JPH05234359A

JPH05234359A - ブロッホラインメモリの読み出し導体及び読み出し方法

Info

Publication number: JPH05234359A
Application number: JP4036675A
Authority: JP
Inventors: Toru Suzuki; 徹鈴木
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1992-02-24
Filing date: 1992-02-24
Publication date: 1993-09-10

Abstract

(57)【要約】【目的】ブロッホラインメモリの読み出し導体におい
て、ストライプ磁区の磁区幅を１μｍ程度と小さくして
も、充分大なる切断電流マージンを得る。【構成】互いに逆向きの電流を流して磁界を発生さ
せ、ストライプ磁区の先端部の切断の可否によってその
磁壁に形成された垂直ブロッホラインの有無を読み出す
ブロッホラインメモリの読み出し導体１１において、こ
の読み出し導体１１を、電流が直列に流れる２本の帯状
の導体層対より成る第１及び第２の導体層対５及び６よ
り構成し、この第１及び第２の導体層対５及び６の発生
する磁界の磁界中心がほぼ重なるように設け、且つ第１
の導体層対５の幅Ｗ₁及びＷ₂を第２の導体層対６の幅
Ｗ₃及びＷ₄に比し小として構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ストライプ磁区の磁壁
中に存在する垂直ブロッホラインを情報担体とする磁気
記憶素子いわゆるブロッホラインメモリの読み出し導体
及び読み出し方法に係わる。

【０００２】

【従来の技術】ブロッホラインメモリについては、例え
ば日経エレクトロニクス1983年 8月15日号第 141〜 167
頁の記事や、特開昭６０−１１３３８９号公開公報等に
その開示があり、この種のブロッホラインメモリは、磁
気バブルを細長く引き伸ばしたストライプ磁区の磁壁中
に存在する負の垂直ブロッホライン（以下ＶＢＬとい
う）を情報の担体とするもので、高密度記録媒体として
脚光を浴びるに到っている。

【０００３】ブロッホラインメモリは、図７にその一例
の構成図を示すように、例えば５ｍｍ四方の非磁性ガー
ネット等より成る基体上に、磁性ガーネット膜等より成
る磁性薄膜１が設けられて成り、これにストライプ磁区
１０の磁壁即ちマイナーループが平行配列されて成るマ
イナーループ部１２と、その例えば両端部に対向してメ
ジャーライン１３とが設けられる。メジャーライン１３
は、例えば対の磁気バブル転送導体（図においては１本
のみを示している）が配置された磁気バブル転送手段１
４を有して成る。そしてマイナーループ部１２とメジャ
ーライン１３との間に例えば２条の磁区切断用の読み出
し導体１１が形成されて成る。

【０００４】このような構成における記録方法を説明す
るに、先ず、磁気バブル転送手段１４によって磁気バブ
ルをメジャーライン１３に沿って転送し、一方ストライ
プ磁区１０をメジャーライン１３に向かって伸長させる
と、磁気バブルが存在しない場合はストライプ磁区１０
がメジャーライン１３にまで読み出し導体１１下を横切
って延長されるが、磁気バブルが存在する場合はこのバ
ブルによる反発によってストライプ磁区１０は延長され
ない。従って、引き伸ばされたストライプ磁区１０のみ
を読み出し導体１１によって切断することができ、これ
によって引き伸ばされたストライプ磁区１０内にのみＶ
ＢＬを形成することができる。このようにして、磁気バ
ブルの有無を対のＶＢＬの有無に変換した２値情報の例
えば“０”と“１”を書き込むようにすることができ
る。

【０００５】また読出方法としては、情報の母体となる
ストライプ磁区１０の磁壁のＶＢＬを転送して先端部に
送り込み、例えばバイアス磁界を減じて同様にストライ
プ磁区１０を引き伸ばす。このとき、図８及び図９に示
すように、ストライプ磁区１０の読み出し導体１１を挟
んだ両側の磁壁の磁化の向きは、先端部１０ａのＶＢＬ
の有無によって、平行又は反平行となる。このとき、局
所的な磁場を与えると磁区１０が切断されるが、その切
断電流値に差が生じることを利用して、ＶＢＬの有無を
磁気バブルの有無に変換することができる。以下図面を
参照して説明する。図８及び図９において矢印Ｍ_i及び
Ｍ_oはそれぞれストライプ磁区１０の内側と外側の磁化
の向きを示す。

【０００６】先ず図８Ａに示すように、ストライプ磁区
１０の先端部１０ａにＶＢＬが１本存在する場合は、読
み出し導体１１に挟まれた両側の磁壁の磁化は、矢印ｍ
₁及びｍ₂で示すように同じ向きとなる。そしてこの読
み出し導体１１に所定のパルス電流を印加して局所的な
磁場を与えると、両磁壁は近づき、ついには図８Ｂに示
すように、ストライプ磁区１０が切断されて磁気バブル
１５が発生する。

【０００７】一方先端部１０ａにＶＢＬが存在しない場
合は、図９Ａに示すように、読み出し導体１１に挟まれ
た両側の磁壁の磁化は矢印ｍ₁及びｍ₂で示すように、
反平行即ち逆向きとなる。この場合両磁壁が近づいたと
き磁壁磁化が反平行を向いているために、交換エネルギ
ーによる反発力が生じる。この結果切断できる電流値が
図８Ａにおいて説明した場合に比して大となって、切断
されにくくなり、図９Ｂに示すようにこの場合切断され
ない。従って、この差異を利用して、読み出し導体１１
に印加する電流値を適切に選定することによって、ＶＢ
Ｌの有無を、ストライプ磁区１０の先端部１０ａの切断
の可否によって磁気バブルの有無に変換することができ
る。

【０００８】図１０にこのような読み出し導体１１の一
例の略線的拡大断面図を示し、図１１に略線的拡大平面
図を示す。図１０に示すように、従来のブロッホライン
メモリの読み出し導体１１は、幅Ｗ₅及びＷ₆が例えば
それぞれ約４μｍ、これらの間隔ｄ₃が例えば４μｍの
対の導体層より成り、図１１に示すようにこの導体層対
は直列に接続されて成り、ゲート動作時には、バイアス
磁界を減じることによってマイナーループ部の各ストラ
イプ磁区１０の先端部１０ａを読み出し導体１１を横切
るように伸長させ、この後所定の切断電流をこの導体１
１に印加して、上述したようにストライプ磁区１０の切
断の可否によってＶＢＬの読み出しを行う。図１２に、
このときの切断直前の磁区の状態を示す。

【０００９】尚、磁気バブルの読み出しは、例えば磁気
抵抗効果やホール効果を利用したバブル検出器により電
気信号に変換することによって行うことができる。磁気
抵抗効果によりバブルを検出する技術はバブルメモリに
おいて確立された技術である。

【００１０】ところで、上述したようにストライプ磁区
１０の切断の可否によって確実にＶＢＬの有無を磁気バ
ブルの有無に変換するためには、ＶＢＬの存在する場合
と存在しない場合とにおいて、切断可能な電流値の差が
大となること、即ち切断電流のマージンが大であること
が必要となる。

【００１１】また、このようなブロッホラインメモリに
おいて、更にその記録密度を向上するために、ストライ
プ磁区１０の幅を狭めることが試みられているが、この
ように磁区幅を狭めると、上述した切断電流のマージン
が小となってしまう。即ち、例えばこのストライプ磁区
１０の幅を０．５μｍとする場合には、上述の切断電流
マージンが１５〜１６％程度であるが、この幅を１μｍ
程とする場合はマージンが３％程度となってしまうこと
が報告されている。これを改善する方法として、パルス
幅が長く振幅の小なるパルス電流と、パルス幅が短く振
幅の大なるパルス電流とを組み合わせた切断電流を用い
る方法が提案されている（例えば第１５回日本応用磁気
学会学術講演概要集ｐ４７３）。

【００１２】即ち、従来のブロッホラインメモリにおい
ては、図１３に示すように、切断電流として例えばパル
ス幅が１５０ｎｓ、振幅が１００ｍＡ程度のパルス電流
を印加していたが、この方法においては、図１４に示す
ように、パルス幅が５００ｎｓで振幅が５０ｍＡ程度の
パルス電流と、パルス幅が５０ｎｓで振幅が１００ｍＡ
程度のパルス電流とを組み合わせることによって、十分
大なる切断マージンを得ているものである。

【００１３】これは、以下の理由によるものと思われ
る。即ち、パルス幅が長く振幅の小さい切断電流は、先
ずストライプ磁区を水平ブロッホラインが発生しないよ
うに狭め、読み出し導体１１に挟まれた磁壁を近づける
作用があり、このように水平ブロッホラインを発生させ
ずに磁壁を近づけることによって、磁壁磁化が反平行を
向いた磁壁間に、交換エネルギーによる反発力を生じさ
せることができることとなる。

【００１４】一方、パルス幅が短く振幅の大きい切断電
流を印加すると、磁壁磁化が平行の場合は切断され易い
が、反平行の場合は交換エネルギーにより切断されにく
い。従って、これら２種類のパルス電流を組み合わせる
ことによって、水平ブロッホラインを発生させずに磁壁
を近づけられることとなって、交換エネルギーによる差
異が顕著に現れることとなり、切断電流マージンが広が
るものと考えられている。

【００１５】しかしながら、従来構成のブロッホライン
メモリの読み出し導体によってこのような２種類の電流
を印加すると、それぞれのパルス電流による効果を十分
得られない恐れがある。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うなブロッホラインメモリの読み出し導体において、確
実にＶＢＬの有無を磁気バブルの有無に変換できるよう
に切断電流のマージンを大とすることを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、ストライプ磁
区の先端部の近傍において平行導体層より成る読み出し
導体が設けられ、この読み出し導体に互いに逆向きの電
流を流して磁界を発生させて、ストライプ磁区の先端部
の切断の可否によってストライプ磁区の磁壁に形成され
た垂直ブロッホラインの有無を読み出すブロッホライン
メモリの読み出し導体において、その一例の略線的拡大
断面図を図１に示すように、読み出し導体１１が、電流
が直列に流れる２本の帯状の導体層対より成る第１及び
第２の導体層対５及び６より構成して、この第１の導体
層対５の発生する磁界と第２の導体層対６の発生する磁
界の磁界中心がほぼ重なるように設け、且つ第１の導体
層対５の幅Ｗ₁及びＷ₂を第２の導体層対６の幅Ｗ₃及
びＷ₄に比し小として構成する。

【００１８】また本発明の他の一によるブロッホライン
メモリの読み出し導体は、このような読み出し導体にお
いて、特に第１の導体層対５と第２の導体層対６とを、
上下異なる層により構成する。

【００１９】更にまた本発明の他の一によるブロッホラ
インメモリの読み出し導体は、図２に示すように、第１
の導体層対５と第２の導体層対６とを同一の導体層から
形成して構成する。

【００２０】また本発明によるブロッホラインメモリの
読み出し方法は、ストライプ磁区の先端部の近傍におい
て平行導体層より成る読み出し導体が設けられ、この読
み出し導体に互いに逆向きの電流を流して磁界を発生さ
せて、ストライプ磁区の先端部の切断の可否によってス
トライプ磁区の磁壁に形成された垂直ブロッホラインの
有無を読み出すブロッホラインメモリの読み出し方法に
おいて、読み出し導体を、それぞれ対の帯状の第１及び
第２の導体層対５及び６により構成し、この第１及び第
２の導体層対５及び６をその発生する磁界の中心磁界が
ほぼ重なるように構成して、且つ第１の導体層対５の幅
Ｗ₁及びＷ₂を、第２の導体層対６の幅Ｗ₃及びＷ₄に
比し小として構成し、第１の導体層対５に印加するパル
ス電流のパルス幅をＴ_W1、振幅をＩ_A1とし、第２の導体
層対６に印加するパルス電流のパルス幅をＴ_W2、振幅を
Ｉ_A2とするとき、Ｔ_W1＜Ｔ_W2で、且つＩ_A1＞Ｉ_A2として
読み出す。

【００２１】

【作用】上述したように、本発明ブロッホラインメモリ
の読み出し導体は、２対の帯状の導体層対によって構成
されるものであり、これら第１及び第２の導体層対５及
び６を、その磁界中心がほぼ重なるように配置して、第
１の導体層対５の幅を第２の導体層対６の幅に比して小
とすることによって、幅広の第２の導体層対６には局所
的に磁界を高め、水平ブロッホラインを発生させないよ
うに磁区幅を狭め、磁壁を近づける機能を持たせ、他方
の幅狭の第１の導体層対５には、振幅の大きな磁界を発
生させて、磁区を切断する機能を持たせることができ
る。

【００２２】即ち本発明ブロッホラインメモリの読み出
し方法によれば、上述したように、幅広の第２の導体層
対６に比較的長いパルス幅Ｔ_W2、小さい振幅Ｉ_A2のパル
ス電流を印加することによって、図２に示すように、こ
の第２の導体層対６の下の比較的広い領域にわたってス
トライプ磁区１０の磁壁を近づけて磁区を狭めることと
なる。このとき、先端部１０ａにＶＢＬが存在せず、こ
の導体層対６間の磁壁磁化が反平行の場合には、磁壁の
近づいた範囲が広いために、交換エネルギーによる反発
力も大きい。そして第１の導体層対５に比較的短いパル
ス幅Ｔ_W1、大なる振幅Ｉ_A1のパルス電流を印加すること
によって、先端部１０ａのＶＢＬの有無に応じてその切
断を行う。このときＶＢＬが存在しない場合は上述した
ように、広い範囲にわたって磁壁が近づくために交換エ
ネルギーによる反発力が有効に働き、従来の読み出し導
体に比して切断されにくくなる。従って、切断電流値の
マージンを大とすることができる。

【００２３】また、特に本発明読み出し導体において
は、磁区幅を狭めるために、切断用の第１の導体層対５
とは独別に幅広の第２の導体層対６を設けることによ
り、この導体層対６による磁界の面内磁界振幅を小とす
ることができるため、この影響による水平ブロッホライ
ンが成長することを抑制できる。即ち水平ブロッホライ
ンが成長することによって、反平行の磁壁磁化が平行磁
化に変化して、切断電流値のマージンが減少することを
回避できる。

【００２４】また、本発明の他の一の読み出し導体は、
図１に示すように、これら第１及び第２の導体層対５及
び６を、上下異なる導体層により構成することによっ
て、この部分の面積の増加を抑制することができる。

【００２５】更に、本発明の他の一の読み出し導体は、
図３に示すように、これら第１及び第２の導体層対５及
び６を、同一平面上の導体層により構成することによっ
て、工程数の増加を回避することができる。

【００２６】

【実施例】以下図面を参照して本発明ブロッホラインメ
モリの読み出し導体及び読み出し方法を詳細に説明す
る。この例においても、図７において説明した素子構成
とするもので、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜１上
に、周囲と磁化の方向が逆方向であるストライプ磁区１
０が並置配列されてマイナーループ部１２が構成され、
その例えば両端部に対向してメジャーライン１３が設け
られる。メジャーライン１３は、例えば対の磁気バブル
転送導体（図においては１本のみを示している）が配置
された磁気バブル転送手段１４を有して成る。そしてマ
イナーループ部１２とメジャーライン１３との間の、ス
トライプ磁区１０の先端部近傍に平行導体層より成る磁
区切断用の読み出し導体１１が形成されて成り、この読
み出し導体１１を直列に接続し、互いに逆向きの電流を
流して導体層間に磁界を発生させて、ストライプ磁区１
０の先端部の切断の可否によってストライプ磁区１０の
磁壁に形成されたＶＢＬの有無を読み出すようになすも
のである。

【００２７】この場合便宜上６本のストライプ磁区１０
を示しているが、通常のブロッホラインメモリにおいて
は、数百〜数千本のストライプ磁区１０が並列形成され
る。また、図示しないが、ストライプ磁区１０の両端側
に、交互にガイド磁区を設けて、ストライプ磁区１０を
確実にその長手方向に伸長させたり、またはマイナール
ープ部１２とメジャーライン１３との機能部を取り囲む
ように、外部からの磁場の影響を防ぐフェンス磁区を設
ける構成とすることもできる。

【００２８】このブロッホラインメモリは、図１に示す
ように、磁性ガーネット等より成る磁性薄膜１上に、例
えば磁区観察用及び磁歪緩和用のＡｌ膜２ａを厚さ例え
ば０．１μｍとし、更にこの上にビットポテンシャル発
生用のＣｒ膜２ｂを厚さ例えば０．１μｍとしてそれぞ
れフォトリソグラフィ等の適用によりパターニング形成
する。このＣｒ膜２ａは、そのストレスにより生じる逆
磁歪効果によって、ストライプ磁区の磁壁に生ずるブロ
ッホラインの位置を安定化するビットポテンシャルを発
生させ、一方Ａｌ膜２ｂはＣｒのストレスを緩和して、
このビットポテンシャルの振幅を調整する。そしてこの
上に厚さ例えば０．３μｍの絶縁層３を介して、例えば
厚さ０．２μｍのＴｂＣｏ等の垂直磁化膜より成る磁区
固定手段４をパターニング形成する。この場合、この垂
直磁化膜により生じる浮遊磁場によって、各ストライプ
磁区を安定化するもので、各ストライプ磁区１０の幅は
１μｍとしてそれぞれ形成した。また上述したガイド磁
区やフェンス磁区のパタンに沿って形成し、これらの磁
区を固定するようになすこともできる。そしてこの上を
厚さ例えば０．３μｍの絶縁層３によって覆い、上面を
平坦化する。

【００２９】そしてこの場合、読み出し導体１１を上下
異なる２層の導体層により構成する。即ち、第１の導体
層対５は、厚さ例えば０．０２μｍのＴｉ層上に、厚さ
例えば０．５μｍのＡｕ層を被着した後、その幅Ｗ₁及
びＷ₂をそれぞれ４μｍ、間隔ｄ₁を４μｍとして、ス
トライプ磁区の伸長方向を横切る方向に延長するパター
ンとしてパターニング形成する。更にこの上に、厚さ例
えば０．３μｍの絶縁層３を介して、第２の導体層対６
を同様に厚さ例えば０．０２μｍのＴｉ層上に、厚さ例
えば０．５μｍのＡｕ層を被着して、その幅Ｗ₃及びＷ
₄をそれぞれ１０μｍ、間隔ｄ₂を１０μｍとしてフォ
トリソグラフィ等の適用によって、同様にストライプ磁
区の伸長方向を横切る方向に延長するパターンとしてパ
ターニング形成する。

【００３０】これら各導体層対５及び６の平面図を図４
に示す。図４においては、読み出し動作時にバイアス磁
界を減じて、ストライプ磁区１０の先端部１０ａをそれ
ぞれこの読み出し導体１１を横切るように伸長させた状
態を示す。図４に示すように、各導体層対５及び６は、
一端が、ストライプ磁区１０の外側でそれぞれ接続され
て、各導体層対間に逆向きの電流が流れるようになし、
それぞれの平行導体層の中心線位置が一致するように配
置され、これら導体層対の発生する磁界中心がほぼ重な
るようになす。この場合ストライプ磁区１０の内側の磁
化を矢印Ｍ_iで示し、外側の磁化を矢印Ｍ_Oで示す。

【００３１】そしてこの状態で、図２において説明した
ように、第２の導体層対６に比較的長いパルス幅Ｔ_W2、
小さい振幅Ｉ_A2のパルス電流を印加して、図２の紙面に
対し上向きの、即ちストライプ磁区１０の外側の磁化と
同一の向きに磁界を発生させて、この第２の導体層対６
の下の比較的広い領域にわたってストライプ磁区１０の
磁壁を近づけて磁区を狭める。このとき、先端部１０ａ
にＶＢＬが存在せず、この導体層対６間の磁壁磁化が反
平行の場合には、磁壁の近づいた範囲が広いために、交
換エネルギーによる反発力も大きい。そして第１の導体
層対５に比較的短いパルス幅Ｔ_W1、大なる振幅Ｉ_A1のパ
ルス電流を同様に図２の紙面に対し上向きに磁界が生じ
るように印加して、先端部１０ａのＶＢＬの有無に応じ
てその切断を行う。このときＶＢＬが存在しない場合は
上述したように、広い範囲にわたって磁壁が近づくため
に交換エネルギーによる反発力が有効に働き、従来の読
み出し導体に比して切断されにくくなる。従って、切断
電流値のマージンを大とすることができ、これによりバ
イアス磁界マージンをも大とすることができる。

【００３２】またこのとき、磁区幅を狭める幅広の第２
の導体層対６を設けることにより、この導体層対６によ
る磁界の面内磁界振幅を小とすることができるため、こ
の影響による水平ブロッホラインが成長することを抑制
できる。即ち水平ブロッホラインが成長することによっ
て、反平行の磁壁磁化が平行磁化に変化して、切断電流
値のマージンが減少することを回避できる。

【００３３】この例においては、図５に示すように第１
の導体層対５に印加するパルス電流のパルス幅Ｔ_W2を５
０ｎｓ、振幅Ｉ_A2を１００ｍＡとし、図６に示すよう
に、第２の導体層対６に印加するパルス電流のパルス幅
Ｔ_W1を５００ｎｓ、振幅Ｉ_A1を５０ｍＡとして読み出し
を行ったところ、切断電流マージンを１０％とすること
ができた。

【００３４】このように本発明実施例においては、２種
類の異なるパルス電流をそれぞれ別体の導電層対に印加
する構成とすることにより、磁壁を狭める機能と磁区を
切断する機能とそ独別に作用させることができ、それぞ
れのパルス電流による効果を十分得ることができる。

【００３５】更にこの場合、各導体層対５及び６を上下
異なる導体層により構成することによって、この読み出
し導体１１の占める面積を比較的小とすることができ
る。上述の例においては、第１の導体層対５を下層に、
第２の導体層対６を上層に設けた場合であるが、これら
を上下逆とすることもできる。しかしながら、磁区を切
断する第１の導体層対５は、磁区を形成する磁性薄膜１
になるべく近接して設けられることが望ましく、幅狭の
第１の導体層対５を下層に、幅広の第２の導体層対６を
上層に設けることが望ましい。

【００３６】また、図３に示すように、これら導体層対
５及び６を同一の導体層により構成することもできる。
図３において、図１に対応する部分には同一符号を付し
て重複説明を省略する。この場合、例えば第１の導体層
対５の幅Ｗ₁及びＷ₂と、その間隔ｄ₁をそれぞれ３μ
ｍとし、第２の導体層対６の幅Ｗ₃及びＷ₄を１０μ
ｍ、その間隔ｄを１４μｍとして構成し、この例におい
ても上述の例と同様に、１０％程度の充分大なる切断電
流マージンを得ることができた。この場合同一の導体層
によりパターニング形成することができるため、製造工
程数の増加を招くことなく上述の効果を得ることができ
る。

【００３７】尚、本発明は上述の実施例に限ることな
く、その他種々の材料構成を採るブロッホラインメモリ
に適用することができ、またパルス電流幅及び振幅、ま
た電流の向き等種々の変形変更が可能であることはいう
までもない。

【００３８】

【発明の効果】上述したように、本発明ブロッホライン
メモリの読み出し導体及び読み出し方法によれば、幅狭
の第１の導体層対と幅広の第２の導体層対とを、その磁
界中心が重なるように設けて、第２の導体層対にパルス
幅の長く、振幅の小なるパルス電流を印加することによ
って、水平ブロッホラインを生じることなく広い範囲に
わたって磁区を狭めることができ、一方第１の導体層対
によってパルス幅の短く、振幅の大なる電流を印加して
磁区を切断することによって、十分大なる切断電流マー
ジンを得ることができ、これにより広いバイアス磁界マ
ージンを得ることができる。特に、ストライプ磁区の幅
を従来に比し小なる１μｍ程度とする場合においても、
１０％程度の高い切断電流マージンを得ることができ
た。

【００３９】また本発明の他の一の読み出し導体は、上
下異なる層により各導体層対５及び６を構成することに
よって、その面積の増加を抑制することができる。

【００４０】更にまた本発明の他の一の読み出し導体
は、同一の導体層から各導体層対５及び６を形成するこ
とから、製造工程数の増加を回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明ブロッホラインメモリの読み出し導体の
一例の略線的拡大断面図である。

【図２】本発明ブロッホラインメモリの読み出し方法の
説明図である。

【図３】本発明ブロッホラインメモリの読み出し導体の
他の例の略線的拡大断面図である。

【図４】本発明ブロッホラインメモリの読み出し導体の
一例の略線的拡大平面図である。

【図５】本発明ブロッホラインメモリの読み出し導体の
第１の導体層対の印加電流を示す図である。

【図６】本発明ブロッホラインメモリの読み出し導体の
第２の導体層対の印加電流を示す図である。

【図７】ブロッホラインメモリの一例の構成図である。

【図８】ブロッホラインメモリの読み出し方法の説明図
である。

【図９】ブロッホラインメモリの読み出し方法の説明図
である。

【図１０】従来のブロッホラインメモリの読み出し導体
の略線的拡大断面図である。

【図１１】従来のブロッホラインメモリの読み出し導体
の略線的拡大平面図である。

【図１２】従来のブロッホラインメモリの読み出し方法
の説明図である。

【図１３】従来のブロッホラインメモリの磁区切断電流
を示す図である。

【図１４】従来のブロッホラインメモリの磁区切断電流
を示す図である。

【符号の説明】

１磁性薄膜５第１の導体層対６第２の導体層対１１読み出し導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ストライプ磁区の先端部の近傍において
平行導体層より成る読み出し導体が設けられ、上記読み
出し導体に互いに逆向きの電流を流して磁界を発生させ
て、上記ストライプ磁区の上記先端部の切断の可否によ
って上記ストライプ磁区の磁壁に形成された垂直ブロッ
ホラインの有無を読み出すブロッホラインメモリの読み
出し導体において、上記読み出し導体が、電流が直列に流れる２本の帯状の
導体層対より成る第１及び第２の導体層対より構成さ
れ、上記第１の導体層対の発生する磁界と上記第２の導体層
対の発生する磁界の磁界中心がほぼ重なるように設けら
れ、且つ上記第１の導体層対の幅は上記第２の導体層対の幅
に比し小とされて成ることを特徴とするブロッホライン
メモリの読み出し導体。
【請求項２】第１の導体層対と第２の導体層対とが、
上下異なる層により構成されることを特徴とする上記請
求項１に記載のブロッホラインメモリの読み出し導体。
【請求項３】第１の導体層対と第２の導体層対とが同
一の導体層から形成されて成ることを特徴とする上記請
求項１に記載のブロッホラインメモリの読み出し導体。
【請求項４】ストライプ磁区の先端部の近傍において
平行導体層より成る読み出し導体が設けられ、上記読み
出し導体に互いに逆向きの電流を流して磁界を発生させ
て、上記ストライプ磁区の上記先端部の切断の可否によ
って上記ストライプ磁区の磁壁に形成された垂直ブロッ
ホラインの有無を読み出すブロッホラインメモリの読み
出し方法において、上記読み出し導体が、それぞれ対の帯状の第１及び第２
の導体層対より成り、上記第１及び第２の導体層対はその発生する磁界の中心
磁界がほぼ重なるように構成され、且つ上記第１の導体層対の幅は上記第２の導体層対の幅
に比し小とされて成り、上記第１の導体層対に印加するパルス電流のパルス幅を
Ｔ_W1、振幅をＩ_A1とし、上記第２の導体層対に印加する
パルス電流のパルス幅をＴ_W2、振幅をＩ_A2とするとき、Ｔ_W1＜Ｔ_W2で且つＩ_A1＞Ｉ_A2として読み出すことを特徴
とするブロッホラインメモリの読み出し方法。