JPH05234980A - 表面処理方法 - Google Patents
表面処理方法Info
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- JPH05234980A JPH05234980A JP3902792A JP3902792A JPH05234980A JP H05234980 A JPH05234980 A JP H05234980A JP 3902792 A JP3902792 A JP 3902792A JP 3902792 A JP3902792 A JP 3902792A JP H05234980 A JPH05234980 A JP H05234980A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は溶液中からのシリコン表面への金属
付着を抑制する表面処理方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体表面の酸化膜をエッチングする工程に
おいて、従来のＨＦを含む処理液のＰＨを２以下にする
か、あるいは処理液に浸漬する工程に引き続き、半導体
表面が露出する前に、ＰＨ２以下のＨＦを含む水溶液に
被処理基体を浸漬し半導体表面を露出させる表面処理方
法。 【効果】 本発明では溶液中からのＳｉ表面への金属付
着を抑制することができる。
付着を抑制する表面処理方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 半導体表面の酸化膜をエッチングする工程に
おいて、従来のＨＦを含む処理液のＰＨを２以下にする
か、あるいは処理液に浸漬する工程に引き続き、半導体
表面が露出する前に、ＰＨ２以下のＨＦを含む水溶液に
被処理基体を浸漬し半導体表面を露出させる表面処理方
法。 【効果】 本発明では溶液中からのＳｉ表面への金属付
着を抑制することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子製造プロセ
スにおける半導体の表面処理方法に関する。
スにおける半導体の表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のシリコン上の酸化膜のエッチング
には、ドーピングしていないＣＶＤ酸化膜と、リンとボ
ロンをドーピングしたＣＶＤ酸化膜のエッチング速度を
等しくするために、ＰＨ３〜４のＨＦとＮＨ4 Ｆの混合
水溶液を使用してきた。しかし、同じ溶液を多数回使用
するうちに溶液中に金属不純物を混入すると、シリコン
表面に金属、特にＨよりもイオン化傾向の小さな金属の
付着が生じ、その後の半導体プロセス酸化膜の耐圧の劣
化の原因となるという問題があった。
には、ドーピングしていないＣＶＤ酸化膜と、リンとボ
ロンをドーピングしたＣＶＤ酸化膜のエッチング速度を
等しくするために、ＰＨ３〜４のＨＦとＮＨ4 Ｆの混合
水溶液を使用してきた。しかし、同じ溶液を多数回使用
するうちに溶液中に金属不純物を混入すると、シリコン
表面に金属、特にＨよりもイオン化傾向の小さな金属の
付着が生じ、その後の半導体プロセス酸化膜の耐圧の劣
化の原因となるという問題があった。
【０００３】同様に、ＣＶＤやエピタキシャル成長の前
工程のウエット処理において、処理液中に金属不純物が
混入し、ウエハ表面に付着すると、薄膜が異常成長した
り、エピタキシャル成長させた結晶に結晶欠陥が生じる
という問題があった。
工程のウエット処理において、処理液中に金属不純物が
混入し、ウエハ表面に付着すると、薄膜が異常成長した
り、エピタキシャル成長させた結晶に結晶欠陥が生じる
という問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＨＦを含む水溶
液中での半導体表面の洗浄、または半導体表面の酸化膜
除去を行う工程において、前記水溶液に混入した金属が
半導体表面に付着し、その後の半導体プロセスで酸化膜
の耐圧の劣化や薄膜の異常成長などを生じるという問題
があった。本発明は以上の点に鑑み、半導体表面をＨＦ
を含む溶液に浸漬する表面処理であって、金属が半導体
に付着しない表面処理方法を提供するものである。
液中での半導体表面の洗浄、または半導体表面の酸化膜
除去を行う工程において、前記水溶液に混入した金属が
半導体表面に付着し、その後の半導体プロセスで酸化膜
の耐圧の劣化や薄膜の異常成長などを生じるという問題
があった。本発明は以上の点に鑑み、半導体表面をＨＦ
を含む溶液に浸漬する表面処理であって、金属が半導体
に付着しない表面処理方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明においては、少なくともＨＦと金属または金属
イオンを含んだ水溶液中に被処理基体を浸漬する表面処
理、あるいは、少なくともＨＦを含む水溶液中に、表面
に形成された薄膜表面に金属が付着しているかあるいは
表面に形成された薄膜中に金属が含まれた被処理基体を
浸漬する表面処理において、前記水溶液のＰＨを２以下
にすることを特徴とする表面処理方法（本発明第１項）
と、薄膜で被覆された半導体が表面に形成された被処理
基体を第１の水溶液に浸漬し、前記薄膜を途中までエッ
チングした後、前記被処理基体を第２の水溶液に浸漬
し、前記薄膜を更にエッチングして前記半導体の少なく
とも一部を露出させる表面処理であって、前記第１の水
溶液または前記薄膜が金属あるいは金属イオンを有する
ものであって、前記第２の水溶液が少なくともＨＦを含
みＰＨが２以下であることを特徴とする表面処理方法
（本発明第２項）を提供する。
に本発明においては、少なくともＨＦと金属または金属
イオンを含んだ水溶液中に被処理基体を浸漬する表面処
理、あるいは、少なくともＨＦを含む水溶液中に、表面
に形成された薄膜表面に金属が付着しているかあるいは
表面に形成された薄膜中に金属が含まれた被処理基体を
浸漬する表面処理において、前記水溶液のＰＨを２以下
にすることを特徴とする表面処理方法（本発明第１項）
と、薄膜で被覆された半導体が表面に形成された被処理
基体を第１の水溶液に浸漬し、前記薄膜を途中までエッ
チングした後、前記被処理基体を第２の水溶液に浸漬
し、前記薄膜を更にエッチングして前記半導体の少なく
とも一部を露出させる表面処理であって、前記第１の水
溶液または前記薄膜が金属あるいは金属イオンを有する
ものであって、前記第２の水溶液が少なくともＨＦを含
みＰＨが２以下であることを特徴とする表面処理方法
（本発明第２項）を提供する。
【０００６】
【作用】シリコンウエハを金属イオンとＨＦを含む水溶
液に浸漬すると、下に示すような酸化還元反応が生じ、
図１で示すようにウエハ表面に（１）式で生成した金属
が付着する。 ＜還元反応＞
液に浸漬すると、下に示すような酸化還元反応が生じ、
図１で示すようにウエハ表面に（１）式で生成した金属
が付着する。 ＜還元反応＞
【０００７】
【化１】 Ｍ+ ＋ｅ- → Ｍ （１）
【０００８】
【化２】 ２Ｈ+ ＋２ｅ- → Ｈ2 （２） ＜酸化反応＞
【０００９】
【化３】 Ｓｉ＋４ＯＨ- → ＳｉＯ2 ＋２Ｈ2 Ｏ＋４ｅ- （３） （３）式で生じたＳｉＯ2 は（４）式に示す反応により
溶解、除去され、Ｓｉ表面が露出するため、（１）〜
（３）の反応が継続して起こる。
溶解、除去され、Ｓｉ表面が露出するため、（１）〜
（３）の反応が継続して起こる。
【００１０】
【化４】 ＳｉＯ2 ＋６ＨＦ → Ｈ2 ＳｉＦ6 ＋２Ｈ2 （４）
【００１１】本発明によれば、従来の処理液のＰＨを２
以下にすることにより、（３）式のシリコンの酸化反応
を抑制し、酸化反応と対になって生じる金属イオンの還
元によるシリコン表面への金属の付着を抑制することを
可能にした。
以下にすることにより、（３）式のシリコンの酸化反応
を抑制し、酸化反応と対になって生じる金属イオンの還
元によるシリコン表面への金属の付着を抑制することを
可能にした。
【００１２】上記を実験的に確認するために、金属イオ
ンとして５０ｐｐｍのＣｕイオンの混入した、希ＨＦ
（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：２００）あるいは緩衝ＨＦ液（Ｈ
Ｆ：ＮＨ4 Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝６：３０：６４）に、ＨＣｌあ
るいはＫＯＨを添加しＰＨを１から４まで変化させた水
溶液に、Ｓｉウエハを５０分浸漬した。
ンとして５０ｐｐｍのＣｕイオンの混入した、希ＨＦ
（ＨＦ：Ｈ2 Ｏ＝１：２００）あるいは緩衝ＨＦ液（Ｈ
Ｆ：ＮＨ4 Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝６：３０：６４）に、ＨＣｌあ
るいはＫＯＨを添加しＰＨを１から４まで変化させた水
溶液に、Ｓｉウエハを５０分浸漬した。
【００１３】第２図にＣｕ付着量およびＳｉエッチング
量のＰＨ依存性を示す。ＰＨを小さくするにつれ、Ｃｕ
付着量およびＳｉエッチング量が減少し、ＰＨ２以下で
はＣｕ付着が減少し、ＰＨ１以下ではＣｕ付着を生じな
いことがわかる。
量のＰＨ依存性を示す。ＰＨを小さくするにつれ、Ｃｕ
付着量およびＳｉエッチング量が減少し、ＰＨ２以下で
はＣｕ付着が減少し、ＰＨ１以下ではＣｕ付着を生じな
いことがわかる。
【００１４】なお、ＰＨを小さくする方法はＨＣｌに限
るものではなく、他の酸、例えば、ＨＦ、ＨＮＯ3 、Ｈ
2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 でも可能である。但し、ＨＮ
Ｏ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 では、例えば下の（５）
式で示すようなＳｉの酸化反応が生じ、Ｓｉのエッチン
グが促進される。
るものではなく、他の酸、例えば、ＨＦ、ＨＮＯ3 、Ｈ
2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 でも可能である。但し、ＨＮ
Ｏ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 では、例えば下の（５）
式で示すようなＳｉの酸化反応が生じ、Ｓｉのエッチン
グが促進される。
【００１５】
【化５】 ８Ｓｉ＋２ＮＯ3 - ＋１０Ｈ2 Ｏ → ８ＳｉＯ2 ＋Ｎ2 ＋２ｅ- （５） Ｓｉのエッチングも抑制しながらＣｕの付着も抑制した
い場合は、Ｓｉの酸化を促進しないＨＣｌを添加する方
が適している。
い場合は、Ｓｉの酸化を促進しないＨＣｌを添加する方
が適している。
【００１６】上述の反応はＣｕに限らず起こるため、Ｐ
Ｈ２以下にすることで他の金属でも付着を抑制すること
ができる。特に、Ｈよりもイオン化傾向の小さい金属で
は（１）の反応が（２）の反応より起こりやすいため顕
著な効果が現れる。
Ｈ２以下にすることで他の金属でも付着を抑制すること
ができる。特に、Ｈよりもイオン化傾向の小さい金属で
は（１）の反応が（２）の反応より起こりやすいため顕
著な効果が現れる。
【００１７】しかし、ＰＨを２以下にするために液の組
成を変えると、以下に述べるような問題が生じることが
わかった。例えば、ノンドープのＣＶＤ酸化膜の上にリ
ンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化膜を有する酸化膜に
コンタクトホールを形成する場合、ＰＨを２以下にする
ために液の組成を変えると、ノンドープのＣＶＤ酸化膜
とリンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化膜とのエッチン
グ速度を等しくできない為に、前記酸化膜の境界に段差
を生じる。その結果、コンタクトホールにエピタキシャ
ル成長した時、成長した結晶に結晶欠陥を生じるという
問題がある。
成を変えると、以下に述べるような問題が生じることが
わかった。例えば、ノンドープのＣＶＤ酸化膜の上にリ
ンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化膜を有する酸化膜に
コンタクトホールを形成する場合、ＰＨを２以下にする
ために液の組成を変えると、ノンドープのＣＶＤ酸化膜
とリンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化膜とのエッチン
グ速度を等しくできない為に、前記酸化膜の境界に段差
を生じる。その結果、コンタクトホールにエピタキシャ
ル成長した時、成長した結晶に結晶欠陥を生じるという
問題がある。
【００１８】このような場合、ノンドープのＣＶＤ酸化
膜とリンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化膜とを同じ速
度でエッチングする、従来のエッチング液に浸漬した
後、シリコン表面を露出させる段階で、ＰＨ２以下のＨ
Ｆを含む水溶液に浸漬するようにすれば良い。尚、シリ
コン以外の他の半導体においても同様に、ＨＦを含む水
溶液のＰＨを２以下にすることで、金属の付着を抑制す
る事ができる。
膜とリンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化膜とを同じ速
度でエッチングする、従来のエッチング液に浸漬した
後、シリコン表面を露出させる段階で、ＰＨ２以下のＨ
Ｆを含む水溶液に浸漬するようにすれば良い。尚、シリ
コン以外の他の半導体においても同様に、ＨＦを含む水
溶液のＰＨを２以下にすることで、金属の付着を抑制す
る事ができる。
【００１９】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。 実施例１
【００２０】本発明第１項に関する実施例としてリン拡
散後の酸化膜のエッチングについて示す。表面にノンド
ープのポリシリコン膜の形成されたシリコンウエハにＰ
ＯＣｌ3 ガスを導入し９５０℃で３０分のＰの拡散処理
を行った後、金属としてＣｕを含む緩衝ＨＦ液（ＨＦ：
ＮＨ4 Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝６：３０：６４）でポリシリコン表
面に形成された酸化膜をエッチングする工程において、
前記水溶液にＨＣｌを添加しＰＨを１以下にすることに
より、Ｓｉ表面にＣｕが付着することを抑制した。酸化
の前工程のウエット処理においても同様に、前記ＨＦを
含む水溶液にＨＣｌを添加しＰＨを１以下にすることに
より、Ｓｉ表面に金属が付着することを抑制した。その
シリコンウエハを９００℃で３０分酸化を行い酸化膜耐
圧を評価した結果、図３に示すように金属汚染の無い場
合と同じ酸化膜耐圧になった。
散後の酸化膜のエッチングについて示す。表面にノンド
ープのポリシリコン膜の形成されたシリコンウエハにＰ
ＯＣｌ3 ガスを導入し９５０℃で３０分のＰの拡散処理
を行った後、金属としてＣｕを含む緩衝ＨＦ液（ＨＦ：
ＮＨ4 Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝６：３０：６４）でポリシリコン表
面に形成された酸化膜をエッチングする工程において、
前記水溶液にＨＣｌを添加しＰＨを１以下にすることに
より、Ｓｉ表面にＣｕが付着することを抑制した。酸化
の前工程のウエット処理においても同様に、前記ＨＦを
含む水溶液にＨＣｌを添加しＰＨを１以下にすることに
より、Ｓｉ表面に金属が付着することを抑制した。その
シリコンウエハを９００℃で３０分酸化を行い酸化膜耐
圧を評価した結果、図３に示すように金属汚染の無い場
合と同じ酸化膜耐圧になった。
【００２１】なお、ＰＨを小さくする方法はＨＣｌを添
加することに限るものではなく、他の酸、例えば、Ｈ
Ｆ、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 でも可能であ
る。但し、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 では、例
えば（５）式で示すようなＳｉの酸化反応が生じ、Ｓｉ
のエッチングが促進される。Ｓｉのエッチングも抑制し
ながらＣｕの付着を抑制したい場合には、Ｓｉの酸化を
促進しないＨＣｌを添加する方が適している。
加することに限るものではなく、他の酸、例えば、Ｈ
Ｆ、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 でも可能であ
る。但し、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 では、例
えば（５）式で示すようなＳｉの酸化反応が生じ、Ｓｉ
のエッチングが促進される。Ｓｉのエッチングも抑制し
ながらＣｕの付着を抑制したい場合には、Ｓｉの酸化を
促進しないＨＣｌを添加する方が適している。
【００２２】また、ＣＶＤやエピタキシャル成長の前処
理においても同様に、ＨＦを含む処理液のＰＨを２以下
にすることにより、成膜の選択性の向上や成膜中の結晶
欠陥を抑制した。 実施例２
理においても同様に、ＨＦを含む処理液のＰＨを２以下
にすることにより、成膜の選択性の向上や成膜中の結晶
欠陥を抑制した。 実施例２
【００２３】本発明第２項に関する実施例としてコンタ
クトホールのエッチングについて示す。ノンドープのＣ
ＶＤ酸化膜の上にリンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化
膜を有する酸化膜にコンタクトホールを形成する工程に
おいて、ノンドープのＣＶＤ酸化膜とリンとボロンをド
ープしたＣＶＤ酸化膜のエッチング速度を等しくするた
めに、金属としてＡｕを含む従来から使用している緩衝
ＨＦ液（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝６：３０：６４）で
酸化膜をエッチングし、シリコン表面が露出する前に、
前記水溶液にＨＣｌを添加しＰＨを１以下にすることに
より、シリコン表面にＡｕが付着することを抑制した。
そのシリコンウエハにシリコンをエピタキシャル成長さ
せた結果、露出したシリコン表面のみにシリコンが成長
し、成長したシリコンには結晶欠陥がなかった。それに
対し、従来のように緩衝ＨＦ液でのみエッチングした後
にシリコンをエピタキシャル成長させた時は、成長した
シリコンに結晶欠陥を生じた。また、上記酸化膜をＰＨ
２以下のＨＦを含む水溶液でエッチングした時は、ノン
ドープのＣＶＤ酸化膜とリンとボロンをドープしたＣＶ
Ｄ酸化膜の境界で段差を生じ、エピタキシャル膜の埋め
込みが完全にできなかった。
クトホールのエッチングについて示す。ノンドープのＣ
ＶＤ酸化膜の上にリンとボロンをドープしたＣＶＤ酸化
膜を有する酸化膜にコンタクトホールを形成する工程に
おいて、ノンドープのＣＶＤ酸化膜とリンとボロンをド
ープしたＣＶＤ酸化膜のエッチング速度を等しくするた
めに、金属としてＡｕを含む従来から使用している緩衝
ＨＦ液（ＨＦ：ＮＨ4Ｆ：Ｈ2 Ｏ＝６：３０：６４）で
酸化膜をエッチングし、シリコン表面が露出する前に、
前記水溶液にＨＣｌを添加しＰＨを１以下にすることに
より、シリコン表面にＡｕが付着することを抑制した。
そのシリコンウエハにシリコンをエピタキシャル成長さ
せた結果、露出したシリコン表面のみにシリコンが成長
し、成長したシリコンには結晶欠陥がなかった。それに
対し、従来のように緩衝ＨＦ液でのみエッチングした後
にシリコンをエピタキシャル成長させた時は、成長した
シリコンに結晶欠陥を生じた。また、上記酸化膜をＰＨ
２以下のＨＦを含む水溶液でエッチングした時は、ノン
ドープのＣＶＤ酸化膜とリンとボロンをドープしたＣＶ
Ｄ酸化膜の境界で段差を生じ、エピタキシャル膜の埋め
込みが完全にできなかった。
【００２４】なお、ＰＨを小さくする方法はＨＣｌを添
加することに限るものではなく、他の酸、例えば、Ｈ
Ｆ、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 でも可能であ
る。但し、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 では、例
えば（５）式で示すようなＳｉの酸化反応が生じ、Ｓｉ
のエッチングが促進される。Ｓｉのエッチングも抑制し
ながらＣｕの付着を抑制したい場合には、Ｓｉの酸化を
促進しないＨＣｌを添加する方が適している。
加することに限るものではなく、他の酸、例えば、Ｈ
Ｆ、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 でも可能であ
る。但し、ＨＮＯ3 、Ｈ2 ＳＯ4 、Ｈ3 ＰＯ4 では、例
えば（５）式で示すようなＳｉの酸化反応が生じ、Ｓｉ
のエッチングが促進される。Ｓｉのエッチングも抑制し
ながらＣｕの付着を抑制したい場合には、Ｓｉの酸化を
促進しないＨＣｌを添加する方が適している。
【００２５】また、ＣＶＤや酸化の前処理におけるＨＦ
を含む水溶液でのエッチングにおいても同様に、Ｓｉ表
面が露出する前にＨＦを含む処理液のＰＨを１以下にす
ることにより、成膜の選択性や酸化膜の耐圧が向上し
た。尚、上記金属は、ＣｕやＡｕ以外の金属でも良い。
また、被処理基体としては、Ｓｉ以外の半導体でも良
い。
を含む水溶液でのエッチングにおいても同様に、Ｓｉ表
面が露出する前にＨＦを含む処理液のＰＨを１以下にす
ることにより、成膜の選択性や酸化膜の耐圧が向上し
た。尚、上記金属は、ＣｕやＡｕ以外の金属でも良い。
また、被処理基体としては、Ｓｉ以外の半導体でも良
い。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、少
なくともＨＦを含む水溶液に万一金属イオンが混入して
も、Ｓｉ表面への金属の付着を抑制することができ、半
導体プロセスにおいて、酸化膜の耐圧や成膜の選択性が
向上し、素子特性が向上する。
なくともＨＦを含む水溶液に万一金属イオンが混入して
も、Ｓｉ表面への金属の付着を抑制することができ、半
導体プロセスにおいて、酸化膜の耐圧や成膜の選択性が
向上し、素子特性が向上する。
【図１】 Ｃｕ付着量およびＳｉエッチング量の時間依
存性を示す特性図。
存性を示す特性図。
【図２】 Ｃｕ付着量およびＳｉエッチング量のＰＨ依
存性を示す特性図。
存性を示す特性図。
【図３】 酸化膜の耐圧特性を示す特性図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡野 晴雄 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内 (72)発明者 小澤 良夫 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝総合研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくともＨＦと金属または金属イオン
を含んだ水溶液中に被処理基体を浸漬する表面処理、あ
るいは、少なくともＨＦを含む水溶液中に、表面に形成
された薄膜表面に金属が付着しているかあるいは表面に
形成された薄膜中に金属が含まれた被処理基体を浸漬す
る表面処理において、前記水溶液のＰＨを２以下にする
ことを特徴とする表面処理方法。 - 【請求項２】 薄膜で被覆された半導体が表面に形成さ
れた被処理基体を第１の水溶液に浸漬し、前記薄膜を途
中までエッチングした後、前記被処理基体を第２の水溶
液に浸漬し、前記薄膜を更にエッチングして前記半導体
の少なくとも一部を露出させる表面処理であって、前記
第１の水溶液又は前記薄膜が金属あるいは金属イオンを
有するものであって、前記第２の水溶液が少なくともＨ
Ｆを含みＰＨが２以下であることを特徴とする表面処理
方法。 - 【請求項３】 前記被処理基体として表面にシリコンを
有することを特徴とする請求項１記載の表面処理方法。 - 【請求項４】 前記半導体としてシリコンを用いること
を特徴とする請求項２記載の表面処理方法。 - 【請求項５】 前記金属または金属イオンとは、Ｈより
もイオン化傾向の小さい金属または金属イオンであるこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の表面処理方法。 - 【請求項６】 前記被処理基体が、表面にシリコン酸化
膜が形成されたシリコンであり、前記金属または金属イ
オンがＣｕまたはＣｕイオンであることを特徴とする請
求項１又は２記載の表面処理方法。 - 【請求項７】 前記ＰＨ２以下の水溶液が、ＨＣｌを含
むことを特徴とする請求項１又は２記載の表面処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3902792A JPH05234980A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3902792A JPH05234980A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05234980A true JPH05234980A (ja) | 1993-09-10 |
Family
ID=12541631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3902792A Pending JPH05234980A (ja) | 1992-02-26 | 1992-02-26 | 表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05234980A (ja) |
-
1992
- 1992-02-26 JP JP3902792A patent/JPH05234980A/ja active Pending
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