JPH05142544A - アクテイブ型液晶パネル - Google Patents
アクテイブ型液晶パネルInfo
- Publication number
- JPH05142544A JPH05142544A JP30738991A JP30738991A JPH05142544A JP H05142544 A JPH05142544 A JP H05142544A JP 30738991 A JP30738991 A JP 30738991A JP 30738991 A JP30738991 A JP 30738991A JP H05142544 A JPH05142544 A JP H05142544A
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- pixel electrode
- crystal panel
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明はアクティブ型液晶パネルに関するも
ので、特に画素電極とソ−ス線またはゲ−ト線との間の
電界によって発生する画素内の逆チルトディスクリネ−
ションラインを解消して良好な表示と高開口率が得られ
るアクティブ型液晶パネルを提供することを目的とす
る。 【構成】 画素上にポリイミド配向膜を塗布し、ソ−ス
線と画素電極間の領域、またはゲ−ト線と画素電極間の
領域にホメオトロピック配向膜を塗布する。画素内の液
晶分子の配向歪を、ホメオトロピック配向により緩和し
て逆チルトディスクリネ−ションラインの画素への侵入
を防ぎ良好な表示と高開口率を実現する。
ので、特に画素電極とソ−ス線またはゲ−ト線との間の
電界によって発生する画素内の逆チルトディスクリネ−
ションラインを解消して良好な表示と高開口率が得られ
るアクティブ型液晶パネルを提供することを目的とす
る。 【構成】 画素上にポリイミド配向膜を塗布し、ソ−ス
線と画素電極間の領域、またはゲ−ト線と画素電極間の
領域にホメオトロピック配向膜を塗布する。画素内の液
晶分子の配向歪を、ホメオトロピック配向により緩和し
て逆チルトディスクリネ−ションラインの画素への侵入
を防ぎ良好な表示と高開口率を実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ディスプレイとして利
用されるアクティブ型液晶パネルに関する。
用されるアクティブ型液晶パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルを用いた表示素子のなかで、
画素ごとにトランジスタを配置したアクティブ型液晶パ
ネルを用いた表示素子は、薄型で低電力消費に加えて高
コントラストで高品位表示が可能であるなどの優れた特
徴を備えている。このため、将来はブラウン管を用いた
テレビ等に替わるものとして、近年盛んに開発が進めら
れている。
画素ごとにトランジスタを配置したアクティブ型液晶パ
ネルを用いた表示素子は、薄型で低電力消費に加えて高
コントラストで高品位表示が可能であるなどの優れた特
徴を備えている。このため、将来はブラウン管を用いた
テレビ等に替わるものとして、近年盛んに開発が進めら
れている。
【０００３】以下、従来のアクティブ型液晶パネルの構
造について簡単に説明する。（図２）は、アクティブ型
液晶パネルの１画素の概略図である。画素電極２１の周
囲を囲む形で、トランジスタ駆動用配線２２（以下ゲ−
ト線と呼ぶ。）と画素電圧印加用配線２３（以下ソ−ス
線と呼ぶ。）が存在する。トランジスタ２４をゲ−ト線
２２からの信号でオン、オフすることで、ソ−ス線２３
の電圧を画素電極２１に印加して表示を行なう。
造について簡単に説明する。（図２）は、アクティブ型
液晶パネルの１画素の概略図である。画素電極２１の周
囲を囲む形で、トランジスタ駆動用配線２２（以下ゲ−
ト線と呼ぶ。）と画素電圧印加用配線２３（以下ソ−ス
線と呼ぶ。）が存在する。トランジスタ２４をゲ−ト線
２２からの信号でオン、オフすることで、ソ−ス線２３
の電圧を画素電極２１に印加して表示を行なう。
【０００４】（図３）は、アクティブ型液晶パネルの１
画素の断面図の一部である。これは、（図２）の概略図
においてゲ−ト線に平行で、ソ−ス線と直交するライン
に沿ったパネル断面の一部を表している。
画素の断面図の一部である。これは、（図２）の概略図
においてゲ−ト線に平行で、ソ−ス線と直交するライン
に沿ったパネル断面の一部を表している。
【０００５】３１はガラス基板、３２は画素電極、３３
はソ−ス線の断面、３４はトランジスタ、３５はパシベ
−ション膜、３６は液晶、３７はポリイミド配向膜、３
８は対向電極、３９は対向基板、４０はカラ−フィル
タ、４１と４２は偏光板である。 トランジスタ３４を
オンにしてソ−ス線３３の電位を画素電極３２に印加す
ると画素電極３２と対向電極３８の間の電圧が液晶３６
にかかり表示を行うことができる。
はソ−ス線の断面、３４はトランジスタ、３５はパシベ
−ション膜、３６は液晶、３７はポリイミド配向膜、３
８は対向電極、３９は対向基板、４０はカラ−フィル
タ、４１と４２は偏光板である。 トランジスタ３４を
オンにしてソ−ス線３３の電位を画素電極３２に印加す
ると画素電極３２と対向電極３８の間の電圧が液晶３６
にかかり表示を行うことができる。
【０００６】アクティブ型液晶パネルで良好な表示を行
うためには、液晶分子の均一な初期配向と基板間の垂直
電界に対して画素上の液晶が一様に応答することが重要
である。
うためには、液晶分子の均一な初期配向と基板間の垂直
電界に対して画素上の液晶が一様に応答することが重要
である。
【０００７】（図３）からわかるように通常のアクティ
ブ型液晶パネルにおいては、ソ−ス線３３またはゲ−ト
線が、画素電極３２の近くに存在している。またソ−ス
線３３の電位は常に変化しているので、画素電極３２と
ソ−ス線３３との間で電位差が生じている。このため画
素内の液晶には、画素電極３２と対向電極３８間の電界
に加えて、画素電極３２とソ−ス線３３間の電界が画素
電極３２に対して横方向から加わることになる。この後
者の電界を、以後横電界と呼ぶ。従来の構造のアクティ
ブ型ディスプレイは、液晶分子の配向がどこでも同一の
ホモジニアス配向のため、このような横電界に対して画
素内の液晶分子の配列歪が大きい。そのため画素内に逆
チルトディスクリネ−ションラインが発生し、画素の光
抜け等の表示不良の原因となっていた。
ブ型液晶パネルにおいては、ソ−ス線３３またはゲ−ト
線が、画素電極３２の近くに存在している。またソ−ス
線３３の電位は常に変化しているので、画素電極３２と
ソ−ス線３３との間で電位差が生じている。このため画
素内の液晶には、画素電極３２と対向電極３８間の電界
に加えて、画素電極３２とソ−ス線３３間の電界が画素
電極３２に対して横方向から加わることになる。この後
者の電界を、以後横電界と呼ぶ。従来の構造のアクティ
ブ型ディスプレイは、液晶分子の配向がどこでも同一の
ホモジニアス配向のため、このような横電界に対して画
素内の液晶分子の配列歪が大きい。そのため画素内に逆
チルトディスクリネ−ションラインが発生し、画素の光
抜け等の表示不良の原因となっていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】画素面内でのこのよう
な逆チルトディスクリネ−ションラインの領域は表示に
使えないので、通常は画素のドメイン領域にマスクをし
て、ドメインが見えないようにしている。このために画
素開口率が低下し高輝度のパネルを得るのが困難であっ
た。
な逆チルトディスクリネ−ションラインの領域は表示に
使えないので、通常は画素のドメイン領域にマスクをし
て、ドメインが見えないようにしている。このために画
素開口率が低下し高輝度のパネルを得るのが困難であっ
た。
【０００９】本発明は、上記に記したような横電界によ
る画素面内での逆チルトディスクリネ−ションラインの
発生を抑制し、良好な表示と高い画素開口率が得られる
アクティブ型パネルを提供することを目的とする。
る画素面内での逆チルトディスクリネ−ションラインの
発生を抑制し、良好な表示と高い画素開口率が得られる
アクティブ型パネルを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明は、ソ−ス線と画素電極間の領域、およびゲ
−ト線と画素電極間の領域に塗布または印刷する配向膜
として、液晶分子の傾角が垂直近傍となる性質を有する
有機配向膜を用いるものである。
め、本発明は、ソ−ス線と画素電極間の領域、およびゲ
−ト線と画素電極間の領域に塗布または印刷する配向膜
として、液晶分子の傾角が垂直近傍となる性質を有する
有機配向膜を用いるものである。
【００１１】
【作用】以下、横電界による画素面内での逆チルトディ
スクリネ−ションライン発生の機構について、ソ−ス線
と画素電極を例に説明する。このことは、ゲ−ト線と画
素電極間でも同等である。
スクリネ−ションライン発生の機構について、ソ−ス線
と画素電極を例に説明する。このことは、ゲ−ト線と画
素電極間でも同等である。
【００１２】画素内の逆チルトディスクリネ−ションラ
インは、基本的には、ソ−ス線と画素電極間の横電界に
よる液晶分子の配向歪を緩和する過程で発生すると考え
られる。横電界が弱いときは、画素電極のエッジ近辺の
液晶分子は、ノーマルチルト状態であるが、横電界が強
くなると液晶分子は、リバ−スチルト状態となる。この
ときリバ−スチルトとノ−マルチルトの境界で逆チルト
ディスクリネ−ションラインが発生する。アクティブ型
パネルの駆動は、横電界強度が、強弱を繰り返すような
駆動である。そのため画素電極のエッジ近辺の液晶分子
は、横電界の強弱に伴いノ−マルチルトとリバ−スチル
トを交互に繰り返す。 このときにできる逆チルトディ
スクリネ−ションラインを緩和するように画素上の液晶
分子が再配列する過程において逆チルトディスクリネ−
ションラインが画素内に侵入する。これが画素面内での
逆チルトディスクリネ−ションライン発生の機構である
と考えられる。
インは、基本的には、ソ−ス線と画素電極間の横電界に
よる液晶分子の配向歪を緩和する過程で発生すると考え
られる。横電界が弱いときは、画素電極のエッジ近辺の
液晶分子は、ノーマルチルト状態であるが、横電界が強
くなると液晶分子は、リバ−スチルト状態となる。この
ときリバ−スチルトとノ−マルチルトの境界で逆チルト
ディスクリネ−ションラインが発生する。アクティブ型
パネルの駆動は、横電界強度が、強弱を繰り返すような
駆動である。そのため画素電極のエッジ近辺の液晶分子
は、横電界の強弱に伴いノ−マルチルトとリバ−スチル
トを交互に繰り返す。 このときにできる逆チルトディ
スクリネ−ションラインを緩和するように画素上の液晶
分子が再配列する過程において逆チルトディスクリネ−
ションラインが画素内に侵入する。これが画素面内での
逆チルトディスクリネ−ションライン発生の機構である
と考えられる。
【００１３】逆チルトディスクリネ−ションラインが画
素内にできるのを防ぐには、ソ−ス線と画素電極間の液
晶分子の配向歪を、ソ−ス線と画素電極間の領域で緩和
して、配向歪による液晶分子の再配列が画素内の液晶分
子に及ばないようにすれば良い。
素内にできるのを防ぐには、ソ−ス線と画素電極間の液
晶分子の配向歪を、ソ−ス線と画素電極間の領域で緩和
して、配向歪による液晶分子の再配列が画素内の液晶分
子に及ばないようにすれば良い。
【００１４】ソ−ス線と画素電極間の領域の液晶をホメ
オトロピック配向にすると、横電界の強弱に対してこれ
らの液晶分子は、垂直チルトとリバ−スチルトを交互す
ることになる。通常のホモジニアス配向では、ノ−マル
チルトとリバ−スチルトを交互するため液晶分子の角度
変化は１８０度であるが、ホメオトロピック配向では、
上記のことから、液晶分子の角度変化は９０度である。
このようにホメオトロピック配向は、ホモジニアス配向
に比べて横電界に対するチルトの変化が小さいので、画
素内の液晶分子の再配列に対して横電界の一種の緩衝壁
の役割を果たす。このため液晶の配向歪を、従来より画
素電極のよりエッジ近くで緩和することができる。
オトロピック配向にすると、横電界の強弱に対してこれ
らの液晶分子は、垂直チルトとリバ−スチルトを交互す
ることになる。通常のホモジニアス配向では、ノ−マル
チルトとリバ−スチルトを交互するため液晶分子の角度
変化は１８０度であるが、ホメオトロピック配向では、
上記のことから、液晶分子の角度変化は９０度である。
このようにホメオトロピック配向は、ホモジニアス配向
に比べて横電界に対するチルトの変化が小さいので、画
素内の液晶分子の再配列に対して横電界の一種の緩衝壁
の役割を果たす。このため液晶の配向歪を、従来より画
素電極のよりエッジ近くで緩和することができる。
【００１５】このように、ソ−ス線と画素電極間の液晶
をホメオトロピック配向にすることで、液晶の配向歪を
画素電極のエッジ近くで緩和し、画素内での逆チルトデ
ィスクリネ−ションラインの発生を抑制することができ
る。尚、このときの対向基板の配向は、基板上をホモジ
ニアスにしたハイブリッド型でも、この領域に対応した
対向基板上の領域のみをホメオトロピックに加工したホ
メオトロピック型でも良い。
をホメオトロピック配向にすることで、液晶の配向歪を
画素電極のエッジ近くで緩和し、画素内での逆チルトデ
ィスクリネ−ションラインの発生を抑制することができ
る。尚、このときの対向基板の配向は、基板上をホモジ
ニアスにしたハイブリッド型でも、この領域に対応した
対向基板上の領域のみをホメオトロピックに加工したホ
メオトロピック型でも良い。
【００１６】
【実施例】（図１）に本発明のアクティブ型液晶パネル
の実施例を示した。実施例は、直視型ディスプレイ対応
のパネルについて述べるが、これは投射型ディスプレイ
対応のパネルについても同等である。
の実施例を示した。実施例は、直視型ディスプレイ対応
のパネルについて述べるが、これは投射型ディスプレイ
対応のパネルについても同等である。
【００１７】ガラス基板１上に、蒸着とエッチングの手
法を用いて、画素電極２、ソ−ス線３、トランジスタ４
等を作成した。さらにパシベ−ション膜５を蒸着した。
対向基板６上には、カラ−フィルタ７と対向電極８をつ
けた。さらにパシベ−ション膜５と対向電極８上にポリ
イミド配向膜９と１０を印刷法でつけた。画素形状をパ
タ−ニングしたマスクを用いてポリイミド配向膜９上に
画素形状に合致するように有機レジストを塗布した。さ
らにエッチング法でポリイミド配向膜９を画素形状に加
工した。ポリイミド配向膜９と１０は、ともに配向時の
液晶のプレチルト角の大きさが２度程度のものを用い
た。
法を用いて、画素電極２、ソ−ス線３、トランジスタ４
等を作成した。さらにパシベ−ション膜５を蒸着した。
対向基板６上には、カラ−フィルタ７と対向電極８をつ
けた。さらにパシベ−ション膜５と対向電極８上にポリ
イミド配向膜９と１０を印刷法でつけた。画素形状をパ
タ−ニングしたマスクを用いてポリイミド配向膜９上に
画素形状に合致するように有機レジストを塗布した。さ
らにエッチング法でポリイミド配向膜９を画素形状に加
工した。ポリイミド配向膜９と１０は、ともに配向時の
液晶のプレチルト角の大きさが２度程度のものを用い
た。
【００１８】次に、画素部を隠したマスクを用いて、ソ
−ス線３およびゲ−ト線と、画素電極２の間の領域にヘ
キサデシルアミンをホメオトロピック配向膜１１として
塗布した。さらに基板全面をナイロン繊維でラビング
し、上下基板を張り合わせてアクティブ型パネルを作成
した。尚、ここでは、エッチング法を用いてホメオトロ
ピック配向膜を画素電極周囲に塗布したが、光照射で液
晶の傾角が変化する配向膜を基板全面に塗布し、マスク
を用いて画素電極周囲、もしくは画素電極部に光照射を
行なうことで、基板上の液晶分子の傾角を画素電極部と
その周囲で変えても同様の効果が得られる。またヘキサ
デシルアミン以外にもＯＤＳＥやＤＭＯＡＰ等のホメオ
トロピック配向膜でも同様の効果がある。
−ス線３およびゲ−ト線と、画素電極２の間の領域にヘ
キサデシルアミンをホメオトロピック配向膜１１として
塗布した。さらに基板全面をナイロン繊維でラビング
し、上下基板を張り合わせてアクティブ型パネルを作成
した。尚、ここでは、エッチング法を用いてホメオトロ
ピック配向膜を画素電極周囲に塗布したが、光照射で液
晶の傾角が変化する配向膜を基板全面に塗布し、マスク
を用いて画素電極周囲、もしくは画素電極部に光照射を
行なうことで、基板上の液晶分子の傾角を画素電極部と
その周囲で変えても同様の効果が得られる。またヘキサ
デシルアミン以外にもＯＤＳＥやＤＭＯＡＰ等のホメオ
トロピック配向膜でも同様の効果がある。
【００１９】ソ−ス線よりプラス５Ｖの電圧を画素電極
に印加し、そののちソ−ス線に３Ｖの交流波形を加え
て、パネルをノ−マリホワイトモ−ドで観測したとこ
ろ、従来、画素中央に大きく現われていた逆チルトディ
スクリネ−ションラインが画素電極エッジ近辺に現われ
ており、画素内は、良好な表示が得られた。また逆チル
トディスクリネ−ション領域が小さくなったことで画素
開口率も従来より高くすることができた。
に印加し、そののちソ−ス線に３Ｖの交流波形を加え
て、パネルをノ−マリホワイトモ−ドで観測したとこ
ろ、従来、画素中央に大きく現われていた逆チルトディ
スクリネ−ションラインが画素電極エッジ近辺に現われ
ており、画素内は、良好な表示が得られた。また逆チル
トディスクリネ−ション領域が小さくなったことで画素
開口率も従来より高くすることができた。
【００２０】
【発明の効果】以上のように本発明は、アクティブ型液
晶パネルでソ−ス線またはゲ−ト線と、画素電極間の領
域にホメオトロピック配向膜を用いることで、ソ−ス線
またはゲ−ト線と画素電極間に生じる横電界による液晶
分子の配向歪を緩和し、画素内の逆チルトディスクリネ
−ションラインを解消して良好な表示と高い画素開口率
を実現するものである。
晶パネルでソ−ス線またはゲ−ト線と、画素電極間の領
域にホメオトロピック配向膜を用いることで、ソ−ス線
またはゲ−ト線と画素電極間に生じる横電界による液晶
分子の配向歪を緩和し、画素内の逆チルトディスクリネ
−ションラインを解消して良好な表示と高い画素開口率
を実現するものである。
【図１】本発明の実施例のアクティブ型液晶パネルの断
面図である。
面図である。
【図２】アクティブ型液晶パネルの１画素の概略図であ
る。
る。
【図３】従来のアクティブ型液晶パネルの断面図であ
る。
る。
２ 画素電極 ３ ソ−ス線 ８ 対向電極 ９ ポリイミド配向膜 １１ ホメオトロピック配向膜 １４ 液晶
Claims (2)
- 【請求項１】 基板間に少なくとも液晶と有機配向膜を
有するアクティブ型液晶パネルにおいて、前記基板の少
なくとも一方で、同一基板上で液晶分子が２つの異なっ
た傾角を有することを特徴とするアクティブ型液晶パネ
ル。 - 【請求項２】 基板上に少なくとも画素電極とトランジ
スタ駆動用配線と画素電圧印加用配線と有機配向膜を有
するアクティブ型液晶パネルにおいて、少なくともトラ
ンジスタ駆動用配線と画素電極間の領域、または画素電
圧印加用配線と画素電極間の領域に存在する前記有機配
向膜のどちらか一方が、液晶分子の傾角が垂直近傍とな
る性質を有するものであることを特徴とする請求項１記
載のアクティブ型液晶パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30738991A JPH05142544A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | アクテイブ型液晶パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30738991A JPH05142544A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | アクテイブ型液晶パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05142544A true JPH05142544A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17968465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30738991A Pending JPH05142544A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | アクテイブ型液晶パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05142544A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796458A (en) * | 1992-09-01 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Element division liquid crystal display device and its manufacturing method |
| KR100957612B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2010-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP30738991A patent/JPH05142544A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796458A (en) * | 1992-09-01 | 1998-08-18 | Fujitsu Limited | Element division liquid crystal display device and its manufacturing method |
| KR100957612B1 (ko) * | 2003-12-15 | 2010-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
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