JPH02164784A - Production of ceramic circuit board - Google Patents
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Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 73
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 73
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 62
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 11
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はセラミック回路基板の製造方法に関し、特に
、セラミック基板の表面に、導体回路を構成する導体金
泥層を形成する方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a method for manufacturing a ceramic circuit board, and more particularly to a method for forming a conductive gold layer constituting a conductor circuit on the surface of a ceramic circuit board.
セラミックスを基材とするセラミック回路基板は、耐熱
性に優れる、高周波特性が良い、熱膨張率がＳｉ半導体
に近いのでペアチップを搭載でき小型化を図れる、等の
優れた特徴を有しているが、基材であるセラミックスと
、導体回路を構成するＣｕ等の導体金属との接合が難し
い。この問題を解決する為に、種々の方法が開発されて
おり、例えば、セラミック基板の表面をプラズマエツチ
ングして導体金属の接合性を高めた後、スパッタ法、蒸
着法、あるいはイオンブレーティング法等で導体金属を
成膜する方法が特公昭６ｍ−２２９５７号公報に開示さ
れている。また、セラミック基板の表面に、セラミック
スと接合し易いＴｉ、Ｃｒ等を中間層として薄く成膜し
た後、Ｃｕ等の導体金属を成膜する方法が特開昭５５−
６９２５５号公報ばかに開示されている。Ceramic circuit boards based on ceramics have excellent characteristics such as excellent heat resistance, good high frequency characteristics, and a coefficient of thermal expansion close to that of Si semiconductors, which allows pair chips to be mounted and miniaturization. It is difficult to bond the ceramic base material and the conductive metal such as Cu that constitutes the conductive circuit. In order to solve this problem, various methods have been developed. For example, after plasma etching the surface of the ceramic substrate to improve the bondability of the conductive metal, sputtering, vapor deposition, or ion-blating methods etc. A method for forming a conductive metal film is disclosed in Japanese Patent Publication No. 6m-22957. In addition, there is a method in which a thin film of Ti, Cr, etc., which is easily bonded to ceramics, is formed as an intermediate layer on the surface of a ceramic substrate, and then a conductive metal such as Cu is formed into a film.
It is disclosed in the publication No. 69255.
ところが、上記先行技術のうち、プラズマエツチングを
行う方法の場合、セラミック基板を高エネルギーのプラ
ズマ中にさらす為、基板温度が急激に上昇したり、処理
の均一性に欠けるという欠点があり、その上に形成され
る導体金属層の電気特性等が悪くなるという問題があっ
た。また、ＴｉやＣｒの中間層を形成する方法は、後工
程で導体金属層をエツチングして導体回路を形成する際
に、中間層もエツチングしなければならず、エツチング
が容易でなくなるという問題があった。However, among the above-mentioned prior art methods, in the case of plasma etching methods, the ceramic substrate is exposed to high-energy plasma, which has the drawbacks of a rapid rise in substrate temperature and a lack of uniformity in processing. There was a problem in that the electrical characteristics etc. of the conductive metal layer formed on the wafer were deteriorated. Furthermore, the method of forming an intermediate layer of Ti or Cr has the problem that the intermediate layer must also be etched when etching the conductive metal layer to form a conductor circuit in a later process, making etching difficult. there were.
そこで、この発明の課題は、上記のような従来技術の問
題点を解消し、セラミック基板と導体金属層の接合性す
なわち密着性に優れるとともに、電気特性等も良好なセ
ラミック回路基板を製造することのできる方法を提供す
ることにある。Therefore, it is an object of this invention to solve the problems of the prior art as described above, and to manufacture a ceramic circuit board that has excellent bonding or adhesion between the ceramic substrate and the conductive metal layer, and also has good electrical properties. The goal is to provide a method that allows for
〔課題を解決するための手段〕
上記課題を解決する、この発明のうち、請求項！記載の
発明は、セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で不活
性ガスのイオンビームを照射した後、ＰＶＤ法によって
導体金属層を形成するよってしている。[Means for solving the problem] Claims of this invention that solve the above problem! The described invention involves irradiating the surface of a ceramic substrate with an ion beam of an inert gas in a vacuum atmosphere, and then forming a conductive metal layer by a PVD method.
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の実施に際
し、セラミック基板に形成された導体金属層の表面に、
さらに、真空雰囲気下で不活性ガスのイオンビームを照
射するようにしている。The invention set forth in claim 2 provides that, when carrying out the invention set forth in claim 1, on the surface of the conductive metal layer formed on the ceramic substrate,
Furthermore, the ion beam of an inert gas is irradiated in a vacuum atmosphere.
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明の実施に際
し、セラミック基板の表面に対して、真空雰囲気下にお
ける不活性ガスのイオンビーム照射と、ＰＶＤ法による
導体金属層の形成を繰り返すようにしている。The invention according to claim 3, when carrying out the invention according to claim 2, repeats ion beam irradiation of an inert gas in a vacuum atmosphere and formation of a conductive metal layer by PVD method on the surface of a ceramic substrate. I have to.
請求項４記載の発明は、請求項１〜３記載の発明の実施
に際し、不活性ガスのイオンビームのエネルギーが２０
０ｅＶ〜２０ｋｅＶであるようにしている。The invention according to claim 4 is characterized in that when the invention according to claims 1 to 3 is carried out, the energy of the inert gas ion beam is 20
It is set to be between 0 eV and 20 keV.
セラミック基板の表面に、真空雰囲気下において不活性
ガスのイオンビームを照射すると、セラミンク基板の表
面に付着した汚れの除去、表面の活性化、表面の凹凸除
去による平滑化等の作用があるとともに、これらの作用
が前記したプラズマエツチングに比べて均一であり、ま
た、プラズマビームよりも穏やかに、かつ、均一にセラ
ミック基板が加熱される。このように処理された後にＰ
ＶＤ法によって導体金属層を形成すると、セラミック基
板の表面には汚れがなく充分に活性化されているので基
板と導体金属層との密着性が高くなり、基板が平滑であ
るから導体金属層も平滑に形成され、形成される導体金
属の密度も高く緻密なものとなる。Irradiating the surface of a ceramic substrate with an inert gas ion beam in a vacuum atmosphere has the effect of removing dirt adhering to the surface of the ceramic substrate, activating the surface, and smoothing the surface by removing unevenness. These effects are more uniform than in the plasma etching described above, and the ceramic substrate is heated more gently and uniformly than in the plasma beam. After being processed in this way, P
When a conductive metal layer is formed by the VD method, the surface of the ceramic substrate is clean and sufficiently activated, so the adhesion between the substrate and the conductive metal layer is high, and since the substrate is smooth, the conductive metal layer also The conductive metal is formed smoothly and has a high density.
上記のようにして形成された導体金属層の表面に、さら
に前記同様にイオンビームの照射を行うと、導体金属層
の表面の凹凸除去が行われて、導体金属層の表面の平滑
性および緻密性をさらに向上できる。When the surface of the conductive metal layer formed as described above is further irradiated with an ion beam in the same manner as described above, the unevenness of the surface of the conductive metal layer is removed, and the surface of the conductive metal layer becomes smooth and dense. You can further improve your sexuality.
前記イオンビームの照射と導体金属層の形成さを繰り返
すことによって、導体金属層の厚みを増やすことができ
、■工程では形成できないような分厚い導体金属層を形
成できるとともに、各層の導体金属層の表面がイオンビ
ームの照射によって平滑化されているので、全体の導体
金属層が緻密で平ｌ咎なものとなる。By repeating the above ion beam irradiation and formation of the conductive metal layer, the thickness of the conductive metal layer can be increased, and it is possible to form a thick conductive metal layer that cannot be formed in the step (1). Since the surface is smoothed by ion beam irradiation, the entire conductive metal layer is dense and smooth.
照射するイオンビームのエネルギーを、２００ｅＶ〜２
０ｋｅＶの範囲で実施することによって、前記した各作
用を効率良く発揮させることができる〔実 施 例〕
ついで、この発明を、実施例を示す図面を参照しながら
以下に説明する。The energy of the ion beam to be irradiated is set to 200eV~2
By carrying out the invention in the range of 0 keV, each of the above-mentioned effects can be efficiently exhibited [Example] Next, the present invention will be described below with reference to drawings showing examples.
第１図は、この発明の実施に用いる装置の概略構造を示
しており、真空ポンプ２が接続された真空容器１内に、
セラミック基板Ｐを装着する基板ホルダ３が収容されて
いる。基板ホルダ３は、移動機構４に支持され、水平方
向に移動可能になっている。真空容器ｌ内で、基板ホル
ダ３の下方位置にはイオンガン５が設けられている。イ
オンガン５には、ガス配管５０およびバルブ５３を経て
不活性ガスボンベ５１が接続されており、イオンガン４
から照射される不活性ガスのイオンビームを、上方に配
置された基板ホルダ３のセラミック基板Ｐへ照射できる
ようになっている。ガス配管５０の一部は分岐され、バ
ルブ５４を経て真空容器１に開口されており、この開口
端５２から真空容器１内に不活性ガスを直接供給できる
ようにもなっている。イオンガン５の側方にはスパッタ
リング装置のスパッタカソード６が設けられ、スパッタ
カソード６の上には、導体金属となるターゲット６０が
装着される。そして、基板ホルダ３をスパックカソード
６の上方に移動させた状態で、スパッタリング装置を作
動させれば、ターゲット６０の金属をセラミック基板Ｐ
の表面に堆積させる、いわゆるスパッタリング法による
導体金属層の形成が行えるようになっている。FIG. 1 shows a schematic structure of an apparatus used for carrying out the present invention, in which a vacuum vessel 1 to which a vacuum pump 2 is connected is
A substrate holder 3 to which a ceramic substrate P is mounted is housed. The substrate holder 3 is supported by a moving mechanism 4 and is movable in the horizontal direction. An ion gun 5 is provided below the substrate holder 3 within the vacuum container l. An inert gas cylinder 51 is connected to the ion gun 5 via a gas pipe 50 and a valve 53.
The ceramic substrate P of the substrate holder 3 disposed above can be irradiated with an ion beam of inert gas from above. A part of the gas pipe 50 is branched and opened into the vacuum container 1 through a valve 54, so that an inert gas can be directly supplied into the vacuum container 1 from this open end 52. A sputter cathode 6 of a sputtering device is provided on the side of the ion gun 5, and a target 60 made of a conductive metal is mounted on the sputter cathode 6. Then, by operating the sputtering apparatus with the substrate holder 3 moved above the spuck cathode 6, the metal of the target 60 is transferred to the ceramic substrate P.
It is now possible to form a conductive metal layer by depositing it on the surface of the substrate by a so-called sputtering method.
上記のような装置を用いて、セラミック回路基板を製造
する方法を説明する。A method for manufacturing a ceramic circuit board using the above-mentioned apparatus will be explained.
セラミック基板Ｐは、アルミナ基板等、通常の回路基板
に用いられているセラミック材料からなるものが使用さ
れる。このセラミック基板Ｐを基板ホルダ３に装着して
真空容器１内に挿入する。The ceramic substrate P is made of a ceramic material used for ordinary circuit boards, such as an alumina substrate. This ceramic substrate P is attached to the substrate holder 3 and inserted into the vacuum container 1.
真空ポンプ２を作動させて、真空容器１内を所定の真空
度まで排気する。このときの真空度は、イオンビームの
照射が良好に行える程度に設定しておけばよく、例えば
、５ Ｘ １０−’ＴｏｒｒＴ度に設定する。イオンガ
ン４またはガス配管の開口端５２から真空容器１内にＡ
ｒ等の不活性ガスを供給し、真空ポンプ２で排気しなが
ら、不活性ガス圧がイオンビームの照射に適当な範囲に
なるように、不活性ガスの供給量を調節する。この不活
性ガス圧としては、上記Ａｒガスの場合、例えば、５×
１０−４〜５ Ｘ １０−”Ｔｏｒｒ程度に設定する。The vacuum pump 2 is operated to evacuate the inside of the vacuum container 1 to a predetermined degree of vacuum. The degree of vacuum at this time may be set to such an extent that ion beam irradiation can be performed satisfactorily, and is set to, for example, 5 x 10-'TorrT degrees. A into the vacuum container 1 from the ion gun 4 or the open end 52 of the gas pipe.
While supplying an inert gas such as r, and evacuating with the vacuum pump 2, the amount of inert gas supplied is adjusted so that the inert gas pressure is within a range suitable for ion beam irradiation. In the case of the above-mentioned Ar gas, the inert gas pressure is, for example, 5×
Set to about 10-4 to 5 x 10-'' Torr.
この状態で、イオンガン５で不活性ガスのプラズマを発
生させて不活性ガスのイオンビームを引き出し、このイ
オンビームをセラミック基板Ｐの表面に照射する。イオ
ンビームの照射条件は、セラミック基板Ｐの材質や形状
等によっても違うが、例えば、加速エネルギーを１〜ｌ
、 ５ ｋｅＶに、照射密度を２０μＡ ／ ｃｎｌと
し、照射時間は、セラミック基板Ｐが９６％フルミナ基
板の場合には約１０分間で実施する。この発明の効果を
充分に発揮させるには、イオンビームの加速エネルギー
は、少なくとも２００ｅＶ〜２０ｋｅＶの範囲で実施す
るのが好ましい。In this state, the ion gun 5 generates an inert gas plasma to extract an inert gas ion beam, and the surface of the ceramic substrate P is irradiated with this ion beam. Ion beam irradiation conditions vary depending on the material and shape of the ceramic substrate P, but for example, the acceleration energy is 1 to 1
, 5 keV, the irradiation density is 20 μA/cnl, and the irradiation time is about 10 minutes when the ceramic substrate P is a 96% Flumina substrate. In order to fully exhibit the effects of the present invention, it is preferable that the acceleration energy of the ion beam is at least in the range of 200 eV to 20 keV.
第２図には、セラミック基板Ｐの表面におけるイオンビ
ームの作用を模式的に示しており、イオンビームを照射
する前のセラミック基板Ｐの表面は、粗い凹凸があると
ともに、セラミック基ｉＰの製造工程等で付着した汚れ
等の異物Ｓが残っている。イオンビームが照射されると
、イオン粒子Ｘがセラミック基板Ｐの表面に衝突して、
異物Ｓを除去したり、表面の凹凸のうち、尖った山の先
端Ｔ等を削ることによって平滑化したり、セラミック基
板Ｐの表面付近を活性化Ａしたりする。すなわち、イオ
ンビームには、セラミック基板Ｐの表面をクリーンニン
グする作用、表面を均らして平滑化する作用、あるいは
活性化する作用があるのである。FIG. 2 schematically shows the action of the ion beam on the surface of the ceramic substrate P. The surface of the ceramic substrate P before irradiation with the ion beam has rough irregularities, and the manufacturing process of the ceramic substrate iP Foreign matter S such as dirt attached by etc. remains. When the ion beam is irradiated, the ion particles X collide with the surface of the ceramic substrate P,
The foreign matter S is removed, the surface unevenness is smoothed by scraping the tips T of sharp peaks, and the vicinity of the surface of the ceramic substrate P is activated A. That is, the ion beam has an effect of cleaning the surface of the ceramic substrate P, an effect of leveling and smoothing the surface, or an effect of activating the surface.
イオンビームの照射が終了すれば、イオンガン５の作動
を停止した後、基板ホルダ３を移動させ、セラミック基
４Ｆｉ Ｐをスパッタカソード６の上方に対面させる。When the ion beam irradiation is completed, the operation of the ion gun 5 is stopped, and then the substrate holder 3 is moved so that the ceramic base 4Fi P faces above the sputtering cathode 6.
不活性ガスの供給量と真空ポンプの排気量とを調節して
、不活性ガス圧を、スパッタリング法の実施に適当な値
に調整する。具体的には、前記Ａｒガスの場合、例えば
、３Ｘ１０−”Ｔｏｒｒ程度になるように調整する。こ
の状態で、スパッタリング装置を作動させ、通常のスパ
ッタリングを行い、セラミック基板Ｐの表面にターゲッ
ト６０の金属、例えばＣｕを堆積させて、導体金属層を
形成させる。The inert gas pressure is adjusted to a value suitable for carrying out the sputtering method by adjusting the supply amount of the inert gas and the exhaust amount of the vacuum pump. Specifically, in the case of the Ar gas, it is adjusted to, for example, about 3X10-'' Torr. In this state, the sputtering device is operated and normal sputtering is performed to deposit the target 60 on the surface of the ceramic substrate P. A metal, for example Cu, is deposited to form a conductive metal layer.
こうして導体金属層が形成されたセラミック基板Ｐは、
真空容器１から取り出した後、通常のエツチングその他
の回路形成工程を経て、導体回路が形成され、セラミッ
ク回路基板が製造される。The ceramic substrate P on which the conductive metal layer is formed in this way is
After being removed from the vacuum container 1, a conductor circuit is formed through ordinary etching and other circuit forming processes, and a ceramic circuit board is manufactured.
つぎに、上記の実施例と一部異なる方法について説明す
る。すなわち、上記実施例と同様にして導体金属層が形
成されたセラミック基板Ｐを、真空容器ｌから取り出さ
ずに、再びイオンガン５の上方に移動させ、前記と同様
の工程で、導体金属層の表面に不活性ガスのイオンビー
ムを照射するのである。このイオンビームの照射によっ
て、導体金属層の表面に残っている凹凸の凸部が削られ
て導体金属層の表面がさらに平滑になり、導体金属層を
緻密化できる。このような処理を行ったセラミック基板
Ｐは、導体金属層の上にさらに絶縁層や第２の導体金属
層を形成して、いわゆる多層回路基板を形成するのに好
ましいものとなる。Next, a method that is partially different from the above embodiment will be described. That is, the ceramic substrate P on which the conductive metal layer has been formed in the same manner as in the above embodiment is moved again above the ion gun 5 without being taken out from the vacuum vessel l, and the surface of the conductive metal layer is removed in the same process as described above. ion beam of inert gas is irradiated. By this ion beam irradiation, the uneven convex portions remaining on the surface of the conductive metal layer are shaved off, the surface of the conductive metal layer becomes even smoother, and the conductive metal layer can be made denser. The ceramic substrate P subjected to such treatment is preferable for forming a so-called multilayer circuit board by further forming an insulating layer or a second conductive metal layer on the conductive metal layer.
さらに、別の実施例について説明する。セラミック基板
Ｐにイオンビームを照射した後、スパッタリング法で導
体金属層を形成するのは、前記実施例と同様である。但
し、このときの導体金属層の厚みは、比較的薄く、例え
ば１〜２μ程度に形成する。そして、このような、イオ
ンビームの照射および導体金属層の形成を繰り返すこと
によって、薄い導体金属層を積み重ねて、必要とする厚
さの導体金属層を形成する方法であり、例えば、導体回
路を形成するために１０μの導体金属層が必要な場合に
は、１μの薄い導体金属層を１０層重ねればよく、前記
イオンビームの照射およびスパッタリングを１０回繰り
返せばよいことになる上記のように、薄い導体金属層を
重ねて所定の厚みを形成する方法は、１度のスパッタリ
ング法では形成困難な分厚い導体金属層が形成できると
ともに、各層の導体金属層が形成されるたびに、その表
面をイオンビームの照射によって平滑化しているので、
最終的に形成された導体金属層全体の表面が極めて平滑
化し、かつ、緻密な導体金属層が形成される。Furthermore, another example will be described. After irradiating the ceramic substrate P with an ion beam, a conductive metal layer is formed by sputtering, as in the previous embodiment. However, the thickness of the conductive metal layer at this time is relatively thin, for example, about 1 to 2 μm. This is a method of stacking thin conductive metal layers to form a conductive metal layer of the required thickness by repeating ion beam irradiation and formation of a conductive metal layer. If a 10 μ thick conductive metal layer is required to form a conductive metal layer, it is sufficient to stack 10 1 μ thick conductive metal layers and repeat the ion beam irradiation and sputtering 10 times. The method of stacking thin conductive metal layers to form a predetermined thickness allows the formation of thick conductive metal layers that are difficult to form with a single sputtering method, and the surface of each conductive metal layer is cleaned each time it is formed. Because it is smoothed by ion beam irradiation,
The surface of the entire conductive metal layer finally formed is extremely smooth, and a dense conductive metal layer is formed.
以上に説明した、この発明にかかるセラミック回路基板
の製造方法では、セラミック基板の材質や形状は、前記
実施例以外にも自由に変更でき、セラミック基板に照射
するイオンビームも、前記ＡｒイオンのはかＨｅ、Ｎｅ
あるいはＮイオン等を用いることもできる。In the above-described method for manufacturing a ceramic circuit board according to the present invention, the material and shape of the ceramic substrate can be freely changed other than those in the above-mentioned embodiments, and the ion beam irradiated to the ceramic substrate can also be changed to the Ar ion beam. Or He, Ne
Alternatively, N ions or the like can also be used.
この発明方法を実施するための装置としては、図示した
装置のほか、真空容器１を、イオンビームを照射する部
分とスパッタリングを行う部分とに分けて、ゲートバル
ブ等で開閉自在に分離しておけば、両方の工程を良好に
実施できる。また、図示した装置は、セラミック基板Ｐ
を一定量づづ真空容器１内に収容して、イオンビームの
照射およびスパッタリングを行うバッチ式の装置である
が、セラミック基板Ｐを連続的に供給しながら、順次イ
オンビームの照射およびスパッタリングを行う連続式の
装置で実施することもできる。In addition to the apparatus shown in the figure, the apparatus for carrying out the method of this invention includes a vacuum vessel 1 which is divided into a part for ion beam irradiation and a part for sputtering, which can be opened and closed freely using a gate valve or the like. For example, both steps can be performed successfully. In addition, the illustrated device is a ceramic substrate P
This is a batch-type device in which ion beam irradiation and sputtering are performed by placing a fixed amount of ceramic substrates in a vacuum container 1, but continuous ion beam irradiation and sputtering are performed in sequence while continuously supplying ceramic substrates P. It can also be carried out using a type of apparatus.
具体的なイオンビームの照射機構や照射時のセラミック
基板の配置等は、通常のイオンビーム照射に用いられて
いる各種の照射機構等に変更でき、例えば、図示した実
施例のように、セラミック基板をイオンビームの光軸に
直交するように配置するほか、セラミック基板に対して
１頃斜方向からイオンビームが照射されるようにするこ
ともできる。イオンビームの照射条件も、セラミック基
板の材質等に対応して適宜に変更できる。The specific ion beam irradiation mechanism and the arrangement of the ceramic substrate during irradiation can be changed to various irradiation mechanisms used in normal ion beam irradiation. In addition to arranging the ion beam so as to be perpendicular to the optical axis of the ion beam, it is also possible to irradiate the ceramic substrate with the ion beam from an oblique direction. Ion beam irradiation conditions can also be changed as appropriate depending on the material of the ceramic substrate.
スパッタリング装置は、図示した構造のもののほか、通
常の薄膜形成手段に採用されている各種のスパッタリン
グ装置の構造に変更することもでき、スパッタリング法
の実施条件も、適宜に変更できる。さらに、導体金属層
を形成する方法は、スパッタリング法に限らず、真空蒸
着法やイオンブレーティング法等の、いわゆるＰＶＤ法
の中から、適当な方法を採用することができる。In addition to the structure shown in the drawings, the structure of the sputtering apparatus can be changed to that of various sputtering apparatuses employed in ordinary thin film forming means, and the conditions for implementing the sputtering method can also be changed as appropriate. Furthermore, the method for forming the conductive metal layer is not limited to the sputtering method, and any suitable method can be adopted from among the so-called PVD methods such as the vacuum evaporation method and the ion blasting method.
以上に述べた、この発明のうち、請求項１記載の方法に
よれば、セラミック基板の表面に、真空雰囲気下で不活
性ガスのイオンビームを照射することによって、セラミ
ック基板の表面をクリーンニングし、平滑化し、さらに
活性化することができる。特に、このイオンビーム法は
、従来のプラズマエツチング６手比べて、処理が均一で
あるとともに、セラミック基板を急激に加熱することが
ない。したがって、ＰＶＤ法によって形成する導体金属
層とセラミック基板との密着性を高め、導体金ｎＭを平
滑にして緻密で均一に形成することができる。According to the method according to claim 1 of the present invention described above, the surface of the ceramic substrate is cleaned by irradiating the surface of the ceramic substrate with an ion beam of an inert gas in a vacuum atmosphere. , can be smoothed and further activated. In particular, this ion beam method provides more uniform processing than conventional plasma etching, and does not rapidly heat the ceramic substrate. Therefore, it is possible to improve the adhesion between the conductive metal layer formed by the PVD method and the ceramic substrate, and to make the conductive gold nM smooth and dense and uniform.
このようにして、セラミック基板と導体金ＲＮの密着性
が良くなるので、回路基板の信頼性が高まり、セラミッ
ク基板と導体金属層との界面および導体金属層の表面が
平滑で、導体金属層が緻密に形成されるので、回路基板
を使用したときの、高周波における伝送損失、伝送遅れ
が少な（なって回路基板の電気特性を向上させることが
でき、また、平滑で緻密な導体金属層は、回路形成を行
う際のエツチング精度も高くなるので、高精度な回路を
有するセラミック回路基板を製造できることになる。In this way, the adhesion between the ceramic substrate and the conductive gold RN is improved, so the reliability of the circuit board is increased, and the interface between the ceramic substrate and the conductive metal layer and the surface of the conductive metal layer are smooth, and the conductive metal layer is smooth. Because it is densely formed, there is less transmission loss and transmission delay at high frequencies when the circuit board is used (this can improve the electrical characteristics of the circuit board, and the smooth and dense conductive metal layer Since the etching accuracy when forming the circuit is also increased, it is possible to manufacture a ceramic circuit board having a highly accurate circuit.
請求項２記載の方法によれば、導体金属層の表面にイオ
ンビームを照射することによって、導体金属層の表面を
平滑かつ緻密にできるので、請求項１の上記効果をより
高めることができるとともに、導体金属層の上に絶縁層
を介して第２の導体金属層を積み重ねて形成する、いわ
ゆる多層回路基板を製造する場合に、導体金属層の表面
が平滑なので、その上に絶縁層や第２の導体金属層が形
成し易く、高周波における伝送損失や伝送遅れの少ない
回路基板が製造できる。According to the method according to claim 2, the surface of the conductive metal layer can be made smooth and dense by irradiating the surface of the conductive metal layer with an ion beam, so that the above-mentioned effects of claim 1 can be further enhanced. When manufacturing a so-called multilayer circuit board in which a second conductive metal layer is stacked on top of a conductive metal layer with an insulating layer interposed therebetween, since the surface of the conductive metal layer is smooth, an insulating layer or a second conductive metal layer is stacked on top of it. The second conductive metal layer can be easily formed, and a circuit board with less transmission loss and transmission delay at high frequencies can be manufactured.
請求項３記載の方法によれば、イオンビームの照射とＰ
ＶＤ法による導体金属層の形成を繰り返すことによって
、１回のＰＶＤ法では形成困難な分厚い導体金属層を形
成することができるとともに、個々の段階のＰＶＤ法に
よる導体金属層の形成を最適条件で行えるので、導体金
属層全体の電気的特性をより向上させることができる。According to the method according to claim 3, ion beam irradiation and P
By repeating the formation of a conductive metal layer using the VD method, it is possible to form a thick conductive metal layer that is difficult to form with a single PVD method, and it is also possible to form a conductive metal layer using the PVD method in each step under optimal conditions. Therefore, the electrical characteristics of the entire conductive metal layer can be further improved.
請求項４記載の方法によれば、イオンビームの出力を一
定の強さ範囲に限定することによって、前記した各請求
項記載の発明の効果を効率的に発揮することができる。According to the method set forth in claim 4, by limiting the output of the ion beam to a certain intensity range, the effects of the inventions set forth in each of the above claims can be efficiently exhibited.
第１図はこの発明の製造方法の実施に用いる装置の概略
構成図であり、第２図はイオンビーム照射のよる作用を
説明する模式的説明図である。
ｌ・・・真空容器 ２・・・真空ポンプ ３・・・基板
ホルダ ５・・・イオンガン ５１・・・不活性ガスボ
ンベ６・・・スパッタカソード ６０・・・ターゲット
Ｐ・・・セラミック基板
代理人 弁理士 松 本 武 彦FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an apparatus used to carry out the manufacturing method of the present invention, and FIG. 2 is a schematic explanatory diagram illustrating the effect of ion beam irradiation. L...Vacuum container 2...Vacuum pump 3...Substrate holder 5...Ion gun 51...Inert gas cylinder 6...Sputter cathode 60...Target P...Ceramic substrate agent Patent attorney Takehiko Matsumoto
Claims (1)
スのイオンビームを照射した後、ＰＶＤ法によって導体
金属層を形成するセラミック回路基板の製造方法。 ２ セラミック基板に形成された導体金属層の表面に、
さらに、真空雰囲気下で不活性ガスのイオンビームを照
射する請求項１記載のセラミック回路基板の製造方法。 ３ セラミック基板の表面に対して、真空雰囲気下にお
ける不活性ガスのイオンビーム照射と、ＰＶＤ法による
導体金属層の形成を繰り返す請求項２記載のセラミック
回路基板の製造方法。 ４ 不活性ガスのイオンビームのエネルギーが２００ｅ
Ｖ〜２０ｋｅＶである請求項１〜３の何れかに記載のセ
ラミック回路基板の製造方法。[Scope of Claims] 1. A method for manufacturing a ceramic circuit board, in which the surface of the ceramic substrate is irradiated with an ion beam of an inert gas in a vacuum atmosphere, and then a conductive metal layer is formed by a PVD method. 2. On the surface of the conductive metal layer formed on the ceramic substrate,
2. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 1, further comprising irradiating with an ion beam of an inert gas in a vacuum atmosphere. 3. The method of manufacturing a ceramic circuit board according to claim 2, wherein the surface of the ceramic substrate is repeatedly irradiated with an inert gas ion beam in a vacuum atmosphere and the formation of a conductive metal layer by a PVD method is repeated. 4 The energy of the inert gas ion beam is 200e
The method for manufacturing a ceramic circuit board according to any one of claims 1 to 3, wherein the voltage is V to 20 keV.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31798488A JP2613935B2 (en) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Manufacturing method of ceramic circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31798488A JP2613935B2 (en) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Manufacturing method of ceramic circuit board |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164784A true JPH02164784A (en) | 1990-06-25 |
| JP2613935B2 JP2613935B2 (en) | 1997-05-28 |
Family
ID=18094185
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31798488A Expired - Lifetime JP2613935B2 (en) | 1988-12-15 | 1988-12-15 | Manufacturing method of ceramic circuit board |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613935B2 (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04323887A (en) * | 1991-04-23 | 1992-11-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of forming conductor film of ceramic circuit board |
| JP2006307318A (en) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Kobe Steel Ltd | Method for producing alpha-alumina layer-formed member and surface treatment |
| DE102006000149B4 (en) * | 2005-03-31 | 2016-09-22 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | A method of producing an element formed with an α-alumina layer |
| KR20190033627A (en) * | 2016-08-19 | 2019-03-29 | 하니웰 페드럴 매뉴팩처링 ＆ 테크놀로지스, 엘엘시 | Circuit board and method of forming the same |
-
1988
- 1988-12-15 JP JP31798488A patent/JP2613935B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04323887A (en) * | 1991-04-23 | 1992-11-13 | Matsushita Electric Works Ltd | Method of forming conductor film of ceramic circuit board |
| JP2006307318A (en) * | 2005-03-31 | 2006-11-09 | Kobe Steel Ltd | Method for producing alpha-alumina layer-formed member and surface treatment |
| DE102006000149B4 (en) * | 2005-03-31 | 2016-09-22 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | A method of producing an element formed with an α-alumina layer |
| KR20190033627A (en) * | 2016-08-19 | 2019-03-29 | 하니웰 페드럴 매뉴팩처링 ＆ 테크놀로지스, 엘엘시 | Circuit board and method of forming the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613935B2 (en) | 1997-05-28 |
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