introduced from the gas inlet 11 for the ion gun so that the degree of vacuum in the chamber CH is maintained at 4 × 10 −4 . Alumina substrate 1
Is located directly below the ion gun 2 and is irradiated with an Ar ion beam from the ion gun 2.

【００１５】イオンビーム照射条件は、加速電圧４００
ｅＶ、ビーム電流密度１ｍＡ／ｃｍ 2 、照射時間２分と
する。イオンビーム照射により、アルミナ基板１表面が
エッチングされ個々の結晶粒に超微細な凹凸が形成され
るとともに基板表面がクリーニングされる。 −金属膜形成工程− イオンビーム照射後、ガス導入口１１からのＡｒガス導
入を停止し、図６にみるように、基板ホルダー５をＣｕ
ターゲット３の直下まで移動させる。そして、スパッタ
用ガス導入口１２よりＡｒガスを導入し、チャンバーＣ
Ｈ内の真空度が３×１０-3に保たれるようにする。スパ
ッタリングにより、超微細な凹凸の形成されているアル
ミナ基板１表面に銅膜を堆積形成する。なお、スパッタ
リング初期は、シャッタ４がアルミナ基板１とＣｕター
ゲット３の間に介在している。Ｃｕターゲット３を大気
中にさらすと大気中のゴミや酸化等によりターゲット表
面が汚染されるからである。そのため、スパッタリング
初期はシャッタ４を閉じて汚染を防ぎ、その後にシャッ
タ４を開くことにより銅膜を堆積形成するようにするの
である。Ion beam irradiation conditions are as follows: acceleration voltage 400
eV, beam current density 1 mA / cm 2, Irradiation time 2 minutes
To do. By the ion beam irradiation, the surface of the alumina substrate 1
Etched to form ultra-fine irregularities on individual crystal grains
At the same time, the substrate surface is cleaned. -Metal film forming step- After ion beam irradiation, Ar gas was introduced from the gas inlet 11.
Stop the insertion and place the substrate holder 5 in Cu as shown in FIG.
Move it to just below the target 3. And spatter
Ar gas is introduced through the gas introduction port 12 for chamber C
The degree of vacuum in H is 3 × 10-3To be kept at. spa
Altering with ultra-fine unevenness
A copper film is deposited and formed on the surface of the mina substrate 1. Note that spatter
In the initial stage of the ring, the shutter 4 is the alumina substrate 1 and the Cu target.
It is interposed between the Get 3. Cu target 3 in the atmosphere
When exposed to the inside, the target surface may be affected by dust and oxidation in the atmosphere.
This is because the surface is contaminated. Therefore, sputtering
Initially close the shutter 4 to prevent contamination and then
The copper film is deposited and formed by opening the switch 4.
Is.

【００１６】−実施例２− 実施例２は化学的イオンエッチングを用いる例である。
すなわち、エッチング工程が以下の通りである他は、実
施例１と概ね同じである。 −エッチング工程− イオンガン用のガス導入口１１からＡｒガスの代わり
に、例えばＣＦ4 ガスとＯ2 ガスを４：１の割合で混合
させたガスを導入し、チャンバーＣＨ内の真空度が４×
１０-4に保たれるようにする。但し、反応性ガスを用い
るので、イオンガン２はマイクロ波イオン源等をもった
ものとする。ここで、Ｏ2 ガスを混入するのは、ＣＦ4
のＣがアルミナ基板１上に付着・堆積していくのを化学
反応で除去するためである。また、人体に有害なガスを
使用するため、除害用のカートリッジを通して排気を行
うようにしてもよい。-Example 2- Example 2 is an example using chemical ion etching.
That is, the etching process is almost the same as that of the first embodiment except that the etching process is as follows. -Etching Step-For example, instead of Ar gas, a gas obtained by mixing CF 4 gas and O 2 gas at a ratio of 4: 1 is introduced from the gas inlet 11 for the ion gun, and the degree of vacuum in the chamber CH is 4 ×.
Try to keep it at 10 -4 . However, since the reactive gas is used, the ion gun 2 has a microwave ion source and the like. Here, the O 2 gas is mixed with CF 4
This is to remove the C attached and deposited on the alumina substrate 1 by a chemical reaction. Further, since a gas harmful to the human body is used, the gas may be exhausted through a cartridge for detoxification.

【００１７】アルミナ基板１にイオンガン２よりイオン
ビームが照射される。イオンビーム照射条件は、加速電
圧１０００ｅＶ、ビーム電流密度０．２ｍＡ／ｃｍ2 、
照射時間１分３０秒とする。イオンビーム照射により、
アルミナ基板１表面がエッチングされ個々の結晶粒に超
微細な凹凸が形成される。なお、ＣＦ4 ガスとＯ2 ガス
の混合ガスを使わずに、図７にみるように、イオンガン
を二つ用意し、一方のイオンガンからＣＦ4 のイオン
を、他方のイオンガンからＯ2 のイオンを照射するよう
にしてもよい。The alumina substrate 1 is irradiated with an ion beam from the ion gun 2. Ion beam irradiation conditions are: acceleration voltage 1000 eV, beam current density 0.2 mA / cm 2 ,
Irradiation time is 1 minute and 30 seconds. By ion beam irradiation,
The surface of the alumina substrate 1 is etched to form ultrafine irregularities on individual crystal grains. As shown in FIG. 7, two ion guns are prepared without using a mixed gas of CF 4 gas and O 2 gas. One ion gun receives CF 4 ions and the other ion gun receives O 2 ions. You may make it irradiate.

【００１８】化学的イオンエッチングは、物理的エッチ
ングに比べエッチング速度が速い。物理的エッチングで
はイオンがアルミナ基板に侵入した際に基板原子を格子
点から弾き飛ばし空孔や変位原子等が生じるという照射
損傷が起きてしまうが、化学的イオンエッチングでは、
その照射損傷が少ない。 −実施例３− 実施例３は化学的イオンエッチングと物理的イオンエッ
チング（スパッタリング効果）の併用の例である。すな
わち、エッチング工程が以下の通りである他は、実施例
１と概ね同じである。Chemical ion etching has a higher etching rate than physical etching. In physical etching, when ions enter the alumina substrate, the substrate atoms are repelled from the lattice points, resulting in irradiation damage such as holes and displaced atoms, but in chemical ion etching,
The irradiation damage is small. -Example 3 Example 3 is an example of the combined use of chemical ion etching and physical ion etching (sputtering effect). That is, the etching process is almost the same as that of the first embodiment except that the etching process is as follows.

【００１９】−エッチング工程− イオンガンとして、図８にみるように、化学的イオンエ
ッチング用ガン（反応性ガス用イオンガン）と物理的イ
オンエッチング用ガン（不活性ガス用イオンガン）を用
意する。反応性ガスとしてＣＦ4 ガスを用い、不活性ガ
スとしてＡｒガスを用い、例えば、２：１の流量比で、
それぞれのガス導入口から導入し、チャンバーＣＨ内に
導入し、チャンバーＣＨ内の真空度が４×１０-4に保た
れるようにする。但し、化学的イオンエッチング用ガン
はマイクロ波イオン源等をもったものとする。-Etching Step-As ion guns, as shown in FIG. 8, a chemical ion etching gun (reactive gas ion gun) and a physical ion etching gun (inert gas ion gun) are prepared. CF 4 gas is used as the reactive gas and Ar gas is used as the inert gas. For example, at a flow ratio of 2: 1,
The gas is introduced from each gas introduction port and introduced into the chamber CH so that the degree of vacuum in the chamber CH is maintained at 4 × 10 −4 . However, the chemical ion etching gun has a microwave ion source or the like.

【００２０】両ガンからイオンビームを同時に照射す
る。化学的イオンエッチング用ガンの照射条件は、加速
電圧１０００ｅＶ、ビーム電流密度０．２ｍＡ／ｃｍ2
であり、物理的イオンエッチング用ガンの照射条件は、
加速電圧１５００ｅＶ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃ
ｍ2 であり、照射時間は１分３０秒である。化学的およ
び物理的イオンエッチングを併用した場合は、不活性ガ
スイオンの照射で化学反応が促進され、化学反応による
エッチング速度が速まる。同時に不活性ガスイオン自身
によるスパッタリング効果で基板表面をエッチングする
だけでなく、この例ではＣの付着・堆積を防ぐ働きもす
る。いずれか一方だけのイオンエッチングに比べ、非常
にエッチング速度が速い。Ion beams are simultaneously emitted from both guns. The irradiation conditions of the chemical ion etching gun are as follows: acceleration voltage 1000 eV, beam current density 0.2 mA / cm 2
And the irradiation conditions of the physical ion etching gun are:
Accelerating voltage 1500 eV, beam current density 1.0 mA / c
m 2 and the irradiation time is 1 minute and 30 seconds. When both chemical and physical ion etching are used, the chemical reaction is accelerated by the irradiation of the inert gas ions, and the etching rate by the chemical reaction is accelerated. At the same time, not only the substrate surface is etched by the sputtering effect of the inert gas ions themselves, but also in this example, it functions to prevent the attachment and deposition of C. The etching rate is much faster than the ion etching of only one of them.

【００２１】上記では二つのイオンガンを用いたが、一
つのイオンガンで、反応性ガスと不活性ガスの混合ガス
を導入し、イオン化・照射するようにしてもよい。 −実施例４− 実施例４は、イオンビームを斜めに照射する例である。
すなわち、エッチング工程が以下の通りである他は、実
施例１と概ね同じである。Although two ion guns are used in the above, one ion gun may be used to introduce a mixed gas of a reactive gas and an inert gas for ionization and irradiation. -Example 4- Example 4 is an example in which the ion beam is obliquely irradiated.
That is, the etching process is almost the same as that of the first embodiment except that the etching process is as follows.

【００２２】−エッチング工程− 図９にみるように、アルミナ基板１の表面に立てた法線
に対し、例えば、入射角度６０°の角度でイオンビーム
を照射する。イオンが直接当たる部分と当たらない部分
ができる。イオンが直接当たる凸部分はエッチングされ
るが、凹部分は陰になって殆どエッチングされない。そ
のため、アルミナ基板１表面が平滑化されると同時に超
微細な凹凸が形成される。なお、照射条件は、加速電圧
４００ｅＶ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ2 、照射
時間２分である。-Etching Step-As shown in FIG. 9, an ion beam is applied to the normal line standing on the surface of the alumina substrate 1 at an incident angle of 60 °, for example. There will be a part where the ions directly hit and a part where the ions do not hit. The convex portion where the ions directly hit is etched, but the concave portion is shaded and is hardly etched. Therefore, the surface of the alumina substrate 1 is smoothed and, at the same time, ultrafine irregularities are formed. The irradiation conditions are an acceleration voltage of 400 eV, a beam current density of 1.0 mA / cm 2 , and an irradiation time of 2 minutes.

【００２３】また、図１０にみるように、二つのイオン
ガンＡ、Ｂをアルミナ基板１の表面に立てた法線に対し
角度を付けて取り付けておき、両ガンからイオンビーム
を斜め照射するようにしてもよい。この場合、一方を化
学的イオンエッチング用ガン（反応性ガス用イオンガ
ン）とし、他方を物理的イオンエッチング用ガン（不活
性ガス用イオンガン）としてもよい。勿論、両ガンＡ、
Ｂを物理的イオンエッチング用ガンとして、照射条件
は、加速電圧４００ｅＶ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／
ｃｍ2 とすれば、イオン量が倍になるため上記よりも短
い約１分の照射時間で処理が可能である。Further, as shown in FIG. 10, the two ion guns A and B are attached at an angle with respect to a normal line standing on the surface of the alumina substrate 1 so that the ion beams are obliquely irradiated from both guns. May be. In this case, one may be a chemical ion etching gun (reactive gas ion gun) and the other may be a physical ion etching gun (inert gas ion gun). Of course, both guns A,
B is a physical ion etching gun, and the irradiation conditions are an acceleration voltage of 400 eV and a beam current density of 1.0 mA /
If it is cm 2 , the amount of ions will be doubled, so that the treatment can be performed in a shorter irradiation time of about 1 minute than the above.

【００２４】−実施例５− 実施例５は、イオンビームを斜めに照射すると同時にア
ルミナ基板１を回転させる例である。すなわち、エッチ
ング工程が以下の通りである他は、実施例１と概ね同じ
である。Example 5 Example 5 is an example in which the alumina substrate 1 is rotated at the same time as the ion beam is obliquely irradiated. That is, the etching process is almost the same as that of the first embodiment except that the etching process is as follows.

【００２５】−エッチング工程− 図１１にみるように、アルミナ基板１の表面に立てた法
線に対し、例えば、入射角度６０°の角度でイオンビー
ムを照射するとともに、アルミナ基板１を１０ｒｐｍで
回転させる。イオンビームを斜めに照射する場合、イオ
ンが直接当たらない陰の部分には凹凸が形成されにくい
が、アルミナ基板１を回転させることにより陰の部分が
なくなるため、基板表面の平滑化だけでなく基板全面に
わたって等しく微細な凹凸を付けることができる。-Etching Step- As shown in FIG. 11, an ion beam is applied to the normal line standing on the surface of the alumina substrate 1 at an incident angle of 60 °, and the alumina substrate 1 is rotated at 10 rpm. Let When the ion beam is obliquely irradiated, unevenness is not easily formed in the shaded portion where the ions do not directly hit, but since the shaded portion is eliminated by rotating the alumina substrate 1, not only the substrate surface is smoothed but also the substrate is smoothed. Even unevenness can be formed on the entire surface.

【００２６】イオンビームの照射条件は、加速電圧４０
０ｅＶ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ2 、照射時間
２分である。上記実施例１〜５の場合、基板の種類はア
ルミナに限らないし、反応性ガスや不活性ガス等のイオ
ン種も例示のものに限らない。基板の種類にあった反応
性ガスを用いればよい。装置構造や具体的条件の数値も
例示のものに限らない。Ion beam irradiation conditions are acceleration voltage 40
0 eV, beam current density 1.0 mA / cm 2 , irradiation time 2 minutes. In the case of Examples 1 to 5 above, the type of substrate is not limited to alumina, and the ionic species such as reactive gas and inert gas are not limited to the examples. A reactive gas suitable for the type of substrate may be used. Numerical values of the device structure and specific conditions are not limited to the examples.

【００２７】実施例１〜５で得たセラミック回路基板
は、いずれも高周波特性が良好で銅膜の密着力が十分で
あった。Each of the ceramic circuit boards obtained in Examples 1 to 5 had good high frequency characteristics and sufficient adhesion of the copper film.

【００２８】[0028]

【発明の効果】この発明によれば、セラミック表面には
結晶粒径より小さい超微細な凹凸が付いているだけなの
で、良好な高周波特性と密着力の十分な金属膜の両方を
有するセラミック回路基板を得ることができるため、非
常に有用である。請求項２記載のセラミック回路基板の
製造方法は、加えて、イオンビームの照射損傷が少な
く、エッチング速度が速いという利点がある。According to the present invention, since the surface of the ceramic is only provided with ultrafine irregularities smaller than the crystal grain size, a ceramic circuit board having both good high frequency characteristics and a metal film with sufficient adhesion. Is very useful because The method of manufacturing a ceramic circuit board according to the second aspect of the invention has the additional advantages that the irradiation damage of the ion beam is small and the etching rate is high.

【００２９】請求項３記載のセラミック回路基板の製造
方法は、加えて、セラミック表面の平滑性が向上し、高
周波特性がより良くなるという利点がある。The method for manufacturing a ceramic circuit board according to claim 3 has the advantages that the smoothness of the ceramic surface is improved and the high frequency characteristics are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の未研磨表面部分のインオンビームエッチング処理後の
状態をあらわす概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state of an unpolished surface portion of a ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention after in-on-beam etching treatment.

【図２】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の研磨表面部分のインオンビームエッチング処理前の状
態をあらわす概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the state before the in-on-beam etching treatment of the polished surface portion of the ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention.

【図３】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の研磨表面部分のインオンビームエッチング処理後の状
態をあらわす概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state after the in-on-beam etching treatment of the polished surface portion of the ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention.

【図４】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の未研磨表面部分にインオンビームエッチングを斜めに
照射するときの様子をあらわす概略説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view showing a state in which an unpolished surface portion of a ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention is obliquely irradiated with in-on-beam etching.

【図５】この発明の方法の実施に用いる装置のエッチン
グ処理時の状態をあらわす説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a state at the time of etching processing of an apparatus used for carrying out the method of the present invention.

【図６】この発明の方法の実施に用いる装置の金属膜形
成時の状態をあらわす説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a state at the time of forming a metal film of an apparatus used for carrying out the method of the present invention.

【図７】実施例２の変形例におけるイオンガンとアルミ
ナ基板をあらわす概略斜視図である。FIG. 7 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in a modified example of the second embodiment.

【図８】実施例３におけるイオンガンとアルミナ基板を
あらわす概略斜視図である。FIG. 8 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in Example 3.

【図９】実施例４におけるイオンガンとアルミナ基板を
あらわす概略斜視図である。FIG. 9 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in Example 4.

【図10】実施例４の変形例におけるイオンガンとアルミ
ナ基板をあらわす概略斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in a modified example of the fourth embodiment.

【図11】実施例５におけるイオンガンとアルミナ基板を
あらわす概略斜視図である。FIG. 11 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in Example 5.

【図12】従来の方法の実施に用いるセラミック基板の未
研磨表面部分のインオンビームエッチング処理前の状態
をあらわす概略断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a state before an in-on-beam etching treatment of an unpolished surface portion of a ceramic substrate used for carrying out a conventional method.

【図13】従来の方法の実施に用いるセラミック基板の未
研磨表面部分の湿式エッチング処理後の状態をあらわす
概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a state of the unpolished surface portion of the ceramic substrate used for performing the conventional method after the wet etching treatment.

【符合の説明】[Explanation of sign]

１ アルミナ基板（セラミック基板） ２ イオンガン ３ Ｃｕターゲルト ４ シャッタ ５ 基板ホルダー 1 Alumina substrate (ceramic substrate) 2 ion gun 3 Cu Tergelt 4 shutter 5 board holder

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成３年１２月１７日[Submission date] December 17, 1991

【手続補正１】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】０００６[Correction target item name] 0006

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【０００６】[0006]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、請求項１〜３記載の発明のセラミック回路基板の製
造方法は、イオンビームエッチング処理により結晶粒表
面に超微細な凹凸が形成されているセラミック表面に、
金属膜を蒸着により形成するようにしている。In order to solve the above-mentioned problems, in the method for manufacturing a ceramic circuit board according to the present invention, an ultrafine unevenness is formed on the crystal grain surface by ion beam etching treatment. On the ceramic surface,
It is to be formed by vapor deposition of metal films.

【手続補正２】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】０００７[Correction target item name] 0007

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【０００７】請求項２記載の発明のセラミック回路基板
の製造方法は、加えて、イオンビームエッチング処理
が、反応性ガスを用いた化学反応を伴うエッチング処理
（化学的イオンエッチング処理）によっている。このエ
ッチング処理は、イオン等とエッチングされる材料間の
化学反応生成物がガス化して材料表面より脱離しエッチ
ングが進行するというものである。この場合、下記の物
理的イオンエッチング処理が併用されていてもよい。In the method for manufacturing a ceramic circuit board according to the second aspect of the present invention, the ion beam etching process is an etching process (chemical ion etching process) involving a chemical reaction using a reactive gas. In this etching process, a chemical reaction product between ions and the material to be etched is gasified and desorbed from the surface of the material so that the etching proceeds. In this case, those of the following
A physical ion etching treatment may be used together.

【手続補正３】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１０[Correction target item name] 0010

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１０】[0010]

【作用】この発明では、セラミック表面にイオンビーム
エッチングを照射することにより、セラミック表面には
結晶粒径より小さな超微細な凹凸を付けるだけであり、
湿式エッチングの場合のように表面粗さが大きくなって
しまうことはない。つまり、図１にみるように、結晶粒
表面に超微細の凹凸が付くだけなのである。セラミック
表面が、図２にみるように、研磨されていても、図３に
みるように、超微細の凹凸が付くし、超微細の凹凸であ
るがため、平滑性や寸法精度を損なうこともない。セラ
ミック表面の凹凸で金属膜の密着力は向上し、結晶粒の
大きさに比べて遥に微細な凹凸であるため、セラミック
基板表面の表面粗さに与える影響は非常に小さく高周波
特性を損なうこともない。SUMMARY OF] In this invention, by irradiating an ion beam etching the ceramic surface, the ceramic surface is only put a small ultrafine irregularities than the crystal grain size,
The surface roughness does not become large as in the case of wet etching. That is, as shown in FIG. 1, the surface of the crystal grain is merely provided with ultrafine irregularities. As shown in FIG. 3, even if the ceramic surface is polished as shown in FIG. 2, it has ultra-fine irregularities, and since it is ultra-fine irregularities, smoothness and dimensional accuracy may be impaired. Absent. The unevenness of the ceramic surface improves the adhesion of the metal film, and since the unevenness is much finer than the size of the crystal grains, the effect on the surface roughness of the ceramic substrate surface is very small and the high frequency characteristics are impaired. Nor.

【手続補正４】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１４】−エッチング工程− まず、チャンバーＣＨ内を１×１０−５Ｔｏｒｒ以下ま
で真空排気する。続いて、イオンガン用のガス導入口１
１からＡｒガスを導入し、チャンバーＣＨ内の真空度が
４×１０ −４Ｔｏｒｒに保たれるようにする。アルミナ
基板１はイオンガン２の直下に位置しており、イオンガ
ン２よりＡｒイオンビームが照射される。[0014] - etching process - first, evacuated in Ji Yanba CH up 1 × 10 -5 Torr or less. Next, the gas inlet 1 for the ion gun
Ar gas is introduced from 1 to maintain the degree of vacuum in the chamber CH at 4 × 10 −4 Torr . The alumina substrate 1 is located immediately below the ion gun 2 and is irradiated with an Ar ion beam from the ion gun 2.

【手続補正５】[Procedure Amendment 5]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１５[Name of item to be corrected] 0015

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１５】イオンビーム照射条件は、加速電圧４００
Ｖ、ビーム電流密度１ｍＡ／ｃｍ２、照射時間２分とす
る。イオンビーム照射により、アルミナ基板１表面がエ
ッチングされ個々の結晶粒に超微細な凹凸が形成される
とともに基板表面がクリーニングされる。 −金属膜形成工程− イオンビーム照射後、ガス導入口１１からのＡｒガス導
入を停止し、図６にみるように、基板ホルダー５をＣｕ
ターゲット３の直下まで移動させる。そして、スパッタ
用ガス導入口１２よりＡｒガスを導入し、チャンバーＣ
Ｈ内の真空度が３×１０ −３Ｔｏｒｒに保たれるように
する。スパッタリングにより、超微細な凹凸の形成され
ているアルミナ基板１表面に銅膜を堆積形成する。な
お、スパッタリング初期は、シャッタ４がアルミナ基板
１とＣｕターゲット３の間に介在している。Ｃｕターゲ
ット３を大気中にさらすと大気中のゴミや酸化等により
ターゲット表面が汚染されるからである。そのため、ス
パッタリング初期はシャッタ４を閉じて汚染されたター
ゲット表面層のスパッタによる基板への付着を防ぎ、そ
の後にシャッタ４を開くことにより銅膜を堆積形成する
ようにするのである。Ion beam irradiation conditions are as follows: acceleration voltage 400
V 2 , beam current density 1 mA / cm 2 , and irradiation time 2 minutes. By the ion beam irradiation, the surface of the alumina substrate 1 is etched to form ultrafine irregularities on individual crystal grains and the substrate surface is cleaned. —Metal Film Forming Step— After the ion beam irradiation, the Ar gas introduction from the gas introduction port 11 is stopped, and as shown in FIG.
Move it to just below the target 3. Then, Ar gas is introduced through the sputter gas introduction port 12 and the chamber C
The degree of vacuum in H is kept at 3 × 10 −3 Torr . By sputtering, a copper film is deposited and formed on the surface of the alumina substrate 1 on which ultrafine irregularities are formed. In the initial stage of sputtering, the shutter 4 is interposed between the alumina substrate 1 and the Cu target 3. This is because when the Cu target 3 is exposed to the air, the target surface is contaminated by dust and oxidation in the air. Therefore, at the initial stage of sputtering, the shutter 4 is closed and the contaminated target is closed .
The get surface layer is prevented from adhering to the substrate by sputtering, and then the shutter 4 is opened to deposit and form a copper film.

【手続補正６】[Procedure correction 6]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１６】−実施例２− 実施例２は化学的イオンエッチングを用いる例である。
すなわち、エッチング工程が以下の通りである他は、実
施例１と概ね同じである。 −エッチング工程− イオンガン用のガス導入口１１からＡｒガスの代わり
に、例えばＣＦ４ガスとＯ２ガスを４：１の割合で混合
させたガスを導入し、チャンバーＣＨ内の真空度が４×
１０ −４Ｔｏｒｒに保たれるようにする。但し、反応性
ガスを用いるので、イオンガン２はマイクロ波イオン源
等を用いる。ここで、Ｏ２ガスを混入するのは、ＣＦ４
のＣがアルミナ基板１上に付着・堆積していくのを化学
反応で除去するためである。また、人体に有害なガスを
使用するため、除害用のカートリッジを通して排気を行
う。 -Example 2- Example 2 is an example using chemical ion etching.
That is, the etching process is almost the same as that of the first embodiment except that the etching process is as follows. —Etching Step— Instead of Ar gas, a gas obtained by mixing CF 4 gas and O 2 gas in a ratio of 4: 1 is introduced from the gas inlet 11 for the ion gun, and the degree of vacuum in the chamber CH is 4 ×.
It should be kept at 10 −4 Torr . However, since a reactive gas, the ion gun 2 using microwaves ion source or the like. Here, it is CF 4 that mixes the O 2 gas.
This is to remove the C attached and deposited on the alumina substrate 1 by a chemical reaction. Also, because it uses gas that is harmful to the human body, exhaust it through a cartridge for detoxification.
U

【手続補正７】[Procedure Amendment 7]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１７[Correction target item name] 0017

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１７】アルミナ基板１にイオンガン２よりイオン
ビームが照射される。イオンビーム照射条件は、加速電
圧１０００Ｖ、ビーム電流密度０．２ｍＡ／ｃｍ２、照
射時間１分３０秒とする。イオンビーム照射により、ア
ルミナ基板１表面がエッチングされ個々の結晶粒に超微
細な凹凸が形成される。なお、ＣＦ４ガスとＯ２ガスの
混合ガスを使わずに、図７にみるように、イオンガンを
二つ用意し、一方のイオンガンからＣＦ４のイオンを、
他方のイオンガンからＯ２のイオンを照射するようにし
てもよい。The alumina substrate 1 is irradiated with an ion beam from the ion gun 2. The ion beam irradiation conditions are an acceleration voltage of 1000 V , a beam current density of 0.2 mA / cm 2 , and an irradiation time of 1 minute 30 seconds. By the ion beam irradiation, the surface of the alumina substrate 1 is etched to form ultrafine irregularities on individual crystal grains. In addition, as shown in FIG. 7, two ion guns are prepared without using a mixed gas of CF 4 gas and O 2 gas, and CF 4 ions are supplied from one of the ion guns.
O 2 ions may be irradiated from the other ion gun.

【手続補正８】[Procedure Amendment 8]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００１９[Correction target item name] 0019

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００１９】−エッチング工程− イオンガンとして、図８にみるように、化学的イオンエ
ッチング用ガン（反応性ガス用イオンガン）と物理的イ
オンエッチング用ガン（不活性ガス用イオンガン）を用
意する。反応性ガスとしてＣＦ４ガスを用い、不活性ガ
スとしてＡｒガスを用い、例えば、２：１の流量比で、
それぞれのガス導入口から導入し、チャンバーＣＨ内に
導入し、チャンバーＣＨ内の真空度が４×１０ −４Ｔｏ
ｒｒに保たれるようにする。但し、化学的イオンエッチ
ング用ガンはマイクロ波イオン源等を用いる。-Etching Step-As ion guns, as shown in FIG. 8, a chemical ion etching gun (reactive gas ion gun) and a physical ion etching gun (inert gas ion gun) are prepared. CF 4 gas is used as the reactive gas and Ar gas is used as the inert gas. For example, at a flow rate ratio of 2: 1,
It is introduced from each gas introduction port and introduced into the chamber CH, and the degree of vacuum in the chamber CH is 4 × 10 −4 To.
so that it is kept at rr . However, a microwave ion source or the like is used for the chemical ion etching gun.

【手続補正９】[Procedure Amendment 9]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００２０】両ガンからイオンビームを同時に照射す
る。化学的イオンエッチング用ガンの照射条件は、加速
電圧１０００Ｖ、ビーム電流密度０．２ｍＡ／ｃｍ−２
であり、物理的イオンエッチング用ガンの照射条件は、
加速電圧１５００Ｖ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ
−２であり、照射時間は１分３０秒である。化学的およ
び物理的イオンエッチングを併用した場合は、不活性ガ
スイオンの照射で化学反応が促進され、化学反応による
エッチング速度が速まる。同時に不活性ガスイオン自身
によるスパッタリング効果で基板表面をエッチングする
だけでなく、この例ではＣの付着・堆積を防ぐ働きもす
る。いずれか一方だけのイオンエッチングに比べ、非常
にエッチング速度が速い。Ion beams are simultaneously emitted from both guns. The irradiation conditions of the chemical ion etching gun are: acceleration voltage 1000 V , beam current density 0.2 mA / cm −2.
And the irradiation conditions of the physical ion etching gun are:
Accelerating voltage 1500 V , beam current density 1.0 mA / cm
-2 , and the irradiation time is 1 minute and 30 seconds. When both chemical and physical ion etching are used, the chemical reaction is accelerated by the irradiation of the inert gas ions, and the etching rate by the chemical reaction is accelerated. At the same time, not only the substrate surface is etched by the sputtering effect of the inert gas ions themselves, but also in this example, it functions to prevent the attachment and deposition of C. The etching rate is much faster than the ion etching of only one of them.

【手続補正１０】[Procedure Amendment 10]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００２２[Name of item to be corrected] 0022

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００２２】−エッチング工程− 図９にみるように、アルミナ基板１の表面に立てた法線
に対し、例えば、入射角度６０°の角度でイオンビーム
を照射する。イオンが直接当たる部分と当たらない部分
ができる。イオンが直接当たる凸部分はエッチングされ
るが、凹部分は陰になって殆どエッチングされない。そ
のため、アルミナ基板１表面が平滑化されると同時に超
微細な凹凸が形成される。なお、照射条件は、加速電圧
４００Ｖ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ２、照射時
間２分である。-Etching Step-As shown in FIG. 9, an ion beam is applied to the normal line standing on the surface of the alumina substrate 1 at an incident angle of 60 °, for example. There will be a part where the ions directly hit and a part where the ions do not hit. The convex portion where the ions directly hit is etched, but the concave portion is shaded and is hardly etched. Therefore, the surface of the alumina substrate 1 is smoothed and, at the same time, ultrafine irregularities are formed. The irradiation conditions are an acceleration voltage of 400 V , a beam current density of 1.0 mA / cm 2 , and an irradiation time of 2 minutes.

【手続補正１１】[Procedure Amendment 11]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００２３[Name of item to be corrected] 0023

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００２３】また、図１０にみるように、二つのイオン
ガンＡ、Ｂをアルミナ基板１の表面に立てた法線に対し
角度を付けて取り付けておき、両ガンからイオンビーム
を斜め照射するようにしてもよい。この場合、一方を化
学的イオンエッチング用ガン（反応性ガス用イオンガ
ン）とし、他方を物理的イオンエッチング用ガン（不活
性ガス用イオンガン）としてもよい。勿論、両ガンＡ、
Ｂを物理的イオンエッチング用ガンとして、照射条件
は、加速電圧４００Ｖ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃ
ｍ２とすれば、イオン量が倍になるため上記よりも短い
約１分の照射時間で処理が可能である。又、イオンガン
数を増やすことで処理速度は速くなる。 Further, as shown in FIG. 10, the two ion guns A and B are attached at an angle with respect to a normal line standing on the surface of the alumina substrate 1 so that the ion beams are obliquely irradiated from both guns. May be. In this case, one may be a chemical ion etching gun (reactive gas ion gun) and the other may be a physical ion etching gun (inert gas ion gun). Of course, both guns A,
Using B as a gun for physical ion etching, the irradiation conditions are an acceleration voltage of 400 V and a beam current density of 1.0 mA / c.
When m 2 is set, the amount of ions is doubled, so that the treatment can be performed in a shorter irradiation time of about 1 minute than the above. Also, ion gun
The processing speed becomes faster by increasing the number.

【手続補正１２】[Procedure Amendment 12]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】００２６[Correction target item name] 0026

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【００２６】イオンビームの照射条件は、加速電圧４０
０Ｖ、ビーム電流密度１．０ｍＡ／ｃｍ２、照射時間２
分である。上記実施例１〜５の場合、基板の種類はアル
ミナに限らないし、反応性ガスや不活性ガス等のイオン
種も例示のものに限らない。基板の種類にあった反応性
ガスを用いればよい。装置構造や具体的条件の数値も例
示のものに限らない。Ion beam irradiation conditions are acceleration voltage 40
0 V , beam current density 1.0 mA / cm 2 , irradiation time 2
Minutes. In the case of Examples 1 to 5 above, the type of substrate is not limited to alumina, and the ionic species such as reactive gas and inert gas are not limited to the examples. A reactive gas suitable for the type of substrate may be used. Numerical values of the device structure and specific conditions are not limited to the examples.

【手続補正１３】[Procedure Amendment 13]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】図面の簡単な説明[Name of item to be corrected] Brief description of the drawing

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の未研磨表面部分のインオンビームエッチング処理後の
状態をあらわす概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state of an unpolished surface portion of a ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention after in-on-beam etching treatment.

【図２】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の研磨表面部分のインオンビームエッチング処理前の状
態をあらわす概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the state before the in-on-beam etching treatment of the polished surface portion of the ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention.

【図３】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の研磨表面部分のインオンビームエッチング処理後の状
態をあらわす概略断面図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a state after the in-on-beam etching treatment of the polished surface portion of the ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention.

【図４】この発明の方法の実施に用いるセラミック基板
の未研磨表面部分にインオンビームエッチングを斜めに
照射するときの様子をあらわす概略説明図である。FIG. 4 is a schematic explanatory view showing a state in which an unpolished surface portion of a ceramic substrate used for carrying out the method of the present invention is obliquely irradiated with in-on-beam etching.

【図５】この発明の方法の実施に用いる装置のエッチン
グ処理時の状態をあらわす説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a state at the time of etching processing of an apparatus used for carrying out the method of the present invention.

【図６】この発明の方法の実施に用いる装置の金属膜形
成時の状態をあらわす説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing a state at the time of forming a metal film of an apparatus used for carrying out the method of the present invention.

【図７】実施例２の変形例におけるイオンガンとアルミ
ナ基板をあらわす概略斜視図である。FIG. 7 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in a modified example of the second embodiment.

【図８】実施例３におけるイオンガンとアルミナ基板を
あらわす概略斜視図である。FIG. 8 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in Example 3.

【図９】実施例４におけるイオンガンとアルミナ基板を
あらわす概略斜視図である。FIG. 9 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in Example 4.

【図１０】実施例４の変形例におけるイオンガンとアル
ミナ基板をあらわす概略斜視図である。FIG. 10 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in a modified example of the fourth embodiment.

【図１１】実施例５におけるイオンガンとアルミナ基板
をあらわす概略斜視図である。FIG. 11 is a schematic perspective view showing an ion gun and an alumina substrate in Example 5.

【図１２】従来の方法の実施に用いるセラミック基板の
未研磨表面部分の湿式エッチング処理前の状態をあらわ
す概略断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view showing a state before a wet etching process of an unpolished surface portion of a ceramic substrate used for carrying out a conventional method.

【図１３】従来の方法の実施に用いるセラミック基板の
未研磨表面部分のインオンビームエッチング処理後の状
態をあらわす概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view showing a state of the unpolished surface portion of the ceramic substrate used for performing the conventional method after the in-on-beam etching treatment.

【符合の説明】 １ アルミナ基板（セラミック基板） ２ イオンガン ３ Ｃｕターゲルト ４ シャッタ ５ 基板ホルダー[Explanation of sign] 1 Alumina substrate (ceramic substrate) 2 ion gun 3 Cu Tergelt 4 shutter 5 board holder

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 イオンビームエッチング処理により結晶
粒表面に超微細な凹凸が形成されているセラミック表面
に、金属膜を蒸着により形成するようにするセラミック
回路基板の製造方法。1. A method of manufacturing a ceramic circuit board, wherein a metal film is formed by vapor deposition on a ceramic surface having ultrafine irregularities formed on the surface of crystal grains by ion beam etching. 【請求項２】 イオンビームエッチング処理が、反応性
ガスを用いた化学反応を伴うエッチング処理によってい
る請求項１記載のセラミック回路基板の製造方法。2. The method for manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, wherein the ion beam etching treatment is an etching treatment involving a chemical reaction using a reactive gas. 【請求項３】 イオンビームエッチング処理が、イオン
ビームをセラミック基板表面に斜め方向から照射するこ
とによってなされたものである請求項１または２記載の
セラミック回路基板の製造方法。3. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, wherein the ion beam etching treatment is performed by irradiating the surface of the ceramic substrate with an ion beam from an oblique direction.
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