JPH0523514B2 - - Google Patents

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JPH0523514B2
JPH0523514B2 JP602086A JP602086A JPH0523514B2 JP H0523514 B2 JPH0523514 B2 JP H0523514B2 JP 602086 A JP602086 A JP 602086A JP 602086 A JP602086 A JP 602086A JP H0523514 B2 JPH0523514 B2 JP H0523514B2
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JP
Japan
Prior art keywords
cutter
scribing
workpiece
data
predetermined
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP602086A
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Japanese (ja)
Other versions
JPS62163386A (en
Inventor
Masanobu Yae
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DAITORON TEKUNOROJII KK
Original Assignee
DAITORON TEKUNOROJII KK
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Publication date
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Publication of JPS62163386A publication Critical patent/JPS62163386A/en
Publication of JPH0523514B2 publication Critical patent/JPH0523514B2/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、劈開作業を行なうため、平板状のレ
ーザーダイオード用化合物半導体に傷入れを行な
うポイントスクライブ装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a point scribing device for making a scratch on a flat compound semiconductor for a laser diode in order to perform a cleavage operation.

(従来の技術) 従来、シリコンウエハーを所定サイズのチツプ
に割る装置が知られている。その装置では、シリ
コンウエハーの表面に升目状に傷をつけ、等該升
目状の傷に沿つて割りチツプにする、所謂フルス
クライブ作業をするようになつている。
(Prior Art) Conventionally, an apparatus for cutting a silicon wafer into chips of a predetermined size is known. This device performs a so-called full scribing operation in which the surface of a silicon wafer is scratched in a square pattern and split into chips along the square scratches.

一方、レーザーダイオードは250μ角程度の大
きさであり、1cm角、厚さ100μ程度の大きさを
有する平板状の化合物半導体を劈開作業により割
ることによつて得られる。レーザーダイオードは
割られた劈開面からレーザーを発するため、劈開
面の形状が特に重要である。
On the other hand, a laser diode has a size of about 250 microns square, and is obtained by cleaving a flat compound semiconductor having a size of about 1 cm square and a thickness of about 100 microns. Since a laser diode emits laser light from a cleavage plane, the shape of the cleavage plane is particularly important.

(発明が解決しようとする問題点) 上記従来の装置では、ワークの表面に升目状に
傷をつける構成となつている。従つてその構成
を、劈開面を出しつつ所定サイズに割つてレーザ
ダイオードを得る劈開作業に採用すれば、つけら
れた傷によつて劈開面が端正でないという問題点
を残すことになる。
(Problems to be Solved by the Invention) The conventional apparatus described above is configured to inflict scratches on the surface of a workpiece in a grid pattern. Therefore, if this configuration is adopted for a cleavage operation in which a laser diode is obtained by dividing the laser diode into a predetermined size while exposing the cleavage plane, the problem remains that the cleavage plane is not neat due to the scratches made.

又、上記装置では、直線状の比較的長い傷をつ
けるのに適しているが、短くしかも割れる方向を
正確に定めることのできる傷を精密につけること
ができない。従つてその構成を劈開作業に採用し
ても、所定の劈開面を的確にだすことができず、
製品の歩留りが極端に悪くなるという問題点を残
すことになる。
Further, although the above-mentioned device is suitable for making relatively long straight scratches, it cannot precisely make short scratches that can accurately determine the direction of cracking. Therefore, even if this configuration is adopted for cleavage work, it will not be possible to accurately produce a predetermined cleavage plane.
This leaves the problem that the yield of the product becomes extremely poor.

本発明は、上記問題点を解決しようとするもの
である。
The present invention attempts to solve the above problems.

(問題点を解決するための手段) 本発明のポイントスクライブ装置は、多数のレ
ーザーダイオードを形成した平板状の半導体ワー
クを載置するとともに該半導体ワークの平面と平
行な面内で直交二軸方向(X−Y方向)に移動可
能としたワーク送りテーブル、上記ワーク送りテ
ーブルの上方に配置されるとともに上記半導体ワ
ークの平面と垂直方向(Z方向)にスクライビン
グ用カツターを上下移動可能としたカツター機
構、スクライビングしようとする半導体ワークW
の形状・寸法に対応した、少なくともワーク送り
テーブルの移動速度、スクライブ間隔、スクライ
ビング長さ、スクライビング速度、スクライブ溝
深さ、及びカツターの上・下移動速度を含むスク
ライビング情報の入力操作手段、及び少なくとも
次の制御段階:スクライビング用カツターを原点
位置に設定;上記カツターを半導体ワークの平面
上の所定高さ位置へ設定する;上記カツターに対
し上記ワーク送りテーブルを、相対的にスクライ
ビング方向に所定速度で移送する;上記ワーク送
りテーブルの移送と同時に上記カツターの刃先を
ワーク送りテーブルに固定された半導体ワーク内
に向けて所定速度で下降させる;上記カツターの
刃先が半導体ワーク内の所定深さ位置に到達後、
その深さ位置を保持しながら該カツターに対し上
記ワーク送りテーブルを相対的に所定のスクライ
ビング速度で所定のスクライビング距離を移送す
る;上記半導体ワークの所定方向(Y方向)への
長さlのスクライビングの完了後、再び上記カツ
ターを所定速度でスクライビング開始時と同一高
さ位置まで上昇させる;及び、上記ワーク送りテ
ーブルの移送を停止するとともに該カツターを上
記スクライビング予備調整高さ位置まで所定速度
で上昇させ、その後原点位置へ復帰させる;を含
んだ制御ルーチンに従つて上記ワーク送りテーブ
ル及びスクライビングカツターの移送を制御する
電子制御ユニツトにより構成したことを特徴とす
る。
(Means for Solving the Problems) A point scribing device according to the present invention places a flat semiconductor workpiece on which a large number of laser diodes are formed, and scribes it in two orthogonal axes in a plane parallel to the plane of the semiconductor workpiece. a workpiece feeding table that is movable in (X-Y directions), and a cutter mechanism that is arranged above the workpiece feeding table and that allows a scribing cutter to be moved up and down in a direction (Z direction) perpendicular to the plane of the semiconductor workpiece. , semiconductor work W to be scribed
scribing information input operation means corresponding to the shape and dimensions of the workpiece, including at least the moving speed of the workpiece feed table, scribing interval, scribing length, scribing speed, scribing groove depth, and vertical/downward moving speed of the cutter; Next control step: Set the scribing cutter to the origin position; Set the cutter to a predetermined height position on the plane of the semiconductor workpiece; Move the workpiece feed table relative to the cutter at a predetermined speed in the scribing direction. Transfer; Simultaneously with the transfer of the workpiece feeding table, the cutting edge of the cutter is lowered at a predetermined speed into the semiconductor work fixed to the workpiece feeding table; The cutting edge of the cutter reaches a predetermined depth position within the semiconductor workpiece. rear,
While maintaining the depth position, the workpiece feeding table is transported a predetermined scribing distance at a predetermined scribing speed relative to the cutter; scribing the semiconductor workpiece with a length l in a predetermined direction (Y direction) After completion of the process, the cutter is raised again at a predetermined speed to the same height position as when scribing was started; and, while the transfer of the workpiece feeding table is stopped, the cutter is raised at a predetermined speed to the scribing pre-adjustment height position. The present invention is characterized by comprising an electronic control unit that controls the movement of the work feed table and the scribing cutter according to a control routine that includes the following steps:

(作用) まずテーブルに、平板状のレーザーダイオード
用化合物半導体を載せる。次に、カツターヘツド
に取付けられたカツターを化合物半導体上所定高
さまで下降させた後に、所定のスクライブスピー
ドで所定距離だけテーブルをカツターに対し相対
的にスライドさせる。テーブルのスライドととも
に、カツターを所定スクライブスピードで下降さ
せ、次にカツターを化合物半導体内の所定深さに
保持し、続いてカツターを所定スクライブスピー
ドで上昇させる。
(Function) First, a flat compound semiconductor for a laser diode is placed on a table. Next, the cutter attached to the cutter head is lowered to a predetermined height above the compound semiconductor, and then the table is slid relative to the cutter by a predetermined distance at a predetermined scribing speed. As the table slides, the cutter is lowered at a predetermined scribing speed, the cutter is then held at a predetermined depth within the compound semiconductor, and then the cutter is raised at a predetermined scribe speed.

これによつて、化合物半導体上に、化合物半導
体を直線状に割つて所定の劈開面を得るのに適し
た船形の傷が形成される。
As a result, a ship-shaped scratch suitable for linearly dividing the compound semiconductor to obtain a predetermined cleavage plane is formed on the compound semiconductor.

(実施例) 本発明によるポイントスクライブ装置の外観を
示す第2図において、机状の架台11の下部には
CPUやモータドライバーを有するコントロール
ボツクス12が設けられている。架台11には装
置本体13が載置され、更に装置本体13を制御
するための数値を入力し又装置本体13をコント
ロールするためのキーボードボツクス14、ステ
イツクコントローラーボツクス15及びモニター
16が載置されている。
(Example) In FIG. 2 showing the appearance of the point scribing device according to the present invention, the lower part of the desk-shaped pedestal 11 is
A control box 12 having a CPU and a motor driver is provided. A device main body 13 is placed on the pedestal 11, and a keyboard box 14, a stake controller box 15, and a monitor 16 are also placed for inputting numerical values for controlling the device main body 13 and for controlling the device main body 13. ing.

第3図に示すように、装置本体13の後部には
支持テーブル17が固定されており、支持テーブ
ル17には作業者が覗く顕微鏡18が上下・前
後・左右に移動可能の状態で支持されている。顕
微鏡18としては例えば5〜400倍の双眼ズーム
式実体顕微鏡が用いられる。装置本体13の前部
上面にはテーブル19が配置されており、テーブ
ル19の上方に顕微鏡18が配置されている。装
置本体13の後部にはカツターヘツド20の基部
が支持されており、カツターヘツド20の先端部
に取付けられたカツター21がテーブル19の上
方に配置されている。
As shown in FIG. 3, a support table 17 is fixed to the rear of the apparatus main body 13, and a microscope 18 through which the operator looks is supported on the support table 17 so as to be movable up and down, back and forth, and left and right. There is. As the microscope 18, for example, a binocular zoom stereo microscope with a magnification of 5 to 400 times is used. A table 19 is arranged on the upper front surface of the apparatus main body 13, and a microscope 18 is arranged above the table 19. A base portion of a cutter head 20 is supported at the rear of the device body 13, and a cutter 21 attached to the tip of the cutter head 20 is disposed above a table 19.

装置本体13の内部構造の概略である第1図に
示すように、ベース25に載置されたテーブル1
9はテーブルガイド26とそれにガイドされてX
軸方向(矢印X方向)に移動するX軸テーブル2
7とを有し、X軸テーブル27はX軸用パルスモ
ータ28によつて駆動制御されるようになつてい
る。X軸テーブル27にはテーブルガイド29が
載置されており、テーブルガイド29にはそれに
ガイドされてY軸方向(矢印Y方向)に移動する
Y軸テーブル30が嵌合し、Y軸テーブル30は
Y軸用パルスモータ31によつて駆動制御される
ようになつている。Y軸テーブル30にはθテー
ブル32が載置されており、θテーブル32は図
示しないθ方向用パルスモータによつて縦軸(Z
軸)回りθ方向に回転制御されるようになつてい
る。又、θテーブル32の上端面は水平に形成さ
れている。なお図示しないが、θテーブル32の
上端面には小孔が多数形成されており、その小孔
にはθテーブル32の内部を通じて減圧機構が連
結されている。即ちθテーブル32の上端面はバ
キユーム吸着を行なう機能を有している。
As shown in FIG. 1, which is a schematic diagram of the internal structure of the device main body 13, the table 1 is placed on a base 25.
9 is the table guide 26 and is guided by it
X-axis table 2 that moves in the axial direction (arrow X direction)
7, and the X-axis table 27 is driven and controlled by an X-axis pulse motor 28. A table guide 29 is placed on the X-axis table 27, and a Y-axis table 30 that is guided by the table guide 29 and moves in the Y-axis direction (arrow Y direction) is fitted into the table guide 27. The drive is controlled by a Y-axis pulse motor 31. A θ table 32 is placed on the Y-axis table 30, and the θ table 32 is rotated along the vertical axis (Z) by a θ-direction pulse motor (not shown).
The rotation is controlled in the θ direction around the shaft. Further, the upper end surface of the θ table 32 is formed horizontally. Although not shown, a large number of small holes are formed in the upper end surface of the θ table 32, and a pressure reducing mechanism is connected to the small holes through the inside of the θ table 32. That is, the upper end surface of the θ table 32 has a function of vacuum suction.

一方、カツターヘツド20はθテーブル32の
直径方向に延びる片持ちレバーの先端部に装置さ
れる。カツターヘツド20に固定されたカツター
21はθテーブル32の上方に配置されている。
カツターヘツド20の基部はX方向と平行に延在
する支持軸35の中間部に半径方向に突出する姿
勢で固定されている。支持軸35の両端部は、ベ
ース25に下端が固定された1対のサポータ36
の上部に回動自在に支持されている。一方のサポ
ータ36からX方向に突出する支持軸35の部分
には、上下方向に延在するZ軸用アーム37の上
部側面が連結されており、Z軸用アーム37がY
方向に移動すればその移動量に応じて支持軸35
が回転する。Z軸用アーム37の下端部はY方向
に延在するボールねじ38に螺着しており、ボー
ルねじ38の回転によつてZ軸用アーム37の下
端部がY方向に移動するようになつている。ボー
ルねじ38の一端にはZ軸用パルスモータ39の
駆動軸が連結されており、これによつてボールね
じ38が回転制御されるようになつている。な
お、このリンク機構によつて、Z軸用アーム37
のY方向の移動量とカツターヘツド20に取付け
られたカツター21の先端部のZ方向の移動量が
1:1に対応するようになつている。
On the other hand, the cutter head 20 is installed at the tip of a cantilever lever extending in the diametrical direction of the θ table 32. A cutter 21 fixed to a cutter head 20 is placed above a θ table 32.
The base of the cutter head 20 is fixed to an intermediate portion of a support shaft 35 extending parallel to the X direction in a radially protruding position. Both ends of the support shaft 35 are connected to a pair of supporters 36 whose lower ends are fixed to the base 25.
It is rotatably supported at the top of the. An upper side surface of a Z-axis arm 37 extending in the vertical direction is connected to a portion of the support shaft 35 that protrudes in the X direction from one supporter 36.
If it moves in the direction, the support shaft 35
rotates. The lower end of the Z-axis arm 37 is screwed onto a ball screw 38 extending in the Y direction, and the rotation of the ball screw 38 causes the lower end of the Z-axis arm 37 to move in the Y direction. ing. A drive shaft of a Z-axis pulse motor 39 is connected to one end of the ball screw 38, so that the rotation of the ball screw 38 is controlled thereby. Note that this link mechanism allows the Z-axis arm 37
The amount of movement in the Y direction and the amount of movement in the Z direction of the tip of the cutter 21 attached to the cutter head 20 correspond in a 1:1 ratio.

第4図に示すように、カツターヘツド20は主
としてカツターヘツド本体40とカツターヘツド
本体40から先方に突出するアーム41とから形
成されている。アーム41の基部はカツターヘツ
ド本体40内においてX方向の軸回り回動自在に
カツターヘツド本体40に支持されており、図示
しないスプリングによつて常時下方に弾性的に付
勢されている。アーム41に対するスプリングの
付勢力はばね調整つまみ42を手で回動されるこ
とによつてカツター21を下方に押圧する力を調
節できるようになつている。化合物半導体のスク
ライビング作業においては、カツター21の先端
で5〜35g程度、より好ましくは約20gの荷重と
なるようにスプリングの付勢力が設定される。概
ねY方向に突出するアーム41の先端部には概ね
下方に向けてカツター21が保持されている。カ
ツター21はアーム41の先端側部に設けられた
角度調整つまみ43を緩めることによつてX方向
の軸回りに回動可能となり、作業者が手で操作し
てカツター21の水平面に対する傾斜角度を調節
できるようになつている。又、アーム41の先端
側部に設けられたカツター脱着つまみ44を緩め
ることによつてカツター21の保持を解くことが
でき、これによつてカツター21の取替えができ
る。
As shown in FIG. 4, the cutter head 20 is mainly formed of a cutter head body 40 and an arm 41 that projects forward from the cutter head body 40. The base of the arm 41 is supported by the cutter head body 40 so as to be rotatable about an axis in the X direction within the cutter head body 40, and is always elastically biased downward by a spring (not shown). The biasing force of the spring against the arm 41 can be adjusted by manually rotating a spring adjustment knob 42 to press the cutter 21 downward. In compound semiconductor scribing work, the biasing force of the spring is set so that the load at the tip of the cutter 21 is about 5 to 35 g, more preferably about 20 g. The cutter 21 is held generally downward at the tip of the arm 41 that protrudes generally in the Y direction. The cutter 21 can be rotated around the axis in the X direction by loosening the angle adjustment knob 43 provided on the side of the tip of the arm 41, and the operator manually adjusts the inclination angle of the cutter 21 with respect to the horizontal plane. It is adjustable. Further, the cutter 21 can be released from being held by loosening a cutter removal knob 44 provided on the side of the tip end of the arm 41, thereby allowing the cutter 21 to be replaced.

カツター21としては、例えば3ポイント式の
ダイヤモンドカツターが用いられる。カツター2
1は円柱部材の一端に円錐台形部が形成され、該
円錐台形部に、第5図示に示すように、三角錐状
のダイヤモンドカツターを固着して構成される。
スクライブ作業にあたり、該ダイヤモンドカツタ
ーにおける3つのコーナー45の内のいずれか1
つを使用するようになつている。
As the cutter 21, for example, a three-point diamond cutter is used. cutter 2
1 has a truncated conical part formed at one end of a cylindrical member, and a triangular pyramid-shaped diamond cutter is fixed to the truncated conical part, as shown in FIG.
During scribing work, any one of the three corners 45 of the diamond cutter
People are starting to use one.

次に作動を説明する。 Next, the operation will be explained.

最初に、スクライビング作業を行なうのに必要
なデータの設定を行なう。第1図のX軸テーブル
27の移動スピード(1)、移動ステツプ幅(2)及びス
テツプ回数(3)を決め、Y軸テーブル30の移動ス
ピード(4)、移動ステツプ幅(5)及びステツプ回数(6)
を決め、Y軸テーブル30のスクライブ時の移動
長さ即ち傷の長さ(7)及びスクライブ時のスピード
(8)を決め、カツター21の上下スピード(9)、カツ
ター21の所定高さからの下降距離即ち傷の深さ
(10)を決める。決定されたこれらの値を第2図のキ
ーボードボツクス14を用いて入力する。
First, set the data necessary to perform the scribing work. Determine the moving speed (1), moving step width (2), and number of steps (3) of the X-axis table 27 in FIG. 1, and determine the moving speed (4), moving step width (5), and number of steps of the Y-axis table 30. (6)
Determine the moving length of the Y-axis table 30 when scribing, that is, the length of the scratch (7) and the speed when scribing.
(8), the vertical speed of the cutter 21 (9), and the descending distance of the cutter 21 from a predetermined height, that is, the depth of the scratch.
Determine (10). These determined values are entered using the keyboard box 14 in FIG.

データの入力が済めば、顕微鏡18(第2図)
の接眼レンズに描かれたクロスラインの交点と半
導体ワークのスクライビング開始位置とを合せる
作業を行なう。ワークを第1図のθテーブル32
上に置きバキユーム吸着によつて固定する。ワー
クには例えば250μ角のレーザーダイオードを作
成するために予めパターンが付けられている。多
数のレーザーダイオードを集積形成した平板状の
半導体ワークWは例えば1cm角、厚さ100μであ
る。ステイツクコントローラーボツクス15(第
2図)に設けられたステイツクを作業者が手で操
作しステイツクコントロールによつて、ワークを
顕微鏡18の視野内にいれる。又、θテーブル3
2をθ方向に回して、ワークの辺をX方向とY方
向に向ける。
After entering the data, the microscope 18 (Fig. 2)
The work is performed to align the intersection of the cross lines drawn on the eyepiece with the scribing start position of the semiconductor workpiece. The workpiece is placed on the θ table 32 in Figure 1.
Place it on top and fix it by vacuum suction. The workpiece is pre-patterned to create, for example, a 250μ square laser diode. A flat semiconductor work W in which a large number of laser diodes are integrated is, for example, 1 cm square and 100 μm thick. An operator manually operates a stake provided in a stake controller box 15 (FIG. 2) to bring the workpiece into the field of view of the microscope 18 using the stake control. Also, θ table 3
2 in the θ direction to orient the sides of the workpiece in the X and Y directions.

ワークのセツトが済めば、後述する方法と同様
にして傷入れを1回だけ行なう。入つた傷を目印
として顕微鏡18を移動させるとともに顕微鏡1
8の接眼レンズを回し、傷をY方向のクロスライ
ンに合致させるとともに傷の一端をクロスライン
の交点に一致させる。確認のため、X軸テーブル
27を1移動ステツプ幅(2)だけ移動させ、再び傷
入れを1回行なう。新たに入つた傷が顕微鏡18
のクロスライン上に来るとともにその傷の一端が
交点に一致していれば顕微鏡18のクロスライン
と傷入れ開始位置とが一致したことになる。な
お、このクロスラインと傷入れ開始位置とを合せ
る作業は、カツター21の角度と長さを変える度
に行なう必要がある。
Once the workpiece has been set, the scratches are made only once in the same manner as described later. While moving the microscope 18 using the scratch as a mark, the microscope 1
Turn the eyepiece No. 8 to align the scratch with the cross line in the Y direction, and also align one end of the scratch with the intersection of the cross lines. For confirmation, the X-axis table 27 is moved by one movement step width (2) and the scratch is made once again. The new wound is under the microscope 18
If the cross line of the microscope 18 is on the cross line and one end of the scratch coincides with the intersection, it means that the cross line of the microscope 18 and the scratch starting position coincide. Note that it is necessary to align this cross line with the incision start position each time the angle and length of the cutter 21 are changed.

次に、上記入力データに基づいてスクライブ作
業を自動的に行なう。その基本的な傷の配置を第
6図に示す。第6図において、Wはワーク、Sは
ワークWの表面につけられた傷をあらわしてお
り、( )内の数字は上記入力データに対応して
いる。
Next, a scribing operation is automatically performed based on the input data. The basic arrangement of the scratches is shown in FIG. In FIG. 6, W represents a workpiece, S represents a scratch made on the surface of the workpiece W, and the numbers in parentheses correspond to the above input data.

例えば左上端の傷Sからつけるものとする。傷
Sの長さはデータ(7)により、具体的にはY軸用パ
ルスモータ31によるY軸テーブル30の移動量
によつて決まる。1本の傷Sがつけば、データ(2)
に基づいてワークWをX方向に1ステツプ移動さ
せ、続いてデータ(7)の長さだけの傷Sをつける。
ワークWのX方向への移動スピードはデータ(1)に
より、具体的にはX軸用パルスモータ28による
X軸テーブル27の移動スピードによつて決ま
る。
For example, it is assumed that the scratch is made starting from the scratch S at the upper left corner. The length of the scratch S is determined by data (7), specifically, by the amount of movement of the Y-axis table 30 by the Y-axis pulse motor 31. If there is one scratch S, data (2)
The workpiece W is moved one step in the X direction based on the data (7), and then a scratch S with the length of data (7) is created.
The moving speed of the workpiece W in the X direction is determined by data (1), specifically, the moving speed of the X-axis table 27 by the X-axis pulse motor 28.

データ(3)の回数だけX方向に所定本数の傷Sを
つければ、データ(5)に基づいてY方向に所定間隔
を隔て、次の傷Sをつけて行く。Y方向の移動ス
ピードはデータ(4)に基づき、具体的にはY軸用パ
ルスモータ31によるY軸テーブル30の移動ス
ピードによつて決まる。ここでも、データ(1),
(2),(3),(7)に基づいて傷Sを所定間隔に所定本数
つける。この動作をデータ(6)に基づく回数だけ繰
返せば、1つのワークWでのスクライビングが終
了する。
Once a predetermined number of scratches S are made in the X direction as many times as data (3), the next scratches S are made at predetermined intervals in the Y direction based on data (5). The moving speed in the Y direction is determined based on data (4), specifically, the moving speed of the Y-axis table 30 by the Y-axis pulse motor 31. Again, data (1),
A predetermined number of scratches S are made at predetermined intervals based on (2), (3), and (7). By repeating this operation the number of times based on data (6), scribing on one workpiece W is completed.

各傷Sは第7図に示すようにつけられる。第7
図において、がカツター21の原点位置であ
る。まずカツター21はの位置まで下降する。
この上下動はZ軸用パルスモータ39によるボー
ルねじ38の回転によつて行なわれる。次にワー
クWに対しカツター21をY方向に相対移動させ
る。この移動はY軸用パルスモータ31によるY
軸テーブル30のY方向の移動によつて行なわ
れ、移動スピードはデータ(4)に基づいている。
又、この移動量は、顕微鏡18の視野を確保する
ために設けられるオフセツト量に対応している。
このオフセツトは、カツター21によつて顕微鏡
18の視野から外れ、傷Sの状態を顕微鏡18で
作業者が確認できなくなるのを防ぐものである。
Each wound S is made as shown in FIG. 7th
In the figure, is the origin position of the cutter 21. First, the cutter 21 is lowered to the position.
This vertical movement is performed by rotation of the ball screw 38 by the Z-axis pulse motor 39. Next, the cutter 21 is moved relative to the workpiece W in the Y direction. This movement is performed by the Y-axis pulse motor 31.
This is done by moving the axis table 30 in the Y direction, and the moving speed is based on data (4).
Further, this amount of movement corresponds to the amount of offset provided to ensure the field of view of the microscope 18.
This offset prevents the cutter 21 from moving out of the field of view of the microscope 18 and preventing the operator from being able to check the state of the wound S using the microscope 18.

の位置からカツター21は更に下方に移動さ
せられる。その時の移動スピードはデータ(9)基づ
くものであり、から間でのスピードよりもは
るかに遅い。ワークWの上端面よりある所定の高
さ(例えば150μの高さ)であるの位置にカツ
ター21が来れば、Y軸テーブル30によつてワ
ークWがY方向にデータ(8)のスピードで移動を開
始し、これと同時にカツター21が一定速度で下
降を開始する。その結果、ワークWに対しカツタ
ー21はの位置からの位置に相対的に移動す
ることになる。その時のデータ(8)に基づく移動ス
ピードは、データ(4)よりもはるかに遅い。から
までのカツター21の下降距離はデータ(10)に基
づいている。
The cutter 21 is moved further downward from the position. The movement speed at that time is based on data (9), and is much slower than the speed between. When the cutter 21 comes to a position at a certain predetermined height (for example, 150μ height) from the upper end surface of the workpiece W, the workpiece W is moved in the Y direction by the Y-axis table 30 at the speed of data (8). At the same time, the cutter 21 starts descending at a constant speed. As a result, the cutter 21 moves relative to the work W from the position . The movement speed based on data (8) at that time is much slower than data (4). The descending distance of the cutter 21 from to is based on data (10).

上記カツター21の刃先が半導体ワークWの表
面から所定深さ位置に到達すると該カツター21
はその深さ位置に保持される。したがつて、それ
以後はワークWには一定深さの傷Sがつけられ
る。カツター21がの位置に到達してからデー
タ(7)に基づく長さ(1)だけワークWが移送され、カ
ツター21がワークWに対し相対的にの位置に
到達すると、その後上述した位置からへの下
降動作におけると同様にして上昇させられる。そ
の時の移動スピードはデータ(9)に基づく。データ
(10)に基づく距離だけカツター21が上昇しての
位置に来れば、ワークWのY方向の移動は停止す
る。それ以降、位置からへの下降動作におけ
ると同様にしてカツター21の上昇のみが行なわ
れて、カツター21はの位置に来る。の位置
からデータ(4)に基づくスピードでワークWが移動
して、カツター21は相対的にの位置に戻り、
更にカツター21は上方に移動しての原点に戻
る。即ち、カツター21は傷Sに対してオフセツ
トされた位置に戻り、顕微鏡18の視野が確保さ
れる。
When the cutting edge of the cutter 21 reaches a predetermined depth position from the surface of the semiconductor workpiece W, the cutter 21
is held at that depth position. Therefore, from then on, the workpiece W is scratched at a constant depth. After the cutter 21 reaches the position, the workpiece W is transferred by the length (1) based on the data (7), and when the cutter 21 reaches the position relative to the workpiece W, the workpiece is moved from the above-mentioned position. It is raised in the same way as in the lowering operation of. The movement speed at that time is based on data (9). data
When the cutter 21 rises by the distance based on (10) and reaches the position, the movement of the workpiece W in the Y direction stops. From then on, the cutter 21 is only raised in the same way as in the lowering operation from the position to the position . The workpiece W moves from the position at a speed based on data (4), and the cutter 21 returns to the relative position.
Further, the cutter 21 moves upward and returns to the origin. That is, the cutter 21 returns to the position offset from the wound S, and the field of view of the microscope 18 is secured.

その結果得られる傷Sの平面形状が第8図に示
すような船形となる。劈開作業の際には、この船
形の先端部の延長方向直線状にワークWは割れ
る。傷Sの長さは30〜250μ程度、幅は7〜8μ程
度、深さは14〜16μ程度である。劈開作業が済ん
だ1個のレーザーダイオードの大きさは250μ角
であり、そこにボンダーで配線しモールドして製
品ができあがる。
The planar shape of the resulting scratch S becomes a boat shape as shown in FIG. During the cleavage operation, the workpiece W is split in a straight line in the extending direction of the boat-shaped tip. The length of the scratch S is about 30 to 250μ, the width is about 7 to 8μ, and the depth is about 14 to 16μ. Once the cleavage process has been completed, each laser diode is 250μ square in size, and the product is completed by wiring with a bonder and molding.

なお、実際のスクライブ作業では、一度にワー
クWの全面に縦横に傷Sを入れてしまうのではな
く、次のように行なう方が好ましい。まずワーク
Wの1辺の近傍のみに一列の傷Sを上記方法によ
つてつける。即ち、データ(4),(5),(6)を使用しな
い。次に、その傷Sに基づいてワークWを短冊状
に割り、劈開面を出す。この面がレーザーを発す
る面となる。この劈開面に保護膜のコーテイング
した後、各短冊状のワークWを250μ角のチツプ
状に割るための傷Sをつける。この場合の傷Sの
長さは100〜150μ程度であり、傷Sは短冊状ワー
クWの幅方向の中間部につけられる。即ち、短冊
状ワークWのエツジ部には傷Sがつけられないの
で、レーザーを発する劈開面に傷Sが悪影響を及
ぼすことはない。又、この場合にも、データ(4),
(5),(6)を使用しない上記方法によつて一列の傷S
をつける。最後に、ワークWをチツプ状に割り、
ボンダーで配線し、モールドして製品ができあが
る。
In the actual scribing operation, it is preferable to perform the following process instead of making the scratches S vertically and horizontally on the entire surface of the workpiece W at once. First, a row of scratches S is made only in the vicinity of one side of the work W by the above method. That is, data (4), (5), and (6) are not used. Next, the workpiece W is divided into strips based on the scratches S to expose cleavage planes. This surface becomes the surface that emits the laser. After coating this cleavage plane with a protective film, scratches S are made to break each strip-shaped workpiece W into 250 μ square chips. In this case, the length of the scratch S is about 100 to 150 μm, and the scratch S is made at the middle part of the strip-shaped workpiece W in the width direction. That is, since no scratches S are made on the edges of the strip-shaped workpiece W, the scratches S do not adversely affect the cleavage plane from which the laser is emitted. Also, in this case, data (4),
A row of scratches S is created by the above method without using (5) and (6).
Attach. Finally, cut the workpiece W into chips,
The product is completed by wiring with a bonder and molding.

(別の実施例) (a) 顕微鏡18に代え、或は顕微鏡18とともに
CCDカメラを取付け、コンピユータの画像認
識によつて、ワークWの位置決めを行なうよう
にすることもできる。
(Another embodiment) (a) Instead of the microscope 18 or together with the microscope 18
It is also possible to install a CCD camera and position the workpiece W by image recognition by a computer.

その場合に、2個のカメラを使用し、1つを
低倍率、他方を高倍率とする構成を採用しても
よい。低倍率のカメラで全体的な位置決めを行
ない、高倍率のカメラで精密な位置決めを行な
うことによつて、作業を迅速かつ正確に行える
ようになる利点がある。
In that case, a configuration may be adopted in which two cameras are used, one with low magnification and the other with high magnification. By performing overall positioning with a low-magnification camera and precise positioning with a high-magnification camera, there is an advantage that work can be performed quickly and accurately.

(b) 自動ローダーを取付けて、ワークWのロー
ド・アンロードを自動で行えるようにすること
もできる。
(b) It is also possible to install an automatic loader so that the work W can be loaded and unloaded automatically.

(発明の効果) 本発明のポイントスクライブ装置においては、
スクライビングしようとする半導体ワークWの形
状・寸法に応じて設定されたスクライビング情報
を電子制御ユニツトに入力し、該電子制御ユニツ
トにより所定の制御ルーチンに従つてワーク送り
テーブル及びスクライビングカツターの移送を逐
次数値制御するようにしたから次のような作用効
果が得られる: (a) 微小なレーザーダイオードチツプを得るため
の劈開作業を精確にかつ能率的に行うことがで
きる; (b) スクライビング対象の半導体ワークの形態に
応じて入力データを変更するだけで所望形態の
傷入れを非常に能率的に行うことでき、したが
つてスクライビング形態のデータ管理が可能と
なり、レーザーダイオードの量産工程に好適な
ものとすることができる。
(Effect of the invention) In the point scribing device of the present invention,
Scribing information set according to the shape and dimensions of the semiconductor workpiece W to be scribed is input into the electronic control unit, and the electronic control unit sequentially transports the workpiece feeding table and scribing cutter according to a predetermined control routine. By using numerical control, the following effects can be obtained: (a) The cleavage process to obtain minute laser diode chips can be performed accurately and efficiently; (b) The semiconductor to be scribed can be By simply changing the input data according to the shape of the workpiece, it is possible to make scratches in the desired shape very efficiently, making it possible to manage data on the scribing shape, making it suitable for the mass production process of laser diodes. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明によるレーザーダイオード用ポ
イントスクライブ装置の内部構造の概略を示す斜
視図、第2図はその全体の概略を示す正面図、第
3図は第2図の−矢視図、第4図はカツター
ヘツド部の斜視図、第5図はカツターの底面図、
第6図はワーク上の傷の位置を示す平面略図、第
7図はカツターの軌跡を示す側面図、第8図は傷
の詳細な形状を示す平面図である。19……テー
ブル、20……カツターヘツド、21……カツタ
ー。
FIG. 1 is a perspective view schematically showing the internal structure of a laser diode point scribing device according to the present invention, FIG. 2 is a front view schematically showing the entire structure, and FIG. Figure 4 is a perspective view of the cutter head, Figure 5 is a bottom view of the cutter,
FIG. 6 is a schematic plan view showing the position of the scratch on the workpiece, FIG. 7 is a side view showing the locus of the cutter, and FIG. 8 is a plan view showing the detailed shape of the scratch. 19... table, 20... cutter head, 21... cutter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 多数のレーザーダイオードを形成した平板状
の半導体ワークを載置するとともに該半導体ワー
クの平面と平行な面内で直交二軸方向(X−Y方
向)に移動可能としたワーク送りテーブル、 上記ワーク送りテーブルの上方に配置されると
ともに上記半導体ワークの平面と垂直方向(Z方
向)にスクライビング用カツターを上下移動可能
としたカツター機構、 スクライビングしようとする半導体ワークWの
形状・寸法に対応した、少なくともワーク送りテ
ーブルの移動速度(データ1,10)、スクライブ
間隔(データ2,5)、スクライビング長さ(デ
ータ7)、スクライビング速度(データ8)、スク
ライブ溝深さ(データ10)、及びカツターの上・
下移動速度(データ9)を含むスクライビング情
報の入力操作手段、及び 少なくとも次の制御段階: スクライビング用カツターを原点位置に設定; 上記カツターを半導体ワークの平面上の所定高
さ位置へ設定する; 上記カツターに対し上記ワーク送りテーブル
を、相対的にスクライビング方向(Y方向)に所
定速度で移送する; 上記ワーク送りテーブルの移送と同時に上記カ
ツターの刃先をワーク送りテーブルに固定された
半導体ワーク内に向けて所定速度で下降させる; 上記カツターの刃先が半導体ワーク内の所定深
さ位置に到達後、その深さ位置を保持しながら該
カツターに対し上記ワーク送りテーブルを相対的
に所定のスクライビング速度で所定のスクライビ
ング距離(l)を移送する; 上記半導体ワークの所定方向(Y方向)への長
さ(l)のスクライビングの完了後、再び上記カ
ツターを所定速度でスクライビング開始時と同一
高さ位置まで上昇させる;及び 上記ワーク送りテーブルの移送を停止するとと
もに該カツターを上記スクライビング予備調整高
さ位置まで所定速度で上昇させ、その後原点位置
へ復帰させる; を含んだ制御ルーチンに従つて上記ワーク送りテ
ーブル及びスクライビングカツターの移送を制御
する電子制御ユニツトにより構成したことを特徴
とする、レーザーダイオード用ポイントスクライ
ブ装置。
[Claims] 1. A flat semiconductor workpiece on which a large number of laser diodes are formed is placed and movable in orthogonal biaxial directions (X-Y directions) in a plane parallel to the plane of the semiconductor workpiece. A work feed table, a cutter mechanism which is arranged above the work feed table and is capable of vertically moving a scribing cutter in a direction perpendicular to the plane of the semiconductor work (Z direction), and a shape and shape of the semiconductor work W to be scribed. At least the movement speed of the workpiece feed table (data 1, 10), scribe interval (data 2, 5), scribing length (data 7), scribing speed (data 8), and scribe groove depth (data 10) corresponding to the dimensions. ), and the top of the cutter.
scribing information input operation means including the downward movement speed (data 9), and at least the following control steps: setting the scribing cutter to the origin position; setting the cutter to a predetermined height position on the plane of the semiconductor workpiece; The workpiece feed table is transferred relative to the cutter in the scribing direction (Y direction) at a predetermined speed; At the same time as the workpiece feed table is transferred, the cutting edge of the cutter is directed into the semiconductor work fixed to the workpiece feed table. After the cutting edge of the cutter reaches a predetermined depth position in the semiconductor workpiece, while maintaining that depth position, move the workpiece feeding table relative to the cutter at a predetermined scribing speed. After scribing the semiconductor workpiece for a length (l) in a predetermined direction (Y direction), raise the cutter again at a predetermined speed to the same height position as when scribing started. and stopping the transfer of the workpiece feeding table and raising the cutter at a predetermined speed to the scribing pre-adjustment height position, and then returning it to the home position. A point scribing device for a laser diode, comprising an electronic control unit that controls the transfer of a scribing cutter.
JP61006020A 1986-01-13 1986-01-13 Point-scribing device for laser diode Granted JPS62163386A (en)

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CN102107241A (en) * 2009-12-28 2011-06-29 赛科隆股份有限公司 Device for separating semiconductor package from packaging strap

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