JPH05242818A - 進行波管のデジタル螺旋及びその製造方法 - Google Patents

進行波管のデジタル螺旋及びその製造方法

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JPH05242818A
JPH05242818A JP4280241A JP28024192A JPH05242818A JP H05242818 A JPH05242818 A JP H05242818A JP 4280241 A JP4280241 A JP 4280241A JP 28024192 A JP28024192 A JP 28024192A JP H05242818 A JPH05242818 A JP H05242818A
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layers
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layer
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Kenneth S Karsten
ケネス・エス・カーステン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、従来のワイヤを巻いた螺旋に比較
して非常に小型の進行波管の低速波構造を得ることを目
的とする。 【構成】 複数の重なった基板層32〜40から形成され、
エミッタ14からコレクタ18への電子ビームの通路の孔42
を有する複合構造として構成され、孔42は基板層のそれ
ぞれの１つ以上の表面を露出するように形成され、各基
板層には孔に少なくとも部分的に露出され複数の導電材
料のセグメントが設けられ、基板層のそれぞれの導電材
料セグメントが隣接する基板層の導電材料のセグメント
と重複して電気的に接続されることによって孔42の周囲
の螺旋のような予め決められた幾何学的な形状の導電通
路を形成していることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、進行波管に関し、特に
電子ビームを囲み、各基板が導電パターンを有する多重
層複合基板を形成する積重なった基板から形成される螺
旋を使用している進行波管に関する。
【０００２】
【従来の技術】進行波管（ＴＷＴ）は４０年以上以前か
ら存在しており、当業者に良く知られている。進行波管
は、真空管の両端部に位置される電子銃及びコレクタを
備えている。電子銃からコレクタまでの電子ビームの通
路は、通過されるＲＦ波を通る低速波構造によって取囲
まれる。進行波管において使用される最も基礎的な構造
は、ワイヤが電子ビームの通路に対称的に巻かれている
螺旋である。螺旋の入力に通過するＲＦ波は、既知の周
波数である。電子ビームの速度は、電子ビームが螺旋を
通過するＲＦ波内に存在するのと同じ軸方向の位相速度
を有するように進行波管おいて調節される。螺旋は電子
ビームによって適当に得られる速度にＲＦ波の速度を遅
くするように動作する。低速ＲＦ波によって形成される
電磁界の縦方向成分は、ほぼ同期する電子ビームの電子
と相互作用する。電子ビームと低速ＲＦ波の間の相互作
用は、電子ビームの速度を低下させる。エネルギの変換
中の電子ビームの速度におけるエネルギの損失は、低速
ＲＦ波のエネルギの増加を生ずる。
【０００３】明らかに、電子ビームを取囲んでいる螺旋
の長さ及び巻線の数は、ＴＷＴの性能に大きな効果を生
ずる。同様に、電子ビームの加速電位、電流及び電力は
ＴＷＴの性能を制御する。ＴＷＴにおいて、電子ビーム
の加速電位が減少されると、電子ビームの電流は同じ電
子ビームの電力を保持するために比例して増加されなけ
ればならない。減少する電圧はＴＷＴの動作の周波数を
変化させる。この変化を補償するため、取囲んでいる螺
旋の直径は減少されなければならず、巻線の数は増加さ
れなければならない。したがって、進行波管の動作の同
じ周波数を保持するため、電子ビームの加速電位の減少
は螺旋の巻線の大きさ及び形における変化を伴う。
【０００４】また、要求された周波数領域が約４０ＧＨ
ｚよりも増加するとき、広帯域のＴＷＴを製造すること
の複雑さは非常に増加し、適当な加速電位に対して、周
波数が増加すると１インチ螺旋の巻数が増加し、螺旋の
直径が減少する。
【０００５】進行波管回路の螺旋の直径及び螺旋のピッ
チは、本技術によって限定される。現在、小型の進行波
管の螺旋の巻線の技術は、直径０．００２５インチのワ
イヤを使用し、１インチで１００の巻線ピッチで０．０
２５インチの主軸に巻かれる。高い電流濃度の電子ビー
ム及びミリメートル波での使用に対する低い電圧設計を
形成するため、これらの寸法を経済的及び効果的に減少
する技術は難しく、複雑である。本発明は、１８ＧＨｚ
乃至１２５ＧＨｚの周波数領域において使用されるが、
動作の周波数が４０ＧＨｚを超えると、ワイヤを巻いた
螺旋を使用している本技術は極端に限定している。
【０００６】本発明は、厚膜あるいは薄膜技術の使用に
よってワイヤコイルの巻線の必要性を排除する。基板層
上に導電材料のセグメントを選択的に位置し、ある層か
らの導電材料のセグメントが近接する層の導電セグメン
トを接触するようにこれらの基板層を積重ねることによ
って、螺旋は通常のワイヤを巻いた螺旋装置よりも小さ
く設計によって形成される。小さい寸法の螺旋は、小さ
い進行波管の効果的な製造を可能にする。適当な処理に
よって、デジタル螺旋ＴＷＴは集積回路構造によって使
用されるモノリシック設計に組込まれる。結果的な管
は、高い電流濃度の電子ビームにより非常に低い電圧を
使用する。ミリメートル波用の装置の設計もまた容易に
製造が可能である。チップ電力調節のフロントエンドに
あるような低電力増幅器は、多機能ハイブリッドあるい
はモノリシック回路に含まれることができる。ＴＷＴの
デジタル位相及び利得制御は、さらにモノリシック化が
可能である。
【０００７】基板技術を使用する螺旋構造の形成は、従
来のＴＷＴ技術にまさる独特の利点を与える。従来技術
では様々な構造を提供するために多重基板層が使用され
ているが、ＴＷＴあるいはＴＷＴの小型化における結果
的な問題には目を向けられていない。1988年３月８日の
「共軸シールド螺旋遅延ラインおよび処理」と題される
Landis氏による米国特許第4,729,510 号明細書を見る
と、通常の従来技術の構造は多重構造層を使用してい
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、電子
ビームを囲んでいる独特の螺旋構造を有する進行波管を
供給することであり、その構造はその上に付着される予
め決められた導電性の構成を有する厚膜あるいは薄膜構
造を使用することによって形成される。
【０００９】
【課題を解決するための手段】通常のＴＷＴ螺旋及びそ
れらを形成するために使用される技術に関連される問題
は、ＴＷＴの螺旋を含む本発明によって達成され、その
螺旋は重なった基板層から形成される。螺旋は、孔が最
終の複合構造を通って形成されるように異なる大きさの
予め形成された基板層を積重ねることによって形成され
る。導電材料のセグメントは、各基板層上に位置され
る。基板層が互いの上部に重ねられるので、導電材料セ
グメントは部分的に重複し、孔を囲む最終の複合構造に
おける導電性の螺旋を形成する。電子ビームが孔を通過
する時、螺旋が形成される基板は従来のワイヤを巻いた
螺旋と同様に動作する。結果として、ＴＷＴ螺旋はワイ
ヤを巻いた螺旋の通常の制限を超えて小型化される。Ｔ
ＷＴ螺旋を形成するための方法は並列する基板層を形成
し、基板層上に導電材料のセグメントを形成し、孔を形
成する基板層を重ね、それにおいて隣接する層の導電層
は孔を囲む螺旋を部分的に重なって形成する。
【００１０】
【実施例】図１は、ＴＷＴ12の典型的な従来技術の実施
例に関する。このような従来技術の管は、内部が真空の
管18に収容された電子ビームエミッタ14及び電子ビーム
コレクタ16を有する。電子ビームの経路は磁気ビーム収
束システム20によって決定され、その多くの形状は従来
技術において良く知られている。管18長手方向に沿って
電子ビーム経路の周囲に位置される低速波構造の螺旋22
がある。螺旋22は入力リード24及び出力リード26を有
し、導電ワイヤから製造されている。
【００１１】図２を参照すると、従来技術のＴＷＴ回路
の螺旋22は、導電材料の予め位置されたセグメントを有
する絶縁された基板材料の層32,34,36,38,40の積層体か
ら形成された複合構造30に埋設された厚膜あるいは薄膜
螺旋によって置換される。このような構造の層32,34,3
6,38,40の形成は、厚膜及び薄膜基板製造の技術におい
て良く知られている。文献（Max Foyiel氏による「マイ
クロエレクトロニクス」）には、薄い及び厚膜技術が記
載されている。基板層32,34,36,38,40は互いに重なる
時、隣接する層上の導電セグメントは、通常の進行波管
のワイヤ螺旋を真似ているデジタル螺旋を形成する積み
木式に重ねられる。デジタル螺旋が積み木式に作られる
ので、デジタル螺旋の巻線の曲率の分解能は、デジタル
螺旋を形成する重なった導電セグメントの大きさ及び数
によって決定される。用語「デジタル」は、螺旋が連続
した弯曲した構造ではなく、正確なアナログ装置よりも
デジタルを包含する段階的構造であるという概念を伝達
するために使用される。複合構造30は、エミッタ14から
コレクタ18までの電子ビームの通過のための構造30を通
過して形成される孔42を有する。孔42は、孔42を形成す
るような方法で様々な寸法の基体層を積み重ねること、
あるいは形成後に複合構造30を通る孔42を切取ること、
あるいは従来技術において良く知られているようなフォ
トレジスト／フォトリソグラフ及び化学エッチングを使
用することによって形成される。
【００１２】複合構造30は、それぞれ図２乃至図６に示
されるような個々の基体層32,34,36,38,40から形成され
る。図２乃至図６を参照すると、デジタル螺旋および孔
42の形成において各基板層32,34,36,38,40の導電材料の
位置が詳述されている。図３は、複合構造30のベース基
板層を示す。ベース層32上に複数の導電セグメント44が
あり、直線状に位置される。各ベース層導電セグメント
44は、シリコン窒化物のような絶縁材料によって取囲ま
れている。
【００１３】第２の基板層34（図４に見られる）は、ベ
ース基板層32上に重ねられ、あるいは直接的に生長され
る。第２の基板層34は、２つの部分46,48 中に分割され
ている。２つの部分46,48 は、ベース層の導電セグメン
ト44上に直接第２の層のギャップ空間50を形成する。第
２の層のギャップ空間50は、各ベース基板層導電セグメ
ント44を部分的に露出する。複数の第２の層の導電セグ
メント52は、第２の層のギャップ空間50に面する２つの
部分46,48 の縁部に沿って位置される。２つの第２の層
の導電セグメント52は、複数の電気的導電経路を形成す
る関係したベース層導電セグメント44と部分的に重複す
る。
【００１４】第３の基板層36（図５に見られる）は、ベ
ース基板層32及び第２の基板層34上に位置され、または
形成される。第３の基板層は下側の第２の層のセグメン
ト46,48 よりも幅の狭い２つの個々のセグメント54,58
から構成される。第３の層のセグメント54,58 は第２の
基板層34上に位置され、下側の第２の層のギャップ空間
50よりも大きい第３の層のギャップ層を形成する。第３
の層のギャップ空間60は下側の第２の層のギャップ空間
50を露出し、第２の層の導電セグメント52を部分的に露
出する。複数の第３の層の導電セグメント56は、第３の
層のギャップ空間60に面する第３の層の部分54,58 の縁
部に並ぶ。各第３の層の導電セグメント56は関連した第
２の層の導電セグメント52と部分的に重複し、ベース基
板層32から第３の基板層36を通るデジタル螺旋の異なる
渦巻部分を形成する。
【００１５】第３の基板層36は、第３の層の導電セグメ
ントと平行で第３の層36の全体の長さにわたる導電材料
62,64 の帯域を含む。導電帯域62,64 の機能は、この明
細書において後述される。
【００１６】第４の基板層38（図６に見られる）は、第
３の基板層36上に位置され、または形成される。第４の
基板層38は２つの部分68,70 から形成され、下側の第３
の層の部分68,70 よりも大きい。従って、第４の層の部
分68,70 が第３の基板層36上に位置される時、各第４の
層の部分68,70 は下側の第３の層のギャップ空間60の一
部分を覆うように突出する。第４の層の部分68,70 は接
触せず、第４の層のギャップ空間72が形成される。前の
層と同様に、複数の第４の層の導電セグメント74は第４
の層のギャップ空間72に面している第４の層のセグメン
ト68,70 の縁部に並ぶ。各第４の層の導電セグメント74
は関連した第３の層の導電セグメント62と部分的に重複
し、ベース基板層32から第４の基板層38を通るデジタル
螺旋の分離した渦巻として延在する。第４の部分68,70
が第３の層のギャップ空間60と重複するので、第４の層
の導電セグメント74は下側の第３の層のギャップ空間60
によって部分的に露出される。
【００１７】図２に戻り参照すると、複合構造30の上部
層40が示されている。上部層40は、第４の層のギャップ
空間72を覆う第４の層38上に位置され、または形成され
る。第１、第２及び第３のギャップ空間50,60,72はベー
ス基板層32と上部基板層40の間に囲われ、複合構造30内
に孔42を形成する。複数の上部層の導電セグメント76
は、２つの近接する第４の層の導電セグメント74と部分
的に重複するように位置される。上部層の導電セグメン
ト76と隣接する第４の層の導電セグメント74の結合はデ
ジタル螺旋の分離した渦巻を連結し、各基板層の全導電
セグメント44,52,62,74,76からの連続したデジタル螺旋
を形成する。デジタル螺旋は、この実施例において入力
線24の上部基板層40で始まり、出力線26の上部基板層40
で終わる。様々な基板層の重複する導電セグメントによ
って形成されるデジタル螺旋は、導電セグメントが複合
構造30を通って形成される孔42の周囲に巻かれるように
積み木式に形成される。孔42は、各基板層がデジタル螺
旋に沿って導くようにそれらの導電セグメントを部分的
に露出する。図７及び図８を参照すると、重複する導電
セグメントによって形成されるデジタル螺旋が詳述され
ている。図示のように、導電セグメント44,52,62,74,76
はベース基板層32と上部基板層40の間に連続して導か
れ、同時に孔42の外形を導く。セグメントの配置の結
果、孔42を取り囲み、典型的なワイヤ螺旋を真似る孔42
を囲む階段状のデジタル螺旋を形成する。５つの層状の
基板が示されているが、複数の層が基板の形成において
使用されるということは理解されるべきである。加え
て、各基板上に形成される導電セグメントの数及び大き
さは厚膜及び薄膜基板製造の技術によってのみ限定され
る。複合構造30の孔42を通る電子ビームの通過によっ
て、導電セグメントの螺旋の進みは典型的なワイヤ螺旋
と同様に動作する。従来のＴＷＴにまさる利点は、従来
達成できない大きさまでＴＷＴ螺旋を小型化する能力が
あることである。モデルソフトウエアによって、厚膜あ
るいは薄膜基板から形成されるＴＷＴ螺旋が従来の小型
のＴＷＴワイヤ螺旋の効率よりも遥かに高い効率で動作
できることが予測されている。
【００１８】本発明のＴＷＴ回路の利点を例証するため
に、１０ワットの最小値で８．０乃至１０．５ＧＨＺの
例を示す最初の狭い帯域設計がモデル化される。ＴＷＴ
回路の物理的パラメータは次の表によって与えられる。 １インチ当りの巻数 １７０．０ 螺旋直径 ０．０１７インチ テープの幅 ０．００２インチ テープの厚さ ０．００２インチ 誘電定数 ７．７ 真空容器Ｉ．Ｄ． ０．０５０インチ ビーム電流 ０．２アンペア ビーム直径 ０．０１０インチ 加速電位 ５００．０ボルト ブリローイン磁界 ６１８１．０ガウス
【００１９】上記に与えられた寸法は、９つの層の基板
及び５０ミクロンの厚膜技術によって形成される。支持
構造の誘電定数は、アルミニウム窒化物基板材料及びシ
リコン窒化物絶縁層とほぼ同じ７．７と想定される。特
性を表す以下の表は、最悪の場合として１０％の電子ビ
ーム変換率を想定する１０．０ワットの出力パワーを達
成する。モデル化されたＴＷＴ螺旋の特性を表してい
る。このビーム変換率は、通常のワイヤが巻かれた広帯
域の小型のＴＷＴの典型である。例示されたＴＷＴ螺旋
の特徴は次の通りである。 周波数(GHZ) 利得(dB/インチ) Ｃ ＱＣ Ｖｐ／Ｃ 8.0 69.89 0.617 1.070 0.0940 8.5 123.41 0.626 0.977 0.0935 9.0 148.18 0.635 0.891 0.0930 9.5 154.47 0.645 0.812 0.0925 10.0 140.78 0.656 0.739 0.0920 10.5 94.10 0.667 0.673 0.0915
【００２０】上記の表から明白なように、厚膜あるいは
薄膜構造から形成される小型のＴＷＴは１インチにつき
非常に高い利得を有し、短い装置が得られる。短い装置
は、低価格及び高容量で形成される。加えて、ＴＷＴの
効率は利得パラメータＣに直接比例することは技術に良
く知られている。上記の示された結果を０．０６乃至
０．０９の利得パラメータを有する典型的なＸ帯域の小
型のＴＷＴと比較すると、本発明の劇的な効率改善が明
らかになる。
【００２１】本発明のＴＷＴは分散型のレールを使用す
る広帯域であり、通常の小型のＴＷＴに使用されるもの
と同様である。図２及び図５を参照すると、分散型のレ
ールは複合構造30の一部分として集積回路レベルに直接
形成される。分散型のレールは、孔42と平行な導電材料
62,64 の連続帯域の形成によって形成される。実施例は
分散型のレール62,64 がある１つの層のみが示されてい
るが、レールは広帯域特性の必要性に依存する幅あるい
は厚さにおいて１以上の層が存在する。
【００２２】図９乃至図１３を参照すると、図２乃至図
６に示される基板層に対応しているマスク82,84,86,88,
90が示されている。マスク82,84,86,88,90は、基板上の
導電セグメントのパターンに対応している孔を形成する
ように処理され、金属被覆される個々の基板を露出する
ために使用される。それから各基板は重ね合され、積重
ねられ、あるいは層は良く知られている厚膜及び薄膜技
術を使用する別の基板の上部に形成される。
【００２３】図１４及び図１５を参照すると、別の形の
ＴＷＴ螺旋の３次元の概略図が示されている。示される
ように、ＴＷＴ螺旋は、電子ビーム通路を囲む方向付け
において純粋な螺旋を全く必要としない。ＴＷＴ螺旋は
図１４に示されるような水平部分98、垂直部分100 及び
直線部分102 、あるいは図１５に示されるような曲線部
分104 及び直線部分102 から構成される。積み木式の本
発明は複合基板30を通るデジタル螺旋を形成するために
使用し、厚膜あるいは薄膜マスク素子を変化することに
よって形成されるように無数の異なる低速波の構造を許
容する。製造におけるこのような柔軟性は、ワイヤを巻
く機械の改善において含まれる時間及び費用のために、
ワイヤを巻いたＴＷＴ螺旋において以前に達成できなか
った。従って、本発明はワイヤを巻く技術から従来得ら
れない性能特性を有するＴＷＴ螺旋を形成するために使
用される。
【００２４】図１６を参照すると、ＴＷＴ増幅器106 が
示され、複合構造108 内に形成されるデジタル螺旋を例
示する。複合構造108 は、増幅器106 が広帯域動作を実
行できるように分散型のレール110,112 を含む。横ある
いは垂直の電界エミッタ、あるいは高電流濃度の熱電子
エミッタ114 は、印加電位の電子ビームコレクタ116へ
複合構造108 を貫通する電子ビームを放射する。ＴＷＴ
螺旋の入力リード124は、入力気密貫通路を通って真空
容器（示されていない）に入る。同様に、出力リード12
6 は第２の気密貫通路120 を通って真空容器から出る。
複合構造108 は、真空円筒壁125 によって取囲まれる。
複合構造108 は、一体構造の装置として円筒中に摩擦結
合される。これは、電流の低速バルブ構造装置を非常に
簡単にする。真空壁125 は、電子ビームを制御する永久
磁石集束システム122 によって囲まれる。図１６の実施
例を使用することによって、高利得（６０．０ｄＢ）装
置のＴＷＴ増幅器が最大の外側の直径が０．５インチで
長さが１．５乃至２．５インチに形成されることができ
る。ＴＷＴ増幅器が適用される適用範囲はこのような小
型化によって広大に拡大する。
【００２５】明らかに、当業者は本発明の技術的範囲か
ら逸脱することなしに様々に変更できる。例えば、ＴＷ
Ｔ螺旋が形成される基板は、７，９あるいはその他の数
の層から形成される。層の厚さ及び各層に付着される導
電材料の濃度は異なる寸法に変えられる。ＴＷＴ螺旋の
３次元の幾何学的構造は変化される。基板を通る孔の大
きさ及び形は様々な大きさの電子ビームを適応させるた
めに変化されることができる。全てのこのような変更
は、特許請求の範囲によって定められるような本発明の
技術的範囲内に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】螺旋の巻線を有する進行波管の通常の従来の実
施例を示す図。
【図２】本発明に従った層状の基板の進行波管構造の実
施例の拡大した斜視図。
【図３】図２の３−３の線に沿った第１の基板層の断面
図。
【図４】図２の４−４の線に沿った第２の基板層の断面
図。
【図５】図２の５−５の線に沿った第３の基板層の断面
図。
【図６】図２の６−６の線に沿った第４の基板層の断面
図。
【図７】図２の７−７の線に沿った層状の基板構造の断
面図。
【図８】図２の８−８の線にそった層状の基板構造の断
面図。
【図９】図３に示されるベース層の基板の導電素子を形
成するために使用されるマスクを示す図。
【図１０】図４に示される第２の層の基板の導電素子を
形成するために使用されるマスクを示す図。
【図１１】図５に示される第３の層の基板の導電素子を
形成するために使用されるマスクを示す図。
【図１２】図６に示される第４の層の基板の導電素子を
形成するために使用されるマスクを示す図。
【図１３】図２に示される上部層の基板の導電素子を形
成するために使用されるマスクを示す図。
【図１４】基板構造内に形成される螺旋の別の実施例の
概略図。
【図１５】基板構造内に形成される螺旋の第２の別の実
施例の概略図。
【図１６】本発明を利用している小型化した進行波管増
幅器の分解斜視図。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子ビームエミッタ及び電子ビームコレ
    クタを有する進行波管の低速波構造において、 複数の重なった基板層から形成され、エミッタからコレ
    クタへの電子ビームの通路の孔を有し、その孔は前記基
    板層のそれぞれの１つ以上の表面を露出してい複合構造
    と、 前記基板層のそれぞれに位置された複数の導電材料のセ
    グメントとを具備し、 それら導電材料の各セグメントは前記孔に少なくとも部
    分的に露出され、 前記基板層のそれぞれの前記導電材料セグメントは隣接
    する前記基板層の前記導電材料のセグメントと重複し、
    この導電材料のセグメントの重複によって前記孔の周囲
    の予め決められた幾何学的な形状の導電通路を形成して
    いることを特徴とする低速波構造。
  2. 【請求項２】 前記導電通路が、入力リードが前記複合
    構造に入るところで始まり、出力リードが前記複合構造
    から出るところで終わる請求項１記載の低速波構造。
  3. 【請求項３】 前記予め決められた幾何学的な形が実質
    上螺旋である請求項２記載の低速波構造。
  4. 【請求項４】 複数の導電分散形状のレールが前記複合
    構造において形成され、前記形状のレールが前記孔と並
    列に前記複合構造を超えている請求孔１記載の低速波構
    造。
  5. 【請求項５】 前記複数の重なった基板層が厚膜層であ
    る請求項１記載の低速波構造。
  6. 【請求項６】 前記複数の重なった基板層が薄膜層であ
    る請求項１記載の低速波構造。
  7. 【請求項７】 前記孔が前記基板層をずらせて重ね合わ
    せることによって形成されている請求項１記載の低速波
    構造。
  8. 【請求項８】 内部が真空であり、それらの間の電子ビ
    ームを形成するため両端部に近接して位置された電子ビ
    ームエミッタ及び電子ビームコレクタを具備している管
    状容器と、 電子ビームの通路を決定するための前記管状容器を取囲
    んでいる磁気集束手段と、 前記エミッタと前記コレクタの間の前記電子ビームの通
    路の少なくとも一部分を取囲んでいる低速波構造とを具
    備し、 この低速波構造は複数の重なった基板層から形成される
    複合構造中に埋設されている進行波管。
  9. 【請求項９】 前記低速波構造が実質上螺旋形である請
    求項８記載の進行波管。
  10. 【請求項１０】 前記低速波構造が、前記複合構造の隣
    接した前記基板層上に位置される部分的に重なっている
    導電材料のセグメントによって形成される請求項９記載
    の進行波管。
  11. 【請求項１１】 前記基板層が厚膜層である請求項１０
    記載の進行波管。
  12. 【請求項１２】 前記基板層が薄膜層である請求項１０
    記載の進行波管。
  13. 【請求項１３】 各前記導電材料のセグメントが前記電
    子ビームに少なくとも部分的に露出されている請求項１
    ０記載の進行波管。
  14. 【請求項１４】 複数の導電分散型形状のレールが前記
    複合構造において形成され、前記形状のレールが前記電
    子ビームに並列に延在する請求項１０記載の進行波管。
  15. 【請求項１５】 それぞれ複数の導電材料のセグメント
    を有する複数の実質上平行な基板層を重ね合わせ、それ
    ら基板層は孔を形成するように位置され、この孔に各基
    板層の少なくとも１っの表面が露出され、隣接した基板
    層の前記導電材料のセグメントは部分的に重なって導電
    的に接続されて予め決められた幾何学的な形の前記孔を
    取囲む単一の導電通路を形成することを特徴とする進行
    波管のための低速波構造を形成する方法。
  16. 【請求項１６】 前記複数の導電材料のセグメントが前
    記孔と接触するように前記平行な基板層内に位置される
    請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記幾何学的な形が実質上螺旋である
    請求項１５記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記平行な基板層が厚膜層として形成
    されている請求項１５記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記平行な基板層が薄膜層として形成
    されている請求項１５記載の方法。
  20. 【請求項２０】 １つ以上の前記平行な基板層に複数の
    分散形状のレールを形成するステップをさらに含み、前
    記分散形状が前記孔に並列して位置している請求項１３
    記載の方法。
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FR2683092B1 (fr) 1996-03-15
US5231330A (en) 1993-07-27
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