JPH05243581A - 不揮発性メモリ装置 - Google Patents

不揮発性メモリ装置

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JPH05243581A
JPH05243581A JP4043060A JP4306092A JPH05243581A JP H05243581 A JPH05243581 A JP H05243581A JP 4043060 A JP4043060 A JP 4043060A JP 4306092 A JP4306092 A JP 4306092A JP H05243581 A JPH05243581 A JP H05243581A
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JP
Japan
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film
cell
covered
ray
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Application number
JP4043060A
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English (en)
Inventor
Shozo Shirota
省三 城田
Takahiro Otsuka
隆広 大塚
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Priority to DE4305849A priority patent/DE4305849C2/de
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Priority to US08/503,258 priority patent/US5519246A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices

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  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 情報保持動作の信頼性を向上した不揮発性メ
モリ装置を得る。 【構成】 ＵＰＲＯＭのメモリーセルをＰＩＸ膜１で覆
う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、不揮発性メモリ装置
に関し、特に紫外線照射においても情報を保持し続ける
不揮発性メモリ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の不揮発性メモリ装置の構
成を断面で示す正面図であり、図において、２はＡｌ被
膜、３はｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜、４は酸化膜、５は
コントロールゲート、６はフローティングゲート、７は
ｎ+ ソース（ｎ+ ドレイン）、８はｎ+ ドレイン（ｎ+
ソース）、９はＰ形シリコン基板である。
【０００３】次に動作について説明する。図３におい
て、いま、ＥＰＲＯＭの情報消去のため、紫外線照射し
たとすると、情報を消去したくないＥＰＲＯＭ部（ＵＰ
ＲＯＭ部）のメモリーセル上は、Ａｌ被膜２で覆われて
いるため紫外線が透過されず、酸化膜４、カントロール
ゲート５、フローティングゲート６、ｎ+ ソース（ｎ+
ドレイン）、ｎ+ ドレイン（ｎ+ ソース）、Ｐ形シリコ
ン基板で構成されるメモリーセルの情報は消去されな
い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の不揮発性メモリ
装置は以上のように構成されているので、Ａｌ被膜２の
回りを空けなければならないので、パターンの制約を受
けることになり、また、紫外線照射時に紫外線がＡｌ被
膜２を回り込んでメモリセルへ届き、動作が不安定にな
るなどの問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、パターン形状の制約を解除し紫
外線照射後の信頼性を向上する不揮発性メモリ装置を得
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる回路図
作成表示装置は、ＵＰＲＯＭのメモリーセルをＰＩＸ膜
で覆うようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明における不揮発性メモリ装置は、紫外
線照射時にＰＩＸ膜で覆った部分の情報を保護する。
【０００８】
【実施例】実施例１．以下、この発明の実施例１を図に
ついて説明する。図１はこの発明の実施例１による不揮
発性メモリ装置を断面で示す正面図であり、図において
１はＰＩＸ膜、３はｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜、４は酸
化膜、５はコントロールゲート、６はフローティングゲ
ート、７はｎ+ ソース（ｎ+ ドレイン）、８はｎ+ ドレ
イン（ｎ+ ソース）、９はＰ形シリコン基板である。
【０００９】次に動作について説明する。図１におい
て、いま、ＥＰＲＯＭの情報消去のため紫外線照射をし
たとすると、情報を消去したくないＥＰＲＯＭ部（ＵＰ
ＲＯＭ部）のメモリーセル上は、紫外線を透過しないＰ
ＩＸ膜１で覆われているので、酸化膜４、コントロール
ゲート５、フローティングゲート６、ｎ+ ソース（ｎ+
ドレイン）７、ｎ+ ドレイン（ｎ+ ソース）、Ｐ形シリ
コン基板９で構成されるメモリーセルに紫外線が届か
ず、メモリーセルの情報は消去されない。
【００１０】実施例２．図２はこの発明の実施例２によ
る不揮発性メモリ装置を断面で示す正面図で、図示４〜
９で構成されるメモリセル上をＡｌ被膜２で覆い、この
Ａｌ被膜２の上にｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜３を挟み、
ＰＩＸ膜１で覆ってもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、ＵＰＲ
ＯＭのメモリーセルをＰＩＸ膜で覆う構成としたので、
パターン形状の制約を受けることなく、広範囲にメモリ
セル上を覆うことができ、紫外線照射後の動作の信頼性
を向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例１による不揮発性メモリ装置
を断面で示す正面図である。
【図２】この発明の実施例２による不揮発性メモリ装置
を断面で示す正面図である。
【図３】従来の不揮発性メモリ装置を断面で示す正面図
である。
【符号の説明】
１ ＰＩＸ膜 ２ ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ膜 ４ 酸化膜 ５ コントロール膜 ６ フローティングゲート ７ ｎ+ ソース（ｎ+ ドレイン） ８ ｎ+ ドレイン（ｎ+ ソース） ９ Ｐ形シリコン基板

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 紫外線照射時に保持すべき情報を保持さ
    せる不揮発性メモリ装置において、メモリセルの上にＰ
    ＩＸ膜を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
JP4043060A 1992-02-28 1992-02-28 不揮発性メモリ装置 Pending JPH05243581A (ja)

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JP4043060A JPH05243581A (ja) 1992-02-28 1992-02-28 不揮発性メモリ装置
DE4305849A DE4305849C2 (de) 1992-02-28 1993-02-25 Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer Polyimid-Maskenschicht
US08/503,258 US5519246A (en) 1992-02-28 1995-07-17 Nonvolatile memory apparatus using an ultraviolet impermeable resin film

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JPH05243581A true JPH05243581A (ja) 1993-09-21

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ID=12653329

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US (1) US5519246A (ja)
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DE (1) DE4305849C2 (ja)

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Also Published As

Publication number Publication date
US5519246A (en) 1996-05-21
DE4305849C2 (de) 1995-07-06
DE4305849A1 (en) 1993-09-02

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