JPH05241160A - アクティブマトリクス型液晶パネル - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶パネルInfo
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- JPH05241160A JPH05241160A JP4532392A JP4532392A JPH05241160A JP H05241160 A JPH05241160 A JP H05241160A JP 4532392 A JP4532392 A JP 4532392A JP 4532392 A JP4532392 A JP 4532392A JP H05241160 A JPH05241160 A JP H05241160A
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はアクティブマトリクス型液晶パネル
に関するもので、特に画素電極とゲ−ト線との間の電界
によって発生する画素内の逆チルトディスクリネ−ショ
ンラインを解消して良好な表示と高開口率が得られるア
クティブマトリクス型液晶パネルを提供することを目的
とする。 【構成】 アレイ側ラビング方向をゲ−ト線方向から少
なくとも１度以上、３０度以内とし、横からの電界の影
響を軽減して、逆チルトディスクリネ−ションラインの
画素への侵入を防ぎ良好な表示と高開口率を実現する。
に関するもので、特に画素電極とゲ−ト線との間の電界
によって発生する画素内の逆チルトディスクリネ−ショ
ンラインを解消して良好な表示と高開口率が得られるア
クティブマトリクス型液晶パネルを提供することを目的
とする。 【構成】 アレイ側ラビング方向をゲ−ト線方向から少
なくとも１度以上、３０度以内とし、横からの電界の影
響を軽減して、逆チルトディスクリネ−ションラインの
画素への侵入を防ぎ良好な表示と高開口率を実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、液晶ディスプレイ等に
用いられるアクティブマトリクス型液晶パネルに関す
る。
用いられるアクティブマトリクス型液晶パネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルを用いた表示素子のなかで、
画素ごとにトランジスタを配置したアクティブマトリク
ス型液晶パネルを用いた表示素子は、薄型で低電力消費
に加えて高コントラストで高品位表示が可能であるなど
の優れた特徴を備えている。このため、将来はブラウン
管を用いたテレビ等に替わるものとして、近年盛んに開
発が進められている。
画素ごとにトランジスタを配置したアクティブマトリク
ス型液晶パネルを用いた表示素子は、薄型で低電力消費
に加えて高コントラストで高品位表示が可能であるなど
の優れた特徴を備えている。このため、将来はブラウン
管を用いたテレビ等に替わるものとして、近年盛んに開
発が進められている。
【０００３】以下、従来のアクティブマトリクス型液晶
パネルの構造について簡単に説明する。 （図２）は、
アクティブマトリクス型液晶パネルの１画素の概略図で
ある。画素電極２１の周囲を囲む形で、トランジスタ駆
動用配線２２（以下ゲ−ト線と呼ぶ。）と画素電圧印加
用配線２３（以下ソ−ス線と呼ぶ。）が存在する。トラ
ンジスタ２４をゲ−ト線２２からの信号でオン、オフす
ることで、ソ−ス線２３の電圧を画素電極２１に印加し
て表示を行なう。
パネルの構造について簡単に説明する。 （図２）は、
アクティブマトリクス型液晶パネルの１画素の概略図で
ある。画素電極２１の周囲を囲む形で、トランジスタ駆
動用配線２２（以下ゲ−ト線と呼ぶ。）と画素電圧印加
用配線２３（以下ソ−ス線と呼ぶ。）が存在する。トラ
ンジスタ２４をゲ−ト線２２からの信号でオン、オフす
ることで、ソ−ス線２３の電圧を画素電極２１に印加し
て表示を行なう。
【０００４】（図３）は、アクティブマトリクス型液晶
パネルの１画素の断面図の一部である。これは、（図
２）の概略図においてソ−ス線に平行で、ゲ−ト線と直
交するラインに沿ったパネル断面の一部を表している。
パネルの１画素の断面図の一部である。これは、（図
２）の概略図においてソ−ス線に平行で、ゲ−ト線と直
交するラインに沿ったパネル断面の一部を表している。
【０００５】３１はガラス基板、３２は画素電極、３３
はゲ−ト線の断面、３５はパシベ−ション膜、３６は液
晶、３７はポリイミド配向膜、３８は対向電極、３９は
対向基板、４０はカラ−フィルタ、４１と４２は偏光板
である。
はゲ−ト線の断面、３５はパシベ−ション膜、３６は液
晶、３７はポリイミド配向膜、３８は対向電極、３９は
対向基板、４０はカラ−フィルタ、４１と４２は偏光板
である。
【０００６】トランジスタをオンにしてソ−ス線の電位
を画素電極３２に印加すると画素電極３２と対向電極３
８の間の電圧が液晶３６にかかり表示を行うことができ
る。
を画素電極３２に印加すると画素電極３２と対向電極３
８の間の電圧が液晶３６にかかり表示を行うことができ
る。
【０００７】アクティブマトリクス型液晶パネルで良好
な表示を行うためには、液晶分子の均一な初期配向と基
板間の垂直電界に対して画素上の液晶が一様に応答する
ことが重要である。
な表示を行うためには、液晶分子の均一な初期配向と基
板間の垂直電界に対して画素上の液晶が一様に応答する
ことが重要である。
【０００８】（図３）からわかるように通常のアクティ
ブマトリクス型液晶パネルにおいては、ソ−ス線または
ゲ−ト線３３が、画素電極３２の近くに存在している。
またゲ−ト線３３の電位は常に変化しているので、画素
電極３２とゲ−ト線３３との間で電位差が生じている。
このため画素内の液晶には、画素電極３２と対向電極３
８間の電界に加えて、画素電極３２とゲ−ト線３３間の
電界が画素電極３２に対して横方向から加わることにな
る。この後者の電界を、以後横電界と呼ぶ。
ブマトリクス型液晶パネルにおいては、ソ−ス線または
ゲ−ト線３３が、画素電極３２の近くに存在している。
またゲ−ト線３３の電位は常に変化しているので、画素
電極３２とゲ−ト線３３との間で電位差が生じている。
このため画素内の液晶には、画素電極３２と対向電極３
８間の電界に加えて、画素電極３２とゲ−ト線３３間の
電界が画素電極３２に対して横方向から加わることにな
る。この後者の電界を、以後横電界と呼ぶ。
【０００９】従来のアクティブマトリクス型ディスプレ
イでのラビング方向を（図４）に示した。これから解る
ように、画素電極側での液晶分子の配向方向は、ゲ−ト
線から４５度方向である。このため横電界による画素内
の液晶分子の配列歪が大きくなり、逆チルトディスクリ
ネ−ションラインとして光抜け等の表示不良となる欠点
があった。
イでのラビング方向を（図４）に示した。これから解る
ように、画素電極側での液晶分子の配向方向は、ゲ−ト
線から４５度方向である。このため横電界による画素内
の液晶分子の配列歪が大きくなり、逆チルトディスクリ
ネ−ションラインとして光抜け等の表示不良となる欠点
があった。
【００１０】また、このような横電界の影響を軽減する
目的で、画素基板側の有機配向膜の配向処理を、ソ−ス
線にそって行なっているディスプレイが実用化されてい
る。
目的で、画素基板側の有機配向膜の配向処理を、ソ−ス
線にそって行なっているディスプレイが実用化されてい
る。
【００１１】しかし、ＴＮモ−ドで表示を行なう場合、
この方式では、横電界の影響を受けやすい基板から約２
ミクロン以内の領域において液晶分子がねじれ角を持っ
ており、横電界による配向歪がおこるのは避けられなか
った。
この方式では、横電界の影響を受けやすい基板から約２
ミクロン以内の領域において液晶分子がねじれ角を持っ
ており、横電界による配向歪がおこるのは避けられなか
った。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】画素面内でのこのよう
な逆チルトディスクリネ−ションラインの領域は表示に
使えないので、通常は画素のドメイン領域にマスクをし
て、ドメインが見えないようにしている。このために画
素開口率が低下し高輝度のパネルを得るのが困難であっ
た。
な逆チルトディスクリネ−ションラインの領域は表示に
使えないので、通常は画素のドメイン領域にマスクをし
て、ドメインが見えないようにしている。このために画
素開口率が低下し高輝度のパネルを得るのが困難であっ
た。
【００１３】本発明は、上記したような横電界による画
素面内での逆チルトディスクリネ−ションラインの発生
を抑制し、良好な表示と高い画素開口率が得られるアク
ティブマトリクス型パネルを提供することを目的とす
る。
素面内での逆チルトディスクリネ−ションラインの発生
を抑制し、良好な表示と高い画素開口率が得られるアク
ティブマトリクス型パネルを提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のアクティブマトリクス型液晶パネルは、パ
ネル内で、時間的、及び空間的に電界強度が最大となる
位置での液晶分子のダイレクタをゲ−ト線と平行とする
ことを特徴とし、特に、画素基板側の配向膜の配向処理
方向（以下、アレイ側ラビング方向と呼ぶ。）をゲ−ト
線方向から少なくとも角度１度以上、３０度以内とし、
対向基板上の配向膜のラビング方向をアレイ側ラビング
方向と直交、もしくはほぼ直交させるものである。
め、本発明のアクティブマトリクス型液晶パネルは、パ
ネル内で、時間的、及び空間的に電界強度が最大となる
位置での液晶分子のダイレクタをゲ−ト線と平行とする
ことを特徴とし、特に、画素基板側の配向膜の配向処理
方向（以下、アレイ側ラビング方向と呼ぶ。）をゲ−ト
線方向から少なくとも角度１度以上、３０度以内とし、
対向基板上の配向膜のラビング方向をアレイ側ラビング
方向と直交、もしくはほぼ直交させるものである。
【００１５】
【作用】以下、横電界による画素面内での逆チルトディ
スクリネ−ションライン発生の機構について、ゲ−ト線
と画素電極を例に説明する。
スクリネ−ションライン発生の機構について、ゲ−ト線
と画素電極を例に説明する。
【００１６】画素内の逆チルトディスクリネ−ションラ
インは、基本的には、ゲ−ト線と画素電極間の横電界に
よる液晶分子の配向歪を緩和する過程で発生すると考え
られる。横電界が弱いときは、画素電極のエッジ近辺の
液晶分子は、ノーマルチルト状態であるが、横電界が強
くなると液晶分子は、リバ−スチルト状態となる。この
ときリバ−スチルトとノ−マルチルトの境界で逆チルト
ディスクリネ−ションラインが発生する。アクティブマ
トリクス型パネルの駆動は、横電界強度が、強弱を繰り
返すような駆動である。そのため画素電極のエッジ近辺
の液晶分子は、横電界の強弱に伴いノ−マルチルトとリ
バ−スチルトを交互に繰り返す。
インは、基本的には、ゲ−ト線と画素電極間の横電界に
よる液晶分子の配向歪を緩和する過程で発生すると考え
られる。横電界が弱いときは、画素電極のエッジ近辺の
液晶分子は、ノーマルチルト状態であるが、横電界が強
くなると液晶分子は、リバ−スチルト状態となる。この
ときリバ−スチルトとノ−マルチルトの境界で逆チルト
ディスクリネ−ションラインが発生する。アクティブマ
トリクス型パネルの駆動は、横電界強度が、強弱を繰り
返すような駆動である。そのため画素電極のエッジ近辺
の液晶分子は、横電界の強弱に伴いノ−マルチルトとリ
バ−スチルトを交互に繰り返す。
【００１７】このときにできる逆チルトディスクリネ−
ションラインを緩和するように、画素上の液晶分子が再
配列する過程において逆チルトディスクリネ−ションラ
インが画素内に侵入する。これが画素面内での逆チルト
ディスクリネ−ションライン発生の機構であると考えら
れる。
ションラインを緩和するように、画素上の液晶分子が再
配列する過程において逆チルトディスクリネ−ションラ
インが画素内に侵入する。これが画素面内での逆チルト
ディスクリネ−ションライン発生の機構であると考えら
れる。
【００１８】逆チルトディスクリネ−ションラインが画
素内にできるのを防ぐには、液晶分子の配向方向を、横
電界に応答しにくい方向に設定する必要がある。
素内にできるのを防ぐには、液晶分子の配向方向を、横
電界に応答しにくい方向に設定する必要がある。
【００１９】一般に液晶分子には、誘電率異方性が存在
する。このため異方性が正の液晶の場合、電界の方向に
沿って液晶分子のダイレクタが揃う。電界に対する液晶
分子の動きやすさは、電界の方向と液晶分子とのなす角
度に大きく依存する。
する。このため異方性が正の液晶の場合、電界の方向に
沿って液晶分子のダイレクタが揃う。電界に対する液晶
分子の動きやすさは、電界の方向と液晶分子とのなす角
度に大きく依存する。
【００２０】誘電率異方性が正の液晶は、液晶分子のダ
イレクタに垂直な電界に対しては応答しにくい。このた
め横電界の方向と液晶分子のダイレクタが垂直になるよ
うにすれば、横電界が存在しても液晶分子が応答しにく
く、逆チルトディスクリネ−ションラインの発生を抑え
ることができる。
イレクタに垂直な電界に対しては応答しにくい。このた
め横電界の方向と液晶分子のダイレクタが垂直になるよ
うにすれば、横電界が存在しても液晶分子が応答しにく
く、逆チルトディスクリネ−ションラインの発生を抑え
ることができる。
【００２１】上下基板で液晶分子が９０度捻れた構造の
ＴＮパネルでは、液晶分子には捻れ角が存在する。その
ため、横電界が存在するような全ての領域で、分子のダ
イレクタを横電界に対して垂直になるように液晶分子を
配置することは難しい。
ＴＮパネルでは、液晶分子には捻れ角が存在する。その
ため、横電界が存在するような全ての領域で、分子のダ
イレクタを横電界に対して垂直になるように液晶分子を
配置することは難しい。
【００２２】そのため、横電界が存在するときに、パネ
ル内のどの領域で、液晶分子のダイレクタを横電界に対
して垂直とするかが重要であり上記構成により、横電界
の影響が緩和され、画素内の逆チルトディスクリネ−シ
ョンラインが解消されることとなる。
ル内のどの領域で、液晶分子のダイレクタを横電界に対
して垂直とするかが重要であり上記構成により、横電界
の影響が緩和され、画素内の逆チルトディスクリネ−シ
ョンラインが解消されることとなる。
【００２３】
【実施例】本発明は、パネル内で、時間的、及び空間的
に横電界の強度が最も強い位置で液晶分子のダイレクタ
をゲ−ト線に沿って並べることを特徴とする。
に横電界の強度が最も強い位置で液晶分子のダイレクタ
をゲ−ト線に沿って並べることを特徴とする。
【００２４】通常のパネル駆動では、横電界の強度が大
きいのは、画素上、２ミクロン以内程度の領域と考えら
れる。パネルギャップを５ミクロンとすれば、画素上、
２ミクロン以内で液晶分子のダイレクタをゲ−ト線に沿
って並べるには、アレイ側ラビング方向をソ−ス線の方
向から少なくとも１度以上、３０度以内にとり、対向基
板のラビング方向をアレイ側ラビング方向と直交させれ
ば良い。
きいのは、画素上、２ミクロン以内程度の領域と考えら
れる。パネルギャップを５ミクロンとすれば、画素上、
２ミクロン以内で液晶分子のダイレクタをゲ−ト線に沿
って並べるには、アレイ側ラビング方向をソ−ス線の方
向から少なくとも１度以上、３０度以内にとり、対向基
板のラビング方向をアレイ側ラビング方向と直交させれ
ば良い。
【００２５】（図１）に本発明のアクティブマトリクス
型液晶パネルの実施例を示した。実施例は、直視型ディ
スプレイ対応のパネルについて述べるが、これは投射型
ディスプレイ対応のパネルについても同等である。
型液晶パネルの実施例を示した。実施例は、直視型ディ
スプレイ対応のパネルについて述べるが、これは投射型
ディスプレイ対応のパネルについても同等である。
【００２６】ガラス基板１上に、蒸着とエッチングの手
法を用いて、画素電極２、ゲ−ト線３等を作製した。さ
らにパシベ−ション膜４を蒸着した。対向基板５上に
は、カラ−フィルタ６と対向電極７をつけた。さらにパ
シベ−ション膜４と対向電極７上にポリイミド配向膜８
と９を印刷法でつけた。
法を用いて、画素電極２、ゲ−ト線３等を作製した。さ
らにパシベ−ション膜４を蒸着した。対向基板５上に
は、カラ−フィルタ６と対向電極７をつけた。さらにパ
シベ−ション膜４と対向電極７上にポリイミド配向膜８
と９を印刷法でつけた。
【００２７】上下基板のラビング方向は、パネル内の電
界強度の分布を考慮して決定する必要がある。パネル内
の電界強度の分布は、画素、ゲ−ト線等の電位、及びゲ
−ト線、画素電極等の３次元構造によって決定される。
界強度の分布を考慮して決定する必要がある。パネル内
の電界強度の分布は、画素、ゲ−ト線等の電位、及びゲ
−ト線、画素電極等の３次元構造によって決定される。
【００２８】上下基板のラビング方向を決定するため
に、パネルのラビング方向を変えて、実験を行なった。
通常のパネル駆動電圧では、ＴＮパネルの場合、ゲ−ト
線から３０°以内のラビング方向で逆チルトディスクリ
ネ−ションラインが抑制される角度が存在することが解
った。
に、パネルのラビング方向を変えて、実験を行なった。
通常のパネル駆動電圧では、ＴＮパネルの場合、ゲ−ト
線から３０°以内のラビング方向で逆チルトディスクリ
ネ−ションラインが抑制される角度が存在することが解
った。
【００２９】このときの角度は、パネル駆動電圧、及び
パネル構成に関係している。ナイロン布を用いて、ポリ
イミド配向膜８と９にラビング処理を施した。ラビング
処理の方向は、アレイ側でゲ−ト線から角度１８度の方
向とした。また対向基板側のラビング方向をアレイ側と
直交させた。ラビング方向は、パネルギャップを５ミク
ロンと設定したときに画素基板面から上部１ミクロンの
位置で液晶分子のダイレクタがゲ−ト線と平行になるよ
うにした。（図５）に本実施例のラビング方向を示し
た。尚、アレイ側ラビング方向は、上記１８度以外に
も、少なくとも１度以上、３０度以下の任意の角度をと
っても良い。
パネル構成に関係している。ナイロン布を用いて、ポリ
イミド配向膜８と９にラビング処理を施した。ラビング
処理の方向は、アレイ側でゲ−ト線から角度１８度の方
向とした。また対向基板側のラビング方向をアレイ側と
直交させた。ラビング方向は、パネルギャップを５ミク
ロンと設定したときに画素基板面から上部１ミクロンの
位置で液晶分子のダイレクタがゲ−ト線と平行になるよ
うにした。（図５）に本実施例のラビング方向を示し
た。尚、アレイ側ラビング方向は、上記１８度以外に
も、少なくとも１度以上、３０度以下の任意の角度をと
っても良い。
【００３０】以下、通常の方法でパネルを作製した。ソ
−ス線よりプラス４Ｖの電圧を画素電極に印加し、その
のちゲ−ト線に１２Ｖのパルス交流波形を加えて、パネ
ルをノ−マリホワイトモ−ドで観測したところ、従来、
画素中央に大きく現われていた逆チルトディスクリネ−
ションラインが画素電極エッジ近辺に現われており、画
素内は、良好な表示が得られた。また逆チルトディスク
リネ−ション領域が小さくなったことで画素開口率も従
来より高くすることができた。
−ス線よりプラス４Ｖの電圧を画素電極に印加し、その
のちゲ−ト線に１２Ｖのパルス交流波形を加えて、パネ
ルをノ−マリホワイトモ−ドで観測したところ、従来、
画素中央に大きく現われていた逆チルトディスクリネ−
ションラインが画素電極エッジ近辺に現われており、画
素内は、良好な表示が得られた。また逆チルトディスク
リネ−ション領域が小さくなったことで画素開口率も従
来より高くすることができた。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、アクティブマトリクス型液晶
パネルで、アレイ側ラビング方向の角度を、ゲ−ト線方
向から少なくとも１度以上、３０度以内とし、対向電極
側のラビング方向をアレイ側と直交、もしくはほぼ直交
させることを特徴とする。このとき横電界強度の大きい
領域で、液晶分子がゲ−ト線とほぼ平行に並ぶために、
横電界の影響が緩和される。そのため画素内の逆チルト
ディスクリネ−ションラインが解消され、良好なディス
プレイ表示と高い画素開口率が実現できる。
パネルで、アレイ側ラビング方向の角度を、ゲ−ト線方
向から少なくとも１度以上、３０度以内とし、対向電極
側のラビング方向をアレイ側と直交、もしくはほぼ直交
させることを特徴とする。このとき横電界強度の大きい
領域で、液晶分子がゲ−ト線とほぼ平行に並ぶために、
横電界の影響が緩和される。そのため画素内の逆チルト
ディスクリネ−ションラインが解消され、良好なディス
プレイ表示と高い画素開口率が実現できる。
【００３２】本発明には、通常のＴＮパネルのように、
上下基板のラビング方向が直交で、液晶分子のツイスト
角が９０度の場合のみならず、ツイスト角が９０度とほ
ぼ近い角度の場合も含むことは、勿論である。
上下基板のラビング方向が直交で、液晶分子のツイスト
角が９０度の場合のみならず、ツイスト角が９０度とほ
ぼ近い角度の場合も含むことは、勿論である。
【００３３】さらに、配向膜としては、ポリイミドを用
いたが、ＴＮ配向処理が可能な有機配向膜は、殆ど許さ
れる。
いたが、ＴＮ配向処理が可能な有機配向膜は、殆ど許さ
れる。
【００３４】また、実施例中のパシベ−ション膜は、な
くても同様である。
くても同様である。
【図１】本発明の実施例のアクティブマトリクス型液晶
パネルの断面図である。
パネルの断面図である。
【図２】アクティブマトリクス型液晶パネルの１画素の
概略図である。
概略図である。
【図３】従来のアクティブマトリクス型液晶パネルの断
面図である。
面図である。
【図４】従来のアクティブマトリクス形液晶パネルのラ
ビング方向を示す１画素の概略図である。
ビング方向を示す１画素の概略図である。
【図５】本発明の実施例のアクティブマトリクス型液晶
パネルのラビング方向を示す１画素の概略図である。
パネルのラビング方向を示す１画素の概略図である。
２ 画素電極 ３ ゲ−ト線 ５ 対向電極 ８，９ ポリイミド配向膜 １０ 液晶
Claims (3)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板の間に液晶を有
し、第１の基板上に少なくとも画素電極とトランジスタ
駆動用配線と画素電位印加用配線と有機配向膜を有し、
第２の基板上に少なくとも有機配向膜と電極を有するア
クティブマトリクス型液晶パネルにおいて、前記有機配
向膜に対する配向処理として、第１の基板と第２の基板
の間で、パネル駆動に伴い、時間的、及び空間的に電界
強度が最大となる位置において、液晶分子のダイレクタ
が、トランジスタ駆動用配線と平行となる配向処理を行
うことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶パネ
ル。 - 【請求項２】 有機配向膜に対する配向処理として、第
１の基板上の有機配向膜に対する配向処理方向が、トラ
ンジスタ駆動用配線方向から少なくとも角度１度以上、
３０度以内であり、第２の基板上の配向膜に対する配向
処理方向が、第１の基板上の有機配向膜に対する配向処
理方向と直交すること、もしくは直交近傍であることを
特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶
パネル。 - 【請求項３】 有機配向膜が、ポリイミド化合物である
ことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス
型液晶パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4532392A JP3003358B2 (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | アクティブマトリクス型液晶パネル |
| DE69318865T DE69318865T2 (de) | 1992-03-03 | 1993-03-02 | Verdrillt-nematische Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix |
| US08/024,961 US5398127A (en) | 1992-03-03 | 1993-03-02 | Active matrix twisted nematic liquid crystal display with rubbing direction 1-44 degrees to the electrodes |
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