JPH05243581A - 不揮発性メモリ装置 - Google Patents
不揮発性メモリ装置Info
- Publication number
- JPH05243581A JPH05243581A JP4043060A JP4306092A JPH05243581A JP H05243581 A JPH05243581 A JP H05243581A JP 4043060 A JP4043060 A JP 4043060A JP 4306092 A JP4306092 A JP 4306092A JP H05243581 A JPH05243581 A JP H05243581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cell
- covered
- ray
- information
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 情報保持動作の信頼性を向上した不揮発性メ
モリ装置を得る。 【構成】 UPROMのメモリーセルをPIX膜1で覆
う。
モリ装置を得る。 【構成】 UPROMのメモリーセルをPIX膜1で覆
う。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、不揮発性メモリ装置
に関し、特に紫外線照射においても情報を保持し続ける
不揮発性メモリ装置に関するものである。
に関し、特に紫外線照射においても情報を保持し続ける
不揮発性メモリ装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図3は、従来の不揮発性メモリ装置の構
成を断面で示す正面図であり、図において、2はAl被
膜、3はpassivation膜、4は酸化膜、5は
コントロールゲート、6はフローティングゲート、7は
n+ ソース(n+ ドレイン)、8はn+ ドレイン(n+
ソース)、9はP形シリコン基板である。
成を断面で示す正面図であり、図において、2はAl被
膜、3はpassivation膜、4は酸化膜、5は
コントロールゲート、6はフローティングゲート、7は
n+ ソース(n+ ドレイン)、8はn+ ドレイン(n+
ソース)、9はP形シリコン基板である。
【0003】次に動作について説明する。図3におい
て、いま、EPROMの情報消去のため、紫外線照射し
たとすると、情報を消去したくないEPROM部(UP
ROM部)のメモリーセル上は、Al被膜2で覆われて
いるため紫外線が透過されず、酸化膜4、カントロール
ゲート5、フローティングゲート6、n+ ソース(n+
ドレイン)、n+ ドレイン(n+ ソース)、P形シリコ
ン基板で構成されるメモリーセルの情報は消去されな
い。
て、いま、EPROMの情報消去のため、紫外線照射し
たとすると、情報を消去したくないEPROM部(UP
ROM部)のメモリーセル上は、Al被膜2で覆われて
いるため紫外線が透過されず、酸化膜4、カントロール
ゲート5、フローティングゲート6、n+ ソース(n+
ドレイン)、n+ ドレイン(n+ ソース)、P形シリコ
ン基板で構成されるメモリーセルの情報は消去されな
い。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の不揮発性メモリ
装置は以上のように構成されているので、Al被膜2の
回りを空けなければならないので、パターンの制約を受
けることになり、また、紫外線照射時に紫外線がAl被
膜2を回り込んでメモリセルへ届き、動作が不安定にな
るなどの問題点があった。
装置は以上のように構成されているので、Al被膜2の
回りを空けなければならないので、パターンの制約を受
けることになり、また、紫外線照射時に紫外線がAl被
膜2を回り込んでメモリセルへ届き、動作が不安定にな
るなどの問題点があった。
【0005】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、パターン形状の制約を解除し紫
外線照射後の信頼性を向上する不揮発性メモリ装置を得
ることを目的とする。
ためになされたもので、パターン形状の制約を解除し紫
外線照射後の信頼性を向上する不揮発性メモリ装置を得
ることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係わる回路図
作成表示装置は、UPROMのメモリーセルをPIX膜
で覆うようにしたものである。
作成表示装置は、UPROMのメモリーセルをPIX膜
で覆うようにしたものである。
【0007】
【作用】この発明における不揮発性メモリ装置は、紫外
線照射時にPIX膜で覆った部分の情報を保護する。
線照射時にPIX膜で覆った部分の情報を保護する。
【0008】
【実施例】実施例1.以下、この発明の実施例1を図に
ついて説明する。図1はこの発明の実施例1による不揮
発性メモリ装置を断面で示す正面図であり、図において
1はPIX膜、3はpassivation膜、4は酸
化膜、5はコントロールゲート、6はフローティングゲ
ート、7はn+ ソース(n+ ドレイン)、8はn+ ドレ
イン(n+ ソース)、9はP形シリコン基板である。
ついて説明する。図1はこの発明の実施例1による不揮
発性メモリ装置を断面で示す正面図であり、図において
1はPIX膜、3はpassivation膜、4は酸
化膜、5はコントロールゲート、6はフローティングゲ
ート、7はn+ ソース(n+ ドレイン)、8はn+ ドレ
イン(n+ ソース)、9はP形シリコン基板である。
【0009】次に動作について説明する。図1におい
て、いま、EPROMの情報消去のため紫外線照射をし
たとすると、情報を消去したくないEPROM部(UP
ROM部)のメモリーセル上は、紫外線を透過しないP
IX膜1で覆われているので、酸化膜4、コントロール
ゲート5、フローティングゲート6、n+ ソース(n+
ドレイン)7、n+ ドレイン(n+ ソース)、P形シリ
コン基板9で構成されるメモリーセルに紫外線が届か
ず、メモリーセルの情報は消去されない。
て、いま、EPROMの情報消去のため紫外線照射をし
たとすると、情報を消去したくないEPROM部(UP
ROM部)のメモリーセル上は、紫外線を透過しないP
IX膜1で覆われているので、酸化膜4、コントロール
ゲート5、フローティングゲート6、n+ ソース(n+
ドレイン)7、n+ ドレイン(n+ ソース)、P形シリ
コン基板9で構成されるメモリーセルに紫外線が届か
ず、メモリーセルの情報は消去されない。
【0010】実施例2.図2はこの発明の実施例2によ
る不揮発性メモリ装置を断面で示す正面図で、図示4〜
9で構成されるメモリセル上をAl被膜2で覆い、この
Al被膜2の上にpassivation膜3を挟み、
PIX膜1で覆ってもよい。
る不揮発性メモリ装置を断面で示す正面図で、図示4〜
9で構成されるメモリセル上をAl被膜2で覆い、この
Al被膜2の上にpassivation膜3を挟み、
PIX膜1で覆ってもよい。
【0011】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、UPR
OMのメモリーセルをPIX膜で覆う構成としたので、
パターン形状の制約を受けることなく、広範囲にメモリ
セル上を覆うことができ、紫外線照射後の動作の信頼性
を向上するという効果がある。
OMのメモリーセルをPIX膜で覆う構成としたので、
パターン形状の制約を受けることなく、広範囲にメモリ
セル上を覆うことができ、紫外線照射後の動作の信頼性
を向上するという効果がある。
【図1】この発明の実施例1による不揮発性メモリ装置
を断面で示す正面図である。
を断面で示す正面図である。
【図2】この発明の実施例2による不揮発性メモリ装置
を断面で示す正面図である。
を断面で示す正面図である。
【図3】従来の不揮発性メモリ装置を断面で示す正面図
である。
である。
1 PIX膜 2 passivation膜 4 酸化膜 5 コントロール膜 6 フローティングゲート 7 n+ ソース(n+ ドレイン) 8 n+ ドレイン(n+ ソース) 9 P形シリコン基板
Claims (1)
- 【請求項1】 紫外線照射時に保持すべき情報を保持さ
せる不揮発性メモリ装置において、メモリセルの上にP
IX膜を設けたことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4043060A JPH05243581A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 不揮発性メモリ装置 |
DE4305849A DE4305849C2 (de) | 1992-02-28 | 1993-02-25 | Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit einer Polyimid-Maskenschicht |
US08/503,258 US5519246A (en) | 1992-02-28 | 1995-07-17 | Nonvolatile memory apparatus using an ultraviolet impermeable resin film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4043060A JPH05243581A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 不揮発性メモリ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05243581A true JPH05243581A (ja) | 1993-09-21 |
Family
ID=12653329
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4043060A Pending JPH05243581A (ja) | 1992-02-28 | 1992-02-28 | 不揮発性メモリ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5519246A (ja) |
JP (1) | JPH05243581A (ja) |
DE (1) | DE4305849C2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6350651B1 (en) * | 1999-06-10 | 2002-02-26 | Intel Corporation | Method for making flash memory with UV opaque passivation layer |
DE10229463B4 (de) * | 2002-07-01 | 2008-12-11 | Qimonda Ag | Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
US7118967B1 (en) * | 2003-02-19 | 2006-10-10 | Spansion, Llc | Protection of charge trapping dielectric flash memory devices from UV-induced charging in BEOL processing |
US7311385B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-12-25 | Lexmark International, Inc. | Micro-fluid ejecting device having embedded memory device |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62143476A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-26 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
US4758869A (en) * | 1986-08-29 | 1988-07-19 | Waferscale Integration, Inc. | Nonvolatile floating gate transistor structure |
JPS63138734A (ja) * | 1986-12-01 | 1988-06-10 | Toray Ind Inc | 三層レジストによるパタ−ン形成方法 |
US4847667A (en) * | 1987-02-27 | 1989-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Ultraviolet erasable nonvolatile semiconductor memory device |
JPH01145869A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-06-07 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 冗長回路付きuvepromの製造方法 |
JP2672974B2 (ja) * | 1988-06-10 | 1997-11-05 | 株式会社メニコン | 眼内レンズ |
JPH0249451A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Iwata Denko Kk | 半導体用キャップ |
EP0642168B1 (en) * | 1989-07-18 | 1998-09-23 | Sony Corporation | Non-volatile semiconductor memory device |
FR2656156A1 (fr) * | 1989-12-16 | 1991-06-21 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre entierement protege des rayons ultra-violets. |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP4043060A patent/JPH05243581A/ja active Pending
-
1993
- 1993-02-25 DE DE4305849A patent/DE4305849C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-07-17 US US08/503,258 patent/US5519246A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5519246A (en) | 1996-05-21 |
DE4305849C2 (de) | 1995-07-06 |
DE4305849A1 (en) | 1993-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4561004A (en) | High density, electrically erasable, floating gate memory cell | |
US4317272A (en) | High density, electrically erasable, floating gate memory cell | |
US5526307A (en) | Flash EPROM integrated circuit architecture | |
US5153144A (en) | Method of making tunnel EEPROM | |
US5618742A (en) | Method of making flash EPROM with conductive sidewall spacer contacting floating gate | |
JPS55156371A (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
USRE37959E1 (en) | Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same | |
JPH05243581A (ja) | 不揮発性メモリ装置 | |
JPS57112077A (en) | Fixed semiconductor memory | |
EP0399527A2 (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
WO1996008840A1 (en) | A flash eprom transistor array and method for manufacturing the same | |
JP4224148B2 (ja) | 非揮発性半導体素子の製造方法 | |
US6472272B1 (en) | Castled active area mask | |
JPH0352269A (ja) | 紫外線消去型半導体不揮発性メモリ | |
JP2907225B2 (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
JPS6245075A (ja) | 不揮発性メモリ | |
JPH07297299A (ja) | 半導体メモリおよびその製造方法 | |
JPS593976A (ja) | 半導体不揮発性メモリの製造方法 | |
KR100447984B1 (ko) | 이이피롬소자및그제조방법 | |
JPH1056087A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPS6353978A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
JP2001196480A (ja) | フラッシュメモリ素子 | |
JPH07183410A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JPS57111884A (en) | Semiconductor storage device | |
JPS6292477A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 |